JP2010108997A - プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】1つの処理チャンバ内で複数のプラズマエッチング工程を順次連続的に行うマルチステップのプラズマエッチングにおいて、一旦プラズマを消した後の次のステップにおけるプラズマの着火性を向上させることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】マルチステップのプラズマエッチングの工程において、プラズマを消す際は、まず、周波数の低い高周波電力(LF)をオフとするとともに、周波数の高い高周波電力(HF)を処理中に比べて所定の電力例えば300Wまで低下させ、この状態(プラズマが着いた状態)を所定時間(例えば、0.5秒)維持した後、周波数の高い高周波電力(HF)オフとしてプラズマを消す。これによって、次のステップでプラズマを着火する際のプラズマの着火性を向上させる。
【選択図】図2
【解決手段】マルチステップのプラズマエッチングの工程において、プラズマを消す際は、まず、周波数の低い高周波電力(LF)をオフとするとともに、周波数の高い高周波電力(HF)を処理中に比べて所定の電力例えば300Wまで低下させ、この状態(プラズマが着いた状態)を所定時間(例えば、0.5秒)維持した後、周波数の高い高周波電力(HF)オフとしてプラズマを消す。これによって、次のステップでプラズマを着火する際のプラズマの着火性を向上させる。
【選択図】図2
Description
本発明は、対向電極間に2種類の周波数の高周波電力を重畳して印加し、かつ、1つの処理チャンバ内で複数のプラズマエッチング工程を順次連続的に行うマルチステップのプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体に関する。
従来から、半導体装置の製造工程においては、処理チャンバ内に配置された対向電極間に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、これらの対向電極間に配置された被処理基板をエッチングするプラズマエッチングが行われている。
上記のようなプラズマエッチングでは、処理チャンバ内の圧力の低圧化等の要因により、プラズマが着火し難くなるという現象がある。このため、メイン処理ステップに先立って、メイン処理ステップとは異なる条件(プラズマ着火がし易い条件)でプラズマ着火のための新たな処理ステップを加える技術が知られている(例えば、特許文献1参照。)。また、上部電極に直流電圧を印加してプラズマが着火し易くする技術も知られている(例えば、特許文献2参照。)。なお、上記のようなプラズマエッチング装置において、下部電極に周波数の異なる2種類の高周波電力を印加するタイプのプラズマエッチング装置も知られている(例えば、特許文献3参照。)。
特開2008−10598号公報
特開2003−124198号公報
特開2005−56997号公報
上記のように、プラズマ着火がし難い場合、従来においては、プラズマ着火のためのステップを加えたり、上部電極への直流電圧の印加を行うことが知られている。しかしながら、プラズマ着火のためのステップを加えると、このプラズマ着火のためのステップに要する時間の分、処理に要する時間が長くなり、スループットが悪化するという問題がある。また、上部電極への直流電圧の印加を行うためには、新たな直流電源が必要となり、装置の製造コストが増大する等の問題がある。
また、プラズマエッチングにおいては、1つの処理チャンバ内で、複数のプラズマエッチング工程を、順次連続的に行うマルチステップのプラズマエッチングが行われる場合がある。このようなマルチステップのプラズマエッチングでは、処理ガスを変更する場合、前の工程のプラズマを消し、処理チャンバ内を次の工程の処理ガス雰囲気とした後プラズマを着火するが、このような複数の工程を行って行くと、次第にプラズマが着火し難くなるという問題が発生することが見出された。
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、1つの処理チャンバ内で複数のプラズマエッチング工程を順次連続的に行うマルチステップのプラズマエッチングにおいて、一旦プラズマを消した後の次のステップにおけるプラズマの着火性を向上させることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供することを目的とする。
請求項1のプラズマエッチング方法は、処理チャンバ内に、被処理基板が載置される下部電極と、前記下部電極と対向するように配置された上部電極とが設けられたプラズマエッチング装置を用い、前記下部電極と前記上部電極との間に第1の周波数の第1高周波電力と、前記第1高周波電力より周波数の低い第2の周波数の第2高周波電力とを印加してエッチングガスのプラズマを発生させ、前記被処理基板をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、少なくとも第1のプラズマを用いてプラズマエッチングを行う第1プラズマエッチング工程と、前記第1のプラズマを消した後に、前記第1のプラズマとは異なる第2のプラズマを着火してプラズマエッチングを行う第2プラズマエッチング工程とを有し、前記第1のプラズマを消す際に、前記第2の高周波電力の印加を停止した状態で、プラズマエッチング時より少ない所定電力の前記第1の周波数の高周波電力を所定時間印加して第1のプラズマを維持し、この後前記第1の周波数の高周波電力の印加を停止することを特徴とする。
請求項2のプラズマエッチング方法は、請求項1記載のプラズマエッチング方法であって、前記所定時間が、0.5秒〜3秒であることを特徴とする。
請求項3のプラズマエッチング方法は、請求項1又は2記載のプラズマエッチング方法であって、前記所定電力が、100W〜500Wであることを特徴とする。
請求項4のプラズマエッチング方法は、請求項1〜3いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、前記第1の周波数が30MHz〜100MHz、前記第2の周波数が3.2MHz〜13.56MHzであることを特徴とする。
請求項5のプラズマエッチング装置は、被処理基板を収容する処理チャンバと、前記処理チャンバ内に設けられ、前記被処理基板が載置される下部電極と、前記処理チャンバ内に設けられ、前記下部電極と対向するように配置された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に、第1の周波数の第1高周波電力を印加するための第1高周波電源と、前記下部電極と前記上部電極との間に、前記第1の高周波電力より周波数の低い第2の周波数の第2高周波電力を印加するための第2高周波電源と、前記処理チャンバ内にプラズマを発生させるためのエッチングガスを供給するエッチングガス供給機構と、を具備したプラズマエッチング装置であって、少なくとも第1のプラズマを用いてプラズマエッチングを行う第1プラズマエッチング工程と、前記第1のプラズマを消した後に、前記第1のプラズマとは異なる第2のプラズマを着火してプラズマエッチングを行う第2プラズマエッチング工程とを実施し、前記第1のプラズマを消す際に、前記第2の高周波電力の印加を停止した状態で、プラズマエッチング時より少ない所定電力の前記第1の周波数の高周波電力を所定時間印加して所定時間第1のプラズマを維持し、この後前記第の周波数の高周波電力の印加を停止してプラズマを消すよう制御を行う制御手段を有することを特徴とする。
請求項6のプラズマエッチング装置は、請求項5記載のプラズマエッチング装置であって、前記所定時間が、0.5秒〜3秒であることを特徴とする。
請求項7のプラズマエッチング装置は、請求項5又は6記載のプラズマエッチング装置であって、前記所定電力が、100W〜500Wであることを特徴とする。
請求項8のプラズマエッチング装置は、請求項5〜7いずれか1項記載のプラズマエッチング装置であって、前記第1の周波数が30MHz〜100MHz、前記第2の周波数が3.2MHz〜13.56MHzであることを特徴とする。
請求項9のコンピュータ記憶媒体は、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に請求項1から請求項4いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とする。
本発明によれば、1つの処理チャンバ内で複数のプラズマエッチング工程を順次連続的に行うマルチステップのプラズマエッチングにおいて、一旦プラズマを消した後の次のステップにおけるプラズマの着火性を向上させることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置の概略構成を模式的に示すものである。まず、図1を参照して本実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成について説明する。
プラズマエッチング装置は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理チャンバ1を有している。この処理チャンバ1は、円筒状とされ、例えばアルミニウム等から構成されている。処理チャンバ1内には、被処理基板である半導体ウエハWを水平に支持する載置台2が設けられている。載置台2は例えばアルミニウム等で構成されており、絶縁板3を介して導体の支持台4に支持されている。また、載置台2の上方の外周には、フォーカスリング5が設けられている。
載置台2には、第1のマッチングボックス11aを介して第1のRF電源10aが接続され、また、第2のマッチングボックス11bを介して第2のRF電源10bが接続されている。第1のRF電源10aは、プラズマ形成用のものであり、この第1のRF電源10aからは比較的高い所定周波数(例えば30−100MHz)の高周波電力(HF)が載置台2に供給されるようになっている。また、第2のRF電源10bは、イオン引き込み用のものであり、この第2のRF電源10bからは第1のRF電源10aより低い所定周波数(例えば3.2−13.56MHz)の高周波電力(LF)が載置台2に供給されるようになっている。一方、載置台2の上方には、載置台2と平行に対向するように、シャワーヘッド16が設けられており、このシャワーヘッド16は接地されている。したがって、これらの載置台2とシャワーヘッド16は、一対の電極として機能するようになっている。
載置台2の上面には、半導体ウエハWを静電吸着するための静電チャック6が設けられている。この静電チャック6は絶縁体6bの間に電極6aを介在させて構成されており、電極6aには直流電源12が接続されている。そして電極6aに直流電源12から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によって半導体ウエハWが吸着されるよう構成されている。
載置台2の内部には、図示しない冷媒流路が形成されており、その中に適宜の冷媒を循環させることによって、載置台2を所定の温度に制御可能となっている。また、載置台2等を貫通するように、半導体ウエハWの裏面側にヘリウムガス等の冷熱伝達用ガス(バックサイドガス)を供給するためのバックサイドガス供給配管30a、30bが設けられており、これらのバックサイドガス供給配管30a、30bは、バックサイドガス(ヘリウムガス)供給源31に接続されている。なお、バックサイドガス供給配管30aは、半導体ウエハWの中央部分にバックサイドガスを供給し、バックサイドガス供給配管30bは、半導体ウエハWの周縁部分にバックサイドガスを供給するように構成されている。そして、バックサイドガスの圧力を、半導体ウエハWの中央部分と周縁部分とで、供給エリア毎に別々に制御できるように構成されている。これらの構成によって、載置台2の上面に静電チャック6によって吸着保持された半導体ウエハWを、所定の温度に制御可能となっている。
また、上記したフォーカスリング5の外側には排気リング13が設けられている。排気リング13は支持台4を通して処理チャンバ1と導通している。
上記したシャワーヘッド16は、処理チャンバ1の天壁部分に設けられている。シャワーヘッド16は、その下面に多数のガス吐出孔18が設けられており、かつその上部にガス導入部16aを有している。そして、その内部には空間17が形成されている。ガス導入部16aにはガス供給配管15aが接続されており、このガス供給配管15aの他端には、エッチング用の処理ガス(エッチングガス)を供給する処理ガス供給系15が接続されている。
処理ガス供給系15から供給される処理ガスは、ガス供給配管15a、ガス導入部16aを介してシャワーヘッド16内部の空間17に至り、ガス吐出孔18から半導体ウエハWに向けて吐出される。
処理チャンバ1の下部には、排気ポート19が形成されており、この排気ポート19には排気系20が接続されている。そして排気系20に設けられた真空ポンプを作動させることにより処理チャンバ1内を所定の真空度まで減圧することができるようになっている。一方、処理チャンバ1の側壁には、ウエハWの搬入出口を開閉するゲートバルブ24が設けられている。
処理チャンバ1の周囲には、同心状に、リング磁石21が配置されており、載置台2とシャワーヘッド16との間の空間に磁界を及ぼすようになっている。このリング磁石21は、図示しないモータ等の回転手段により回転可能となっている。
上記構成のプラズマエッチング装置は、制御部60によって、その動作が統括的に制御される。この制御部60には、CPUを備えプラズマエッチング装置の各部を制御するプロセスコントローラ61と、ユーザインターフェース62と、記憶部63とが設けられている。
ユーザインターフェース62は、工程管理者がプラズマエッチング装置を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
記憶部63には、プラズマエッチング装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ61の制御にて実現するための制御プログラム(ソフトウエア)や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース62からの指示等にて任意のレシピを記憶部63から呼び出してプロセスコントローラ61に実行させることで、プロセスコントローラ61の制御下で、プラズマエッチング装置での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体(例えば、ハードディスク、CD、フレキシブルディスク、半導体メモリ等)などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
このように構成されたプラズマエッチング装置で、半導体ウエハWに形成された薄膜等をプラズマエッチングする手順について説明する。まず、ゲートバルブ24が開かれ、半導体ウエハWが図示しない搬送ロボット等により、図示しないロードロック室を介して処理チャンバ1内に搬入され、載置台2上に載置される。この後、搬送ロボットを処理チャンバ1外に退避させ、ゲートバルブ24を閉じる。そして、排気系20の真空ポンプにより排気ポート19を介して処理チャンバ1内が排気される。
処理チャンバ1内が所定の真空度になった後、処理チャンバ1内には処理ガス供給系15から所定の処理ガス(エッチングガス)が導入され、処理チャンバ1内が所定の圧力、例えば0.931Pa(7mTorr)−106Pa(800mTorr)に保持され、この状態で第1のRF電源10aから載置台2に、周波数が例えば100MHzの高周波電力が供給される。また、第2のRF電源10bからは、イオン引き込みのため、載置台2に周波数が例えば13.56MHzの高周波電力が供給される。このとき、直流電源12から静電チャック6の電極6aに所定の直流電圧が印加され、半導体ウエハWはクーロン力により吸着される。
この場合に、上述のようにして下部電極である載置台2に高周波電力が印加されることにより、上部電極であるシャワーヘッド16と下部電極である載置台2との間には電界が形成される。一方、処理チャンバ1の内部にはリング磁石21により水平磁界が形成されているから、半導体ウエハWが存在する処理空間には電子のドリフトによりマグネトロン放電が生じ、それによって形成された処理ガスのプラズマにより、半導体ウエハW上に形成された薄膜がエッチング処理される。
マルチステップのプラズマエッチングでは、処理チャンバ内1で複数のプラズマエッチング工程を順次連続的に行う。すなわち、上記したとおりまず1回目の半導体ウエハWのプラズマエッチングを行った後、一旦プラズマを消して、処理チャンバ1内の処理ガスを次の処理ガスに変更した後、再度プラズマを着火して次のプラズマエッチング工程を行う。このようにして、複数種の異なったプラズマエッチング処理を順次連続的に行う。なお、マルチステップのプラズマエッチング工程において、一旦プラズマを消す際には、後述するようにして、第1のRF電源10a及び第2のRF電源10bからの高周波電力の印加の停止が制御される。
そして、上記した一連のプラズマエッチング処理が終了すると、高周波電力の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハWが処理チャンバ1内から搬出される。
ここで、上記したマルチステップのプラズマエッチングの工程の一例を示す。なお、下記のステップ1〜6において、冷却用のヘリウムガスの圧力は、中央部/周辺部=1330/3990Pa(10/30Torr)、温度は、天井部及び側壁部/載置台=60/10℃で共通である。
[ステップ1]
圧力:2.00pa(15mTorr)
高周波電力:HF/LF=1000/300W
エッチングガス:CHF3/O2=500/10sccm
磁場:56G
時間:36秒
[ステップ2]
圧力:106pa(800mTorr)
高周波電力:HF/LF=400/0W
エッチングガス:O2=1200sccm
磁場:300G
時間:21秒
[ステップ3]
圧力:2.66pa(20mTorr)
高周波電力:HF/LF=1500/300W
エッチングガス:CO/O2/N2=100/10/120sccm
磁場:300G
時間:3秒
[ステップ4]
圧力:0.931pa(7mTorr)
高周波電力:HF/LF=1500/300W
エッチングガス:CO/O2/N2=100/10/120sccm
磁場:300G
時間:30秒
[ステップ5]
圧力:2.66pa(20mTorr)
高周波電力:HF/LF=300/500W
エッチングガス:O2=250sccm
磁場:300G
時間:3秒
[ステップ6]
圧力:0.931pa(7mTorr)
高周波電力:HF/LF=300/500W
エッチングガス:O2=250sccm
磁場:300G
時間:87秒
[ステップ1]
圧力:2.00pa(15mTorr)
高周波電力:HF/LF=1000/300W
エッチングガス:CHF3/O2=500/10sccm
磁場:56G
時間:36秒
[ステップ2]
圧力:106pa(800mTorr)
高周波電力:HF/LF=400/0W
エッチングガス:O2=1200sccm
磁場:300G
時間:21秒
[ステップ3]
圧力:2.66pa(20mTorr)
高周波電力:HF/LF=1500/300W
エッチングガス:CO/O2/N2=100/10/120sccm
磁場:300G
時間:3秒
[ステップ4]
圧力:0.931pa(7mTorr)
高周波電力:HF/LF=1500/300W
エッチングガス:CO/O2/N2=100/10/120sccm
磁場:300G
時間:30秒
[ステップ5]
圧力:2.66pa(20mTorr)
高周波電力:HF/LF=300/500W
エッチングガス:O2=250sccm
磁場:300G
時間:3秒
[ステップ6]
圧力:0.931pa(7mTorr)
高周波電力:HF/LF=300/500W
エッチングガス:O2=250sccm
磁場:300G
時間:87秒
なお、上記のステップ1〜5において、ステップ3,4はステップ間でプラズマを消さない連続ステップであり、ステップ5,6もステップ間でプラズマを消さない連続ステップである。また、ステップ3,5は、ステップ4,6のプラズマ着火のためのステップであり、ステップ4,6に比べて圧力を高くすることにより、プラズマを着火し易くしている。
上記のようなマルチステップのプラズマエッチングの工程において、プラズマを着火する場合、従来は、図2(a)に示すように、まず、周波数の高い高周波電力(HF)をオンとし、0.2秒後に周波数の低い高周波電力(LF)をオンとする。また、プラズマを消す際は、周波数の高い高周波電力(HF)と周波数の低い高周波電力(LF)を、略同時にオフとしている。なお、図2において横軸は時間を示している。
これに対して、本実施形態では、上記のようなマルチステップのプラズマエッチングの工程において、プラズマを着火する場合は、図2(b)に示すように、図2(a)と同様に、周波数の高い高周波電力(HF)をオンとし、0.2秒後に周波数の低い高周波電力(LF)をオンとする。
一方、プラズマを消す際は、まず、周波数の低い高周波電力(LF)をオフとするとともに、周波数の高い高周波電力(HF)を処理中に比べて所定の電力(例えば、100〜500W、図2(b)では300W)まで低下させ、この状態(プラズマが着いた状態)を所定時間(例えば、0.5〜3秒、図2(b)では0.5秒)維持した後、周波数の高い高周波電力(HF)オフとしてプラズマを消す。つまり、LFが印加されていない状態で、処理中に比べて低い電力のHFを印加して所定時間プラズマを維持する。この場合、上記したHFを低下させるレベルは、プラズマが消えてしまうことなくプラズマを維持することができるレベルであり、かつ、エッチングプロセスができるだけ進行しない低いレベルとすることが好ましい。
上記のようにして、プラズマを消すことによって、次のステップでプラズマを着火する際に、プラズマの着火性を向上させることができる。なお、このような高周波電力のオン・オフの制御は、図1に示したプラズマエッチング装置においては、制御手段としてのプロセスコントローラ61によって行われる。
図3は、上記したマルチステップのプラズマエッチングの工程において、ステップ4において、プラズマを消した後、ステップ5におけるプラズマの着火性を調べた結果を示すもので、この測定では、ステップ5における圧力を、2.66pa(20mTorr)から順次低下させて、プラズマが着火するか否かを調べた。図3(a)の下段に示す結果は、図2(b)に示した上記実施形態の方法によってステップ4のプラズマを消した後、ステップ5におけるプラズマの着火性を調べた実施例の結果を示すものである。図3(a)の下段に示すように、実施例では、圧力が0.399Pa(3mTorr)であってもプラズマが着火し、圧力が0.133Pa(1mTorr)の場合のみプラズマが着火しなかった。
一方、図3(a)の上段には、比較例として上記したマルチステップのプラズマエッチングの工程において、ステップ4において、図2(a)に示した従来の方法でステップ4のプラズマを消した後、ステップ5におけるプラズマの着火性を調べた結果を示すものである。図3(a)の上段に示すように、比較例では、圧力が1.46Pa(11mTorr)まではプラズマが着火したが、圧力が1.33Pa(10mTorr)となるとプラズマが着火しなかった。
図3(b)は、上記した図3(a)の測定に用いたマッチングボックスを他のマッチングボックスに変更して同様な測定を行った結果を示すものである。この場合、図3(b)の下段に示すように、実施例では、圧力が0.133Pa(1mTorr)の場合でもプラズマが着火した。一方、比較例では、図3(b)の上段に示すように、圧力が1.06Pa(8mTorr)まではプラズマが着火したが、圧力が0.931Pa(7mTorr)となるとプラズマが着火しなかった。
上記説明のように、実施例では、比較例の場合に比べて明らかにプラズマの着火性を向上させることができた。そして、本実施形態のプラズマエッチング方法を用いれば、前記したステップ1〜ステップ5のマルチステップのプラズマエッチングの工程において、ステップ3,5のプラズマ着火のためのステップが不要となるので、トータルの処理時間を短縮することが可能となり、スループットの向上を図ることができる。
例えば、前記したマルチステップのプラズマエッチングの工程は、
[ステップa]
圧力:2.00pa(15mTorr)
高周波電力:HF/LF=1000/300W
エッチングガス:CHF3/O2=500/10sccm
磁場:56G
時間:36秒
[ステップb]
圧力:106pa(800mTorr)
高周波電力:HF/LF=400/0W
エッチングガス:O2=1200sccm
磁場:300G
時間:21秒
[ステップc]
圧力:0.931pa(7mTorr)
高周波電力:HF/LF=1500/300W
エッチングガス:CO/O2/N2=100/10/120sccm
磁場:300G
時間:30秒
[ステップd]
圧力:0.931pa(7mTorr)
高周波電力:HF/LF=300/500W
エッチングガス:O2=250sccm
磁場:300G
時間:87秒
とすることができる。
[ステップa]
圧力:2.00pa(15mTorr)
高周波電力:HF/LF=1000/300W
エッチングガス:CHF3/O2=500/10sccm
磁場:56G
時間:36秒
[ステップb]
圧力:106pa(800mTorr)
高周波電力:HF/LF=400/0W
エッチングガス:O2=1200sccm
磁場:300G
時間:21秒
[ステップc]
圧力:0.931pa(7mTorr)
高周波電力:HF/LF=1500/300W
エッチングガス:CO/O2/N2=100/10/120sccm
磁場:300G
時間:30秒
[ステップd]
圧力:0.931pa(7mTorr)
高周波電力:HF/LF=300/500W
エッチングガス:O2=250sccm
磁場:300G
時間:87秒
とすることができる。
なお、上記の場合、ステップbでは、周波数の高い高周波電力(HF)のみが印加され、周波数の低い高周波電力(LF)は印加されていないが、この場合、プラズマを消す際に、図2(b)に示したように、周波数の高い高周波電力(HF)を処理中に比べて所定の電力まで低下させ、この状態(プラズマが着いた状態)を所定時間維持した後、周波数の高い高周波電力(HF)オフとしてプラズマを消す。つまり、周波数の低い高周波電力(LF)が印加されていない状態で、処理中に比べて低い電力の周波数の高い高周波電力(HF)を印加して所定時間プラズマを維持する。これによって、以降の工程におけるプラズマの着火性を改善することができる。
上記のステップa〜dのマルチステップのプラズマエッチングの工程では、前記したステップ3、ステップ5に相当するステップが不要となり、また、ステップ3とステップ4との間の圧力の変更、ステップ5とステップ6との間の圧力の変更が不要となり、全体の処理時間を短縮することができる。ところで、図1に示したプラズマエッチング装置においては、上記のような処理レシピは、制御部60の記憶部63から読み出されて、プロセスコントローラ61に取り込まれ、プロセスコントローラ61がプラズマエッチング装置の各部を制御プログラムに基づいて制御することにより、読み出された処理レシピ通りのプラズマエッチング処理工程が実行される。
前述したように、マルチステップのプラズマエッチングの工程を行った場合、後の方の工程では、次第にプラズマが着火し難くなるという現象が生じる。これは、図4に示すように、アイドル状態では帯電が生じていない処理チャンバが(a)、高バイアスプラズマ状態となることによって帯電し(b)、処理チャンバを帯電させるプラズマ状態でプラズマを消すと電子の逃げ場がなく処理チャンバが帯電した状態のままとなり(c)、このため、次にプラズマを着火する際に対向電極との間に高周波電力がかかり難くなるためと推測される。なお、プラズマの着火性の悪化は、前ステップにおける周波数の低い高周波電力(LF)のパワーが大きい場合、前ステップの処理時間が長い場合、前ステップの処理圧力が低い場合ほど顕著になる。
一方、本実施形態では、図5に示すように、高バイアスプラズマ状態となることによって処理チャンバが帯電した状態から(a)、低パワー低バイアスプラズマ状態でプラズマを維持することによって、処理チャンバに帯電した電子が低パワー低バイアスプラズマに逃げ(b)、プラズマを消した状態では、処理チャンバが帯電していない状態となり(c)、次にプラズマを着火する際に、対向電極との間に高周波電力がかかり易くなるためプラズマの着火性が改善されると推測される。なお、低パワー低バイアスプラズマ状態でプラズマを維持する時間は、前ステップにおける帯電量に応じて設定する必要があり、前述したように、前ステップにおける周波数の低い高周波電力(LF)のパワーが大きい場合、前ステップの処理時間が長い場合、前ステップの処理圧力が低い場合ほど、長くする必要がある。
図6は、横軸を時間として、上記した実施形態の際と比較例の際の進行波(HF Pf,LF Pf)、反射波(HF Pr,LF Pr)、Vppの状態を測定した結果を示すもので、図6(a)が比較例、図6(b)が実施形態の場合を示している。図6(a)に示されるように、比較例の場合、高周波電力印加直後の反射波が多く、高周波印加直後のVppが低くなっている。このため、プラズマが着火し難い。一方、図6(b)に示されるように、実施形態の場合反射波が少なく、高周波印加直後のVppが高くなっており、これによってプラズマが着火し易い。
図7は、横軸を時間として、上記のように、処理チャンバの帯電により、Vppが低くなることを検証するための実験として、高周波電力を印加した後に半導体ウエハW吸着用の静電チャック用直流電圧を印加した場合(a)と、高周波電力を印加する前に半導体ウエハW吸着用の静電チャック用直流電圧を印加した場合(b)とで、Vppの状態を比較した結果を示すものである。図7に示されるように、高周波電力を印加する前に半導体ウエハW吸着用の静電チャック用直流電圧を印加した図7(b)の場合(この場合高周波電力印加前に半導体ウエハWが帯電した状態となっている。)、図7(a)の場合に比べて高周波電力印加直後のVppが低くなっている。したがって、前述したマルチステップのプラズマエッチングの工程の場合においても、前ステップによって、処理チャンバ内に電荷が溜まり、プラズマが着火し難くなっていると推定される。
以上説明したとおり、本実施形態によれば、1つの処理チャンバ内で複数のプラズマエッチング工程を順次連続的に行うマルチステップのプラズマエッチングにおいて、一旦プラズマを消した後の次のステップにおけるプラズマの着火性を向上させることができる。なお、本発明は上記の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。例えば、プラズマエッチング装置は、図1に示した平行平板型の下部2周波印加型に限らず、上部電極と下部電極に夫々周波数の異なる高周波電力を印加する上下部2周波印加型のプラズマエッチング装置にも適用することができる。
W……半導体ウエハ、1……処理チャンバ、2……載置台(下部電極)、10a……第1のRF電源、10b……第2のRF電源、16……シャワーヘッド(上部電極)。
Claims (9)
- 処理チャンバ内に、被処理基板が載置される下部電極と、前記下部電極と対向するように配置された上部電極とが設けられたプラズマエッチング装置を用い、前記下部電極と前記上部電極との間に第1の周波数の第1高周波電力と、前記第1高周波電力より周波数の低い第2の周波数の第2高周波電力とを印加してエッチングガスのプラズマを発生させ、前記被処理基板をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
少なくとも第1のプラズマを用いてプラズマエッチングを行う第1プラズマエッチング工程と、
前記第1のプラズマを消した後に、前記第1のプラズマとは異なる第2のプラズマを着火してプラズマエッチングを行う第2プラズマエッチング工程とを有し、
前記第1のプラズマを消す際に、前記第2の高周波電力の印加を停止した状態で、プラズマエッチング時より少ない所定電力の前記第1の周波数の高周波電力を所定時間印加して第1のプラズマを維持し、この後前記第1の周波数の高周波電力の印加を停止する
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1記載のプラズマエッチング方法であって、
前記所定時間が、0.5秒〜3秒であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1又は2記載のプラズマエッチング方法であって、
前記所定電力が、100W〜500Wであることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1〜3いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、
前記第1の周波数が30MHz〜100MHz、前記第2の周波数が3.2MHz〜13.56MHzであることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 被処理基板を収容する処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に設けられ、前記被処理基板が載置される下部電極と、
前記処理チャンバ内に設けられ、前記下部電極と対向するように配置された上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極との間に、第1の周波数の第1高周波電力を印加するための第1高周波電源と、
前記下部電極と前記上部電極との間に、前記第1の高周波電力より周波数の低い第2の周波数の第2高周波電力を印加するための第2高周波電源と、
前記処理チャンバ内にプラズマを発生させるためのエッチングガスを供給するエッチングガス供給機構と、
を具備したプラズマエッチング装置であって、
少なくとも第1のプラズマを用いてプラズマエッチングを行う第1プラズマエッチング工程と、前記第1のプラズマを消した後に、前記第1のプラズマとは異なる第2のプラズマを着火してプラズマエッチングを行う第2プラズマエッチング工程とを実施し、
前記第1のプラズマを消す際に、前記第2の高周波電力の印加を停止した状態で、プラズマエッチング時より少ない所定電力の前記第1の周波数の高周波電力を所定時間印加して所定時間第1のプラズマを維持し、この後前記第の周波数の高周波電力の印加を停止してプラズマを消すよう制御を行う制御手段を有することを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項5記載のプラズマエッチング装置であって、
前記所定時間が、0.5秒〜3秒であることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項5又は6記載のプラズマエッチング装置であって、
前記所定電力が、100W〜500Wであることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項5〜7いずれか1項記載のプラズマエッチング装置であって、
前記第1の周波数が30MHz〜100MHz、前記第2の周波数が3.2MHz〜13.56MHzであることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に請求項1から請求項4いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とするコンピュータ記憶媒体。
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-
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