JP6836953B2 - 窒化シリコンから形成された第1領域を酸化シリコンから形成された第2領域に対して選択的にエッチングする方法 - Google Patents
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Description
・チャンバ12cの圧力:400[mTorr](53.33[Pa])
・高周波電源70A及び70Bの高周波:27[MHz]、600[W]
・バイアス用の高周波:0[W]
・NF3ガスの流量:45[sccm]
・O2ガスの流量:300[sccm]
・Arガスの流量:100[sccm]
・処理時間:10[秒]
・チャンバ12cの圧力:30[mTorr](4[Pa])
・高周波電源70A及び70Bの高周波:0[W]
・バイアス用の高周波:13.56[MHz]、50[W]
・H2ガスの流量:100[sccm]
・処理時間:15[秒]
<第2の実験における工程ST2のパラメータ>
・チャンバ12cの圧力:400[mTorr](53.33[Pa])
・高周波電源70A及び70Bの高周波:27[MHz]、600[W]
・バイアス用の高周波:0[W]
・NF3ガスの流量:45[sccm]
・H2ガスの流量:60[sccm]
・O2ガスの流量:300[sccm]
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・処理時間:10[秒]
・チャンバ12cの圧力:30[mTorr](4[Pa])
・高周波電源70A及び70Bの高周波:0[W]
・バイアス用の高周波:13.56[MHz]、50[W]
・H2ガスの流量:100[sccm]
・O2ガスの流量:0[sccm]
・処理時間:15[秒]
<第3の実験における実験サンプル1用の方法MTの工程ST2のパラメータ>
・チャンバ12cの圧力:400[mTorr](53.33[Pa])
・高周波電源70A及び70Bの高周波:27[MHz]、600[W]
・バイアス用の高周波:0[W]
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・チャンバ12cの圧力:30[mTorr](4[Pa])
・高周波電源70A及び70Bの高周波:0[W]
・バイアス用の高周波:13.56[MHz]、50[W]
・H2ガスの流量:100[sccm]
・O2ガスの流量:9[sccm]
・処理時間:15[秒]
<第3の実験における実験サンプル2用の方法MTの工程ST2のパラメータ>
・チャンバ12cの圧力:400[mTorr](53.33[Pa])
・高周波電源70A及び70Bの高周波:27[MHz]、600[W]
・バイアス用の高周波:0[W]
・NF3ガスの流量:45[sccm]
・H2ガスの流量:60[sccm]
・O2ガスの流量:300[sccm]
・Arガスの流量:100[sccm]
・処理時間:10[秒]
・チャンバ12cの圧力:50[mTorr](6.666[Pa])
・高周波電源70A及び70Bの高周波:27[MHz]、200[W]
・バイアス用の高周波:50[W]
・CH3Fガスの流量:30[sccm]
・O2ガスの流量:15[sccm]
・Heガスの流量:500[sccm]
Claims (17)
- 窒化シリコンから形成された第1領域を酸化シリコンから形成された第2領域に対して選択的にエッチングする方法であって、
前記第1領域及び前記第2領域を有する被加工物をプラズマ処理装置のチャンバ本体によって提供されるチャンバ内に準備する工程と、
水素の活性種によって前記第1領域の一部を改質して改質領域を形成するよう、前記チャンバ内で水素を含有するガスを含む第1のガスのプラズマを生成する工程と、
フッ素の活性種によって前記改質領域を除去するよう、前記チャンバ内でフッ素を含有するガスを含む第2のガスのプラズマを生成する工程と、
を含み、
前記第1領域は、それらの高さが互いに異なる複数の凸領域を有し、
被加工物を準備する前記工程は、
前記複数の凸領域の表面上にコンフォーマルに、酸化シリコンから形成された第1の膜を形成する工程と、
前記第1の膜上に酸化シリコンから形成された第2の膜を形成する工程であり、該第2の膜は、その形成位置の高さ方向の位置が高いほど、厚く形成される、該工程と、
前記第1の膜及び前記第2の膜をエッチングする工程であり、前記複数の凸領域のうち一部の凸領域の上端面の上の前記第1の膜及び前記第2の膜が除去され、残された前記第1の膜及び前記第2の膜が前記第2領域を形成する、該工程と、
を含む、方法。 - 前記チャンバ内において前記被加工物は、イオンを該被加工物に引き込むための高周波が供給され得る電極を含むステージ上に搭載され、
第1のガスのプラズマを生成する前記工程において、前記電極に前記高周波が供給される、
請求項1に記載の方法。 - 前記チャンバ内において前記被加工物は、イオンを該被加工物に引き込むための高周波が供給され得る電極を含むステージ上に搭載され、
第2のガスのプラズマを生成する前記工程において、前記電極に前記高周波が供給されない、
請求項1に記載の方法。 - 前記第2のガスは、フッ素を含有する前記ガスとしてNF3ガスを含む、請求項1〜3の何れか一項に記載の方法。
- 前記第2のガスは水素を更に含み、
前記第2のガス中の前記フッ素の原子数に対する前記第2のガス中の前記水素の原子数の比率は、8/9以上である、請求項1〜4の何れか一項に記載の方法。 - 前記第2のガスは、H2ガスを更に含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第2のガス中の前記NF3ガスの流量に対する前記第2のガスにおける前記H2ガスの流量の比率は、3/4以上である、請求項6に記載の方法。
- 前記第1のガスは、水素を含有する前記ガスとしてH2ガスを含む、請求項1〜7の何れか一項に記載の方法。
- 第1のガスのプラズマを生成する前記工程及び第2のガスのプラズマを生成する前記工程を各々が含む複数のシーケンスが順に実行される、請求項1〜8の何れか一項に記載の方法。
- 前記被加工物は、シリコンから形成された第3領域を更に含み、
前記第1のガスは、酸素を含有するガスを更に含む、
請求項1〜9の何れか一項に記載の方法。 - 窒化シリコンから形成された第1領域を酸化シリコンから形成された第2領域に対して選択的にエッチングする方法であって、
前記第1領域及び前記第2領域を有する被加工物をプラズマ処理装置のチャンバ本体によって提供されるチャンバ内に準備する工程と、
水素の活性種によって前記第1領域の一部を改質して改質領域を形成するよう、前記チャンバ内で水素を含有するガスを含む第1のガスのプラズマを生成する工程と、
フッ素の活性種によって前記改質領域を除去するよう、前記チャンバ内でフッ素を含有するガスを含む第2のガスのプラズマを生成する工程と、
を含み、
前記被加工物は、シリコンから形成された第3領域を更に含み、
前記第1のガスは、O 2 ガスを更に含む、
方法。 - 前記第1領域は、前記第2領域及び前記第3領域を覆うように設けられている、請求項10に記載の方法。
- 窒化シリコンから形成された第1領域を酸化シリコンから形成された第2領域に対して選択的にエッチングする方法であって、
前記第1領域及び前記第2領域を有する被加工物をプラズマ処理装置のチャンバ本体によって提供されるチャンバ内に準備する工程と、
水素の活性種によって前記第1領域の一部を改質して改質領域を形成するよう、前記チャンバ内で水素を含有するガスを含む第1のガスのプラズマを生成する工程と、
フッ素の活性種によって前記改質領域を除去するよう、前記チャンバ内でフッ素を含有するガスを含む第2のガスのプラズマを生成する工程と、
を含み、
第1のガスのプラズマを生成する前記工程及び第2のガスのプラズマを生成する前記工程を各々が含む複数のシーケンスが順に実行され、
前記被加工物は、シリコンから形成された第3領域を更に有し、
前記複数のシーケンスの実行前に、前記第1領域は前記第2領域及び前記第3領域を覆うように設けられており、
前記複数のシーケンスは、前記第3領域が露出する直前まで、又は、前記第3領域が露出するまで実行される一以上の第1シーケンス、該一以上の第1シーケンスの後に実行される一以上の第2シーケンスであり前記第3領域の表面を酸化させるための該一以上の第2シーケンスを含み、
少なくとも一以上の第2シーケンスにおいて、前記第1のガスは、酸素を含有するガスを更に含む、
方法。 - 前記一以上の第1シーケンスにおいて、前記第1のガスは、酸素を含有する前記ガスを含まない、請求項13に記載の方法。
- 前記複数のシーケンスは、前記一以上の第2シーケンスの後に実行される一以上の第3シーケンスを更に含み、前記一以上の第3シーケンスにおいて、前記第1のガスは、酸素を含有する前記ガスを含まない、請求項13又は14に記載の方法。
- 前記第1のガスにおける水素を含有する前記ガスの流量に対する前記第1のガスにおける酸素を含有する前記ガスの流量の比率は、3/100以上、9/100以下である、請求項10〜15の何れか一項に記載の方法。
- 酸素を含有する前記ガスは、O2ガスである、請求項10及び13〜16の何れか一項に記載の方法。
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