KR102494293B1 - 에칭 방법 - Google Patents

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소이치로 기무라
마사루 스기모토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 산화실리콘으로 구성된 제1 영역을 질화실리콘으로 구성된 제2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 방법이 제공된다.
[해결수단] 일실시형태의 방법은, 제1 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정과, 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정을 포함한다. 제1 시퀀스에서는, 플루오로카본을 포함하는 퇴적물이 피처리체 상에 형성되고, 이어서, 퇴적물 중의 플루오로카본의 라디칼에 의해 제1 영역이 에칭된다. 제2 시퀀스에서는, 플루오로카본을 포함하는 퇴적물이 피처리체 상에 형성되고, 이어서, 산소의 활성종에 의해 퇴적물이 감소되고 또한 불활성 가스로부터 생성되는 활성종에 의해 제1 영역이 더 에칭된다.

Description

에칭 방법{ETCHING METHOD}
본 발명의 실시형태는 에칭 방법에 관한 것이며, 특히, 산화실리콘으로 구성된 제1 영역을 질화실리콘으로 구성된 제2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 방법에 관한 것이다.
전자 디바이스의 제조에 있어서는, 산화실리콘(SiO2)으로 구성된 영역에 대하여 홀 또는 트렌치와 같은 개구를 형성하는 처리가 행해지는 경우가 있다. 이러한 처리에서는, 미국 특허 제7708859호 명세서에 기재되어 있는 바와 같이, 일반적으로는, 플루오로카본 가스의 플라즈마에 피처리체가 노출되어, 그 영역이 에칭된다.
또한, 산화실리콘으로 구성된 제1 영역을, 질화실리콘으로 구성된 제2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 기술이 알려져 있다. 이러한 기술의 일례로는, SAC(Self-Aligned Contact) 기술이 알려져 있다. SAC 기술에 관해서는, 일본 특허 공개 제2000-307001호 공보에 기재되어 있다.
SAC 기술의 처리 대상인 피처리체는, 산화실리콘제의 제1 영역, 질화실리콘제의 제2 영역 및 소정의 재질로 이루어진 마스크를 갖고 있다. 제2 영역은, 오목부를 구획하도록 설치되어 있고, 제1 영역은, 그 오목부를 매립하고 또한 제2 영역을 덮도록 설치되어 있고, 마스크는, 제1 영역 상에 설치되어 있고, 오목부의 위에 개구를 제공하고 있다. 종래의 SAC 기술에서는, 일본 특허 공개 제2000-307001호 공보에 기재되어 있는 바와 같이, 제1 영역의 에칭을 위해, 플루오로카본 가스, 산소 가스 및 희가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마가 생성되고, 불소 및/또는 플루오로카본의 활성종에 피처리체가 노출된다. 이에 따라, 마스크의 개구로부터 노출된 부분에 있어서 제1 영역이 에칭되어 상부 개구가 형성된다. 또한, 활성종에 피처리체가 노출되는 것에 의해, 제2 영역에 의해 둘러싸인 부분, 즉 오목부 내의 제1 영역이 자기 정합적으로 에칭된다. 이에 따라, 상부 개구에 연속된 하부 개구가 자기 정합적으로 형성된다.
특허문헌 1 : 미국 특허 제7708859호 명세서 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 제2000-307001호 공보
전술한 SAC 기술에서는, 제1 영역의 에칭이 진행되어 제2 영역이 노출되었을 때에, 그 제2 영역은, 보호되지 않은 상태로 활성종에 노출된다. 따라서, 제2 영역이 침식된다.
본원 발명자는, 제2 영역의 침식을 억제하기 위해, 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 공정과 퇴적물 중의 플루오로카본의 라디칼에 의해 제1 영역을 에칭하는 공정을 포함하는 시퀀스를 실행하는 기술을 개발하고 있다. 이 기술에 의하면, 퇴적물을, 제2 영역의 노출시에 그 제2 영역의 보호막으로서 기능시킬 수 있고, 또한, 그 퇴적물을 제1 영역의 에칭을 위한 라디칼의 소스로서도 기능시킬 수 있다. 따라서, 이 기술에 의하면, 제2 영역의 침식을 억제하면서 제1 영역을 에칭하는 것이 가능하다.
상기 퇴적물은, 오목부를 구획하는 제2 영역의 측벽면을 따른 개소에도 형성된다. 즉, 퇴적물은, 부분적으로, 오목부를 구획하는 제2 영역의 측벽면을 따라서 형성된다. 측벽면을 따라서 형성된 퇴적물은, 그 측벽면에 인접하는 개소에 있어서 제1 영역의 에칭을 저해하고, 그 측벽면에 인접하는 개소에서 제1 영역의 잔사를 생기게 한다. 그 결과, 오목부 내에 형성되는 개구의 바닥부의 폭은, 그 개구의 상부의 폭에 비하여 좁아진다. 따라서, 잔사의 양을 저감시킬 필요가 있다. 잔사의 양을 저감시키기 위한 대책으로는, 퇴적물의 막두께를 감소시킨다고 하는 대책이 고려된다. 그러나, 이 대책은 제2 영역의 침식을 초래한다.
이러한 배경에서, 산화실리콘제의 제1 영역의 에칭에서의 질화실리콘제의 제2 영역의 침식을 억제하고, 또한 제2 영역에 의해 구획되는 오목부 내의 잔사를 감소시키는 것이 필요해졌다.
일양태에 있어서는, 산화실리콘으로 구성된 제1 영역을 질화실리콘으로 구성된 제2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 방법이 제공된다. 제2 영역은 오목부를 구획하고, 제1 영역은 상기 오목부를 매립하고 또한 제2 영역을 덮도록 설치되어 있고, 제1 영역 상에는 소정의 재질로 이루어진 마스크(예컨대 유기막)가 설치되어 있다. 이 방법은, 제1 영역을 에칭하기 위해, 제1 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정과, 제1 영역을 더 에칭하기 위해, 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정을 포함한다. 제1 시퀀스는, (i) 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 있어서 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제1 공정이며, 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 그 제1 공정과, (ii) 퇴적물에 포함되는 플루오로카본의 라디칼에 의해 제1 영역을 에칭하는 제2 공정을 포함한다. 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 상기 공정은, 제1 시퀀스를 1회 이상 실행하는 상기 공정에 의해 처리된 피처리체에 대하여 적용된다. 제2 시퀀스는, (iii) 처리 용기 내에 있어서, 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제3 공정이며, 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 그 제3 공정과, (iv) 처리 용기 내에 있어서 산소 가스 및 불활성 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제4 공정을 포함한다.
제1 공정에 있어서 피처리체 상에 형성되는 퇴적물은, 제2 영역에 대해서는 그 제2 영역을 보호하는 막으로서 기능하고, 제1 영역에 대해서는 제2 공정에 있어서 그 제1 영역을 에칭하기 위한 라디칼의 소스가 된다. 퇴적물 중의 플루오로카본은 제2 공정에 있어서 제1 영역의 산화실리콘과 반응하고, 그 제1 영역을 에칭한다. 따라서, 제1 시퀀스에 의하면, 제2 영역의 침식을 억제하면서 제1 영역을 에칭하는 것이 가능하다.
제2 시퀀스의 제3 공정에서는, 제2 영역을 보호하기 위해, 또한, 제1 영역의 잔사를 제거하기 위한 라디칼의 소스를 형성하기 위해, 제1 시퀀스의 실행후의 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물이 형성된다. 계속되는 제4 공정에서는, 오목부를 구획하는 제2 영역의 측벽면을 따라서 형성된 퇴적물을 감소시키기 위해, 산소 가스의 플라즈마가 생성된다. 또한, 제4 공정에서는, 불활성 가스의 플라즈마에서 유래하는 활성종에 의해 퇴적물과 오목부 내의 제1 영역의 잔사의 반응이 촉진되어, 그 잔사가 감소된다. 따라서, 일양태에 따른 방법에 의하면, 제2 영역의 침식이 억제되고, 제2 영역에 의해 구획되는 오목부 내의 제1 영역의 잔사가 감소된다.
일실시형태에서는, 제3 공정에 있어서 플라즈마의 생성을 위해 사용되는 고주파의 전력이, 제1 공정에 있어서 플라즈마의 생성을 위해 사용되는 고주파의 전력보다 큰 전력으로 설정된다. 이 실시형태에 의하면, 오목부 내의 잔사의 제거에 적합한 해리형체의 플루오로카본을 오목부 내에 공급하는 것이 가능해진다.
일실시형태에서는, 처리 용기 내에 있어서 피처리체는 배치대 상에 배치되고, 제4 공정에 있어서 설정되는 처리 용기 내의 공간의 압력은, 제1 공정에 있어서 설정되는 상기 처리 용기 내의 공간의 압력보다 높고, 제4 공정에 있어서 배치대에 공급되는 고주파 바이어스의 전력이, 제1 공정에 있어서 배치대에 공급되는 고주파 바이어스의 전력보다 작다. 이 실시형태에서는, 제4 공정에 있어서 고압 및 고바이어스의 조건이 이용된다. 고압 및 저바이어스의 조건하에서는, 저압 및/또는 고바이어스의 조건에 비하여, 활성종이 보다 등방적으로 피처리체에 충돌한다. 따라서, 제2 영역의 측벽면을 따라서 형성된 퇴적물 및 잔사의 양을 효율적으로 감소시키는 것이 가능해진다.
일실시형태에서는, 제1 시퀀스는, 처리 용기 내에 있어서 산소 가스 및 불활성 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 공정을 더 포함하고 있어도 좋다. 이 실시형태에 의하면, 과잉된 퇴적물의 양을 저감시킬 수 있고, 마스크의 개구 및 에칭에 의해 형성되는 개구의 폭의 과도한 축소 또는 폐색을 억제할 수 있다.
일실시형태에서는, 제1 시퀀스를 1회 이상 실행하는 상기 공정이, 제2 영역이 노출될 때를 포함하는 기간에 있어서 실행된다. 이 실시형태의 방법은, 제1 시퀀스를 실행하는 1회 이상 실행하는 상기 공정과 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 상기 공정의 사이에 있어서, 처리 용기 내에 있어서 생성한 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마에 의해 제1 영역을 오목부의 바닥까지 에칭하는 공정을 더 포함한다. 이 실시형태에 의하면, 보다 단축된 시간으로 제1 영역을 오목부의 바닥까지 에칭하고, 그 후에 오목부 내의 잔사를 저감시키는 것이 가능해진다.
이상 설명한 바와 같이, 산화실리콘제의 제1 영역의 에칭에서의 질화실리콘제의 제2 영역의 침식을 억제하고, 또한, 제2 영역에 의해 구획되는 오목부 내의 잔사를 감소시키는 것이 가능해진다.
도 1은 일실시형태에 따른 에칭 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 2는 피처리체를 예시하는 단면도이다.
도 3은 플라즈마 처리 장치의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1에 나타내는 방법의 실시 도중 단계에서의 피처리체를 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 1에 나타내는 방법의 실시 도중 단계에서의 피처리체를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 1에 나타내는 방법의 실시 도중 단계에서의 피처리체를 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 1에 나타내는 방법의 실시 도중 단계에서의 피처리체를 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 1에 나타내는 방법의 실시 도중 단계에서의 피처리체를 나타내는 단면도이다.
도 9는 도 1에 나타내는 방법의 실시 도중 단계에서의 피처리체를 나타내는 단면도이다.
도 10은 도 1에 나타내는 방법의 실시 도중 단계에서의 피처리체를 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 1에 나타내는 방법의 실시 도중 단계에서의 피처리체를 나타내는 단면도이다.
도 12는 도 1에 나타내는 방법의 실시 도중 단계에서의 피처리체를 나타내는 단면도이다.
도 13은 도 1에 나타내는 방법의 실시 도중 단계에서의 피처리체를 나타내는 단면도이다.
도 14는 도 1에 나타내는 방법의 실시 도중 단계에서의 피처리체를 나타내는 단면도이다.
도 15는 도 1에 나타내는 방법의 실시 도중 단계에서의 피처리체를 나타내는 단면도이다.
도 16은 도 1에 나타내는 방법의 실시 도중 단계에서의 피처리체를 나타내는 단면도이다.
도 17은 도 1에 나타내는 방법의 실시후의 피처리체를 나타내는 단면도이다.
도 18은 다른 실시형태에 따른 에칭 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 19는 또 다른 실시형태에 따른 에칭 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 20은 실험에 이용한 웨이퍼를 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 여러가지 실시형태에 관해 상세히 설명한다. 또, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이기로 한다.
도 1은, 일실시형태에 따른 에칭 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 1에 나타내는 방법 MT는, 피처리체에 대한 플라즈마 처리에 의해, 산화실리콘으로 구성된 제1 영역을 질화실리콘으로 구성된 제2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 방법이다.
도 2는, 피처리체를 예시하는 단면도이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 피처리체(이하, 「웨이퍼(W)」라고 하는 경우가 있음)는, 기판(SB), 제1 영역(R1), 제2 영역(R2) 및, 후에 마스크를 구성하는 유기막(OL)을 갖고 있다. 일례에서는, 웨이퍼(W)는, 핀형 전계 효과 트랜지스터의 제조 도중에 얻어지는 것이며, 또한 융기 영역(RA), 실리콘 함유의 반사 방지막(AL) 및 레지스트 마스크(RM)를 갖고 있다.
융기 영역(RA)은, 기판(SB)으로부터 융기하도록 설치되어 있다. 이 융기 영역(RA)은, 예컨대 게이트 영역을 구성할 수 있다. 제2 영역(R2)은, 질화실리콘(Si3N4)으로 구성되어 있고, 융기 영역(RA)의 표면 및 기판(SB)의 표면 상에 설치되어 있다. 이 제2 영역(R2)은, 도 2에 나타낸 바와 같이, 오목부를 구획하도록 연장되어 있다. 일례에서는, 오목부의 깊이는 약 150 nm이고, 오목부의 폭은 약 20 nm이다.
제1 영역(R1)은, 산화실리콘(SiO2)으로 구성되어 있고, 제2 영역(R2) 상에 설치되어 있다. 구체적으로, 제1 영역(R1)은, 제2 영역(R2)에 의해 구획되는 오목부를 매립하고, 그 제2 영역(R2)을 덮도록 설치되어 있다.
유기막(OL)은 제1 영역(R1) 상에 설치되어 있다. 유기막(OL)은, 유기 재료, 예컨대 비정질 카본으로 구성될 수 있다. 반사 방지막(AL)은 유기막(OL) 상에 설치되어 있다. 레지스트 마스크(RM)는 반사 방지막(AL) 상에 설치되어 있다. 레지스트 마스크(RM)는, 제2 영역(R2)에 의해 구획되는 오목부 상에 그 오목부의 폭보다 넓은 폭을 갖는 개구를 제공하고 있다. 레지스트 마스크(RM)의 개구의 폭은, 예컨대 60 nm이다. 이러한 레지스트 마스크(RM)의 패턴은, 포토리소그래피 기술에 의해 형성된다.
방법 MT에서는, 도 2에 나타내는 웨이퍼(W)와 같은 피처리체가 플라즈마 처리 장치 내에 있어서 처리된다. 도 3은, 플라즈마 처리 장치의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 3에 나타내는 플라즈마 처리 장치(10)는, 용량 결합형 플라즈마 에칭 장치이며, 대략 원통형의 처리 용기(12)를 구비하고 있다. 처리 용기(12)는, 예컨대 알루미늄으로 구성되어 있고, 그 처리 용기(12)의 내벽면에는 양극 산화 처리가 실시되어 있다. 이 처리 용기(12)는 보안 접지되어 있다.
처리 용기(12)의 바닥부 상에는, 대략 원통형의 지지부(14)가 설치되어 있다. 지지부(14)는, 예컨대 절연 재료로 구성되어 있다. 지지부(14)는, 처리 용기(12) 내에 있어서, 처리 용기(12)의 바닥부로부터 수직 방향으로 연장되어 있다. 또한, 처리 용기(12) 내에는 배치대(PD)가 설치되어 있다. 배치대(PD)는 지지부(14)에 의해 지지되어 있다.
배치대(PD)는, 그 상면에 있어서 웨이퍼(W)를 유지한다. 배치대(PD)는, 하부 전극(LE) 및 정전척(ESC)을 갖고 있다. 하부 전극(LE)은, 제1 플레이트(18a) 및 제2 플레이트(18b)를 포함하고 있다. 제1 플레이트(18a) 및 제2 플레이트(18b)는, 예컨대 알루미늄과 같은 금속으로 구성되어 있고, 대략 원반형상을 갖고 있다. 제2 플레이트(18b)는, 제1 플레이트(18a) 상에 설치되어 있고, 제1 플레이트(18a)에 전기적으로 접속되어 있다.
제2 플레이트(18b) 상에는 정전척(ESC)이 설치되어 있다. 정전척(ESC)은, 도전막인 전극을 절연층 또는 절연 시트 사이에 배치한 구조를 갖고 있다. 정전척(ESC)의 전극에는, 직류 전원(22)이 스위치(23)를 통해 전기적으로 접속되어 있다. 이 정전척(ESC)은, 직류 전원(22)으로부터의 직류 전압에 의해 생긴 쿨롱력 등의 정전력에 의해 웨이퍼(W)를 흡착한다. 이에 따라, 정전척(ESC)은 웨이퍼(W)를 유지할 수 있다.
제2 플레이트(18b)의 둘레 가장자리부 상에는, 웨이퍼(W)의 엣지 및 정전척(ESC)을 둘러싸도록 포커스링(FR)이 배치되어 있다. 포커스링(FR)은, 에칭의 균일성을 향상시키기 위해 설치되어 있다. 포커스링(FR)은, 에칭 대상의 막의 재료에 의해 적절하게 선택되는 재료로 구성되어 있고, 예컨대 석영으로 구성될 수 있다.
제2 플레이트(18b)의 내부에는 냉매 유로(24)가 설치되어 있다. 냉매 유로(24)는 온도 조절 기구를 구성하고 있다. 냉매 유로(24)에는, 처리 용기(12)의 외부에 설치된 칠러 유닛으로부터 배관(26a)을 통해 냉매가 공급된다. 냉매 유로(24)에 공급된 냉매는, 배관(26b)을 통해 칠러 유닛으로 복귀된다. 이와 같이, 냉매 유로(24)와 칠러 유닛의 사이에서는 냉매가 순환된다. 이 냉매의 온도를 제어함으로써, 정전척(ESC)에 의해 지지된 웨이퍼(W)의 온도가 제어된다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)에는 가스 공급 라인(28)이 설치되어 있다. 가스 공급 라인(28)은, 전열 가스 공급 기구로부터의 전열 가스, 예컨대 He 가스를, 정전척(ESC)의 상면과 웨이퍼(W)의 이면 사이에 공급한다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)는 상부 전극(30)을 구비하고 있다. 상부 전극(30)은, 배치대(PD)의 상측에 있어서, 그 배치대(PD)와 대향 배치되어 있다. 하부 전극(LE)과 상부 전극(30)은, 서로 대략 평행하게 설치되어 있다. 상부 전극(30)과 배치대(PD) 사이에는, 웨이퍼(W)에 플라즈마 처리를 행하기 위한 처리 공간(S)이 제공되어 있다.
상부 전극(30)은, 절연성 차폐 부재(32)를 통해 처리 용기(12)의 상부에 지지되어 있다. 일실시형태에서는, 상부 전극(30)은, 배치대(PD)의 상면, 즉 웨이퍼 배치면으로부터의 수직 방향에서의 거리가 가변이도록 구성될 수 있다. 상부 전극(30)은, 상부판(34) 및 지지체(36)를 포함할 수 있다. 상부판(34)은 처리 공간(S)에 면해 있고, 그 상부판(34)에는 복수의 가스 토출 구멍(34a)이 형성되어 있다. 이 상부판(34)은, 일실시형태에서는 실리콘으로 구성되어 있다.
지지체(36)는, 상부판(34)을 착탈 가능하게 지지하는 것이며, 예컨대 알루미늄과 같은 도전성 재료로 구성될 수 있다. 이 지지체(36)는 수냉 구조를 가질 수 있다. 지지체(36)의 내부에는 가스 확산실(36a)이 설치되어 있다. 이 가스 확산실(36a)에서는, 가스 토출 구멍(34a)에 연통하는 복수의 가스 통류 구멍(36b)이 하측으로 연장되어 있다. 또한, 지지체(36)에는, 가스 확산실(36a)에 처리 가스를 유도하는 가스 도입구(36c)가 형성되어 있고, 이 가스 도입구(36c)에는 가스 공급관(38)이 접속되어 있다.
가스 공급관(38)에는, 밸브군(42) 및 유량 제어기군(44)을 통해 가스 소스군(40)이 접속되어 있다. 가스 소스군(40)은 복수의 가스 소스를 포함하고 있다. 일례에서는, 가스 소스군(40)은, 1 이상의 플루오로카본 가스의 소스, 희가스의 소스, 질소 가스(N2 가스)의 소스, 수소 가스(H2 가스)의 소스 및 산소 함유 가스의 소스를 포함하고 있다. 1 이상의 플루오로카본 가스의 소스는, 일례에서는, C4F8 가스의 소스, CF4 가스의 소스 및 C4F6 가스의 소스를 포함할 수 있다. 희가스의 소스는, He 가스, Ne 가스, Ar 가스, Kr 가스, Xe 가스와 같은 임의의 희가스의 소스일 수 있고, 일례에서는 Ar 가스의 소스이다. 또한, 산소 함유 가스의 소스는, 일례에서는 산소 가스(O2 가스)의 소스일 수 있다. 또, 산소 함유 가스는, 산소를 함유하는 임의의 가스이어도 좋고, 예컨대 CO 가스 또는 CO2 가스와 같은 산화탄소 가스이어도 좋다.
밸브군(42)은 복수의 밸브를 포함하고 있고, 유량 제어기군(44)은 매스플로우 컨트롤러와 같은 복수의 유량 제어기를 포함하고 있다. 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스는 각각, 밸브군(42)에 대응하는 밸브 및 유량 제어기군(44)에 대응하는 유량 제어기를 통해, 가스 공급관(38)에 접속되어 있다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 처리 용기(12)의 내벽을 따라서 증착 실드(46)가 착탈 가능하게 설치되어 있다. 증착 실드(46)는, 지지부(14)의 외주에도 설치되어 있다. 증착 실드(46)는, 처리 용기(12)에 에칭 부생물(증착)이 부착되는 것을 방지하는 것이며, 알루미늄재에 Y2O3 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다.
처리 용기(12)의 바닥부측 및 지지부(14)와 처리 용기(12)의 측벽의 사이에는 배기 플레이트(48)가 설치되어 있다. 배기 플레이트(48)에는, 그 배기 플레이트(48)의 판두께 방향으로 관통하는 복수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 배기 플레이트(48)는, 예컨대 알루미늄재에 Y2O3 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다. 이 배기 플레이트(48)의 하측 및 처리 용기(12)에는 배기구(12e)가 형성되어 있다. 배기구(12e)에는, 배기관(52)을 통해 배기 장치(50)가 접속되어 있다. 배기 장치(50)는, 압력 조정 밸브 및 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 갖고 있고, 처리 용기(12) 내의 공간을 원하는 진공도까지 감압할 수 있다. 또한, 처리 용기(12)의 측벽에는 웨이퍼(W)의 반입 반출구(12g)가 형성되어 있고, 이 반입 반출구(12g)는 게이트 밸브(54)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 제1 고주파 전원(62) 및 제2 고주파 전원(64)을 더 구비하고 있다. 제1 고주파 전원(62)은, 플라즈마 생성용의 고주파를 발생하는 전원이며, 예컨대 27∼100 MHz의 주파수의 고주파를 발생한다. 제1 고주파 전원(62)은, 정합기(66)를 통해 하부 전극(LE)에 접속되어 있다. 정합기(66)는, 제1 고주파 전원(62)의 출력 임피던스와 부하측(하부 전극(LE)측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다. 또, 제1 고주파 전원(62)은, 정합기(66)를 통해 상부 전극(30)에 접속되어 있어도 좋다.
제2 고주파 전원(64)은, 웨이퍼(W)에 이온을 인입하기 위한 고주파 바이어스를 발생하는 전원이며, 예컨대 400 kHz∼13.56 MHz의 범위 내의 주파수의 고주파 바이어스를 발생한다. 제2 고주파 전원(64)은, 정합기(68)를 통해 하부 전극(LE)에 접속되어 있다. 정합기(68)는, 제2 고주파 전원(64)의 출력 임피던스와 부하측(하부 전극(LE)측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)는 전원(70)을 더 구비하고 있다. 전원(70)은 상부 전극(30)에 접속되어 있다. 전원(70)은, 처리 공간(S) 내에 존재하는 플러스 이온을 상부판(34)에 인입하기 위한 전압을 상부 전극(30)에 인가한다. 일례에 있어서는, 전원(70)은, 마이너스의 직류 전압을 발생하는 직류 전원이다. 다른 일례에 있어서, 전원(70)은, 비교적 저주파의 교류 전압을 발생하는 교류 전원이어도 좋다. 전원(70)으로부터 상부 전극에 인가되는 전압은 -150 V 이하의 전압일 수 있다. 즉, 전원(70)에 의해 상부 전극(30)에 인가되는 전압은, 절대치가 150 V 이상인 마이너스의 전압일 수 있다. 이러한 전압이 전원(70)으로부터 상부 전극(30)에 인가되면, 처리 공간(S)에 존재하는 플러스 이온이 상부판(34)에 충돌한다. 이에 따라, 상부판(34)으로부터 2차 전자 및/또는 실리콘이 방출된다. 방출된 실리콘은, 처리 공간(S) 내에 존재하는 불소의 활성종과 결합하고, 불소의 활성종의 양을 저감시킨다.
또한, 일실시형태에 있어서는, 플라즈마 처리 장치(10)는 제어부(Cnt)를 더 구비할 수 있다. 이 제어부(Cnt)는, 프로세서, 기억부, 입력 장치, 표시 장치 등을 구비하는 컴퓨터이며, 플라즈마 처리 장치(10)의 각 부를 제어한다. 이 제어부(Cnt)에서는, 입력 장치를 이용하여, 오퍼레이터가 플라즈마 처리 장치(10)를 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작 등을 행할 수 있고, 또한, 표시 장치에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)의 가동 상황을 가시화하여 표시할 수 있다. 또한, 제어부(Cnt)의 기억부에는, 플라즈마 처리 장치(10)에서 실행되는 각종 처리를 프로세서에 의해 제어하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라서 플라즈마 처리 장치(10)의 각 부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된다.
이하, 다시 도 1을 참조하여, 방법 MT에 관해 상세히 설명한다. 이하, 도 1과 함께, 도 2, 도 4∼도 17을 적절하게 참조한다. 도 4∼도 16은, 도 1에 나타내는 방법의 실시 도중 단계에서의 피처리체를 나타내는 단면도이고, 도 17은 도 1에 나타내는 방법의 실시후의 피처리체의 단면도이다. 이하의 설명에서는, 방법 MT 에 있어서 도 2에 나타내는 웨이퍼(W)가 도 3에 나타내는 하나의 플라즈마 처리 장치(10)를 이용하여 처리되는 예에 관해 설명한다. 또, 플라즈마 처리 장치(10)를 이용하여 실시되는 방법 MT의 각 공정에서는, 그 플라즈마 처리 장치(10)의 각 부의 동작은 제어부(Cnt)에 의해 제어될 수 있다.
우선, 방법 MT에서는, 플라즈마 처리 장치(10) 내에 도 2에 나타내는 웨이퍼(W)가 반입되고, 그 웨이퍼(W)가 배치대(PD) 상에 배치되어, 그 배치대(PD)의 정전척(ESC)에 의해 유지된다.
방법 MT에서는, 이어서 공정 ST1이 실행된다. 공정 ST1에서는, 반사 방지막(AL)이 에칭된다. 이 때문에, 공정 ST1에서는, 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 중 선택된 가스 소스로부터 처리 용기(12) 내에 처리 가스가 공급된다. 이 처리 가스는 플루오로카본 가스를 포함한다. 플루오로카본 가스는, 예컨대 C4F8 가스 및 CF4 가스 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 또한, 이 처리 가스는, 희가스, 예컨대 Ar 가스를 더 포함할 수 있다. 또한, 공정 ST1에서는, 배기 장치(50)가 작동되고, 처리 용기(12) 내의 압력이 소정의 압력으로 설정된다. 또한, 공정 ST1에서는, 제1 고주파 전원(62)으로부터의 고주파가 하부 전극(LE)에 공급되고, 제2 고주파 전원(64)으로부터의 고주파 바이어스가 하부 전극(LE)에 공급된다.
이하에, 공정 ST1에서의 각종 조건을 예시한다.
ㆍ처리 용기 내 압력 : 10 mTorr(1.33 Pa)∼50 mTorr(6.65 Pa)
ㆍ처리 가스
C4F8 가스 : 10 sccm∼30 sccm
CF4 가스 : 150 sccm∼300 sccm
Ar 가스 : 200 sccm∼500 sccm
ㆍ플라즈마 생성용의 고주파의 전력 : 300 W∼1000 W
ㆍ고주파 바이어스의 전력 : 200 W∼500 W
공정 ST1에서는, 처리 가스의 플라즈마가 생성되고, 플루오로카본 및/또는 불소의 활성종에 의해, 레지스트 마스크(RM)의 개구로부터 노출되어 있는 부분에 있어서 반사 방지막(AL)이 에칭된다. 그 결과, 도 4에 나타낸 바와 같이, 반사 방지막(AL)의 전체 영역 중, 레지스트 마스크(RM)의 개구로부터 노출되어 있는 부분이 제거된다. 즉, 반사 방지막(AL)에 레지스트 마스크(RM)의 패턴이 전사되고, 개구를 제공하는 패턴이 반사 방지막(AL)에 형성된다.
계속되는 공정 ST2에서는, 유기막(OL)이 에칭된다. 이 때문에, 공정 ST2에서는, 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 중 선택된 가스 소스로부터 처리 용기(12) 내에 처리 가스가 공급된다. 이 처리 가스는, 수소 가스 및 질소 가스를 포함할 수 있다. 또, 공정 ST2에 있어서 이용되는 처리 가스는, 유기막을 에칭할 수 있는 것이라면, 다른 가스, 예컨대 산소 가스를 포함하는 처리 가스이어도 좋다. 또한, 공정 ST2에서는, 배기 장치(50)가 작동되고, 처리 용기(12) 내의 압력이 소정의 압력으로 설정된다. 또한, 공정 ST2에서는, 제1 고주파 전원(62)으로부터의 고주파가 하부 전극(LE)에 공급되고, 제2 고주파 전원(64)으로부터의 고주파 바이어스가 하부 전극(LE)에 공급된다.
이하에, 공정 ST2에서의 각종 조건을 예시한다.
ㆍ처리 용기 내 압력 : 50 mTorr(6.65 Pa)∼200 mTorr(26.6 Pa)
ㆍ처리 가스
N2 가스 : 200 sccm∼400 sccm
H2 가스 : 200 sccm∼400 sccm
ㆍ플라즈마 생성용의 고주파의 전력 : 500 W∼2000 W
ㆍ고주파 바이어스의 전력 : 200 W∼500 W
공정 ST2에서는, 처리 가스의 플라즈마가 생성되고, 반사 방지막(AL)의 개구로부터 노출되어 있는 부분에 있어서 유기막(OL)이 에칭된다. 또한, 레지스트 마스크(RM)도 에칭된다. 그 결과, 도 5에 나타낸 바와 같이, 레지스트 마스크(RM)가 제거되고, 유기막(OL)의 전체 영역 중, 반사 방지막(AL)의 개구로부터 노출되어 있는 부분이 제거된다. 즉, 유기막(OL)에 반사 방지막(AL)의 패턴이 전사되고, 개구(MO)를 제공하는 패턴이 유기막(OL)에 형성되고, 그 유기막(OL)으로부터 마스크(MK)가 생성된다.
일실시형태에 있어서는, 공정 ST2의 실행후에 공정 ST3이 실행된다. 공정 ST3에서는, 제1 영역(R1)이, 제2 영역(R2)이 노출되기 직전까지 에칭된다. 즉, 제2 영역(R2) 상에 제1 영역(R1)이 미량 남을 때까지 그 제1 영역(R1)이 에칭된다. 이 때문에, 공정 ST3에서는, 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 중 선택된 가스 소스로부터 처리 용기(12) 내에 처리 가스가 공급된다. 이 처리 가스는 플루오로카본 가스를 포함한다. 또한, 이 처리 가스는, 희가스, 예컨대 Ar 가스를 더 포함할 수 있다. 또한, 이 처리 가스는 산소 가스를 더 포함할 수 있다. 또한, 공정 ST3에서는, 배기 장치(50)가 작동되고, 처리 용기(12) 내의 압력이 소정의 압력으로 설정된다. 또한, 공정 ST3에서는, 제1 고주파 전원(62)으로부터의 고주파가 하부 전극(LE)에 공급되고, 제2 고주파 전원(64)으로부터의 고주파 바이어스가 하부 전극(LE)에 공급된다.
공정 ST3에서는, 처리 가스의 플라즈마가 생성되고, 마스크(MK)의 개구로부터 노출되어 있는 부분에 있어서 제1 영역(R1)이, 플루오로카본 및/또는 불소의 활성종에 의해 에칭된다. 이 공정 ST3의 처리 시간은, 그 공정 ST3의 종료시에, 제2 영역(R2) 상에 제1 영역(R1)이 소정의 막두께로 남겨지도록 설정된다. 이 공정 ST3의 실행의 결과, 도 6에 나타낸 바와 같이, 상부 개구(UO)가 부분적으로 형성된다.
또, 후술하는 공정 ST11에서는, 공정 ST3에서의 제1 영역(R1)의 에칭보다, 제1 영역(R1)을 포함하는 웨이퍼(W)의 표면 상에 대한 플루오로카본을 포함하는 퇴적물의 형성이 우위가 되는 모드, 즉, 퇴적 모드가 되는 조건이 설정된다. 한편, 공정 ST3에서는, 퇴적물의 형성보다 제1 영역(R1)의 에칭이 우위가 되는 모드, 즉, 에칭 모드가 되는 조건이 설정된다. 이 때문에, 일례에서는, 공정 ST3에 있어서 이용되는 플루오로카본 가스는, C4F8 가스 및 CF4 가스 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 이 예의 플루오로카본 가스는, 공정 ST11에 있어서 이용되는 플루오로카본 가스의 탄소 원자수에 대한 불소 원자수의 비(즉, 불소 원자수/탄소 원자수)보다, 탄소 원자수에 대한 불소 원자수의 비(즉, 불소 원자수/탄소 원자수)가 높은 플루오로카본 가스이다. 또한, 일례에서는, 플루오로카본의 해리도를 높이기 위해, 공정 ST3에 있어서 이용되는 플라즈마 생성용의 고주파의 전력은, 공정 ST11에 있어서 이용되는 플라즈마 생성용의 고주파의 전력보다 큰 전력으로 설정될 수 있다. 이들 예에 의하면, 에칭 모드를 실현하는 것이 가능해진다. 또한, 일례에서는, 공정 ST3에 있어서 이용되는 고주파 바이어스의 전력도, 공정 ST11의 고주파 바이어스의 전력보다 큰 전력으로 설정될 수 있다. 이 예에 의하면, 웨이퍼(W)에 대하여 인입되는 이온의 에너지가 높아지고, 제1 영역(R1)을 고속으로 에칭하는 것이 가능해진다.
이하에, 공정 ST3에서의 각종 조건을 예시한다.
ㆍ처리 용기 내 압력 : 10 mTorr(1.33 Pa)∼50 mTorr(6.65 Pa)
ㆍ처리 가스
C4F8 가스 : 10 sccm∼30 sccm
CF4 가스 : 50 sccm∼150 sccm
Ar 가스 : 500 sccm∼1000 sccm
O2 가스 : 10 sccm∼30 sccm
ㆍ플라즈마 생성용의 고주파의 전력 : 500 W∼2000 W
ㆍ고주파 바이어스의 전력 : 500 W∼2000 W
일실시형태에서는, 이어서 공정 ST4가 실행된다. 공정 ST4에서는, 처리 용기(12) 내에 있어서 산소 함유 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마가 생성된다. 이 때문에, 공정 ST4에서는, 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 중 선택된 가스 소스로부터 처리 용기(12) 내에 처리 가스가 공급된다. 이 처리 가스는, 일례에서는, 산소 함유 가스로서 산소 가스를 포함할 수 있다. 또한, 처리 가스는, 희가스(예컨대 Ar 가스) 또는 질소 가스와 같은 불활성 가스를 더 포함할 수 있다. 또한, 공정 ST4에서는, 배기 장치(50)가 작동되고, 처리 용기(12) 내의 압력이 소정의 압력으로 설정된다. 또한, 공정 ST4에서는, 제1 고주파 전원(62)으로부터의 고주파의 전력이 하부 전극(LE)에 공급된다. 또, 공정 ST4에서는, 제2 고주파 전원(64)으로부터의 고주파 바이어스가 하부 전극(LE)에 공급되지 않아도 좋다.
공정 ST4에서는, 산소의 활성종이 생성되고, 그 산소의 활성종에 의해 마스크(MK)의 개구(MO)가 그 상단 부분에 있어서 넓혀진다. 구체적으로는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 개구(MO)의 상단 부분을 구획하는 마스크(MK)의 상측 숄더부가 테이퍼형상을 띠도록 에칭된다. 이에 따라, 이후의 공정에서 생성되는 퇴적물이 마스크(MK)의 개구(MO)를 구획하는 면에 부착되더라도, 그 개구(MO)의 폭의 축소량을 저감시킬 수 있다.
또, 후술하는 공정 ST12는, 각 시퀀스에 있어서 형성되는 미량의 퇴적물을 감소시키는 것이며, 퇴적물의 과잉된 감소를 억제해야 한다. 한편, 공정 ST4에서는, 마스크(MK)의 개구(MO)의 상단 부분의 폭을 넓히기 위해 실행되는 것이며, 그 처리 시간이 짧은 것이 요구된다.
이하에, 공정 ST4에서의 각종 조건을 예시한다.
ㆍ처리 용기 내 압력 : 30 mTorr(3.99 Pa)∼200 mTorr(26.6 Pa)
ㆍ처리 가스
O2 가스 : 50 sccm∼500 sccm
Ar 가스 : 200 sccm∼1500 sccm
ㆍ플라즈마 생성용의 고주파의 전력 : 100 W∼500 W
ㆍ고주파 바이어스의 전력 : 0 W∼200 W
이어서, 방법 MT에서는, 제1 영역(R1)을 에칭하기 위해 시퀀스 SQ1이 1회 이상 실행된다. 시퀀스 SQ1은, 적어도 제2 영역(R2)이 노출될 때를 포함하는 기간에 있어서, 제1 영역(R1)을 에칭하기 위해 실행된다. 일실시형태에서는 시퀀스 SQ1이 복수회 실행된다. 시퀀스 SQ1은, 공정 ST11, 공정 ST12 및 공정 ST13을 포함하고 있다.
공정 ST11에서는, 웨이퍼(W)가 수용된 처리 용기(12) 내에서 처리 가스의 플라즈마가 생성된다. 이 때문에, 공정 ST11에서는, 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 중 선택된 가스 소스로부터 처리 용기(12) 내에 처리 가스가 공급된다. 이 처리 가스는 플루오로카본 가스를 포함한다. 또한, 이 처리 가스는, 희가스, 예컨대 Ar 가스를 더 포함할 수 있다. 또한, 공정 ST11에서는, 배기 장치(50)가 작동되고, 처리 용기(12) 내의 압력이 소정의 압력으로 설정된다. 또한, 공정 ST11에서는, 제1 고주파 전원(62)으로부터의 고주파가 하부 전극(LE)에 공급된다. 또, 제2 고주파 전원(64)으로부터의 고주파 바이어스가 하부 전극(LE)에 공급되어도 좋다. 이 공정 ST11에서는, 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마가 생성되고, 해리된 플루오로카본이 웨이퍼(W)의 표면 상에 퇴적되어, 도 8에 나타낸 바와 같이 퇴적물(DP)을 형성한다.
전술한 바와 같이, 공정 ST11에서는 퇴적 모드가 되는 조건이 선택된다. 이 때문에, 일례에서는, 플루오로카본 가스로서 C4F6 가스가 이용된다.
이하에, 공정 ST11에서의 각종 조건을 예시한다.
ㆍ처리 용기 내 압력 : 10 mTorr(1.33 Pa)∼50 mTorr(6.65 Pa)
ㆍ처리 가스
C4F6 가스 : 2 sccm∼10 sccm
Ar 가스 : 500 sccm∼1500 sccm
ㆍ플라즈마 생성용의 고주파의 전력 : 100 W∼500 W
ㆍ고주파 바이어스의 전력 : 0 W∼50 W
계속되는 공정 ST12에서는, 처리 용기(12) 내에 있어서 산소 함유 가스 및 불활성 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마가 생성된다. 이 때문에, 공정 ST12에서는, 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 중 선택된 가스 소스로부터 처리 용기(12) 내에 처리 가스가 공급된다. 일례에서는, 이 처리 가스는, 산소 함유 가스로서 산소 가스를 포함한다. 또한, 일례에서는, 이 처리 가스는, 불활성 가스로서 Ar 가스와 같은 희가스를 포함한다. 불활성 가스는 질소 가스이어도 좋다. 또한, 공정 ST12에서는, 배기 장치(50)가 작동되고, 처리 용기(12) 내의 압력이 소정의 압력으로 설정된다. 또한, 공정 ST12에서는, 제1 고주파 전원(62)으로부터의 고주파가 하부 전극(LE)에 공급된다. 공정 ST12에서는, 제2 고주파 전원(64)으로부터의 고주파 바이어스가 하부 전극(LE)에 공급되지 않아도 좋다.
공정 ST12에서는, 산소의 활성종이 생성되고, 그 산소의 활성종에 의해, 웨이퍼(W) 상의 퇴적물(DP)의 양이, 도 9에 나타낸 바와 같이 적당하게 감소된다. 그 결과, 과잉된 퇴적물(DP)에 의해 개구(MO) 및 상부 개구(UO)가 폐색되는 것이 방지된다. 또한, 공정 ST12에서 이용되는 처리 가스에서는, 산소 가스가 불활성 가스에 의해 희석되어 있기 때문에, 퇴적물(DP)이 과잉으로 제거되는 것을 억제할 수 있다.
이하에, 공정 ST12에서의 각종 조건을 예시한다.
ㆍ처리 용기 내 압력 : 10 mTorr(1.33 Pa)∼50 mTorr(6.65 Pa)
ㆍ처리 가스
O2 가스 : 2 sccm∼20 sccm
Ar 가스 : 500 sccm∼1500 sccm
ㆍ플라즈마 생성용의 고주파의 전력 : 100 W∼500 W
ㆍ고주파 바이어스의 전력 : 0 W
일실시형태에서는, 각 시퀀스의 공정 ST12, 즉 1회의 공정 ST12는 2초 이상 실행되고, 또한, 공정 ST12에 있어서 퇴적물(DP)이 1 nm/초 이하의 레이트로 에칭될 수 있다. 플라즈마 처리 장치(10)와 같은 플라즈마 처리 장치를 이용하여 상기 시퀀스를 실행하기 위해서는, 공정 ST11, 공정 ST12 및 공정 ST13의 각 공정간의 천이를 위한 가스의 전환에 시간을 요한다. 따라서, 방전의 안정에 요하는 시간을 고려하면, 공정 ST12는 2초 이상 실행될 필요가 있다. 그러나, 이러한 시간 길이의 기간에서의 퇴적물(DP)의 에칭률이 너무 높으면, 제2 영역(R2)을 보호하기 위한 퇴적물이 과잉으로 제거될 수 있다. 이 때문에, 공정 ST12에 있어서 1 nm/초 이하의 레이트로 퇴적물(DP)이 에칭된다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상에 형성되어 있는 퇴적물(DP)의 양을 적당하게 조정하는 것이 가능해진다. 또, 공정 ST12에서의 퇴적물(DP)의 에칭의 1 nm/초 이하의 레이트는, 처리 용기 내의 압력, 처리 가스 중의 산소의 희가스에 의한 희석의 정도, 즉, 산소 농도 및 플라즈마 생성용의 고주파의 전력을, 전술한 조건에서 선택함으로써 달성될 수 있다.
계속되는 공정 ST13에서는, 제1 영역(R1)이 에칭된다. 이 공정 ST13에서는, 퇴적물(DP) 중의 플루오로카본과 제1 영역(R1)의 산화실리콘의 반응을 촉진시키는 처리가 행해진다. 이 때문에, 공정 ST13에서는, 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 중 선택된 가스 소스로부터 처리 용기(12) 내에 처리 가스가 공급된다. 이 처리 가스는 불활성 가스를 포함한다. 불활성 가스는, 일례에서는 Ar 가스와 같은 희가스일 수 있다. 또는, 불활성 가스는 질소 가스이어도 좋다. 또한, 공정 ST13에서는, 배기 장치(50)가 작동되고, 처리 용기(12) 내의 압력이 소정의 압력으로 설정된다. 또한, 공정 ST13에서는, 제1 고주파 전원(62)으로부터의 고주파가 하부 전극(LE)에 공급된다. 또한, 공정 ST13에서는, 제2 고주파 전원(64)으로부터의 고주파 바이어스가 하부 전극(LE)에 공급된다.
이하에, 공정 ST13에서의 각종 조건을 예시한다.
ㆍ처리 용기 내 압력 : 10 mTorr(1.33 Pa)∼50 mTorr(6.65 Pa)
ㆍ처리 가스
Ar 가스 : 500 sccm∼1500 sccm
ㆍ플라즈마 생성용의 고주파의 전력 : 100 W∼500 W
ㆍ고주파 바이어스의 전력 : 20 W∼300 W
공정 ST13에서는, 불활성 가스의 플라즈마가 생성되고, 이온이 웨이퍼(W)에 대하여 인입된다. 이에 따라, 퇴적물(DP) 중에 포함되는 플루오로카본의 라디칼과 제1 영역(R1)의 산화실리콘의 반응이 촉진되고, 제1 영역(R1)이 에칭된다. 이 공정 ST13의 실행에 의해, 도 10에 나타낸 바와 같이, 제2 영역(R2)에 의해 제공되는 오목부 내의 제1 영역(R1)이 에칭되고, 하부 개구(LO)가 형성된다.
시퀀스 SQ1의 실행 횟수는, 제2 영역(R2)에 의해 구획되는 오목부 내의 제1 영역(R1)의 막두께 등에 의존하여 설정된다. 예컨대, 그 오목부 내의 제1 영역(R1)을 오목부의 바닥까지 에칭할 수 있다면, 시퀀스 SQ1의 실행 횟수는 1회이어도 좋다. 이 경우에는, 후술하는 공정 STa의 판정은 불필요하며, 시퀀스 SQ1의 실행후, 후술하는 시퀀스 SQ2가 실행된다.
일실시형태에서는, 시퀀스 SQ1은 반복하여 실행된다. 즉, 시퀀스 SQ1이 복수회 실행된다. 이 실시형태에서는, 공정 STa에 있어서 정지 조건이 만족되는지 아닌지가 판정된다. 정지 조건은 시퀀스 SQ1이 소정 횟수 실행되어 있는 경우에 만족되는 것으로 판정된다. 공정 STa에 있어서, 정지 조건이 만족되지 않는다고 판정되는 경우에는, 공정 ST11부터 시퀀스 SQ1이 실행된다. 이 실시형태에서는, 시퀀스 SQ1의 반복에 따라, 도 11에 나타낸 바와 같이, 공정 ST11에서는 퇴적물(DP)이 웨이퍼(W) 상에 형성된다. 그리고, 도 12에 나타낸 바와 같이, 공정 ST12에서는 퇴적물(DP)의 양이 감소된다. 그리고, 도 13에 나타낸 바와 같이, 공정 ST13에서는 제1 영역(R1)이 더 에칭되어, 하부 개구(LO)의 깊이가 깊어진다. 최종적으로는, 도 14에 나타낸 바와 같이, 오목부의 바닥에 있는 제2 영역(R2)이 노출될 때까지 제1 영역(R1)이 에칭된다. 한편, 공정 STa에 있어서 정지 조건이 만족된다고 판정되는 경우에는, 이어서 시퀀스 SQ2가 1회 이상 실행된다.
방법 MT의 시퀀스 SQ1에서 형성되는 퇴적물(DP)은, 도 14에 나타낸 바와 같이, 마스크(MK) 상 및 제2 영역(R2)의 상면(TS) 위 뿐만 아니라, 오목부를 구획하는 제2 영역(R2)의 측벽면(SWF)을 따라서도 형성된다. 이 퇴적물(DP)에 의해 측벽면(SWF)에 인접하는 개소에서 제1 영역(R1)의 에칭은 저해된다. 그 결과, 시퀀스 SQ1의 실행후에는, 측벽면(SWF)에 인접하는 개소에 있어서 제1 영역(R1)의 잔사(RS)가 생긴다. 방법 MT에서는, 잔사(RS)를 제거하기 위해 시퀀스 SQ2가 1회 이상 실행된다. 시퀀스 SQ2는 공정 ST21 및 공정 ST22를 포함하고 있다.
공정 ST21에서는, 웨이퍼(W)가 수용된 처리 용기(12) 내에서, 처리 가스의 플라즈마가 생성된다. 이 때문에, 공정 ST21에서는, 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 중 선택된 가스 소스로부터 처리 용기(12) 내에 처리 가스가 공급된다. 이 처리 가스는 플루오로카본 가스를 포함한다. 또한, 이 처리 가스는, 희가스, 예컨대 Ar 가스를 더 포함할 수 있다. 또한, 공정 ST21에서는, 배기 장치(50)가 작동되고, 처리 용기(12) 내의 압력이 소정의 압력으로 설정된다. 또한, 공정 ST21에서는, 제1 고주파 전원(62)으로부터의 고주파가 하부 전극(LE)에 공급된다. 이에 따라, 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마가 생성되고, 해리된 플루오로카본이 웨이퍼(W)의 표면 상에 퇴적되어, 도 15에 나타낸 바와 같이 퇴적물(DP)을 형성한다.
공정 ST21에서는, 퇴적 모드가 되는 조건이 선택된다. 이 때문에, 일례에서는, 플루오로카본 가스로서 C4F6 가스가 이용된다. 또한, 일실시형태의 공정 ST21에서는, 플라즈마의 생성을 위해 사용되는 고주파의 전력이, 공정 ST11에서 플라즈마의 생성을 위해 사용되는 전력보다 큰 전력으로 설정된다.
이하에, 공정 ST21에서의 각종 조건을 예시한다.
ㆍ처리 용기 내 압력 : 10 mTorr(1.33 Pa)∼50 mTorr(6.65 Pa)
ㆍ처리 가스
C4F6 가스 : 2 sccm∼10 sccm
Ar 가스 : 500 sccm∼1500 sccm
ㆍ플라즈마 생성용의 고주파의 전력 : 100 W∼700 W
ㆍ고주파 바이어스의 전력 : 0 W∼50 W
계속되는 공정 ST22에서는, 처리 용기(12) 내에 있어서 산소 함유 가스 및 불활성 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마가 생성된다. 이 때문에, 공정 ST22에서는, 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 중 선택된 가스 소스로부터 처리 용기(12) 내에 처리 가스가 공급된다. 일례에서는, 이 처리 가스는, 산소 함유 가스로서 산소 가스를 포함한다. 또한, 일례에서는, 이 처리 가스는, 불활성 가스로서 Ar 가스와 같은 희가스를 포함한다. 불활성 가스는 질소 가스이어도 좋다. 또한, 공정 ST22에서는, 배기 장치(50)가 작동되고, 처리 용기(12) 내의 압력이 소정의 압력으로 설정된다. 또한, 공정 ST22에서는, 제1 고주파 전원(62)으로부터의 고주파가 하부 전극(LE)에 공급된다.
일실시형태의 공정 ST22에서는, 제2 고주파 전원(64)으로부터의 고주파 바이어스가 공정 ST11에서 사용되는 제2 고주파 전원(64)으로부터의 고주파 바이어스의 전력보다 낮은 전력으로 설정된다. 예컨대, 공정 ST22에서는, 제2 고주파 전원(64)으로부터의 고주파 바이어스가 0 W로 설정된다. 또한, 일실시형태의 공정 ST22에서는, 처리 용기(12) 내의 공간의 압력이, 공정 ST11에서의 처리 용기(12) 내의 공간의 압력보다 높은 압력으로 설정된다.
이하에, 공정 ST22에서의 각종 조건을 예시한다.
ㆍ처리 용기 내 압력 : 40 mTorr(5.33 Pa)∼120 mTorr(16.0 Pa)
ㆍ처리 가스
O2 가스 : 0.1 sccm∼20 sccm
Ar 가스 : 10 sccm∼500 sccm
ㆍ플라즈마 생성용의 고주파의 전력 : 25 W∼100 W
ㆍ고주파 바이어스의 전력 : 0 W∼25 W
공정 ST22에서는, 산소의 활성종이 생성되고, 그 산소의 활성종에 의해 퇴적물(DP)의 양이 감소된다. 또한, 불활성 가스의 플라즈마에서 유래하는 활성종에 의해, 퇴적물(DP) 중의 플루오로카본과 잔사(RS)의 반응이 촉진되어, 도 16에 나타낸 바와 같이 잔사(RS)가 감소된다.
시퀀스 SQ2의 실행 횟수는, 잔사(RS)가 충분히 제거되는 횟수로서 미리 설정되어 있다. 예컨대, 잔사(RS)가 충분히 제거되는 것이라면, 시퀀스 SQ2의 실행 횟수는 1회이어도 좋다. 이 경우에는, 후술하는 공정 STb의 판정은 불필요하며, 시퀀스 SQ2의 실행후, 방법 MT은 종료한다.
일실시형태에서는, 시퀀스 SQ2는 반복하여 실행된다. 즉, 시퀀스 SQ2가 복수회 실행된다. 이 실시형태에서는, 공정 STb에 있어서 정지 조건이 만족되는지 아닌지가 판정된다. 정지 조건은 시퀀스 SQ2가 소정 횟수 실행되어 있는 경우에 만족되는 것으로 판정된다. 공정 STb에 있어서, 정지 조건이 만족되지 않는다고 판정되는 경우에는, 공정 ST21부터 시퀀스 SQ2가 실행된다. 한편, 공정 STb에 있어서 정지 조건이 만족된다고 판정되는 경우에는, 방법 MT은 종료한다. 이 때, 도 17에 나타낸 바와 같이, 잔사(RS)가 제거되고, 하부 개구(LO)의 바닥부에서의 폭이 넓어진다.
이상 설명한 방법 MT에서는, 시퀀스 SQ1의 공정 ST11에 있어서 형성되는 퇴적물(DP)이, 제2 영역(R2)에 대해서는 그 제2 영역(R2)을 보호하는 막으로서 기능한다. 또한, 퇴적물(DP)은, 제1 영역(R1)에 대해서는 공정 ST13에 있어서 그 제1 영역(R1)을 에칭하기 위한 라디칼의 소스가 된다. 따라서, 시퀀스 SQ1에 의하면, 제2 영역(R2)의 침식을 억제하면서 제1 영역(R1)을 에칭하는 것이 가능하다.
또한, 시퀀스 SQ2의 공정 21에서는, 제2 영역(R2)을 보호하기 위해, 또한, 제1 영역(R1)의 잔사를 제거하기 위한 라디칼의 소스를 형성하기 위해, 시퀀스 SQ1의 실행후의 웨이퍼(W) 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물(DP)이 더 형성된다. 계속되는 공정 ST22에서는, 측벽면(SWF)을 따라서 형성된 퇴적물(DP)을 감소시키기 위해, 산소 가스의 플라즈마가 생성된다. 또한, 공정 ST22에서는, 불활성 가스의 플라즈마에서 유래하는 활성종에 의해 퇴적물(DP)과 잔사(RS)의 반응이 촉진되어, 그 잔사(RS)가 감소된다. 따라서, 방법 MT에 의하면, 제2 영역(R2)의 침식이 억제되고, 제2 영역(R2)에 의해 구획되는 오목부 내의 제1 영역(R1)의 잔사가 감소된다.
또한, 시퀀스 SQ1의 공정 ST11 및 시퀀스 SQ2의 공정 ST21에서는, 제1 영역(R1)의 에칭을 위한 라디칼의 소스인 퇴적물(DP)이 웨이퍼(W)의 대략 전체 표면 상에 형성된다. 이 퇴적물(DP)은 포커스링(FR) 상에도 퇴적된다. 따라서, 제1 영역(R1)을 에칭하는 라디칼의 웨이퍼(W)의 면내에서의 농도차가 작아진다. 그 결과, 제1 영역(R1)의 에칭의 면내 균일성이 향상된다.
또한, 폭이 상이한 복수의 개구를 단일 웨이퍼(W)의 제1 영역(R1)에 형성하는 경우에는, 넓은 개구가 형성되는 개소에는 다량의 퇴적물(DP)이 형성되고, 좁은 개구가 형성되는 영역에는 소량의 퇴적물이 형성되지만, 이러한 퇴적물(DP)의 양의 차이는, 공정 ST12 및 공정 ST22에 있어서 저감된다. 그 결과, 이들 개소에서의 에칭률의 차이가 저감된다. 예컨대, 넓은 개구가 형성되는 개소에 있어서, 퇴적물(DP)의 양에 기인하여 에칭률이 저하되는 것, 또는, 에칭이 정지하는 것을 억제할 수 있다.
일실시형태에서는, 전술한 바와 같이, 공정 ST21에 있어서 플라즈마의 생성을 위해 사용되는 고주파의 전력이, 공정 ST11에 있어서 플라즈마의 생성을 위해 사용되는 고주파의 전력보다 큰 전력으로 설정된다. 이 실시형태에 의하면, 오목부 내의 잔사(RS)의 제거에 적합한 해리형체의 플루오로카본을 오목부 내에 공급하는 것이 가능해진다.
또한, 일실시형태에서는, 공정 ST22에 있어서 설정되는 처리 용기(12) 내의 공간의 압력은, 공정 ST11에 있어서 설정되는 처리 용기(12) 내의 공간의 압력보다 높고, 공정 ST22에 있어서 하부 전극(LE)에 공급되는 고주파 바이어스의 전력이, 공정 ST11에 있어서 하부 전극(LE)에 공급되는 고주파 바이어스의 전력보다 작다. 즉, 이 실시형태에서는, 공정 ST22에 있어서 고압 및 저바이어스의 조건이 이용된다. 고압 및 저바이어스의 조건하에서는, 저압 및/또는 고바이어스의 조건에 비하여, 활성종이 보다 등방적으로 웨이퍼(W)에 충돌한다. 따라서, 측벽면(SWF)을 따라서 형성된 퇴적물(DP) 및 잔사(RS)의 양을 효율적으로 감소시키는 것이 가능해진다.
또 다른 실시형태에서는, 제2 영역(R2)이 노출될 때를 포함하는 기간에 실행되는 시퀀스 SQ1(이하, 「제1 서브시퀀스」라고 함)에 있어서 제1 영역(R1)이 에칭되는 양이, 이후에 실행되는 시퀀스 SQ1(이하, 「제2 서브시퀀스」라고 함)에 있어서 제1 영역(R1)이 에칭되는 양보다 적어지도록, 시퀀스 SQ1의 반복에서의 조건이 설정되어도 좋다. 일례에 있어서는, 제1 서브시퀀스의 실행 시간 길이가, 제2 서브시퀀스의 실행 시간 길이보다 짧게 설정된다. 이 예에서는, 제1 서브시퀀스에서의 공정 ST11의 실행 시간 길이, 공정 ST12의 실행 시간 길이 및 공정 ST13의 실행 시간 길이의 비는, 제2 서브시퀀스에서의 공정 ST11의 실행 시간 길이, 공정 ST12의 실행 시간 길이 및 공정 ST13의 실행 시간 길이의 비와 동일하게 설정될 수 있다. 예컨대, 제1 서브시퀀스에서는, 공정 ST11의 실행 시간 길이는 2초∼5초의 범위의 시간 길이에서 선택되고, 공정 ST12의 실행 시간 길이는 2초∼5초의 범위의 시간 길이에서 선택되고, 공정 ST13의 실행 시간 길이는 5초∼10초의 범위의 시간 길이에서 선택된다. 또한, 제2 서브시퀀스에서는, 공정 ST11의 실행 시간 길이는 2초∼10초의 범위의 시간 길이에서 선택되고, 공정 ST12의 실행 시간 길이는 2초∼10초의 범위의 시간 길이에서 선택되고, 공정 ST13의 실행 시간 길이는 5초∼20초의 범위의 시간 길이에서 선택된다.
공정 ST11에서 생성되는 플루오로카본의 해리종은, 제2 영역(R2) 상에 퇴적되어 그 제2 영역(R2)을 보호하지만, 제1 영역(R1)이 에칭되어 제2 영역(R2)이 노출되었을 때에는, 제2 영역(R2)을 미량이기는 하지만 에칭하는 경우가 있다. 따라서, 일실시형태에서는, 제2 영역(R2)이 노출되는 기간에 있어서 제1 서브시퀀스가 실행된다. 이에 따라, 에칭량이 억제되면서 퇴적물(DP)이 웨이퍼(W) 상에 형성되고, 그 퇴적물(DP)에 의해 제2 영역(R2)이 보다 확실하게 보호된다. 그 후에, 에칭량이 많은 제2 서브시퀀스가 실행된다. 따라서, 이 실시형태에 의하면, 제2 영역(R2)의 침식을 더욱 억제하면서, 제1 영역(R1)을 에칭하는 것이 가능해진다.
또한, 제2 서브시퀀스의 실행후에 실행되는 시퀀스 SQ1(이하, 「제3 서브시퀀스」라고 함)의 공정 ST13에서는, 고주파 바이어스의 전력이, 제1 서브시퀀스 및 제2 서브시퀀스의 공정 ST13에 있어서 이용되는 고주파 바이어스의 전력보다 큰 전력으로 설정되어도 좋다. 예컨대, 제1 서브시퀀스 및 제2 서브시퀀스의 공정 ST13에서는, 고주파 바이어스의 전력이 20 W∼100 W의 전력으로 설정되고, 제3 서브시퀀스의 공정 ST13에서는, 고주파 바이어스의 전력이 100 W∼300 W의 전력으로 설정된다. 또, 일례의 제3 서브시퀀스에서는, 공정 ST11의 실행 시간 길이는 2초∼10초의 범위의 시간 길이에서 선택되고, 공정 ST12의 실행 시간 길이는 2초∼10초의 범위의 시간 길이에서 선택되고, 공정 ST13의 실행 시간 길이는 5초∼15초의 범위의 시간 길이에서 선택된다. 이와 같이, 제3 서브시퀀스의 공정 ST13에서는 비교적 큰 전력의 고주파 바이어스가 이용되기 때문에, 웨이퍼(W)에 끌어 당겨지는 이온의 에너지가 높아진다. 그 결과, 하부 개구(LO)가 깊더라도, 그 하부 개구(LO)의 심부까지 이온을 공급하는 것이 가능해진다.
이하, 다른 실시형태에 따른 에칭 방법에 관해 설명한다. 도 18은, 다른 실시형태에 따른 에칭 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 18에 나타내는 방법 MT2는, 공정 ST13의 실행후에 실행되는 공정 ST14를 시퀀스 SQ1이 더 포함하는 점에서 방법 MT와 상이하다. 또, 방법 MT2가 플라즈마 처리 장치(10)를 이용하여 실행되는 경우에는, 그 방법 MT2의 각 공정에서의 플라즈마 처리 장치(10)의 각 부의 동작은 제어부(Cnt)에 의해 제어될 수 있다.
방법 MT2의 공정 ST14는 공정 ST12와 동일한 공정이다. 공정 ST14의 처리에서의 조건에는, 공정 ST12의 처리에 관해 전술한 조건이 채용될 수 있다. 전술한 바와 같이, 공정 ST13에서는 웨이퍼(W)에 대하여 이온이 인입된다. 이에 따라, 퇴적물(DP)을 구성하는 물질이 웨이퍼(W)로부터 방출되고, 그 물질이 웨이퍼(W)에 다시 부착된다. 웨이퍼(W)에 재부착된 물질은 퇴적물(DP)을 구성하고, 개구(MO) 및 하부 개구(LO)의 폭을 좁히는 경우가 있고, 경우에 따라서는, 개구(MO) 및 하부 개구(LO)를 폐색시키는 경우가 있다. 방법 MT2에서는, 공정 ST14의 실행에 의해, 도 10 및 도 13에 나타낸 웨이퍼(W)가 산소의 활성종에 노출된다. 이에 따라, 개구(MO) 및 하부 개구(LO)의 폭을 좁히는 퇴적물(DP)을 감소시킬 수 있다. 그 결과, 개구(MO) 및 하부 개구(LO)의 폐색을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
이하, 또 다른 실시형태에 따른 에칭 방법에 관해 설명한다. 도 19는, 또 다른 실시형태에 따른 에칭 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 19에 나타내는 방법 MT3은, 공정 ST5를 더 포함하는 점에 있어서 방법 MT 및 방법 MT2와는 상이하다. 또, 방법 MT3이 플라즈마 처리 장치(10)를 이용하여 실행되는 경우에는, 그 방법 MT3의 각 공정에서의 플라즈마 처리 장치(10)의 각 부의 동작은 제어부(Cnt)에 의해 제어될 수 있다.
방법 MT3에서는, 시퀀스 SQ1은 제2 영역(R2)이 노출될 때를 포함하는 기간에 있어서 실행된다. 즉, 제2 영역(R2)이 노출될 때에 있어서 그 제2 영역(R2) 상에 퇴적물을 형성하여 그 제2 영역(R2)을 충분히 보호하도록, 시퀀스 SQ1이 실행된다. 그리고, 시퀀스 SQ1의 실행후에, 오목부의 바닥까지 제1 영역(R1)을 에칭하기 위해 공정 ST5가 실행된다. 그 후에, 시퀀스 SQ2가 실행된다. 즉, 공정 ST5는, 시퀀스 SQ1의 1회 이상의 실행과 시퀀스 SQ2의 1회 이상의 실행의 사이에 실행된다.
공정 ST5에서는, 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 중 선택된 가스 소스로부터 처리 용기(12) 내에 처리 가스(제2 처리 가스)가 공급된다. 이 처리 가스는 플루오로카본 가스를 포함한다. 또한, 이 처리 가스는 희가스, 예컨대 Ar 가스를 더 포함할 수 있다. 또한, 이 처리 가스는 산소 가스를 더 포함할 수 있다. 또한, 공정 ST5에서는, 배기 장치(50)가 작동되고, 처리 용기(12) 내의 압력이 소정의 압력으로 설정된다. 또한, 공정 ST5에서는, 제1 고주파 전원(62)으로부터의 고주파가 하부 전극(LE)에 공급된다. 또한, 제2 고주파 전원(64)으로부터의 고주파 바이어스가 하부 전극(LE)에 대하여 공급된다.
공정 ST5에서는, 처리 가스의 플라즈마가 생성되고, 오목부 내의 제1 영역(R1)이 플루오로카본 및/또는 불소의 활성종에 의해 에칭된다. 이 공정 ST5에 있어서는, 에칭 모드가 되는 조건이 선택된다. 이 때문에, 일례에서는, 공정 ST5에 있어서 이용되는 플루오로카본 가스는 C4F6 가스이다. 또, 공정 ST5에 있어서 이용되는 플루오로카본 가스는, C4F8 가스 및 CF4 가스 중 1종 이상을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 일례에서는, 플루오로카본 가스의 해리도를 높이기 위해, 공정 ST5에 있어서 이용되는 플라즈마 생성용의 고주파의 전력은, 공정 ST11에 있어서 이용되는 플라즈마 생성용의 고주파의 전력보다 큰 전력으로 설정될 수 있다. 또한, 일례에서는, 공정 ST5에 있어서 이용되는 고주파 바이어스의 전력도, 공정 ST11의 고주파 바이어스의 전력보다 큰 전력으로 설정될 수 있다. 이 예에 의하면, 웨이퍼(W)에 대하여 인입되는 이온의 에너지가 높아지고, 제1 영역(R1)을 고속으로 에칭하는 것이 가능해진다.
이하에, 공정 ST5에서의 각종 조건을 예시한다.
ㆍ처리 용기 내 압력 : 10 mTorr(1.33 Pa)∼50 mTorr(6.65 Pa)
ㆍ처리 가스
C4F6 가스 : 2 sccm∼10 sccm
Ar 가스 : 500 sccm∼2000 sccm
O2 가스 : 2 sccm∼20 sccm
ㆍ플라즈마 생성용의 고주파 전력 : 100 W∼500 W
ㆍ고주파 바이어스전력 : 20 W∼300 W
ㆍ전원(70)의 전압 : 0 V∼900 V
방법 MT3에서는, 시퀀스 SQ1의 실행에 의해 형성된 퇴적물(DP)에 의해 제2 영역(R2)이 보호된 상태로 공정 ST5가 실행된다. 공정 ST5에서는, 플루오로카본 가스의 플라즈마에 의해 제1 영역이 더 에칭된다. 이 공정 ST5에서의 제1 영역(R1)의 에칭률은, 시퀀스 SQ1에서의 제1 영역(R1)의 에칭의 레이트보다 높다. 따라서, 방법 MT3에 의하면, 보다 단축된 시간으로 제1 영역(R1)을 오목부의 바닥까지 에칭할 수 있다. 또한, 방법 MT3에 의하면, 공정 ST5의 실행후에 잔사(RS)를 감소시키는 것이 가능해진다.
이상, 여러가지 실시형태에 관해 설명해 왔지만, 전술한 실시형태에 한정되지 않고 여러가지 변형 양태를 구성 가능하다. 예컨대, 방법 MT, 방법 MT2 및 방법 MT3의 각 공정에서는, 플라즈마 생성용의 고주파는 하부 전극(LE)이 아니라 상부 전극(30)에 공급되어도 좋다. 또한, 방법 MT, 방법 MT2 및 방법 MT3의 실시에는, 플라즈마 처리 장치(10) 이외의 플라즈마 처리 장치를 이용할 수 있다. 예컨대, 방법 MT, 방법 MT2 및 방법 MT3의 실시에, 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치, 또는, 마이크로파와 같은 표면파에 의해 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치와 같이, 임의의 플라즈마 처리 장치를 이용하는 것이 가능하다.
또한, 시퀀스 SQ1에서의 공정 ST11, 공정 ST12 및 공정 ST13의 실행 순서가 변경되어도 좋다. 예컨대, 시퀀스 SQ1에 있어서, 공정 ST13의 실행후에 공정 ST12가 실행되어도 좋다.
또한, 방법 MT, 방법 MT2 및 방법 MT3으로부터 공정 ST3이 생략되어도 좋다. 이 경우에는, 상부 개구(UO)의 형성을 위해 공정 ST3 대신에 시퀀스 SQ1을 실행하는 것이 가능하다.
이하, 방법 MT의 평가를 위해 행한 실험예 1∼3에 관해 설명하지만, 본 발명은 이들 실험예에 한정되는 것은 아니다.
실험예 1∼3에서는, 도 20의 (a)에 나타내는 웨이퍼(WE)를 준비했다. 웨이퍼(WE)는, 기판(SB) 상에 실리콘산화막(OX)을 가지며, 그 실리콘산화막(OX) 상에 마스크(MKE)를 갖는 것이었다. 실리콘산화막(OX)의 막두께는 2 ㎛이고, 마스크(MKE)의 개구의 폭은 19 nm였다. 실험예 1∼3에서는, 플라즈마 처리 장치(10)를 이용하여, 웨이퍼(WE)에 대하여 시퀀스 SQ1을 12회 실행하고, 이어서 시퀀스 SQ2를 실행했다. 실험예 1∼3의 시퀀스 SQ2의 실행 횟수는 각각 6회, 12회, 18회였다. 또한, 비교 실험예에 있어서, 웨이퍼(WE)를 준비하고, 플라즈마 처리 장치(10)를 이용하여, 그 웨이퍼(WE)에 대하여 시퀀스 SQ1을 12회 실행했다. 비교 실험예에서는 시퀀스 SQ2는 실행하지 않았다.
실험예 1∼3 및 비교 실험예에서의 시퀀스 SQ1의 조건을 나타낸다.
<공정 ST11>
처리 용기(12) 내의 공간의 압력 : 20 mTorr(2.66 Pa)
C4F6 가스 유량 : 4 sccm
Ar 가스 유량 : 750 sccm
플라즈마 생성용의 고주파 : 40 MHz, 300 W
고주파 바이어스 : 13 MHz, 50 W
처리 시간 : 10초
<공정 ST12>
처리 용기(12) 내의 공간의 압력 : 80 mTorr(10.6 Pa)
Ar 가스 유량 : 100 sccm
O2 가스 유량 : 3 sccm
플라즈마 생성용의 고주파 : 40 MHz, 50 W
고주파 바이어스 : 13 MHz, 0 W
처리 시간 : 4초
<공정 ST13>
처리 용기(12) 내의 공간의 압력 : 20 mTorr(2.66 Pa)
Ar 가스 유량 : 950 sccm
플라즈마 생성용의 고주파 : 40 MHz, 500 W
고주파 바이어스 : 13 MHz, 50 W
처리 시간 : 4초
실험예 1∼3의 시퀀스 SQ2의 조건을 나타낸다.
<공정 ST21>
처리 용기(12) 내의 공간의 압력 : 20 mTorr(2.66 Pa)
C4F6 가스 유량 : 4 sccm
Ar 가스 유량 : 750 sccm
플라즈마 생성용의 고주파 : 40 MHz, 500 W
고주파 바이어스 : 13 MHz, 0 W
처리 시간 : 10초
<공정 ST22>
처리 용기(12) 내의 공간의 압력 : 80 mTorr(10.6 Pa)
Ar 가스 유량 : 100 sccm
O2 가스 유량 : 3 sccm
플라즈마 생성용의 고주파 : 40 MHz, 50 W
고주파 바이어스 : 13 MHz, 0 W
처리 시간 : 4초
실험예 1∼3 및 비교 실험예에서는, 전술한 조건에서의 처리에 의해 실리콘산화막(OX)을 에칭한 후에 애싱 처리를 행했다. 그리고, 실험예 1∼3 및 비교 실험예에서는, 도 20의 (b)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(WE)의 실리콘산화막(OX)에 형성된 개구의 상단의 폭 UW 및 그 개구의 바닥부의 폭 BW를, 그 웨이퍼(WE)의 SEM 화상으로부터 측정했다. 그 결과, 실험예 1에서는, 폭 UW는 21.6 nm, 폭 BW는 12.7 nm였다. 실험예 2에서는, 폭 UW는 22.2 nm, 폭 BW는 15.9 nm였다. 실험예 3에서는, 폭 UW는 23.5 nm, 폭 BW는 19.7 nm였다. 또한, 비교 실험예에서는, 폭 UW는 21.0 nm, 폭 BW는 6.4 nm였다. 따라서, 실험예 1∼3에서는, 비교 실험예에 비하여, 개구의 바닥부의 폭을 넓히는 것이 가능한 것이 확인되었다.
10 : 플라즈마 처리 장치, 12 : 처리 용기, 30 : 상부 전극, PD : 배치대, LE : 하부 전극, ESC : 정전척, FR : 포커스링, 40 : 가스 소스군, 50 : 배기 장치, 62 : 제1 고주파 전원, 64 : 제2 고주파 전원, Cnt : 제어부, W : 웨이퍼, R1 : 제1 영역, R2 : 제2 영역, MK : 마스크, DP : 퇴적물, RS : 잔사.

Claims (10)

  1. 산화실리콘으로 구성된 제1 영역을 질화실리콘으로 구성된 제2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 방법으로서,
    상기 제2 영역은 오목부를 구획하고, 상기 제1 영역은 상기 오목부를 매립하고 또한 상기 제2 영역을 덮고, 상기 제1 영역 위에는 마스크가 설치되어 있고,
    상기 방법은,
    상기 제1 영역을 에칭하여 상기 제2 영역이 노출되도록 하기 위해, 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정과,
    상기 제1 영역을 더 에칭하기 위해, 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정
    을 포함하고,
    상기 제1 시퀀스가,
    플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 있어서 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제1 공정이며, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역을 포함하는 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제1 공정과,
    상기 퇴적물에 포함되는 플루오로카본의 라디칼에 의해 상기 제1 영역을 에칭하는 제2 공정
    을 포함하고,
    상기 제1 공정에서 상기 제2 영역 상에 형성되는 상기 퇴적물은 상기 제2 공정에서 상기 제2 영역을 보호하는 보호층으로서 기능하고,
    상기 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정은, 상기 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정에 의해 처리된 상기 피처리체에 대하여 실행되고,
    상기 제2 시퀀스는,
    상기 처리 용기 내에 있어서, 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제3 공정이며, 상기 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제3 공정과,
    상기 처리 용기 내에 있어서 산소 가스 및 불활성 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제4 공정
    을 포함하고,
    상기 제4 공정에서는, 상기 오목부를 구획하는 상기 제2 영역의 측벽면을 따라 형성된 상기 퇴적물을 상기 산소 가스의 플라즈마에 의해 감소시키고, 상기 오목부 내에 남겨진 상기 제1 영역의 잔사를 감소시키도록, 상기 불활성 가스의 플라즈마로부터의 활성종이 상기 잔사와 상기 제3 공정에서 형성된 상기 퇴적물을 반응시키는
    제1 영역을 선택적으로 에칭하는 방법.
  2. 산화실리콘으로 구성된 제1 영역을 질화실리콘으로 구성된 제2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 방법으로서,
    상기 제2 영역은 오목부를 구획하고, 상기 제1 영역은 상기 오목부를 매립하고 또한 상기 제2 영역을 덮고, 상기 제1 영역 위에는 마스크가 설치되어 있고,
    상기 방법은,
    상기 제1 영역을 에칭하여 상기 제2 영역이 노출되도록 하기 위해, 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정과,
    상기 제1 영역을 더 에칭하기 위해, 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정
    을 포함하고,
    상기 제1 시퀀스가,
    플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 있어서 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제1 공정이며, 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제1 공정과,
    상기 퇴적물에 포함되는 플루오로카본의 라디칼에 의해 상기 제1 영역을 에칭하는 제2 공정
    을 포함하고,
    상기 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정은, 상기 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정에 의해 처리된 상기 피처리체에 대하여 실행되고,
    상기 제2 시퀀스는,
    상기 처리 용기 내에 있어서, 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제3 공정이며, 상기 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제3 공정과,
    상기 처리 용기 내에 있어서 산소 가스 및 불활성 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제4 공정
    을 포함하고,
    상기 제3 공정에 있어서 상기 플라즈마의 생성을 위해 사용되는 고주파의 전력이, 상기 제1 공정에 있어서 상기 플라즈마의 생성을 위해 사용되는 고주파의 전력보다 큰 것인
    제1 영역을 선택적으로 에칭하는 방법.
  3. 산화실리콘으로 구성된 제1 영역을 질화실리콘으로 구성된 제2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 방법으로서,
    상기 제2 영역은 오목부를 구획하고, 상기 제1 영역은 상기 오목부를 매립하고 또한 상기 제2 영역을 덮고, 상기 제1 영역 위에는 마스크가 설치되어 있고,
    상기 방법은,
    상기 제1 영역을 에칭하여 상기 제2 영역이 노출되도록 하기 위해, 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정과,
    상기 제1 영역을 더 에칭하기 위해, 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정
    을 포함하고,
    상기 제1 시퀀스가,
    플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 있어서 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제1 공정이며, 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제1 공정과,
    상기 퇴적물에 포함되는 플루오로카본의 라디칼에 의해 상기 제1 영역을 에칭하는 제2 공정
    을 포함하고,
    상기 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정은, 상기 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정에 의해 처리된 상기 피처리체에 대하여 실행되고,
    상기 제2 시퀀스는,
    상기 처리 용기 내에 있어서, 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제3 공정이며, 상기 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제3 공정과,
    상기 처리 용기 내에 있어서 산소 가스 및 불활성 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제4 공정
    을 포함하고,
    상기 처리 용기에 있어서 상기 피처리체는 배치대 상에 배치되고,
    상기 제4 공정에 있어서 설정되는 상기 처리 용기 내의 공간의 압력은, 상기 제1 공정에 있어서 설정되는 상기 처리 용기 내의 공간의 압력보다 높고,
    상기 제4 공정에 있어서 상기 배치대에 공급되는 고주파 바이어스의 전력이, 상기 제1 공정에 있어서 상기 배치대에 공급되는 고주파 바이어스의 전력보다 작은 것인
    제1 영역을 선택적으로 에칭하는 방법.
  4. 산화실리콘으로 구성된 제1 영역을 질화실리콘으로 구성된 제2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 방법으로서,
    상기 제2 영역은 오목부를 구획하고, 상기 제1 영역은 상기 오목부를 매립하고 또한 상기 제2 영역을 덮고, 상기 제1 영역 위에는 마스크가 설치되어 있고,
    상기 방법은,
    상기 제1 영역을 에칭하여 상기 제2 영역이 노출되도록 하기 위해, 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정과,
    상기 제1 영역을 더 에칭하기 위해, 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정
    을 포함하고,
    상기 제1 시퀀스가,
    플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 있어서 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제1 공정이며, 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제1 공정과,
    상기 퇴적물에 포함되는 플루오로카본의 라디칼에 의해 상기 제1 영역을 에칭하는 제2 공정
    을 포함하고,
    상기 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정은, 상기 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정에 의해 처리된 상기 피처리체에 대하여 실행되고,
    상기 제2 시퀀스는,
    상기 처리 용기 내에 있어서, 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제3 공정이며, 상기 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제3 공정과,
    상기 처리 용기 내에 있어서 산소 가스 및 불활성 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제4 공정
    을 포함하고,
    상기 제1 시퀀스는, 상기 처리 용기 내에 있어서 산소 가스 및 불활성 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 공정을 더 포함하는 것인
    제1 영역을 선택적으로 에칭하는 방법.
  5. 산화실리콘으로 구성된 제1 영역을 질화실리콘으로 구성된 제2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 방법으로서,
    상기 제2 영역은 오목부를 구획하고, 상기 제1 영역은 상기 오목부를 매립하고 또한 상기 제2 영역을 덮고, 상기 제1 영역 위에는 마스크가 설치되어 있고,
    상기 방법은,
    상기 제1 영역을 에칭하여 상기 제2 영역이 노출되도록 하기 위해, 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정과,
    상기 제1 영역을 더 에칭하기 위해, 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정
    을 포함하고,
    상기 제1 시퀀스가,
    플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 있어서 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제1 공정이며, 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제1 공정과,
    상기 퇴적물에 포함되는 플루오로카본의 라디칼에 의해 상기 제1 영역을 에칭하는 제2 공정
    을 포함하고,
    상기 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정은, 상기 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정에 의해 처리된 상기 피처리체에 대하여 실행되고,
    상기 제2 시퀀스는,
    상기 처리 용기 내에 있어서, 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제3 공정이며, 상기 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제3 공정과,
    상기 처리 용기 내에 있어서 산소 가스 및 불활성 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제4 공정
    을 포함하고,
    상기 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정은, 상기 제2 영역이 노출될 때를 포함하는 기간에 있어서 실행되고,
    상기 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정과 상기 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정의 사이에 있어서, 상기 처리 용기 내에 있어서 생성한 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마에 의해 상기 제1 영역을 상기 오목부의 바닥까지 에칭하는 공정을 더 포함하는
    제1 영역을 선택적으로 에칭하는 방법.
  6. 산화실리콘으로 구성된 제1 영역을 질화실리콘으로 구성된 제2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 방법으로서,
    상기 제2 영역은 오목부를 구획하고, 상기 제1 영역은 상기 오목부를 매립하고 또한 상기 제2 영역을 덮고, 상기 제1 영역 위에는 마스크가 설치되어 있고,
    상기 방법은,
    상기 제1 영역을 에칭하여 상기 제2 영역이 노출되도록 하기 위해, 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정과,
    상기 제1 영역을 더 에칭하기 위해, 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정
    을 포함하고,
    상기 제1 시퀀스가,
    플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 있어서 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제1 공정이며, 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제1 공정과,
    상기 퇴적물에 포함되는 플루오로카본의 라디칼에 의해 상기 제1 영역을 에칭하는 제2 공정
    을 포함하고,
    상기 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정은, 상기 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정에 의해 처리된 상기 피처리체에 대하여 실행되고,
    상기 제2 시퀀스는,
    상기 처리 용기 내에 있어서, 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제3 공정이며, 상기 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제3 공정과,
    상기 처리 용기 내에 있어서 산소 가스 및 불활성 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제4 공정을 포함하고,
    상기 제2 영역이 노출되기 직전까지 상기 제1 영역의 일부를 에칭하기 위해, 상기 플라즈마 처리 장치의 상기 처리 용기 내에 있어서 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 공정을 더 포함하는
    제1 영역을 선택적으로 에칭하는 방법.
  7. 산화실리콘으로 구성된 제1 영역을 질화실리콘으로 구성된 제2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 방법으로서,
    상기 제2 영역은 오목부를 구획하고, 상기 제1 영역은 상기 오목부를 매립하고 또한 상기 제2 영역을 덮고, 상기 제1 영역 위에는 마스크가 설치되어 있고,
    상기 방법은,
    상기 제1 영역을 에칭하여 상기 제2 영역이 노출되도록 하기 위해, 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정과,
    상기 제1 영역을 더 에칭하기 위해, 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정
    을 포함하고,
    상기 제1 시퀀스가,
    플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 있어서 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제1 공정이며, 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제1 공정과,
    상기 퇴적물에 포함되는 플루오로카본의 라디칼에 의해 상기 제1 영역을 에칭하는 제2 공정
    을 포함하고,
    상기 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정은, 상기 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정에 의해 처리된 상기 피처리체에 대하여 실행되고,
    상기 제2 시퀀스는,
    상기 처리 용기 내에 있어서, 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제3 공정이며, 상기 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제3 공정과,
    상기 처리 용기 내에 있어서 산소 가스 및 불활성 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제4 공정
    을 포함하고,
    상기 제2 공정에서, 불활성 가스의 플라즈마가 생성되고, 고주파 바이어스의 전력이 상기 피처리체가 배치되는 배치대에 공급되는 것인
    제1 영역을 선택적으로 에칭하는 방법.
  8. 산화실리콘으로 구성된 제1 영역을 질화실리콘으로 구성된 제2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 방법으로서,
    상기 제2 영역은 오목부를 구획하고, 상기 제1 영역은 상기 오목부를 매립하고 또한 상기 제2 영역을 덮고, 상기 제1 영역 위에는 마스크가 설치되어 있고,
    상기 방법은,
    상기 제1 영역을 에칭하여 상기 제2 영역이 노출되도록 하기 위해, 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정과,
    상기 제1 영역을 더 에칭하기 위해, 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정
    을 포함하고,
    상기 제1 시퀀스가,
    플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 있어서 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제1 공정이며, 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제1 공정과,
    상기 퇴적물에 포함되는 플루오로카본의 라디칼에 의해 상기 제1 영역을 에칭하는 제2 공정
    을 포함하고,
    상기 제2 시퀀스를 1회 이상 실행하는 공정은, 상기 제1 시퀀스를 복수회 실행하는 공정에 의해 처리된 상기 피처리체에 대하여 실행되고,
    상기 제2 시퀀스는,
    상기 처리 용기 내에 있어서, 플루오로카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제3 공정이며, 상기 피처리체 상에 플루오로카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는 상기 제3 공정과,
    상기 처리 용기 내에 있어서 산소 가스 및 불활성 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제4 공정
    을 포함하고,
    복수회 실행되는 상기 제1 시퀀스는,
    상기 제2 영역이 노출될 때까지 상기 제1 시퀀스를 적어도 1회 이상 실행하는 제1 서브시퀀스와,
    상기 제1 서브시퀀스 이후에, 상기 제1 시퀀스를 적어도 1회 이상 실행하는 제2 서브시퀀스를 포함하는 것인
    제1 영역을 선택적으로 에칭하는 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 서브시퀀스에서 제1 시퀀스를 1회 실행하는 시간은 상기 제2 서브시퀀스에서 제1 시퀀스를 1회 실행하는 시간보다 짧은 것인 제1 영역을 선택적으로 에칭하는 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    복수회 실행되는 상기 제1 시퀀스는 상기 제2 서브시퀀스 이후에 상기 제1 시퀀스를 적어도 1회 이상 실행하는 제3 서브시퀀스를 포함하고,
    상기 제1 서브시퀀스, 상기 제2 서브시퀀스 및 상기 제3 서브시퀀스 각각의 상기 제2 공정에서, 불활성 가스의 플라즈마가 생성되고, 고주파 바이어스의 전력이 상기 피처리체가 배치되는 배치대에 공급되고,
    상기 제3 서브시퀀스의 상기 제2 공정에서 공급되는 고주파 바이어스의 전력은 상기 제1 서브시퀀스 및 상기 제2 서브시퀀스의 상기 제2 공정에서 공급되는 고주파 바이어스의 전력보다 큰 것인 제1 영역을 선택적으로 에칭하는 방법.
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