JP2015041655A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
上記不活性ガスのプラズマを維持することによって、シースでトラップされていた異物がウエハ4の上方からガス流れによって取り除かられたと判定された後に、マイクロ波の電力または供給を停止しプラズマを消失させる(点e)。単層膜のエッチング処理が終了したと判定された後に、処理室7内の残留ガスを排除するためにバタフライバルブ16の開度を全開(100%)にして処理室7内部を排気する(点e〜f)。
Claims (8)
- 真空容器内部に配置された処理室と、この処理室内に配置されウエハがその上面に載せられるステージと、前記処理室内の前記ステージ上方の空間にプラズマを生成するため供給される電界の生成手段と、前記処理室内に処理用のガスを供給するための処理ガス供給手段と、前記処理室を減圧するための排気手段と、前記ステージの温度を調節する温度調節手段と、前記ウエハ上方にバイアス電位を形成するために前記ステージに印加される高周波電力を供給する高周波電源とを備え、前記処理室内に前記処理用のガスを供給して形成した前記プラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、
前記ウエハの処理対象の膜の処理の終了後、前記高周波電力の供給を停止した状態で、前記処理室内に不活性ガスの導入を開始し前記電界の強度を小さくして前記処理室内にプラズマを所定の期間だけ形成するプラズマ処理装置。
- 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、前記ウエハの処理対象の膜の処理の終了後、当該膜の処理用のガスの供給と前記不活性ガスの供給とを切替えて前記処理室内にプラズマを所定の期間だけ形成するプラズマ処理装置。
- 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置において、前記ウエハの処理対象の膜の処理の終了後、前記温度調節手段を用いて次の処理に用いられる値となるように前記ステージの温度を調節しつつ、前記不活性ガスを供給して形成したプラズマを少なくとも1秒以上維持した後に当該プラズマを消失させるプラズマ処理装置。
- 請求項1乃至3に記載のプラズマ処理装置であって、前記不活性ガスを供給して形成したプラズマを消失させた後に、前記不活性ガスの供給を次の処理に用いる前記処理用ガスの供給に切り替えるとともに、前記処理室内の圧力を前記次の処理で用いられる圧力になるように調整するプラズマ処理装置。
- 真空容器内部に配置された処理室内に配置されたステージ上面にウエハを載置し、前記処理室内を減圧しつつ処理用のガスを供給し前記処理室内に電界を供給して前記ステージ上方の空間にプラズマを生成して、前記ステージに高周波電源から高周波電力を供給して前記ウエハ上方にバイアス電位を形成つつ、前記ウエハを処理するプラズマ処理方法であって、
前記ウエハの処理対象の膜の処理の終了後、前記高周波電力の供給を停止した状態で、前記処理室内に不活性ガスの導入を開始し前記電界の強度を小さくして前記処理室内にプラズマを所定の期間だけ形成するプラズマ処理方法。
- 請求項5に記載のプラズマ処理方法において、前記ウエハの処理対象の膜の処理の終了後、当該膜の処理用のガスの供給と前記不活性ガスの供給とを切替えて前記処理室内にプラズマを所定の期間だけ形成するプラズマ処理方法。
- 請求項5または6に記載のプラズマ処理方法において、前記ウエハの処理対象の膜の処理の終了後、前記温度調節手段を用いて次の処理に用いられる値となるように前記ステージの温度を調節しつつ、前記不活性ガスを供給して形成したプラズマを少なくとも1秒以上維持した後に当該プラズマを消失させるプラズマ処理方法。
- 請求項5乃至7に記載のプラズマ処理方法であって、前記不活性ガスを供給して形成したプラズマを消失させた後に、前記不活性ガスの供給を次の処理に用いる前記処理用ガスの供給に切り替えるとともに、前記処理室内の圧力を前記次の処理で用いられる圧力になるように調整するプラズマ処理方法。
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