本発明は、シリコン基板等の被処理物をエッチングする方法および装置に関するものである。
各種のセンサ関連部品やバイオ関連部品として、シリコン基板をエッチングにより加工して微小な機能部品を製造する技術があるが、このうちパワーデバイスやMEMS(Micro Electro-Mechanical System)分野では、しばしば20μm以上、さらには100〜300μmの深い溝や穴の加工を行う場合もある。
このような深い溝や縦穴の加工をドライエッチングにより行う場合、一般にICP(Inductively Coupled Plasma)等の高密度プラズマソースを利用した高いエッチングレートが得られる方法が用いられる。また、処理反応室内にエッチングガスを導入して溝又は穴をエッチングする工程と、同じ反応処理室内にパッシベーションガスを導入し、エッチングされた溝や穴の側壁およびボトムにパッシベーション層(保護膜)を化学的に蒸着させる工程とを交互に行うことによって、高速で正確な形状の深い溝や穴の加工を可能とするエッチング方法がある(例えば、特許文献1参照)。
このエッチング方法は、エッチングした後の溝や穴内においてシリコンが露出した側壁とボトムの両方に保護膜を化学的に蒸着した状態で再度エッチングを行うと、側壁よりもボトムの保護膜の方が早くエッチングされることにより、主としてボトム方向へのエッチングが進行することを利用するものである。また、このようなエッチング方法において、側壁の形状を制御する方法が特許文献2に開示されている。
特表2001−505001号公報
特許第3540129号公報
しかしながら、上記各特許文献にて開示されたエッチング方法を実際に使用する場合、エッチング加工された溝や穴等のエッチング部の側壁に形成される保護膜に、部分的でかつ不規則な欠陥(欠落や変質等)が発生することがある。この保護膜自体は後の工程で取り除かれることが多いが、その下地であるシリコンの表面に該欠陥による影響によって部分的な窪みや不規則な表面粗さが発生するおそれがある。
また、エッチングレートを上げるため、エッチングガスの流量や圧力を増加させると、更にそれらの欠陥が側壁全体に拡大したり、溝や穴の形状が悪化したりすることもある。
本発明は、エッチング部に形成される保護膜における欠陥の発生を抑制するとともに、高いエッチングレートを実現するエッチング方法および装置を提供することを目的とする。
本発明は、処理室内にエッチングガスを供給して処理室内に配置されたシリコン基板のプラズマエッチングを行う第1の工程と、処理室内にパッシベーションガスを供給してシリコン基板のエッチング部にパッシベーション層を生成する第2の工程とを交互に繰り返すことによりシリコン基板に深い溝又は穴の加工を行うエッチング方法であって、第2の工程の後、第1の工程の前に、処理室内の圧力がプラズマを消失させない所定の圧力より低くならないようにパージガスの導入圧力を設定し、該パージガスを処理室内に供給する工程を有する。パージガスの導入圧力を設定して供給する工程において、パージガスの当初の導入圧力を、第1の工程でのエッチングガスの導入圧力及び第2の工程でのパッシベーションガスの導入圧力よりも低くし、シリコン基板のエッチング部の深さが深くなるにしたがって、パージガスの導入流量を増加させることにより、該パージガスの導入圧力を漸次増加させることを特徴とする。
また、前記第1の工程の後、第2の工程の前に処理室内にパージガスを供給する工程をさらに有することを特徴とする。
また、パージガスは、ヘリウムガス、アルゴンガス又は窒素ガスであることを特徴とする。
また、シリコン基板が配置される処理室と、エッチングガス、パッシベーションガスおよびパージガスを処理室に供給するガス供給部と、エッチング方法を実施するようガス供給部を制御する制御部とを有することを特徴とする。
また、デバイスの製造方法は、エッチング装置内にシリコン基板を配置する工程と、該エッチング装置によりシリコン基板のエッチングを行う工程とを有することを特徴とする。
本発明によれば、第2の工程の後、第1の工程の前に処理室内にパージガスを供給することにより、エッチング部内から第2の工程で供給されて残留しているパッシベーションガスを排除したり減少させたりすることができるので、パッシベーション層に不規則な欠陥が発生するのを抑制できる。この結果、エッチングガスやパッシベーションガスの流量や圧力を増加させてエッチングレートを大きくすることができる。
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施例について説明する。
図1Aには、本発明の前提技術としての実施例1であるエッチング方法を使用するエッチング装置の構成を示している。本実施例では、ICPプラズマエッチング装置の一例を示している。
図1Aにおいて、5は基板処理反応室であり、ガスが導入されていない状態では10−5Pa程度の高い真空状態を実現できる。この基板処理反応室1の上部には、ガス導入口9が設けられており、該ガス導入口9を通じてガス供給部41からのエッチングガス、保護膜生成ガス(パッシベーションガス)およびパージガスを基板処理反応室5内に導入できる。ガス供給部41内には、図示しないが、各ガスに対応した電磁バルブ等、各ガスの供給、遮断および供給流量(供給圧力)を制御する部材が設けられている。
また、基板処理反応室5の上部には、該基板処理反応室5の外周部に配置されたアンテナコイル6が設けられている。このアンテナコイル6には、例えば13.56MHzのプラズマソース用高周波電源7が接続されており、加工する寸法や形状によって異なるが、例えばピーク電力が1〜3kWである高周波電力がインピーダンスマッチング回路8を経由してアンテナコイル6に印加される。
後述するように、ガス供給部41からは、エッチングガスとしてのSF6が100〜700sccm(standard cc/min)の流量で、また保護膜生成ガスとしてのC4F8が50〜400sccmの流量で、さらにパージガスとしてのヘリウム(He)、アルゴン(Ar)又は窒素(N2)が50〜400sccmの流量でそれぞれ順に切り換えられて基板処理反応室5に供給される。この切り換えの制御はコントローラ42により行われる。なお、本発明において、各ガスの具体的な成分はこれらに限られない。
基板処理反応室5内に導入されたエッチングガスが高周波電源7およびアンテナコイル6からのエネルギーによって励起されることにより、プラズマが発生する。これにより、エッチングガス内には、イオン(SFx)および励起反応種Fラジカルが発生する。また、保護膜生成ガス内には、基板表面に付着してパッシベーション層としての保護膜を形成するポリマーイオン(CxFy)が発生する。さらに、パージガス内には、該ガスの活性種やイオンが発生する。
基板処理反応室5内の下部には、被処理物であるシリコン基板12を保持するための基板ホルダー11が配置されており、その内部には電極13が設けられている。電極13と基板処理反応室5との間には、インピーダンスマッチング回路15を経由してバイアス用高周波電源14から、例えば13.56MHzでピーク電力が5〜500wの高周波電力が印加される。これにより、基板処理反応室5の上部空間にて発生し、該反応室5のほぼ全体に拡散しているイオンや活性種が基板12側に加速運動する。
そして、それらのイオンや活性種は、最終的に基板12の表面に到達し、基板12をエッチングしたり、エッチングされた溝や穴等のエッチング部の側壁やボトムに保護膜を生成したりする。
図1Bには、ここまで説明した本実施例のエッチング装置における1枚の基板12(但し、複数の基板を同時に処理してもよい)に対する一連のエッチング処理の流れを示している。
ステップ(図では「S」と略す:他のフローチャートについても同じ)1では、基板12を基板ホルダー11上に配置し、その後で基板処理反応室5内からの真空排気を行い、上述したように10−5Pa程度の真空状態とする。
次に、ステップ2では、基板処理反応室5内にエッチングガスを導入し、不図示の圧力センサの出力をモニターしながら所定の圧力に維持した状態で上述したようにプラズマを発生させ、所定時間、基板12に対するエッチングを行う(第1の工程であるエッチング工程)。
エッチング工程が終了すると、ステップ3にて基板処理反応室5内に保護膜生成ガスを導入し、所定の圧力に維持した状態で、基板12におけるエッチング部に保護膜を生成する(第2の工程である保護膜生成工程)。
所定時間の保護膜生成工程が終了すると、ステップ4にて基板処理反応室5内にパージガスを導入し、所定の圧力に維持した状態でエッチング部内に残留した保護膜生成ガスを除去又は減少させる(パージ工程)。
そして、所定時間のパージ工程が終了すると、ステップ5にて今回のプロセスサイクル(1回のエッチング工程〜パージ工程までを1プロセスサイクルとする)が所定のn回目であったか否かを判別し、まだn回目でなければステップ2に戻り、次回のプロセスサイクルを繰り返す。
一方、n回目のプロセスサイクルが終了した場合は、ステップ6に進み、基板処理反応室5内において気化したエッチング生成物や余分なガスが基板処理反応室5の下部に設けられたガス排出口10から外部へ排出される。こうして一連のエッチング処理を終了する。
図2には、コントローラ42の制御による、基板処理反応室5内に導入されるガスの時間的な切り換えの様子を示している。図2の縦軸は導入される各ガスの基板処理反応室5内での圧力(以下、これを導入圧力といい、供給圧力と同義である)を示し、横軸は時間を示している。
図2において、1はエッチングガスの導入圧力と導入タイミングを示している。2は保護膜生成ガスの導入圧力と導入タイミングを示している。3はパージガスの導入圧力と導入タイミングを示している。具体的な圧力値は、加工の寸法や形状により異なるが、例えば、エッチングガスについては1〜30Pa、保護膜生成ガス2については0.5〜18Pa、パージガスについては0.5〜17Paを使用する。但し、保護膜生成ガスの圧力をエッチングガスの圧力よりも低く、パージガスの圧力を保護膜生成ガスの圧力よりも低く設定するのが望ましい。
さらに4は基板処理反応室5内でのエッチングガス、保護膜生成ガスおよびパージガスの合成圧力の変化を示している。
本実施例では、時間(期間)t1であるエッチングガスの導入時間の後であって、時間t2である保護膜生成ガスの導入時間の完了直後に、該t1,t2に比較して短い時間t3でパージガスを導入する。言い換えれば、時間t1でのエッチング工程が終了した後の時間t2での保護膜生成工程の後、次のエッチング工程の前に時間t3でパージガスを導入するパージ工程を設ける。
具体的な導入時間は、t1については1〜12秒、t2については0.5〜3秒、t3については0.5〜3秒の範囲に設定する。なお、導入時間は供給時間と同義である。
ここで、経験的に、20μm以上あるいはアスペクト比が5以上の深い溝あるいは穴を加工する場合に、保護膜生成ガスが該溝又は穴内の空間に残っている状態でエッチングガスが導入されると、該空間で必要以上のフッ素ラジカルが生じる期待しない反応(異常反応と同義)が発生し、保護膜の形状や質を著しく悪化させることが分かっている。図6には、保護膜生成ガスが溝内空間に残っている状態でエッチングガスが導入された場合に、溝の側壁に発生した欠陥を示すSEM(Scanning Electron Microscopy)写真を示している。図中にいくつか黒い斑点状に見えるものDが、保護膜に生じた欠陥である。
本実施例では、ヘリウムガス、アルゴンガス、キセノンガス、クリプトンガスあるいは窒素ガスをパージガスとして短い時間t3だけ導入することで、これらのパージガスはプラズマ下でイオンあるいは活性種を発生し得るが、エッチング部内の空間に残留する保護膜生成ガスを取り除く又は減少させる作用を有し、結果として上記異常反応の発生を抑制できる。特に、エッチング深さが20μm以上あるいはアスペクト比が5以上の深い溝あるいは穴等を加工する場合に、本実施例(および後述する他の実施例)は有効である。
なお、酸素ガスについては同様なパージ効果を有するが、反面プラズマ下で発生する酸素ラジカルの保護膜へのエッチング(除去)効果が高い。このため、側壁に形成した保護膜を除去し過ぎて、シリコン基材を露出させてしまう危険性を持っている。その結果、望まずして露出したシリコン側壁が次のエッチングステップで削られ、溝や穴の形状が垂直形状にならず、途中が膨らんだ糸巻状の異形状を形成する危険性が高い。特に、深さ100μmを超えるアスペクト比20以上の深い溝或いは穴を加工する時に発生し易いという弊害が有るので好ましくない。図3のフローチャートには、本実施例のエッチング方法(処理)を実行するためのコントローラ42によるガス供給制御の手順を示している。該制御は、コントローラ42に格納された制御用コンピュータプログラムに従って実行される。このことは以下の実施例でも同様である。
まず、ステップ1201では、コントローラ42は、エッチング処理のプロセスサイクル数Cycleを1に初期設定する。次に、ステップ1202では、1プロセスサイクル内でのプロセスステップ数(エッチング工程を1、保護膜生成工程を2、パージ工程を3とし、3に達すると1に戻る)を0に初期設定する。
次に、ステップ1203では、プロセスステップ数を1インクリメントし、さらにステップ1204では、該ステップ数を判別する。該ステップ数が1である場合はステップ1211に、ステップ数が2である場合はステップ1221に、ステップ数が3である場合はステップ1231に進む。
ステップ1211では、1回目のプロセスサイクルの場合(もともとパージガスが遮断されていた場合)はそのままステップ1212に進み、それまでパージ工程を実行していた場合はガス供給部41からのパージガスの導入を遮断(オフ)してステップ1212に進む。ステップ1212では、エッチング工程を行うためにガス供給部41からのエッチングガスの導入を開始(オン)する。そして、ステップ1213において、エッチングガスの導入時間タイマーを時間t1に設定し、ステップ1214,1215で該導入時間が時間t1に達する(すなわち、エッチング工程が終了する)と、ステップ1203に戻る。
ここで、ステップ1214においてはタイマーを所定時間ずつデクリメントし、ステップ1215でタイマーが0になったときにステップ1203に進むが、デクリメントする所定時間は、整数秒単位でもよいし、小数点以下の秒を含む単位でもよい。このことは、他のガスの導入時間タイマーにおいても同様である。
また、ステップ1221では、ガス供給部41からのエッチングガスの導入を遮断(オフ)し、次のステップ1222において保護膜生成工程を行うためにガス供給部41からの保護膜生成ガスの導入を開始(オン)する。そして、ステップ1223において、保護膜生成ガスの導入時間タイマーを時間t2に設定し、ステップ1224,1225で該導入時間が時間t2に達する(すなわち、保護膜生成工程が終了する)と、ステップ1203に戻る。
さらに、ステップ1231では、ガス供給部41からの保護膜生成ガスの導入を遮断(オフ)し、次のステップ1232においてパージ工程を行うためにガス供給部41からのパージガスの導入を開始(オン)する。そして、ステップ1233において、パージガスの導入時間タイマーを時間t3に設定し、ステップ1234,1235で該導入時間が時間t3に達する(すなわち、パージ工程が終了する)と、ステップ1206に進む。ステップ1206では、プロセスサイクル数を1インクリメントし、ステップ1207においてプロセスサイクル数が所定数nに達していない場合は、ステップ1202に戻る。このとき、次のステップ1203でプロセスステップ数は1となるので、ステップ1211に進んでパージガスをオフし、ステップ1212でエッチングガスをオンして次のプロセスサイクルのエッチング工程を開始する。
こうしてステップ1207においてプロセスサイクル数が所定数nに達すると、ステップ1208に進み、パージガスをオフして、一連のエッチング処理を終了する。
ここで、図4には、パージ工程を設けずに、基板処理反応室5からの排気のみで保護膜生成ガスの残留分をエッチング部の空間から取り除く従来の方法を実施した場合の基板処理反応室5内の圧力を示している。21はエッチングガスの導入圧力と導入タイミングを、22は保護膜生成ガスの導入圧力と導入タイミングを、23はこれらの合成圧力を示している。具体的な各ガスの圧力値は、図2と同様に、エッチングガスについては1〜30Pa、保護膜生成ガスについては0.5〜18Paである。
この従来方法でも、エッチング部の側壁に形成された保護膜の欠陥を回避できるが、保護膜生成ガスの排気時間が長くなることによりスループットが低下したり、基板処理反応室5内のプラズマが一旦消失してしまうことによりエッチングや保護膜生成プロセスの不安定さを招くおそれが生じたりする。したがって、スループットを向上させ、プラズマの消失を防止するために、連続したプラズマソース用高周波電力による励起と、プラズマ発生に必要なガスが常に基板処理反応室5内に残留している必要がある。
図5には、本実施例を適用した場合における実際の導入ガスの圧力(縦軸)と時間(横軸)との関係を示している。図2には理想的な基板処理反応室5内での導入ガス圧力の変化を示したが、実際の導入ガスの圧力は図2に示したように矩形波的には変化せず、若干の時間的遅れを伴う。エッチング工程、保護膜生成工程およびパージ工程からなる一連の1プロセスサイクルは、概ね2〜15秒である。また、基板1枚に対する全エッチング加工時間は、その材料や形状若しくはエッチング深さによって異なるが、例えばシリコン基板に100μmの深さの溝又は穴をエッチングする場合、5〜10分である。
図5において、24はエッチングガスの導入圧力と導入タイミングを、25は保護膜生成ガスの導入圧力と導入タイミング、26はパージガスの導入圧力と導入タイミングを示している。具体的な各ガスの圧力値は、図2と同様に、エッチングガスについては1〜30Pa、保護膜生成ガスについては0.5〜18Pa、パージガスについては0.5〜17Paである。27はこれらの合成圧力を示している。ここで重要な点は、基板処理反応室5内の合成圧力が、プラズマが不安定になったり消失したりすることのない所定圧力P0より常に大きくなるようにパージガスの導入圧力を設定することである。所定圧力P0は、経験的には例えば概ね0.1Paである。
また、図5から分かるように、実際は、前の工程でのガスの導入圧力が残存した状態で次のガスの導入が開始されている。すなわち、エッチング工程や保護膜生成工程の終了に伴いガス供給部41におけるエッチングガスや保護膜生成ガスの導入の遮断制御は行われるが、処理反応室55内に残っているガスが抜けきるまでにある程度の時間を要するため、それらのガスの圧力が0になる前に次の工程のガス(保護膜生成ガスやパージガス)の導入が開始されることになる。
そして、本発明にいう「第2の工程(保護膜生成工程)の後、第1の工程(エッチング工程)の前に処理室内にパージガスを供給する」とは、このように保護膜生成ガス圧が残存した状態でのパージガスの導入(供給)開始や、パージガス圧が残存した状態でのエッチングガスの導入開始を許容する意味である。さらに言えば、図示しないが、保護膜生成ガスの導入が遮断される前にパージガスの導入を開始したり、パージガスの導入が遮断される前にエッチングガスの導入を開始したりする場合も含む。
また、エッチングプロセスにおいては、プラズマからの熱放射、イオンによるスパッタリング若しくはエッチングによる化学反応熱などによって、基板自体が表面から加熱されてその温度が上昇する。一例として、レジストマスクを加工する場合は、120℃を超えると急速に劣化や焼失が生じ、エッチング形状が悪くなったり保護膜の強度が低下して欠陥が発生したりする。このため、基板ホルダー11には、エッチング中に基板12に発生する熱を取り除き、該基板12の温度を略一定に保って良好なエッチング又は保護膜の生成を維持するための冷却機構が内蔵されている。
図1Aにおいて、Aは該冷却機構を構成する温調媒体の基板ホルダー11への入力、Bはその出力を示している。特に保護膜においては、経験的に概ね30℃を超えると、溝や穴の側壁の表面側(表面側の方がより高温になるため)に欠陥を生じ易くなり、その下地の形状にまで悪影響を与える。つまり、エッチング加工中の基板12の温度制御は敏感に加工品質に影響を与える。
本実施例では、上記冷却機構による基板12の冷却に加えて、パージガスを導入する工程を設けることで、その温度制御を容易にするという効果をもたらす。さらに、従来では許容レベルを超えるような温度上昇があった場合でも保護膜の欠陥の発生を抑制でき、また従来の許容レベルの温度に対しても保護膜の強度が増すので、基板の温度上昇の許容レベルを上げることができる。
保護膜を生成する化学的蒸着時間を長くしても保護膜の強化を図れるが、エッチングレートが小さくなるという弊害があるので好ましくない。
エッチング部の空間にエッチングガスと保護膜生成ガスとが混在する場合、前述した異常反応はエッチングガスの導入が完了して保護膜生成ガスが導入される直前にも発生する可能性がある。このため、エッチングガスの導入(エッチング工程)完了後、保護膜生成ガスの導入(保護膜生成工程)直前に、パージガスを導入する前パージ工程を設けてもよい。この場合、図1B示したステップ2とステップ3の間に前パージ工程を設けるとともに、ステップ4を本パージ工程とする。
図7には、本発明の前提技術としての実施例2であるエッチング方法(処理)において、コントローラ42の制御により基板処理反応室5内に導入されるガスの時間的な切り換えの様子を示している。図7の縦軸は導入される各ガスの基板処理反応室5内での圧力を示し、横軸は時間を示している。
図7において、17はエッチングガスの導入圧力と導入タイミングを、18は保護膜生成ガスの導入圧力と導入タイミングを、19はパージガスの導入圧力と導入タイミングを示している。具体的なガスの圧力値は、実施例1と同様に、エッチングガスについては1〜30Pa、保護膜生成ガスについては0.5〜18Pa、パージガスについては0.5〜17Paであり、保護膜生成ガスの圧力をエッチングガスの圧力よりも低く、パージガスの圧力を保護膜生成ガスの圧力よりも低く設定するのが望ましい。20は基板処理反応室5内の合成圧力を示している。
そして、本実施例では、1プロセスサイクル中において、t4のエッチングガス導入時間(エッチング工程)の直後にt6のパージガス導入時間(前パージ工程PP)を設け、その後にt5の保護膜生成ガス導入時間(保護膜生成工程)を設け、その直後に再びt6のパージガス導入時間(本パージ工程PM)を設けている。なお、前パージ工程と本パージ工程とで、パージガスの導入圧力、導入流量および導入時間のいずれかを異ならせてもよい。
図8には、本実施例2のエッチング方法(処理)を実行するためのコントローラ42によるガス供給制御の手順を示している。なお、本実施例におけるエッチング装置の構成は実施例1と同様である。
まず、ステップ901では、コントローラ42は、エッチング処理のプロセスサイクル数Cycleを1に初期設定する。次に、ステップ902では、1プロセスサイクル内でのプロセスステップ数(エッチング工程を1、前パージ工程を2、保護膜生成工程を3、本パージ工程を4とし、4に達すると1に戻る)を0に初期設定する。
次に、ステップ903では、プロセスステップ数を1インクリメントし、さらにステップ904では、該ステップ数を判別する。該ステップ数が1である場合はステップ911に、ステップ数が2である場合はステップ921に、ステップ数が3である場合はステップ931に、ステップ数が4である場合はステップ941に進む。
ステップ911では、1回目のプロセスサイクルの場合(もともとパージガスが遮断されていた場合)はそのままステップ912に進み、それまで本パージ工程を実行していた場合はガス供給部41からのパージガスの導入を遮断(オフ)してステップ912に進む。ステップ912では、エッチング工程を行うためにガス供給部41からのエッチングガスの導入を開始(オン)する。そして、ステップ913において、エッチングガスの導入時間タイマーを時間t4に設定し、ステップ914,915で該導入時間が時間t4に達する(すなわち、エッチング工程が終了する)と、ステップ903に戻る。
また、ステップ921では、ガス供給部41からのエッチングガスの導入を遮断(オフ)し、次のステップ922において、前パージ工程を行うためにカス供給部41からのパージガスの導入を開始(オン)する。そして、ステップ923において、パージガスの導入時間タイマーを時間t6に設定し、ステップ924,925で該導入時間が時間t2に達する(すなわち、前パージ工程が終了する)と、ステップ903に戻る。
また、ステップ931では、ガス供給部41からのパージグガスの導入を遮断(オフ)し、次のステップ932において、保護膜生成工程を行うためにガス供給部41からの保護膜生成ガスの導入を開始(オン)する。そして、ステップ933において、保護膜生成ガスの導入時間タイマーを時間t5に設定し、ステップ934,935で該導入時間が時間t5に達する(すなわち、保護膜生成工程が終了する)と、ステップ903に戻る。
さらに、ステップ941では、ガス供給部41からの保護膜生成ガスの導入を遮断(オフ)し、次のステップ942において本パージ工程を行うためにパージガスの導入を開始(オン)する。そして、ステップ943において、パージガスの導入時間タイマーを時間t6に設定し、ステップ944,945で該導入時間が時間t6に達する(すなわち、本パージ工程が終了する)と、ステップ906に進む。ステップ906では、サイクル数を1インクリメントし、ステップ907においてプロセスサイクル数が所定数nに達していない場合は、ステップ902に戻る。このとき、次のステップ903でプロセスステップ数は1となるので、ステップ911に進んでパージガスをオフし、ステップ912でエッチングガスをオンして次のプロセスサイクルのエッチング工程を開始する。
こうしてステップ907においてプロセスサイクル数が所定数nに達すると、ステップ908に進み、パージガスをオフして、一連のエッチング処理を終了する。
なお、本実施例においても、実施例1と同様に、基板処理反応室5内の合成圧力が、プラズマが不安定になったり消失したりすることのない所定圧力P0より常に大きくなるようにパージガスの導入圧力を設定することが重要である。
上記実施例1,2では、1枚の基板に対する一連のエッチング処理(所定数nのプロセスサイクル)中における各プロセスサイクルでのパージガスの導入時間(パージ時間)を一定とした場合について説明したが、図9に示すように、一連のエッチング処理中において各プロセスサイクルでのパージガスの導入時間t11〜tnを変化させてもよい。具体的には、エッチング部の深さが深くなるに従って、例えば0.5〜3秒の間で連続的に又は段階的に増加させてもよい。エッチング深さが浅い場合は短い時間のパージガス導入で残留した保護膜生成ガスを良好に除去又は減少させることができるが、エッチング深さが深くなるほど(例えば、100μmを超えるような深さになると)、それに対応して長いパージガス導入時間が必要となる。ここでは、本発明の参考技術を実施例3として説明する。
図9において、28はエッチングガスの導入圧力と導入タイミングを、29は保護膜生成ガスの導入圧力と導入タイミングを、30はパージガスの導入圧力と導入タイミングを示している。また、31は基板処理反応室5内の合成圧力を示している。
一連のエッチング処理中において、はじめは短いパージガス導入時間t11を設定し、プロセスサイクルが進むに従ってパージガス導入時間t12〜tnを漸次長くしていく制御を行うことで、1枚の基板の全体に要する処理時間を、経験的には5〜10%短縮し、スループットを向上させることができる。はじめから長いパージガス導入時間を設定すると、エッチング深さが浅い段階では無駄な時間が大きくなり、スループットが低下するので好ましくない。
図10のフローチャートには、本実施例のエッチング方法(処理)を実行するためのコントローラ42によるガス供給制御の手順を示している。なお、本実施例におけるエッチング装置の構成は実施例1と同様であり、ガス供給制御の手順も基本的に実施例1と同様とする。
まず、ステップ1001では、コントローラ42は、エッチング処理のプロセスサイクル数Cycleとパージ時間設定用カウンタjとを1に初期設定する。
次に、ステップ1002では、1プロセスサイクル内でのプロセスステップ数(エッチング工程を1、保護膜生成工程を2、パージ工程を3とし、3に達すると1に戻る)を0に初期設定する。
次に、ステップ1003では、プロセスステップ数を1インクリメントし、さらにステップ1004では、該ステップ数を判別する。該ステップ数が1である場合はステップ1011に、ステップ数が2である場合はステップ1021に、ステップ数が3である場合はステップ1031に進む。
ステップ1011では、1回目のプロセスサイクルの場合(もともとパージガスが遮断されていた場合)はそのままステップ1012に進み、それまでパージ工程を実行していた場合はガス供給部41からのパージガスの導入を遮断(オフ)してステップ1012に進む。ステップ1012では、エッチング工程を行うためにガス供給部41からのエッチングガスの導入を開始(オン)する。そして、ステップ1013において、エッチングガスの導入時間タイマーを時間t1に設定し、ステップ1014,1015で該導入時間が時間t1に達する(すなわち、エッチング工程が終了する)と、ステップ1003に戻る。
また、ステップ1021では、ガス供給部41からのエッチングガスの導入を遮断(オフ)し、次のステップ1022において保護膜生成工程を行うためにガス供給部41からの保護膜生成ガスの導入を開始(オン)する。そして、ステップ1023において、保護膜生成ガスの導入時間タイマーを時間t2に設定し、ステップ1024,1025で該導入時間が時間t2に達する(すなわち、保護膜生成工程が終了する)と、ステップ1003に戻る。
さらに、ステップ1031では、ガス供給部41からの保護膜生成ガスの導入を遮断(オフ)し、次のステップ1032においてパージ工程を行うためにガス供給部41からのパージガスの導入を開始(オン)する。そして、ステップ1033において、パージガスの導入時間タイマーを時間t1j(t11,t12,t13…tn)に設定する。ステップ1034,1035で該導入時間が時間t1jに達する(すなわち、パージ工程が終了する)と、ステップ1005に進む。ステップ1005では、パージ時間設定用カウンタjを1インクリメントし、次のステップ1006では、プロセスサイクル数を1インクリメントする。
次にステップ1007においてプロセスサイクル数が所定数nに達していない場合は、ステップ1002に戻る。このとき、次のステップ1003でプロセスステップ数は1となるので、ステップ1011に進んでパージガスをオフし、ステップ1012でエッチングガスをオンして次のプロセスサイクルのエッチング工程を開始する。
こうしてステップ1007においてプロセスサイクル数が所定数nに達すると、ステップ1008に進み、パージガスをオフして、一連のエッチング処理を終了する。
以下、上記実施例1,2を前提技術とした本発明の実施例について説明する。上記実施例1,2において、1枚の基板に対する一連のエッチング処理(所定数nのプロセスサイクル)中の各プロセスサイクルでのパージガスの導入流量を変化させてもよい。具体的には、パージガスの導入流量を0.5〜17sccmの間で連続的に又は段階的に増加させてもよい。このことは、言い換えれば、パージガスの導入圧力(パージ圧)を連続的に又は段階的に変化(増加)させることと等価である。なお、導入流量は供給流量と同義である。
エッチング深さが浅い間は少ない流量(低圧)とし、エッチング深さが深くなるにしたがって流量(圧力)を漸次増加させるよう流量(圧力)制御を行うことで、パージガスの導入時間を各プロセスサイクルで最短時間に設定することができる。これにより、実施例3のようにパージガスの導入時間を変化させる場合に比べて、更に全体の処理時間を短くしてスループットを短縮することができる。経験的には、実施例3に比べて5〜10%短縮することができる。
図11において、32はエッチングガスの導入圧力と導入タイミングを、33は保護膜生成ガスの導入圧力と導入タイミングを、34はパージガスの導入圧力と導入タイミングを示している。また、35は基板処理反応室5内の合成圧力を示している。
本実施例では、図11に示すように、パージガスの導入時間を、エッチング深さが浅い段階で必要な短い時間t3に固定したまま、エッチング深さが深くなるにしたがってパージガスの導入圧力がP1,P2,P3…Pnと漸次増加していくように、導入流量を制御する。
図12のフローチャートには、本実施例のエッチング方法(処理)を実行するためのコントローラ42によるガス供給制御の手順を示している。なお、本実施例におけるエッチング装置の構成は実施例1と同様であり、ガス供給制御の手順も基本的に実施例1と同様とする。
まず、ステップ1101では、コントローラ42は、エッチング処理のプロセスサイクル数Cycleとパージ圧力設定用カウンタkとを1に初期設定する。
次に、ステップ1102では、1プロセスサイクル内でのプロセスステップ数(エッチング工程を1、保護膜生成工程を2、パージ工程を3とし、3に達すると1に戻る)を0に初期設定する。
次に、ステップ1103では、プロセスステップ数を1インクリメントし、さらにステップ1104では、該ステップ数を判別する。該ステップ数が1である場合はステップ1111に、ステップ数が2である場合はステップ1121に、ステップ数が3である場合はステップ1131に進む。
ステップ1111では、1回目のプロセスサイクルの場合(もともとパージガスが遮断されていた場合)はそのままステップ1112に進み、それまでパージ工程を実行していた場合はガス供給部41からのパージガスの導入を遮断(オフ)してステップ1112に進む。ステップ1112では、エッチング工程を行うためにガス供給部41からのエッチングガスの導入を開始(オン)する。そして、ステップ1113において、エッチングガスの導入時間タイマーを時間t1に設定し、ステップ1114,1115で該導入時間が時間t1に達する(すなわち、エッチング工程が終了する)と、ステップ1103に戻る。
また、ステップ1121では、ガス供給部41からのエッチングガスの導入を遮断(オフ)し、次のステップ1122において保護膜生成工程を行うためにガス供給部41からの保護膜生成ガスの導入を開始(オン)する。そして、ステップ1123において、保護膜生成ガスの導入時間タイマーを時間t2に設定し、ステップ1124,1125で該導入時間が時間t2に達する(すなわち、保護膜生成工程が終了する)と、ステップ1103に戻る。
さらに、ステップ1131では、ガス供給部41からの保護膜生成ガスの導入を遮断(オフ)し、次のステップ1132においてパージ工程を行うためにガス供給部41からのパージガスの導入を開始(オン)する。そして、ステップ1133において、パージガスの導入時間タイマーを時間t3に設定するとともに、パージガスの導入圧力PをPk(P1,P2,P3…Pn)に設定する。ステップ1134,1135で該導入時間が時間t3に達する(すなわち、パージ工程が終了する)と、ステップ1105に進む。
ステップ1105では、パージ圧設定用カウンタkを1インクリメントし、次のステップ1106では、プロセスサイクル数を1インクリメントする。
次にステップ1107においてプロセスサイクル数が所定数nに達していない場合は、ステップ1102に戻る。このとき、次のステップ1102でプロセスステップ数は1となるので、ステップ1111に進んでパージガスをオフし、ステップ1112でエッチングガスをオンして次のプロセスサイクルのエッチング工程を開始する。
こうしてステップ1107においてプロセスサイクル数が所定数nに達すると、ステップ1108に進み、パージガスをオフして、一連のエッチング処理を終了する。
なお、上記実施例3,4では、パージガスの導入時間と導入流量(導入圧力)を個別に変化させる場合について説明したが、これらの両方を変化させるようにしてもよい。
さらに、このようなパージガスの導入時間と導入流量(導入圧力)に加えて、エッチング工程や保護膜生成工程の時間、導入ガス圧(流量)等のパラメータをエッチング深さに応じて総合的に制御することで、20μm以上のエッチング深さや5以上のアスペクト比の溝や穴の加工をより良好な形状精度かつ高スループットで行うことができる。経験的には、200μm以上あるいはアスペクト比20以上の深い溝や穴でも、保護膜を損傷することなく加工できる。
以上説明したように、上記各実施例によれば、第2の工程(保護膜生成工程)の後、第1の工程(エッチング工程)の前に基板処理反応室5内にパージガスを供給することにより、パッシベーション層(保護膜)に不規則な欠陥が発生するのを抑制できる。この結果、エッチングガスやパッシベーションガス(保護膜生成ガス)の流量や圧力を増加させて、エッチングレートを大きくすることができる。さらに、エッチング部のボトムの形状を平坦に保つ効果も得られる。
特に、20μm以上もしくはアスペクト比5以上の深い溝や穴をエッチングする場合に、エッチング深さに応じたパージガス導入時間や導入圧力(導入流量)を設定することにより、1基板あたりのエッチング処理時間が長くなることを回避できる。
本発明の実施例1であるエッチング方法を実施するためのエッチング装置の構成を示す概略図。
実施例1のエッチング方法による一連のエッチング処理の流れを示すフローチャート。
実施例1のエッチング方法におけるガス圧力の変化を示すタイミングチャート。
実施例1におけるガス導入の制御手順を示すフローチャート。
従来のエッチング方法におけるガス圧力の変化を示すタイミングチャート。
実施例1のエッチング方法を実施した場合のガス圧力の変化を示すタイミングチャート。
従来のエッチング方法により保護膜に発生した欠陥を示す図。
本発明の実施例2であるエッチング方法におけるガス圧力の変化を示すタイミングチャート。
実施例2におけるガス導入の制御手順を示すフローチャート。
本発明の実施例3であるエッチング方法におけるガス圧力の変化を示すタイミングチャート。
実施例3におけるガス導入の制御手順を示すフローチャート。
本発明の実施例4であるエッチング方法におけるガス圧力の変化を示すタイミングチャート。
実施例4におけるガス導入の制御手順を示すフローチャート。
符号の説明
5 基板処理反応室
6 アンテナコイル
7,14 高周波電源
11 基板ホルダー
12 基板
13 電極
41 ガス供給部
42 コントローラ