JP6521848B2 - エッチング方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 231
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 77
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 216
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 115
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 32
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 3
- 101001139126 Homo sapiens Krueppel-like factor 6 Proteins 0.000 description 14
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 13
- 101000911772 Homo sapiens Hsc70-interacting protein Proteins 0.000 description 9
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Description
・処理容器内圧力:10mTorr(1.33Pa)〜50mTorr(6.65Pa)
・処理ガス
C4F8ガス:10sccm〜30sccm
CF4ガス:150sccm〜300sccm
Arガス:200sccm〜500sccm
・プラズマ生成用の高周波電力:300W〜1000W
・高周波バイアス電力:200W〜500W
・処理容器内圧力:50mTorr(6.65Pa)〜200mTorr(26.6Pa)
・処理ガス
N2ガス:200sccm〜400sccm
H2ガス:200sccm〜400sccm
・プラズマ生成用の高周波電力:500W〜2000W
・高周波バイアス電力:200W〜500W
・処理容器内圧力:10mTorr(1.33Pa)〜50mTorr(6.65Pa)
・処理ガス
C4F8ガス:10sccm〜30sccm
CF4ガス:50sccm〜150sccm
Arガス:500sccm〜1000sccm
O2ガス:10sccm〜30sccm
・プラズマ生成用の高周波電力:500W〜2000W
・高周波バイアス電力:500W〜2000W
・処理容器内圧力:30mTorr(3.99Pa)〜200mTorr(26.6Pa)
・処理ガス
O2ガス:50sccm〜500sccm
Arガス:200sccm〜1500sccm
・プラズマ生成用の高周波電力:100W〜500W
・高周波バイアス電力:0W〜200W
・処理容器内圧力:10mTorr(1.33Pa)〜50mTorr(6.65Pa)
・処理ガス
C4F6ガス:2sccm〜10sccm
Arガス:500sccm〜1500sccm
・プラズマ生成用の高周波電力:100W〜500W
・高周波バイアス電力:0W
・処理容器内圧力:10mTorr(1.33Pa)〜50mTorr(6.65Pa)
・処理ガス
O2ガス:2sccm〜20sccm
Arガス:500sccm〜1500sccm
・プラズマ生成用の高周波電力:100W〜500W
・高周波バイアス電力:0W
・処理容器内圧力:10mTorr(1.33Pa)〜50mTorr(6.65Pa)
・処理ガス
Arガス:500sccm〜1500sccm
・プラズマ生成用の高周波電力:100W〜500W
・高周波バイアス電力:20W〜300W
・処理容器内圧力:10mTorr(1.33Pa)〜50mTorr(6.65Pa)
・処理ガス
C4F6ガス:3sccm〜5sccm
Arガス:700sccm〜1200sccm
・プラズマ生成用の高周波電力:100W〜500W
・高周波バイアス電力:0W
・処理時間:0.5秒
・処理容器内圧力:10mTorr(1.33Pa)〜50mTorr(6.65Pa)
・処理ガス
O2ガス:4sccm〜6sccm
Arガス:700sccm〜1200sccm
・プラズマ生成用の高周波電力:100W〜500W
・高周波バイアス電力:0W
・処理時間:1秒
・処理容器内圧力:10mTorr(1.33Pa)〜50mTorr(6.65Pa)
・処理ガス
Arガス:700sccm〜1200sccm
・プラズマ生成用の高周波電力:100W〜500W
・高周波バイアス電力:0W〜20W
・処理容器内圧力:10mTorr(1.33Pa)〜50mTorr(6.65Pa)
・処理ガス
C4F6ガス:4sccm〜6sccm
Arガス:700sccm〜1200sccm
O2ガス:3sccm〜5sccm
・プラズマ生成用の高周波電力:100W〜500W
・高周波バイアス電力:40W〜60W
・処理時間:55秒
Claims (9)
- 被処理体に対するプラズマ処理によって、酸化シリコンから構成された第1領域を窒化シリコンから構成された第2領域に対して選択的にエッチングする方法であって、
前記被処理体は、凹部を画成する前記第2領域、該凹部を埋め、且つ前記第2領域を覆うように設けられた前記第1領域、及び、前記第1領域上に設けられたマスクを有し、該マスクは、前記凹部の上に該凹部の幅よりも広い幅を有する開口を提供し、
該方法は、
前記第1領域をエッチングするために実行される一回以上の第1シーケンスと、
前記第1領域を更にエッチングするために、前記一回以上の第1シーケンスの実行の後に実行される一回以上の第2シーケンスと、
を含み、
前記一回以上の第1シーケンスの各々、及び、前記一回以上の第2シーケンスの各々は、
前記被処理体を収容した処理容器内においてフルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第1工程であり、前記被処理体上にフルオロカーボンを含む堆積物を形成する、該第1工程と、
前記堆積物に含まれるフルオロカーボンのラジカルによって前記第1領域をエッチングする第2工程と、
を含み、
前記一回以上の第1シーケンスは、前記第2領域が露出するときを含む期間において実行され、
前記一回以上の第1シーケンスの各々によって前記第1領域がエッチングされる量が、前記一回以上の第2シーケンスの各々によって前記第1領域がエッチングされる量よりも少ない、
方法。 - 前記第1領域を更にエッチングするために、前記一回以上の第2シーケンスの実行の後に実行される一回以上の第3シーケンスを更に含み、
前記一回以上の第3シーケンスの各々は、前記第1工程、及び、前記第2工程を含み、
前記一回以上の第1シーケンス、前記一回以上の第2シーケンス、及び前記一回以上の第3シーケンスの各々に含まれる前記第2工程において、不活性ガスのプラズマが生成され、前記被処理体を支持する載置台に高周波バイアス電力が供給されることによって前記被処理体に対してイオンが引き込まれ、
前記一回以上の第3シーケンスに含まれる前記第2工程において利用される前記高周波バイアス電力が、前記一回以上の第1シーケンス及び前記一回以上の第2シーケンスに含まれる前記第2工程において利用される前記高周波バイアス電力よりも大きい、
請求項1に記載の方法。 - 前記一回以上の第1シーケンス、前記一回以上の第2シーケンス、及び、前記一回以上の第3シーケンスの各々は、前記被処理体を収容した前記処理容器内において、酸素含有ガス及び不活性ガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第3工程を更に含む、
請求項2に記載の方法。 - 酸化シリコンから構成された被処理体の第1領域を窒化シリコンから構成された該被処理体の第2領域に対して選択的にエッチングする方法であって、
前記被処理体は、該方法が適用される前の初期状態において、凹部を画成する前記第2領域、該凹部を埋め、且つ前記第2領域を覆うように設けられた前記第1領域、及び、前記第1領域上に設けられたマスクを有し、該マスクは、前記凹部の上に該凹部の幅よりも広い幅を有する開口を提供し、
該方法は、
前記第1領域をエッチングするために実行される一回以上の第1シーケンスと、
前記第1領域を更にエッチングするために、前記一回以上の第1シーケンスの実行の後に実行される一回以上の第2シーケンスと、
前記一回以上の第2シーケンスの実行の後に、前記第1領域を更にエッチングする工程と、
を含み、
前記一回以上の第1シーケンスの各々、及び、前記一回以上の第2シーケンスの各々は、
フルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第1工程であり、前記被処理体上にフルオロカーボンを含む堆積物を形成する、該第1工程と、
前記堆積物に含まれるフルオロカーボンのラジカルによって前記第1領域をエッチングする第2工程と、
を含み、
前記一回以上の第1シーケンスの各々に含まれる前記第1工程の実行時間に対する該一回以上の第1シーケンスの各々に含まれる前記第2工程の実行時間の比は、前記一回以上の第2シーケンスの各々に含まれる前記第1工程の実行時間に対する該一回以上の第2シーケンスの各々に含まれる前記第2工程の実行時間の比よりも大きい、
方法。 - 前記一回以上の第1シーケンスが実行された後、且つ、前記一回以上の第2シーケンスが実行される前に、前記マスクを構成する材料を含み前記被処理体上に形成された堆積物に対する反応性イオンエッチングを実行する工程を更に含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第1領域を更にエッチングする前記工程において、反応性イオンエッチングによって前記第1領域がエッチングされる、請求項4又は5に記載の方法。
- 前記一回以上の第1シーケンス及び前記一回以上の第2シーケンスの各々は、酸素含有ガス及び不活性ガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第3工程であり、フルオロカーボンを含む前記堆積物を減少させる、該第3工程を更に含む、
請求項6に記載の方法。 - 前記第1領域を更にエッチングする前記工程は、前記第1工程及び前記第2工程を各々が含む一回以上の第3シーケンスを実行することを含み、
前記一回以上の第3シーケンスに含まれる前記第1工程の実行時間に対する該一回以上の第3シーケンスに含まれる前記第2工程の実行時間の比は、前記一回以上の第2シーケンスに含まれる前記第1工程の実行時間に対する該一回以上の第2シーケンスに含まれる前記第2工程の実行時間の比よりも大きい、
請求項4又は5に記載の方法。 - 前記一回以上の第1シーケンス、前記一回以上の第2シーケンス、及び前記一回以上の第3シーケンスの各々は、酸素含有ガス及び不活性ガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第3工程であり、フルオロカーボンを含む前記堆積物を減少させる、該第3工程を更に含む、請求項8に記載の方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610021315.3A CN105810581B (zh) | 2015-01-16 | 2016-01-13 | 蚀刻方法 |
EP16151259.5A EP3046139A1 (en) | 2015-01-16 | 2016-01-14 | Etching method |
US14/995,269 US9754797B2 (en) | 2015-01-16 | 2016-01-14 | Etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride |
KR1020160004751A KR102429615B1 (ko) | 2015-01-16 | 2016-01-14 | 에칭 방법 |
TW105101024A TWI713109B (zh) | 2015-01-16 | 2016-01-14 | 蝕刻方法(一) |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015006769 | 2015-01-16 | ||
JP2015006769 | 2015-01-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016136616A JP2016136616A (ja) | 2016-07-28 |
JP6521848B2 true JP6521848B2 (ja) | 2019-05-29 |
Family
ID=56512714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015236609A Active JP6521848B2 (ja) | 2015-01-16 | 2015-12-03 | エッチング方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6521848B2 (ja) |
KR (1) | KR102429615B1 (ja) |
TW (1) | TWI713109B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6759004B2 (ja) * | 2016-08-29 | 2020-09-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
US10037890B2 (en) * | 2016-10-11 | 2018-07-31 | Lam Research Corporation | Method for selectively etching with reduced aspect ratio dependence |
JP6836953B2 (ja) * | 2016-12-13 | 2021-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化シリコンから形成された第1領域を酸化シリコンから形成された第2領域に対して選択的にエッチングする方法 |
JP7390165B2 (ja) * | 2019-02-28 | 2023-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN111627809B (zh) * | 2019-02-28 | 2024-03-22 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理方法和基片处理装置 |
CN110993499B (zh) * | 2019-11-05 | 2022-08-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种刻蚀方法、空气隙型介电层及动态随机存取存储器 |
JP7433095B2 (ja) | 2020-03-18 | 2024-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2787646B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-08-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH09321024A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6165910A (en) * | 1997-12-29 | 2000-12-26 | Lam Research Corporation | Self-aligned contacts for semiconductor device |
US6174451B1 (en) * | 1998-03-27 | 2001-01-16 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch process using hexafluorobutadiene and related unsaturated hydrofluorocarbons |
KR100327346B1 (ko) * | 1999-07-20 | 2002-03-06 | 윤종용 | 선택적 폴리머 증착을 이용한 플라즈마 식각방법 및 이를이용한 콘택홀 형성방법 |
JP4417574B2 (ja) * | 2000-02-14 | 2010-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US8969210B2 (en) * | 2010-09-15 | 2015-03-03 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device manufacturing method |
JP5701654B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
-
2015
- 2015-12-03 JP JP2015236609A patent/JP6521848B2/ja active Active
-
2016
- 2016-01-14 KR KR1020160004751A patent/KR102429615B1/ko active IP Right Grant
- 2016-01-14 TW TW105101024A patent/TWI713109B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102429615B1 (ko) | 2022-08-04 |
TW201701349A (zh) | 2017-01-01 |
JP2016136616A (ja) | 2016-07-28 |
TWI713109B (zh) | 2020-12-11 |
KR20160088817A (ko) | 2016-07-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190320 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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