JP6579786B2 - プラズマエッチング方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態による代表的なプラズマエッチング方法は、SF6ガスとO2ガスとArガスの混合ガスを用いてプラズマを生成し、処理室内に設置する試料台の温度を40〜150℃に制御する。また、時間的に変調した間欠的な周波数1kHz〜2MHzで、デューティー比が20〜50%である高周波のバイアスを印加して、エッチング量が150〜250nmとする第1のエッチング工程と、SF6ガスとO2ガスとArガスなどの混合ガスを用いてプラズマを生成し、連続した高周波のバイアスを炭化シリコン基板に印加し、所望のエッチング量とする第2のエッチング工程とを順次実施する。
〈プラズマエッチング装置の構成例〉
図1は、本実施の形態1によるプラズマエッチング装置における構成の一例を示す説明図である。本実施の形態では、プラズマを形成する技術として、マイクロ波と磁界を利用したマイクロ波エッチング装置を示している。
まず、エッチングされる被処理基板110の構造について、図2を用いて説明する。
次に、ハードマスクの形成方法について説明する。ホトレジスト膜201をマスクに炭化シリコン基板203をエッチングすると、マスクとの選択比不足により所望の深さまでエッチングすることができない。よって、シリコン酸化膜202などのハードマスクを用いて炭化シリコン基板203をエッチングするのが一般的である。
続いて、炭化シリコン基板203に対して、2000nmを越える深いトレンチ形状を形成するエッチング方法について説明する。このエッチング処理において、炭化シリコン基板203のプラズマエッチングは、2段階にエッチング条件を変化させて行うことを特徴とする。
また、図8は本実施の形態1による第1のエッチング工程および第2のエッチング工程におけるエッチング条件の一例を示す説明図である。
本実施の形態2においては、前記実施の形態1の図1に示したプラズマエッチング装置を用いた他のエッチング方法について説明する。
最初に、被処理基板110の構造について説明する。被処理基板110は、前記実施の形態1の図2と同様であり、炭化シリコン基板203の上にシリコン酸化膜202と、リソグラフィー技術などによって予めパターンニングされたホトレジスト膜201とが形成されている。
続いて、炭化シリコン基板203に対して、2000nmを越える深いトレンチ形状を形成するエッチング方法について説明する。ここでも、前記実施の形態1と同様に、炭化シリコン基板203のプラズマエッチングは2段階にエッチング条件を変化させて行うことが特徴である。
図11は、本実施の形態2による第1のエッチング工程および第2のエッチング工程におけるエッチング条件の一例を示す説明図である。
102 マイクロ波発生器
103 整合器
104 導波管
105 マイクロ波導入窓
106 ガス導入部
107 透過窓
108 ソレノイドコイル
109 試料台
110 被処理基板
111 高周波電源
112 静電吸着電源
113 冷却ガス供給口
114 チラーユニット
115 排気ポンプ
201 ホトレジスト膜
202 シリコン酸化膜
203 炭化シリコン基板
204 マスク開口部
Claims (3)
- プラズマを用いて被処理基板をエッチングするプラズマエッチング方法において、
SF6ガスとO2ガスとArガスの混合ガスを用い、前記被処理基板が載置された試料台にパルス変調された高周波電力を供給しながら前記被処理基板をエッチングする第一の工程と、
前記第一の工程後、前記混合ガスを用い、前記試料台に連続的な高周波電力を供給しながら前記被処理基板をエッチングする第二の工程とを有し、
前記第一の工程のエッチング量は、150nm〜250nmの範囲内の深さとなるエッチング量であり、
前記混合ガスに対するO 2 ガスの流量比は、10%以下であり、
前記混合ガスに対するSF 6 ガスの流量比は、5%以下であり、
前記パルス変調のデューティー比は、20%〜50%の範囲内の値であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第二の工程のエッチング量は、2000nm以上の深さとなるエッチング量であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1または請求項2に記載のプラズマエッチング方法において、
前記被処理基板の材料は、炭化シリコンであることを特徴とするプラズマエッチング方法。
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