JP6846387B2 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 181
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 167
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 74
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 claims description 6
- 239000013049 sediment Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 157
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 78
- 230000008569 process Effects 0.000 description 67
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 38
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 4
- 101001139126 Homo sapiens Krueppel-like factor 6 Proteins 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
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- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
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- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
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- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
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Description
Claims (16)
- 第1の期間においてチャンバ内で第1のプラズマ処理を実行する工程と、
前記第1の期間の後の又は該第1の期間に続く第2の期間において前記チャンバ内で第2のプラズマ処理を実行する工程と、
を含み、
第1の周波数を有する第1の高周波電力が、第1のプラズマ処理を実行する前記工程及び第2のプラズマ処理を実行する前記工程において、前記チャンバ内に設けられた基板支持台の下部電極に連続的に供給され、
前記第1の周波数よりも高い第2の周波数を有するプラズマ生成用の第2の高周波電力が、
前記第1の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内の第1の部分期間内で、パルス状の高周波電力として供給され、前記第2の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で前記第1の部分期間とは異なる期間である第2の部分期間内で、パルス状の高周波電力として供給され、或いは、
前記第1の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で、パルス状の高周波電力及び連続的な高周波電力のうち一方として供給され、前記第2の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で、パルス状の高周波電力及び連続的な高周波電力のうち他方として供給され、或いは、
前記第1の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で、パルス状の高周波電力として供給され、前記第2の期間内では供給されない、
プラズマ処理方法。 - 前記第2の高周波電力は、前記第1の期間内の前記第1の部分期間内及び前記第2の期間内の前記第2の部分期間内でパルス状の高周波電力として供給され、
前記第1の部分期間は、前記第1の高周波電力の各周期内で第1の高周波電源部から出力される前記第1の高周波電力が負の電位を有する期間内に含まれ、
前記第2の部分期間は、前記第1の高周波電力の各周期内で前記第1の高周波電源部から出力される前記第1の高周波電力が正の電圧を有する期間内に含まれる、
請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第2の高周波電力は、前記第1の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で第1の高周波電源部から出力される前記第1の高周波電力が負の電位を有する期間において、パルス状の高周波電力として供給され、
前記第2の高周波電力は、前記第2の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で連続的な高周波電力として供給される、
請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第2の高周波電力は、前記第1の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で連続的な高周波電力として供給され、
前記第2の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で第1の高周波電源部から出力される前記第1の高周波電力が正の電圧を有する期間において、前記第2の高周波電力がパルス状の高周波電力として供給される、
請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第1の期間及び前記第2の期間にわたって、基板が前記チャンバ内に配置され、
前記基板は、下地領域及び該下地領域上に設けられた膜を有し、
第1のプラズマ処理を実行する前記工程において、前記下地領域を露出させるよう処理ガスのプラズマを用いて前記膜がエッチングされ、
第2のプラズマ処理を実行する前記工程において、前記処理ガスのプラズマを用いて前記膜が更にエッチングされる、
請求項2〜4の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第1の期間及び前記第2の期間にわたって、基板が前記チャンバ内に配置され、
前記基板は、第1の膜及び第2の膜を有し、該第1の膜は前記第2の膜上に設けられており、
第1のプラズマ処理を実行する前記工程において、処理ガスのプラズマを用いて前記第1の膜がエッチングされ、
第2のプラズマ処理を実行する前記工程において、前記処理ガスのプラズマを用いて第2の膜がエッチングされる、
請求項2〜4の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第1の期間において基板が前記チャンバ内に配置され、
第1のプラズマ処理を実行する前記工程において、処理ガスのプラズマを用いて前記基板の膜がエッチングされ、
前記第2の期間において前記基板は前記チャンバ内に配置されておらず、
前記チャンバの内壁面に付着した堆積物が、第2のプラズマ処理を実行する前記工程において前記処理ガスのプラズマを用いて除去される、
請求項2〜4の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第1の期間及び前記第2の期間にわたって、基板が前記チャンバ内に配置され、
第1のプラズマ処理を実行する前記工程において、処理ガスのプラズマを用いて前記基板の膜が側壁面を提供するようにエッチングされ、
第2のプラズマ処理を実行する前記工程において、第1のプラズマ処理を実行する前記工程でその前記膜がエッチングされた前記基板の表面上に、前記処理ガスのプラズマからの化学種又は別の処理ガスのプラズマからの化学種を含む堆積物が形成され、
第1のプラズマ処理を実行する前記工程と第2のプラズマ処理を実行する前記工程とが交互に繰り返される、
請求項2に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第1の期間及び前記第2の期間にわたって、基板が前記チャンバ内に配置され、
第1のプラズマ処理を実行する前記工程において、処理ガスのプラズマを用いて前記基板の膜が側壁面を提供するようにエッチングされ、
第2のプラズマ処理を実行する前記工程において、第1のプラズマ処理を実行する前記工程でエッチングされた前記膜の表面を、前記処理ガスのプラズマ又は別の処理ガスのプラズマを用いて変質させ、
第1のプラズマ処理を実行する前記工程と第2のプラズマ処理を実行する前記工程とが交互に繰り返される、
請求項2に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第2の高周波電力は、前記第1の期間内の前記第1の部分期間内及び前記第2の期間内の前記第2の部分期間内でパルス状の高周波電力として供給され、
前記第1の部分期間は、前記第1の高周波電力の各周期内で第1の高周波電源部から出力される前記第1の高周波電力が正の電圧を有する期間内に含まれ、
前記第2の部分期間は、前記第1の高周波電力の各周期内で前記第1の高周波電源部から出力される前記第1の高周波電力が負の電位を有する期間内に含まれる、
請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第2の高周波電力は、前記第1の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で第1の高周波電源部から出力される前記第1の高周波電力が正の電圧を有する期間において、パルス状の高周波電力として供給され、
前記第2の高周波電力は、前記第2の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で連続的な高周波電力として供給される、
請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第2の高周波電力は、前記第1の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で連続的な高周波電力として供給され、
前記第2の高周波電力は、前記第2の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で第1の高周波電源部から出力される前記第1の高周波電力が負の電位を有する期間において、パルス状の高周波電力として供給される、
請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第1の期間及び前記第2の期間にわたって、基板が前記チャンバ内に配置され、
前記基板は、第1の膜及び第2の膜を有し、該第1の膜は前記第2の膜上に設けられており、
第1のプラズマ処理を実行する前記工程において、処理ガスのプラズマを用いて前記第1の膜がエッチングされ、
第2のプラズマ処理を実行する前記工程において、前記処理ガスのプラズマを用いて第2の膜がエッチングされる、
請求項10〜12の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第1の期間及び前記第2の期間の各々は、前記第1の高周波電力の一周期の時間長と同じ時間長を有し、
前記第2の高周波電力は、前記第1の期間内で第1の高周波電源部から出力される前記第1の高周波電力が負の電位を有する期間において、パルス状の高周波電力として供給され、前記第2の期間内では供給されず、
前記チャンバ内に配置された基板の膜をエッチングするよう、第1のプラズマ処理を実行する前記工程及び第2のプラズマ処理を実行する前記工程が交互に繰り返される、
請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第1の期間及び前記第2の期間の各々は、前記第1の高周波電力の一周期の時間長と同じ時間長を有し、
前記第2の高周波電力は、前記第1の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で第1の高周波電源部から出力される前記第1の高周波電力が正の電圧を有する期間において、パルス状の高周波電力として供給され、前記第2の期間内では供給されず、
前記チャンバ内に配置された基板の膜をエッチングするよう、第1のプラズマ処理を実行する前記工程及び第2のプラズマ処理を実行する前記工程が交互に繰り返される、
請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - チャンバと、
下部電極を含み、前記チャンバ内に設けられた基板支持台と、
第1の周波数を有する第1の高周波電力を前記下部電極に供給するように構成された第1の高周波電源部と、
プラズマを生成するために前記第1の周波数よりも高い第2の周波数を有する第2の高周波電力を供給するように構成された第2の高周波電源部と、
前記第1の高周波電源部及び前記第2の高周波電源部を制御するように構成された制御部と、
を備え、
前記制御部は、
第1の期間及び該第1の期間の後の又は該第1の期間に続く第2の期間において、前記第1の高周波電力を連続的に前記下部電極に供給するよう前記第1の高周波電源部を制御し、
前記第2の高周波電源部を、
前記第1の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内の第1の部分期間内で、前記第2の高周波電力をパルス状の高周波電力として供給し、前記第2の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で前記第1の部分期間とは異なる期間である第2の部分期間内で、前記第2の高周波電力をパルス状の高周波電力として供給し、或いは、
前記第1の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で、前記第2の高周波電力をパルス状の高周波電力及び連続的な高周波電力のうち一方として供給し、前記第2の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で、前記第2の高周波電力をパルス状の高周波電力及び連続的な高周波電力のうち他方として供給し、或いは、
前記第1の期間内の前記第1の高周波電力の各周期内で、前記第2の高周波電力をパルス状の高周波電力として供給し、前記第2の期間内では前記第2の高周波電力を供給しないよう、
制御する、
プラズマ処理装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018119087A JP6846387B2 (ja) | 2018-06-22 | 2018-06-22 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
PCT/JP2019/022952 WO2019244697A1 (ja) | 2018-06-22 | 2019-06-10 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
KR1020207025526A KR20210019986A (ko) | 2018-06-22 | 2019-06-10 | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
CN201980017894.6A CN111837222B (zh) | 2018-06-22 | 2019-06-10 | 等离子体处理方法及等离子体处理装置 |
US16/979,655 US11337297B2 (en) | 2018-06-22 | 2019-06-10 | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
TW108120966A TWI815911B (zh) | 2018-06-22 | 2019-06-18 | 電漿處理方法及電漿處理裝置 |
US17/592,509 US11871503B2 (en) | 2018-06-22 | 2022-02-04 | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018119087A JP6846387B2 (ja) | 2018-06-22 | 2018-06-22 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019220650A JP2019220650A (ja) | 2019-12-26 |
JP2019220650A5 JP2019220650A5 (ja) | 2021-02-04 |
JP6846387B2 true JP6846387B2 (ja) | 2021-03-24 |
Family
ID=68984039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018119087A Active JP6846387B2 (ja) | 2018-06-22 | 2018-06-22 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11337297B2 (ja) |
JP (1) | JP6846387B2 (ja) |
KR (1) | KR20210019986A (ja) |
CN (1) | CN111837222B (ja) |
TW (1) | TWI815911B (ja) |
WO (1) | WO2019244697A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
JP6846387B2 (ja) | 2018-06-22 | 2021-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
JP7250663B2 (ja) * | 2018-12-19 | 2023-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びインピーダンスの整合方法 |
JP7451540B2 (ja) | 2019-01-22 | 2024-03-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ |
US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
US11462389B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Pulsed-voltage hardware assembly for use in a plasma processing system |
US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US11776788B2 (en) | 2021-06-28 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage boost for substrate processing |
US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
WO2023081703A1 (en) * | 2021-11-03 | 2023-05-11 | Lam Research Corporation | Modification of metal-containing surfaces in high aspect ratio plasma etching |
US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US20230402286A1 (en) * | 2022-06-10 | 2023-12-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber |
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JP6846387B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2021-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP7175239B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法、プラズマ処理装置、プログラム及び記憶媒体 |
JP7101096B2 (ja) * | 2018-10-12 | 2022-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US11017985B2 (en) * | 2018-12-19 | 2021-05-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, impedance matching method, and plasma processing method |
CN116844934A (zh) * | 2019-02-05 | 2023-10-03 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
JP7122268B2 (ja) * | 2019-02-05 | 2022-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US11177115B2 (en) * | 2019-06-03 | 2021-11-16 | Applied Materials, Inc. | Dual-level pulse tuning |
US11232931B2 (en) * | 2019-10-21 | 2022-01-25 | Mks Instruments, Inc. | Intermodulation distortion mitigation using electronic variable capacitor |
-
2018
- 2018-06-22 JP JP2018119087A patent/JP6846387B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-10 WO PCT/JP2019/022952 patent/WO2019244697A1/ja active Application Filing
- 2019-06-10 KR KR1020207025526A patent/KR20210019986A/ko unknown
- 2019-06-10 US US16/979,655 patent/US11337297B2/en active Active
- 2019-06-10 CN CN201980017894.6A patent/CN111837222B/zh active Active
- 2019-06-18 TW TW108120966A patent/TWI815911B/zh active
-
2022
- 2022-02-04 US US17/592,509 patent/US11871503B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210019986A (ko) | 2021-02-23 |
TWI815911B (zh) | 2023-09-21 |
TW202002722A (zh) | 2020-01-01 |
US11871503B2 (en) | 2024-01-09 |
JP2019220650A (ja) | 2019-12-26 |
WO2019244697A1 (ja) | 2019-12-26 |
US20220159820A1 (en) | 2022-05-19 |
CN111837222A (zh) | 2020-10-27 |
US20210051792A1 (en) | 2021-02-18 |
CN111837222B (zh) | 2024-04-09 |
US11337297B2 (en) | 2022-05-17 |
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