CN116840734B - 一种数字脉冲参数检测系统及方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种数字脉冲参数检测系统，包括：待测数字脉冲源、MOS管、分压电路、ADC芯片、MCU、DAC芯片、电容(K)以及显示模块，MOS管的输出端通过分压电路与ADC芯片的输入端连接，ADC芯片将12位数字信号输出到MCU的输入端，MCU的输出端分别与显示模块、DAC芯片以及MOS管的输入端连接，MOS管包括第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)以及第三MOS管(M3)，第一MOS管(M1)与待测数字脉冲源连接，分压电路包括第一分压电路、第二分压电路以及第三分压电路，在第三分压电路和第三MOS管间并联电容(K)。本发明提供的基于一种数字脉冲参数检测系统的检测方法可以实现对待测数字脉冲的电压、脉冲宽度、占空比、脉冲电流和额定功率的实时测量。

Description

一种数字脉冲参数检测系统及方法

技术领域

本发明属于数据处理技术领域，具体涉及一种数字脉冲参数检测系统及方法。

背景技术

脉冲信号和周期性脉冲信号有多种形式，但是表征其特性的主要参数通常是相同的。PWM电源参数、数字信号时钟参数等信号的检测均属于数字脉冲参数的检测，其脉冲波形为矩形波。

PWM电源具有广泛应用。在实际生产中，经常需要对PWM电源的脉冲宽度、脉冲电流和额定功率进行测试，以确保生产的产品符合目标规格。测量结果是产品开发和生产的重要数据，可以为开发生产中器件选型提供依据，具有重要的技术和经济意义。

传统的直流电源测试方法通常采用加载的方法测定电源的功率，而对于数字脉冲的脉冲宽度、占空比和脉冲电流缺乏有效的测量方法。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种数字脉冲参数检测系统，包括：待测数字脉冲源、MOS管、分压电路、ADC芯片、MCU、DAC芯片、电容K以及显示模块，所述MOS管包括第一MOS管M1、第二MOS管M2以及第三MOS管M3，所述分压电路上设置有分压点，所述ADC芯片的一端与所述分压点连接，另一端与所述MCU的输入端连接，所述MCU的输出端分别与所述显示模块、DAC芯片的输入端、第二MOS管的G极以及第三MOS管M3的G极连接，所述DAC芯片的输出端与所述第一MOS管M1的G极连接，所述分压电路包括第一分压电路、第二分压电路以及第三分压电路，所述第一MOS管M1的S极分别与第一分压电路和待测数字脉冲源连接，所述第一MOS管M1的D极分别与所述第二分压电路和第二MOS管M2的S极连接，所述第二MOS管M2的D极分别与所述第三MOS管M3的D极、电容K以及第三分压电路连接。

进一步地，所述ADC芯片包括第一ADC芯片、第二ADC芯片以及第三ADC芯片，所述第一ADC芯片的输入端与第一电路的分压点连接，所述第一ADC芯片的输出端与所述MCU的输入端连接，所述第二ADC芯片的输入端与第二电路的分压点连接，所述第二ADC芯片的输出端与所述MCU的输入端连接，所述第三ADC芯片的输入端与第三电路的分压点连接，所述第三ADC芯片的输出端与所述MCU的输入端连接。

进一步地，所述第一分压电路，包括由第四电阻R4和第五电阻R5构成的串联支路，所述串联支路的一端与所述待测数字脉冲源和第一MOS管M1的S极连接，另一端与第一接地端GND1连接，所述第四电阻R4与所述第五电阻R5的公共点为第一分压点E。

进一步地，所述第二分压电路，包括由第六电阻R6和第七电阻R7构成的串联支路，所述串联支路的一端与所述第一MOS管M1的D极和第二MOS管M2的S极连接，另一端与第二接地端GND2连接，所述第六电阻R6与所述第七电阻R7的公共点为第二分压点F。

进一步地，所述第三分压电路，包括由第八电阻R8和第九电阻R9构成的串联支路，所述串联支路的一端与所述第二MOS管M2的D极和第三MOS管M3的D极连接，另一端与第三接地端GND3连接，所述第八电阻R8与所述第九电阻R9的公共点为第三分压点H。

进一步地，所述电容K为一个或者多个，多个电容K之间为并联连接。

进一步地，所述DAC芯片与所述第一MOS管M1之间还连接有第一电阻R1，所述MCU和所述第二MOS管M2之间还连接有第二电阻R2，所述MCU和所述第三MOS管M3之间还连接有第三电阻R3。

进一步地，所述MCU为FPGA、DSP或ARM等嵌入式芯片。

进一步地，所述第一MOS管M1和第二MOS管M2为PMOS管，所述第三MOS管M3为NMOS管。

本发明还提供了一种基于数字脉冲参数检测系统的方法，所述待测数字脉冲源的脉冲电压、脉冲宽度、占空比、电流以及功率为待测量参数，

将所述第一分压电路与所述第一MOS管M1连接的公共点记为A点，将所述第二分压电路与所述第二MOS管M2连接的公共点记为B点，将所述第三分压电路与所述第三MOS管M3连接的公共点记为C点，将所述第三分压电路与所述电容K连接所述第三接地端GND3的公共点记为D点，

当所述第一MOS管M1用作压控电阻，其电阻大小由所述MCU来控制，而所述第二MOS管M2和所述第三MOS管M3用作开关管，由所述MCU控制接通所述第二MOS管M2和所述第三MOS管M3，

由所述MCU实时读取出的F点、G点和H点的电压记为VF、VG和VH，计算得到A、B和C点的电压记为VA、VB、VC，VA即为待测数字脉冲源的脉冲电压，计算公式为：

由所述MCU检测到的VA的高电平电压记为VAH，低电平电压为VAL，则VA处于高电平状态下的持续时长为T1，所得到的高电平状态下的脉冲曲线的宽度为脉冲宽度，VA处于一个脉冲电压的周期为T,计算得到占空比u，计算公式为：

设所述第一MOS管M1的电阻为RM，流经所述第一MOS管M1的电流即为脉冲电流，计算得到脉冲电流i，计算公式为：

则额定功率P为：P＝i×VA。

优选地，所述MCU输出的12位数字信号经过所述DAC芯片后转化为模拟电压信号，通过第一电阻R1加到所述第一MOS管M1的G极控制电阻RM的阻值大小,降低RM的阻值，直到检测到VA的高电平电压降低到VAH的95％时，停止降低RM的大小，此时的电流值记为i1，i1即为此待测数字脉冲源可以提供的最大电流，此时的功率为此待测数字脉冲源可以提供的最大功率P1，即P1＝VA×i1。

优选地，所述MCU输出12位数字信号给所述DAC芯片，所述DAC芯片将其接收到的数字信号转换为模拟电压通过所述第一电阻R1加到所述第一MOS管M1的G极以控制第一MOS管M1的电阻值,而所述第一MOS管M1的G极电压和其电阻的关系由第一MOS管M1的规格书获取，将其关系列成表格存储在MCU内部的FLASH中，可以随时调用。

进一步地，当所述第一MOS管M1、第二MOS管M2和所述第三MOS管M3均用作开关管，由所述MCU控制接通所述第一MOS管M1和第二MOS管M2，截止所述第三MOS管M3，待测数字脉冲源将通过所述第一MOS管M1和第二MOS管M2为电容K充电，

由所述MCU实时读取出的F点、G点和H点的电压记为VF、VG和VH，计算得到A、B和C点的电压记为VA、VB、VC，VA即为待测数字脉冲源的脉冲电压，计算公式为：

由所述MCU检测到的VA的高电平电压记为VAH，低电平电压为VAL，则VA处于高电平状态下的持续时长为T1，所得到的高电平状态下的脉冲曲线的宽度为脉冲宽度，VA处于一个脉冲电压的周期为T,计算得到占空比u，计算公式为：

由C点的电压VC可得通路中的电流ic,计算公式为：

所述待测数字脉冲源处在高电平状态下的输出功率记为P2，计算公式为：

P2＝iC×(VA-VC)+VC×iC。

进一步地，所述VAH的计算方法为：取VA在高电平持续时间T1内VA检测值的平均值，而VAL的计算方法为：取VA低电平持续时间内VA检测值的平均值；正常状态下，在高电平持续时间内，VA的电压应为VAH，其振幅不超过±5％，在低电平持续时间内，VA的电压应为VAL，其振幅不超过+5％。

进一步地，所述待测数字脉冲源可以是PWM电源或数字时钟信号。

与现有技术相比，本发明采用了一种数字脉冲参数检测系统及方法，可以实现对数字脉冲源的脉冲电压、脉冲宽度、占空比、脉冲电流和额定功率的实时测量。

附图说明

图1是本发明以PWM电源为待测目标的参数检测系统的一种结构示意图；

图2是本发明以PWM电源为待测目标的参数检测系统的另一种结构示意图。

其中，第一MOS管-M1，第二MOS管-M2，第三MOS管-M3，电容-K，第一电容-K1，第二电容K2，第一电阻-R1，第二电阻-R2，第三电阻-R3，第四电阻-R4，第五电阻-R5，第六电阻-R6，第七电阻-R7，第八电阻-R8，第九电阻-R9，第一分压点-E，第二分压点-F，第三分压点-H，第一接地端-GND1，第二接地端-CND2，第三接地端-CND3。

具体实施方式

下面结合说明书附图和具体的实施例对本发明作进一步地解释说明，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

结合附图1-2所示的本发明提供了一种数字脉冲参数检测系统，由于待测数字脉冲源的参数检测与PWM电源参数检测原理相同，因此以待测数字脉冲源为PWM电源为例来具体说明。系统包括：PWM电源、MOS管、分压电路、ADC芯片、MCU、DAC芯片、电容K以及显示模块，所述MOS管包括第一MOS管M1、第二MOS管M2以及第三MOS管M3，所述ADC芯片包括第一ADC芯片、第二ADC芯片以及第三ADC芯片，所述第一ADC芯片的输入端与第一电路的分压点连接，所述第一ADC芯片的输出端与所述MCU的输入端连接，所述第二ADC芯片的输入端与第二电路的分压点连接，所述第二ADC芯片的输出端与所述MCU的输入端连接，所述第三ADC芯片的输入端与第三电路的分压点连接，所述第三ADC芯片的输出端与所述MCU的输入端连接所述MCU的输出端分别与所述显示模块、DAC芯片的输入端、第二MOS管的G极以及第三MOS管M3的G极连接，所述DAC芯片的输出端与所述第一MOS管M1的G极连接，所述分压电路包括第一分压电路、第二分压电路以及第三分压电路，所述第一MOS管M1的S极分别与第一分压电路和PWM电源连接，所述第一MOS管M1的D极分别与所述第二分压电路和第二MOS管M2的S极连接，所述第二MOS管M2的D极分别与所述第三MOS管M3的D极、电容K以及第三分压电路连接，所述电容K可以是一个或者多个，本发明附图2中的电容K为两个，即电容K包括了第一电容K1和第二电容K2之间为并联连接，所述第一电容K1和第二电容K2为并联连接，并且电容K和第三分压电路为并联连接。

根据本发明的实施例，所述第一分压电路，包括由第四电阻R4和第五电阻R5构成的串联支路，所述串联支路的一端与所述PWM电源和第一MOS管M1的S极连接，另一端与第一接地端GND1连接，所述第四电阻R4与所述第五电阻R5的公共点为第一分压点E。

根据本发明的实施例，所述第二分压电路，包括由第六电阻R6和第七电阻R7构成的串联支路，所述串联支路的一端与所述第一MOS管M1的D极和第二MOS管M2的S极连接，另一端与第二接地端GND2连接，所述第六电阻R6与所述第七电阻R7的公共点为第二分压点F。

根据本发明的实施例，所述第三分压电路，包括由第八电阻R8和第九电阻R9构成的串联支路，所述串联支路的一端与所述第二MOS管M2的D极和第三MOS管M3的D极连接，另一端与第三接地端GND3连接，所述第八电阻R8与所述第九电阻R9的公共点为第三分压点H。

根据本发明的实施例，所述DAC芯片与所述第一MOS管M1之间还连接有第一电阻R1，所述MCU和所述第二MOS管M2之间还连接有第二电阻R2，所述MCU和所述第三MOS管M3之间还连接有第三电阻R3。

根据本发明的实施例，A点的电压经过第四电阻R4和第五电阻R5分压后输入第一ADC芯片中，由所述第一ADC芯片完成模数转换将输入的模拟信号转换成12位数字信号输给MCU。

根据本发明的实施例，B点的电压经过第六电阻R6和第七电阻R7分压后输入第二ADC芯片中，由所述第二ADC芯片完成模数转换将输入的模拟信号转换成12位数字信号输给MCU。

根据本发明的实施例，C点的电压经过第八电阻R8和第九电阻R9分压后输入第三ADC芯片中，由所述第三ADC芯片完成模数转换将输入的模拟信号转换成12位数字信号输给MCU。

根据本发明的实施例，本发明中所述MCU为FPGA、DSP或ARM等嵌入式芯片。

根据本发明的实施例，所述第一MOS管M1和第二MOS管M2为PMOS管，所述第三MOS管M3为NMOS管。

根据本发明的实施例，所述第一ADC芯片、第二ADC芯片以及第三ADC芯片均可以完成模拟数字信号的转换功能，并且均可以通过输入端将12位数字信号传输到所述MCU的输入端，由MCU对数字信号进行存储或者数字信号处理后，可以将检测后得到的脉冲电压、电流、功率和占空比以及脉冲宽度的信号通过所述MCU的输出端显示在显示模块上。

根据本发明的实施例，当第一MOS管M1用作压控电阻，其电阻大小由MCU控制，此时的第一MOS管M1为可变电阻，所述MCU输出12位数字信号给DAC芯片，DAC芯片将其转换为模拟电压通过第一电阻R1加到第一MOS管M1的G极以控制第一MOS管M1的电阻值。当第一MOS管M1用作压控电阻时，第二MOS管M2和第三MOS管M3作为开关管，其导通和截止由MCU直接控制，PWM电源的电流通过第一MOS管M1、第二MOS管M2以及第三MOS管M3到达接地端，不经过电容K或者是为第一电容K1和第二电容K2，此时，电容K或者是第一电容K1和第二电容K2属于放电状态。当第一MOS管M1、第二MOS管M2和第三MOS管M3均作为开关管时，MCU控制接通第一MOS管M1和、第二MOS管M2并且使第三MOS管M3截止，PWM电源的电流通过第一MOS管M1和第二MOS管M2为电容K或者是为第一电容K1和第二电容K2充电。

基于本发明提供的一种数字脉冲参数检测系统，本发明还提供了一种数字脉冲参数检测方法。以下将主要以待测数字脉冲源为PWM电源为例来具体说明。首先，所述PWM电源处于高电平状态下的脉冲电压、脉冲宽度、占空比、电流以及功率为待测量参数，然后将所述第一分压电路与所述第一MOS管M1连接的公共点记为A点，将所述第二分压电路与所述第二MOS管M2连接的公共点记为B点，将所述第三分压电路与所述第三MOS管M3连接的公共点记为C点，将所述第三分压电路与所述电容K连接所述第三接地端GND3的公共点记为D点。

根据本发明的实施例，本发明提供了测量系统两种工作状态下的不同测量方法，以下将具体地进行说明。

1.当所述第一MOS管M1用作压控电阻，其电阻大小由所述MCU来控制，而所述第二MOS管M2和所述第三MOS管M3用作开关管，由所述MCU控制接通所述第二MOS管M2和所述第三MOS管M3，此时，测量系统中PWM电源的电流不经过电容K或者第一电容K1和第二电容K2，此时的电容K或者第一电容K1和第二电容K2处于放电状态。

由所述MCU实时读取出的F点、G点和H点的电压记为VF、VG和VH，计算得到A、B和C点的电压记为VA、VB、VC，VA即为PWM电源的脉冲电压，计算公式为：

由所述MCU检测VA的上升沿和下降沿，测量相邻上升沿和下降沿的间隔时间T1，此即为高电平持续时间。MCU可以检测到VA的高电平电压VAH和低电平电压VAL。VAH的计算方法为：取高电平持续时间T1内VA检测值的平均值。VAL的计算方法为：取低电平持续时间内VA检测值的平均值。在正常状态下，在高电平持续时间内，VA的电压应为VAH，其振幅不超过±5％。在正常状态下，在低电平持续时间内，VA的电压应为VAL，其振幅不超过±5％。测量两个相邻上升沿间隔时间T，此即为脉冲电压的周期，所得到的高电平状态下的脉冲曲线的宽度为脉冲宽度，根据T和T1，计算得到占空比u，计算公式为：

设所述第一MOS管M1的电阻为RM，流经所述第一MOS管M1的电流即为脉冲电流，计算得到脉冲电流i，计算公式为：

则额定功率P为：P＝i×VA。

所述MCU输出的12位数字信号经过所述DAC芯片后转化为模拟电压信号，通过第一电阻R1加到所述第一MOS管M1的G极控制电阻RM的阻值大小,降低RM的阻值，直到检测到VA的高电平电压降低到VAH的95％时，停止降低RM的大小，此时的电流值记为i1，i1即为此PWM电源可以提供的最大电流，此时的功率为此PWM电源可以提供的最大功率P1，即P1＝VA×i1。

在系统处于额定功率状态下时，所得到的VAH振幅不超过±5％，所以额定功率不应超过测得的最大功率。

2.当所述第一MOS管M1、第二MOS管M2和所述第三MOS管M3均用作开关管，由所述MCU控制接通所述第一MOS管M1和第二MOS管M2，截止所述第三MOS管M3，PWM电源将通过所述第一MOS管M1和第二MOS管M2为电容K或者第一电容K1和第二电容K2充电。

由所述MCU实时读取出的F点、G点和H点的电压记为VF、VG和VH，计算得到A、B和C点的电压记为VA、VB、VC，VA即为PWM电源的脉冲电压，计算公式为：

由所述MCU检测到的VA的高电平电压记为VAH，低电平电压为VAL，则VA处于高电平状态下的持续时长为T1，所得到的高电平状态下的脉冲曲线的宽度为脉冲宽度，VA处于一个脉冲电压的周期为T,计算得到占空比u，计算公式为：

当只有一个电容K时，由C点的电压VC可得通路中的电流ic,计算公式为：

当电容K为第一电容K1和第二电容K2并联而成时，由C点的电压VC可得通路中的电流ic,计算公式为：

PWM电源处在高电平状态下的输出功率记为P2，计算公式为：

P2＝iC×(VA-VC)+VC×iC。

根据本发明的实施例，当PWM电源为电容K或者第一电容K1和第二电容K2充满电时，C点的电压值VC将不再变化，此时电路中无电流，MCU应该终止测量。如果需要再次测量，MCU应先关断第一MOS管M1和第二MOS管M2，然后接通第三MOS管M3，电容K或者第一电容K1和第二电容K2放电，当检测到电容K或者第一电容K1和第二电容K2放电结束后可以开始新一轮测试。

根据本发明的实施例，本发明中的A、B、C点的电压是以D点的电压为基准得出的电压差值。

根据本发明的实施例，本发明的上述测量方法可以针对PWM电源相关参数的测量，还可以用于数字时钟信号以及数字脉冲驱动能力的测试。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种数字脉冲参数检测系统，其特征在于，包括：待测数字脉冲源、MOS管、分压电路、ADC芯片、MCU、DAC芯片、电容(K)以及显示模块，

所述MOS管包括第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)以及第三MOS管(M3)，

所述分压电路上设置有分压点，所述ADC芯片的一端与所述分压点连接，另一端与所述MCU的输入端连接，所述MCU的输出端分别与所述显示模块、DAC芯片的输入端、第二MOS管的G极以及第三MOS管(M3)的G极连接，所述DAC芯片的输出端与所述第一MOS管(M1)的G极连接，

所述分压电路包括第一分压电路、第二分压电路以及第三分压电路，

所述第一MOS管(M1)的S极分别与第一分压电路和待测数字脉冲源连接，所述第一MOS管(M1)的D极分别与所述第二分压电路和第二MOS管(M2)的S极连接，所述第二MOS管(M2)的D极分别与所述第三MOS管(M3)的D极、电容(K)以及第三分压电路连接。

2.根据权利要求1所述的数字脉冲参数检测系统，其特征在于，所述ADC芯片包括第一ADC芯片、第二ADC芯片以及第三ADC芯片，所述第一ADC芯片的输入端与第一电路的分压点连接，所述第一ADC芯片的输出端与所述MCU的输入端连接，所述第二ADC芯片的输入端与第二电路的分压点连接，所述第二ADC芯片的输出端与所述MCU的输入端连接，所述第三ADC芯片的输入端与第三电路的分压点连接，所述第三ADC芯片的输出端与所述MCU的输入端连接。

3.根据权利要求2所述的数字脉冲参数检测系统，其特征在于，所述第一分压电路，包括由第四电阻(R4)和第五电阻(R5)构成的串联支路，所述串联支路的一端与所述待测数字脉冲源和第一MOS管(M1)的S极连接，另一端与第一接地端(GND1)连接，所述第四电阻(R4)与所述第五电阻(R5)的公共点为第一分压点(E)。

4.根据权利要求2所述的数字脉冲参数检测系统，其特征在于，所述第二分压电路，包括由第六电阻(R6)和第七电阻(R7)构成的串联支路，所述串联支路的一端与所述第一MOS管(M1)的D极和第二MOS管(M2)的S极连接，另一端与第二接地端(GND2)连接，所述第六电阻(R6)与所述第七电阻(R7)的公共点为第二分压点(F)。

5.根据权利要求2所述的数字脉冲参数检测系统，其特征在于，所述第三分压电路，包括由第八电阻(R8)和第九电阻(R9)构成的串联支路，所述串联支路的一端与所述第二MOS管(M2)的D极和第三MOS管(M3)的D极连接，另一端与第三接地端(GND3)连接，所述第八电阻(R8)与所述第九电阻(R9)的公共点为第三分压点(H)。

6.根据权利要求1所述的数字脉冲参数检测系统，其特征在于，所述电容(K)为一个或者多个，多个电容(K)之间为并联连接。

7.根据权利要求1所述的数字脉冲参数检测系统，其特征在于，所述DAC芯片与所述第一MOS管(M1)之间还连接有第一电阻(R1)，所述MCU和所述第二MOS管(M2)之间还连接有第二电阻(R2)，所述MCU和所述第三MOS管(M3)之间还连接有第三电阻(R3)。

8.根据权利要求7所述的数字脉冲参数检测系统，其特征在于，所述MCU为FPGA、DSP或ARM嵌入式芯片。

9.一种基于权利要求1-8任一所述的数字脉冲参数检测系统的方法，其特征在于，所述待测数字脉冲源的脉冲电压、脉冲宽度、占空比、电流以及功率为待测量参数，

将所述第一分压电路与所述第一MOS管(M1)连接的公共点记为A点，将所述第二分压电路与所述第二MOS管(M2)连接的公共点记为B点，将所述第三分压电路与所述第三MOS管(M3)连接的公共点记为C点，将所述第三分压电路与所述电容(K)连接第三接地端(GND3)的公共点记为D点，

当所述第一MOS管(M1)用作压控电阻，而所述第二MOS管(M2)和所述第三MOS管(M3)用作开关管，由所述MCU控制接通所述第二MOS管(M2)和所述第三MOS管(M3)，

由所述MCU实时读取出的E点、F点和H点的电压记为VE、VF和VH，计算得到A、B和C点的电压记为VA、VB、VC，VA即为待测数字脉冲源的脉冲电压，计算公式为：

由所述MCU检测到的VA的高电平电压记为VAH，低电平电压为VAL，则VA处于高电平状态下的持续时长为T1，所得到的高电平状态下的脉冲波的宽度为脉冲宽度，VA处于一个脉冲电压的周期为T,计算得到占空比u，计算公式为：

设所述第一MOS管(M1)的电阻为RM，流经所述第一MOS管(M1)的电流即为脉冲电流，计算得到脉冲电流i，计算公式为：

则额定功率P为：P＝i×VA，

所述MCU输出的12位数字信号经过所述DAC芯片后转化为模拟电压信号，通过第一电阻(R1)加到所述第一MOS管(M1)的G极控制电阻RM的阻值大小,降低RM的阻值，直到检测到VA的高电平电压降低到VAH的95％时，停止降低RM的大小，此时的电流值记为i1，i1即为此待测数字脉冲源可以提供的最大电流，此时的功率为此待测数字脉冲源可以提供的最大功率P1，即P1＝VA×i1。

10.根据权利要求9所述的数字脉冲参数检测系统的方法，其特征在于，当所述第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)和所述第三MOS管(M3)均用作开关管，由所述MCU控制接通所述第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)，截止所述第三MOS管(M3)，待测数字脉冲源将通过所述第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)为电容(K)充电，

由所述MCU实时读取出的E点、F点和H点的电压记为VE、VF和VH，计算得到A、B和C点的电压记为VA、VB、VC，VA即为待测数字脉冲源的脉冲电压，计算公式为：

由所述MCU检测到的VA的高电平电压记为VAH，低电平电压为VAL，则VA处于高电平状态下的持续时长为T1，所得到的高电平状态下的脉冲波的宽度为脉冲宽度，VA处于一个脉冲电压的周期为T,计算得到占空比u，计算公式为：

由C点的电压VC可得通路中的电流ic,计算公式为：

所述待测数字脉冲源处在高电平状态下的输出功率记为P2，计算公式为：

P2＝iC×(VA-VC)+VC×iC。