JP6550278B2 - エッチング方法 - Google Patents
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<工程ST21>
処理容器12内の空間の圧力:20sccm(2.66Pa)
C4F6ガス流量:4sccm
Arガス流量:750sccm
プラズマ生成用の高周波:40MHz、500W
高周波バイアス:13MHz、0W
処理時間:10秒
<工程ST22>
処理容器12内の空間の圧力:80sccm(10.6Pa)
Arガス流量:100sccm
O2ガス流量:3sccm
プラズマ生成用の高周波:40MHz、50W
高周波バイアス:13MHz、0W
処理時間:4秒
Claims (9)
- 酸化シリコンから構成された第1領域を窒化シリコンから構成された第2領域に対して選択的にエッチングする方法であって、
前記第2領域は凹部を画成し、前記第1領域は前記凹部を埋め、且つ前記第2領域を覆うように設けられており、前記第1領域上には、前記凹部の幅よりも広い幅を有する開口を該凹部の上に提供するマスクが設けられており、
該方法は、
前記第1領域をエッチングするために、第1シーケンスを一回以上実行する工程と、
前記第1領域を更にエッチングするために、第2シーケンスを一回以上実行する工程と、
を含み、
前記第1シーケンスが、
プラズマ処理装置の処理容器内においてフルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第1工程であり、前記第1領域及び前記第2領域を有する被処理体上にフルオロカーボンを含む堆積物を形成する、該第1工程と、
前記堆積物に含まれるフルオロカーボンのラジカルによって前記第1領域をエッチングする第2工程と、
を含み、
第1シーケンスを一回以上実行する前記工程が、前記第2領域が露出するときを含む期間において実行され、前記第1工程で前記第2領域上に形成される前記堆積物は、前記第2工程において前記第2領域を保護する保護膜として機能し、
第2シーケンスを一回以上実行する前記工程は、第1シーケンスを一回以上実行する前記工程によって処理された前記被処理体に対して実行され、
前記第2シーケンスは、
前記処理容器内において、フルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第3工程であり、前記第1領域及び前記第2領域を有する被処理体上にフルオロカーボンを含む堆積物を形成する、該第3工程と、
前記処理容器内において酸素ガス及び不活性ガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第4工程と、
を含み、
前記第4工程では、前記凹部を画成する前記第2領域の側壁面に沿って形成された前記堆積物を前記酸素ガスのプラズマによって減少させ、前記凹部内に残された前記第1領域の残渣を減少させるよう、前記不活性ガスのプラズマからの活性種が前記残渣と前記第3工程において形成された前記堆積物とを反応させる、
方法。 - 酸化シリコンから構成された第1領域を窒化シリコンから構成された第2領域に対して選択的にエッチングする方法であって、
前記第2領域は凹部を画成し、前記第1領域は前記凹部を埋め、且つ前記第2領域を覆うように設けられており、前記第1領域上には、前記凹部の幅よりも広い幅を有する開口を該凹部の上に提供するマスクが設けられており、
該方法は、
前記第1領域をエッチングするために、第1シーケンスを一回以上実行する工程と、
前記第1領域を更にエッチングするために、第2シーケンスを一回以上実行する工程と、
を含み、
前記第1シーケンスが、
プラズマ処理装置の処理容器内においてフルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第1工程であり、前記第1領域及び前記第2領域を有する被処理体上にフルオロカーボンを含む堆積物を形成する、該第1工程と、
前記堆積物に含まれるフルオロカーボンのラジカルによって前記第1領域をエッチングする第2工程と、
を含み、
第2シーケンスを一回以上実行する前記工程は、第1シーケンスを一回以上実行する前記工程によって処理された前記被処理体に対して実行され、
前記第2シーケンスは、
前記処理容器内において、フルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第3工程であり、前記第1領域及び前記第2領域を有する被処理体上にフルオロカーボンを含む堆積物を形成する、該第3工程と、
前記処理容器内において酸素ガス及び不活性ガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第4工程と、
を含み、
前記第3工程において前記プラズマの生成のために使用される高周波の電力が、前記第1工程において前記プラズマの生成のために使用される高周波の電力より大きい、方法。 - 酸化シリコンから構成された第1領域を窒化シリコンから構成された第2領域に対して選択的にエッチングする方法であって、
前記第2領域は凹部を画成し、前記第1領域は前記凹部を埋め、且つ前記第2領域を覆うように設けられており、前記第1領域上には、前記凹部の幅よりも広い幅を有する開口を該凹部の上に提供するマスクが設けられており、
該方法は、
前記第1領域をエッチングするために、第1シーケンスを一回以上実行する工程と、
前記第1領域を更にエッチングするために、第2シーケンスを一回以上実行する工程と、
を含み、
前記第1シーケンスが、
プラズマ処理装置の処理容器内においてフルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第1工程であり、前記第1領域及び前記第2領域を有する被処理体上にフルオロカーボンを含む堆積物を形成する、該第1工程と、
前記堆積物に含まれるフルオロカーボンのラジカルによって前記第1領域をエッチングする第2工程と、
を含み、
第2シーケンスを一回以上実行する前記工程は、第1シーケンスを一回以上実行する前記工程によって処理された前記被処理体に対して実行され、
前記第2シーケンスは、
前記処理容器内において、フルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第3工程であり、前記第1領域及び前記第2領域を有する被処理体上にフルオロカーボンを含む堆積物を形成する、該第3工程と、
前記処理容器内において酸素ガス及び不活性ガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第4工程と、
を含み、
前記処理容器において前記被処理体は載置台上に載置され、
前記第4工程において設定される前記処理容器内の空間の圧力は、前記第1工程において設定される前記処理容器内の空間の圧力よりも高く、
前記第4工程において前記載置台に供給される高周波バイアスの電力が、前記第1工程において前記載置台に供給される高周波バイアスの電力よりも小さい、
方法。 - 酸化シリコンから構成された第1領域を窒化シリコンから構成された第2領域に対して選択的にエッチングする方法であって、
前記第2領域は凹部を画成し、前記第1領域は前記凹部を埋め、且つ前記第2領域を覆うように設けられており、前記第1領域上には、前記凹部の幅よりも広い幅を有する開口を該凹部の上に提供するマスクが設けられており、
該方法は、
前記第1領域をエッチングするために、第1シーケンスを一回以上実行する工程と、
前記第1領域を更にエッチングするために、第2シーケンスを一回以上実行する工程と、
を含み、
前記第1シーケンスが、
プラズマ処理装置の処理容器内においてフルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第1工程であり、前記第1領域及び前記第2領域を有する被処理体上にフルオロカーボンを含む堆積物を形成する、該第1工程と、
前記堆積物に含まれるフルオロカーボンのラジカルによって前記第1領域をエッチングする第2工程と、
を含み、
第2シーケンスを一回以上実行する前記工程は、第1シーケンスを一回以上実行する前記工程によって処理された前記被処理体に対して実行され、
前記第2シーケンスは、
前記処理容器内において、フルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第3工程であり、前記第1領域及び前記第2領域を有する被処理体上にフルオロカーボンを含む堆積物を形成する、該第3工程と、
前記処理容器内において酸素ガス及び不活性ガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第4工程と、
を含み、
前記第1シーケンスは、前記処理容器内において酸素ガス及び不活性ガスを含む処理ガスのプラズマを生成する工程を更に含む、方法。 - 酸化シリコンから構成された第1領域を窒化シリコンから構成された第2領域に対して選択的にエッチングする方法であって、
前記第2領域は凹部を画成し、前記第1領域は前記凹部を埋め、且つ前記第2領域を覆うように設けられており、前記第1領域上には、前記凹部の幅よりも広い幅を有する開口を該凹部の上に提供するマスクが設けられており、
該方法は、
前記第1領域をエッチングするために、第1シーケンスを一回以上実行する工程と、
前記第1領域を更にエッチングするために、第2シーケンスを一回以上実行する工程と、
を含み、
前記第1シーケンスが、
プラズマ処理装置の処理容器内においてフルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第1工程であり、前記第1領域及び前記第2領域を有する被処理体上にフルオロカーボンを含む堆積物を形成する、該第1工程と、
前記堆積物に含まれるフルオロカーボンのラジカルによって前記第1領域をエッチングする第2工程と、
を含み、
第2シーケンスを一回以上実行する前記工程は、第1シーケンスを一回以上実行する前記工程によって処理された前記被処理体に対して実行され、
前記第2シーケンスは、
前記処理容器内において、フルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第3工程であり、前記第1領域及び前記第2領域を有する被処理体上にフルオロカーボンを含む堆積物を形成する、該第3工程と、
前記処理容器内において酸素ガス及び不活性ガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第4工程と、
を含み、
第1シーケンスを一回以上実行する前記工程と第2シーケンスを一回以上実行する前記工程との間において、前記処理容器内において生成したフルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマにより前記第1領域を前記凹部の底までエッチングする工程を更に含む、方法。 - 前記第3工程において前記プラズマの生成のために使用される高周波の電力が、前記第1工程において前記プラズマの生成のために使用される高周波の電力より大きい、請求項1に記載の方法。
- 前記処理容器において前記被処理体は載置台上に載置され、
前記第4工程において設定される前記処理容器内の空間の圧力は、前記第1工程において設定される前記処理容器内の空間の圧力よりも高く、
前記第4工程において前記載置台に供給される高周波バイアスの電力が、前記第1工程において前記載置台に供給される高周波バイアスの電力よりも小さい、
請求項1又は2に記載の方法。 - 前記第1シーケンスは、前記処理容器内において酸素ガス及び不活性ガスを含む処理ガスのプラズマを生成する工程を更に含む、請求項1〜3の何れか一項に記載の方法。
- 第1シーケンスを一回以上実行する前記工程と第2シーケンスを一回以上実行する前記工程との間において、前記処理容器内において生成したフルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマにより前記第1領域を前記凹部の底までエッチングする工程を更に含む、請求項1〜4の何れか一項に記載の方法。
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