JP5774356B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
102 マイクロ波発生器
103 整合器
104 導波管
105 マイクロ波回転発生器
106 マイクロ波導入窓
107 ガス導入手段
108 透過窓
109 ソレノイドコイル
110 試料台
111 被処理基板
112 高周波電源
113 静電吸着電源
114 冷却ガス供給口
115 チラーユニット
116 排気ポンプ
201 マスク材
202 被処理基板
203 トレンチ開口部
Claims (1)
- マイクロ波と磁場による電子サイクロトロン共鳴により生成されたプラズマを用いてシリコン基板またはSOI基板にシリコントレンチを形成するプラズマエッチング方法において、
前記マイクロ波の偏波面を回転させ、かつ、SF 6 ガスとSiF 4 ガスと酸素ガスの混合ガスを用い、さらに前記シリコン基板または前記SOI基板を載置する試料台に間欠的に時間変調された高周波電力を供給するとともに処理圧力を5ないし60Paの範囲の圧力とし、前記マイクロ波の電力を1000ないし5000Wの範囲の電力として前記シリコントレンチを形成し、
前記形成されるシリコントレンチの深さが深くなるに従って前記時間変調のデューティー比を増加させることを特徴とするプラズマエッチング方法。
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