JPH10189551A - 半導体の製造のための高エネルギー電子を生成するためのヘリコン波励振 - Google Patents
半導体の製造のための高エネルギー電子を生成するためのヘリコン波励振Info
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- JPH10189551A JPH10189551A JP9287435A JP28743597A JPH10189551A JP H10189551 A JPH10189551 A JP H10189551A JP 9287435 A JP9287435 A JP 9287435A JP 28743597 A JP28743597 A JP 28743597A JP H10189551 A JPH10189551 A JP H10189551A
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁場の強さおよび（または）高周波出力を制
御してヘリコンプラズマ源内の高エネルギー電子の生成
を制御すること。 【解決手段】 非絶縁体表面上に形成された絶縁体をエ
ッチングするための処理であって、当該絶縁体の露出さ
れた表面に電荷を与える高エネルギー電子を発生する工
程と、当該絶縁体の電荷を与えられた露出された表面を
エッチングするイオンプラズマを形成する工程からなる
ことを特徴としている。
御してヘリコンプラズマ源内の高エネルギー電子の生成
を制御すること。 【解決手段】 非絶縁体表面上に形成された絶縁体をエ
ッチングするための処理であって、当該絶縁体の露出さ
れた表面に電荷を与える高エネルギー電子を発生する工
程と、当該絶縁体の電荷を与えられた露出された表面を
エッチングするイオンプラズマを形成する工程からなる
ことを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はヘリコンプラズマ源
の制御および適用における改良に関する。さらに詳しく
は、磁場の強さを変えてヘリコンプラズマ源内の高エネ
ルギー電子の生成の制御に関する。高エネルギー電子の
生成のこの制御は、半導体製造の次世代の酸化エッチン
グにおける不可欠な適用性を有している。
の制御および適用における改良に関する。さらに詳しく
は、磁場の強さを変えてヘリコンプラズマ源内の高エネ
ルギー電子の生成の制御に関する。高エネルギー電子の
生成のこの制御は、半導体製造の次世代の酸化エッチン
グにおける不可欠な適用性を有している。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】ヘリ
コンプラズマ源は、典型的にはフッ素、塩素または臭素
などの元素を含むアルゴンや反応性の化合物などのプラ
ズマガスを用いて動作される。多くの設計例があるが、
典型的なヘリコンプラズマ源が図１４に示されている。
しかしながら、この発明の適用はかかる特定の設計例に
限定されない。プラズマ管１２は、Ｐｙｒｅｘ（商品
名）や、他の絶縁材料から構成されうるが、励振（ｅｘ
ｃｉｔｅ）されるべきプラズマを保持し、一端には蓋が
設けられている。プレートは参照符号１６で示されるよ
うな電導体またはPyrexなどの絶縁体から構成されう
る。プラズマ管１２の他端においては、ドリフトチャン
バ（ｄｒｉｆｔ ｃｈａｍｂｅｒ）が取りつけられてお
り、ヘリコン２２波が広がるのを許している。一例とし
て、プラズマ管１２は０．１８メーターの内径と約０．
５メーターの長さとを有している。アンテナ１８は、こ
の例では、２重サドルコイル（ｄｏｕｂｌｅ−ｓａｄｄ
ｌｅ ｃｏｉｌ）を有しているが、管１２の外側に位置
づけられている。図示されていないが、マッチングネッ
トワーク（ｍａｔｃｈｉｎｇ ｎｅｔｗｏｒｋ）は、た
とえば１３．５６ＭＨｚの周波数で２ｋＷのｒｆ出力を
供給している。同軸の電磁巻線１４は１００ないし３０
０Ｇまで変動する磁場を生成する。約０．４Ｐａの中立
圧力になるシステムを貫いて連続的に流れる約３０ｓｃ
ｃｍのアルゴンによって生成される。高々−２００Ｖの
負のポテンシャルがヘリコン源の端壁に生じることが観
察される。ヘリコン波２２は、適切な強さの磁場内でプ
ラズマと相互作用するアンテナから高周波出力によって
生成される。プラズマ源のための実際的な使用は、非常
に複雑であること、電磁誘導的に連結されたプラズマ源
より有利な点が見出だされないこととによって限定され
る。
コンプラズマ源は、典型的にはフッ素、塩素または臭素
などの元素を含むアルゴンや反応性の化合物などのプラ
ズマガスを用いて動作される。多くの設計例があるが、
典型的なヘリコンプラズマ源が図１４に示されている。
しかしながら、この発明の適用はかかる特定の設計例に
限定されない。プラズマ管１２は、Ｐｙｒｅｘ（商品
名）や、他の絶縁材料から構成されうるが、励振（ｅｘ
ｃｉｔｅ）されるべきプラズマを保持し、一端には蓋が
設けられている。プレートは参照符号１６で示されるよ
うな電導体またはPyrexなどの絶縁体から構成されう
る。プラズマ管１２の他端においては、ドリフトチャン
バ（ｄｒｉｆｔ ｃｈａｍｂｅｒ）が取りつけられてお
り、ヘリコン２２波が広がるのを許している。一例とし
て、プラズマ管１２は０．１８メーターの内径と約０．
５メーターの長さとを有している。アンテナ１８は、こ
の例では、２重サドルコイル（ｄｏｕｂｌｅ−ｓａｄｄ
ｌｅ ｃｏｉｌ）を有しているが、管１２の外側に位置
づけられている。図示されていないが、マッチングネッ
トワーク（ｍａｔｃｈｉｎｇ ｎｅｔｗｏｒｋ）は、た
とえば１３．５６ＭＨｚの周波数で２ｋＷのｒｆ出力を
供給している。同軸の電磁巻線１４は１００ないし３０
０Ｇまで変動する磁場を生成する。約０．４Ｐａの中立
圧力になるシステムを貫いて連続的に流れる約３０ｓｃ
ｃｍのアルゴンによって生成される。高々−２００Ｖの
負のポテンシャルがヘリコン源の端壁に生じることが観
察される。ヘリコン波２２は、適切な強さの磁場内でプ
ラズマと相互作用するアンテナから高周波出力によって
生成される。プラズマ源のための実際的な使用は、非常
に複雑であること、電磁誘導的に連結されたプラズマ源
より有利な点が見出だされないこととによって限定され
る。
【０００３】半導体工業において、酸化エッチングは
０．３５μｍ未満のフィーチャーサイズ（ｆｅａｔｕｒ
ｅ ｓｉｚｅ）でエッチングする次世代にとって、現在
もっとも不満足な処理である。図１５を参照すると、エ
ッチング処理をする前の半導体３０が示されている。シ
リコン基板３２は、通常ドープされており、シリコン酸
化層３４と、エッチング処理のためのパターニングされ
たホトレジスト層３６とを有している。半導体は、フッ
素、塩素または臭素を含むエッチングガスにさらされ
る。
０．３５μｍ未満のフィーチャーサイズ（ｆｅａｔｕｒ
ｅ ｓｉｚｅ）でエッチングする次世代にとって、現在
もっとも不満足な処理である。図１５を参照すると、エ
ッチング処理をする前の半導体３０が示されている。シ
リコン基板３２は、通常ドープされており、シリコン酸
化層３４と、エッチング処理のためのパターニングされ
たホトレジスト層３６とを有している。半導体は、フッ
素、塩素または臭素を含むエッチングガスにさらされ
る。
【０００４】図１６に示されるように、エッチングされ
た半導体は、エッチング処理が完了したのち、いくつか
の欠点を有している。適切にエッチングされた部分（す
なわち、この部分はホトレジストによって被覆されてい
ないシリコン酸化物３４のすべてが除去された部分）４
０と較べて、部分４２には酸化物が残っている。したが
って、その後の工程で追加された金属層（図示されず）
は、ドープされたシリコン基板３２と接触しない。
た半導体は、エッチング処理が完了したのち、いくつか
の欠点を有している。適切にエッチングされた部分（す
なわち、この部分はホトレジストによって被覆されてい
ないシリコン酸化物３４のすべてが除去された部分）４
０と較べて、部分４２には酸化物が残っている。したが
って、その後の工程で追加された金属層（図示されず）
は、ドープされたシリコン基板３２と接触しない。
【０００５】図１６の部分４４は他の問題点を示してい
る。シリコン基板３２は完全に除去されている。適切な
エッチングにおいて製造業者は、エッチングガスの濃度
を注意深く制御し、その結果、酸化ケイ素層はシリコン
基板よりはるかに早い速度（おそらく１０倍）でエッチ
ングされる。しかしながら、基板には望まれないエッチ
ングがなお存在する。
る。シリコン基板３２は完全に除去されている。適切な
エッチングにおいて製造業者は、エッチングガスの濃度
を注意深く制御し、その結果、酸化ケイ素層はシリコン
基板よりはるかに早い速度（おそらく１０倍）でエッチ
ングされる。しかしながら、基板には望まれないエッチ
ングがなお存在する。
【０００６】図１６に示された他の問題は酸化ケイ素層
の壁の侵食（ｅｒｏｄｉｎｇ）であり、部分４６に示さ
れるようにホトレジスト層のアンダーカットが起こる。
このアンダーカットは、異なる回路およびその部品との
接続（ｃｌｏｓｅｎｅｓｓ）を制限する。
の壁の侵食（ｅｒｏｄｉｎｇ）であり、部分４６に示さ
れるようにホトレジスト層のアンダーカットが起こる。
このアンダーカットは、異なる回路およびその部品との
接続（ｃｌｏｓｅｎｅｓｓ）を制限する。
【０００７】これらの欠点のいずれかが起こると、欠点
のある半導体部は使用できない。ときどき半導体チップ
全体が除去される。これはたいへん経費がかかる。
のある半導体部は使用できない。ときどき半導体チップ
全体が除去される。これはたいへん経費がかかる。
【０００８】そのうえさらに、集積回路の酸化物層のエ
ッチングは、層間の電気的接続を形成する必要性のゆえ
に多層集積回路を製造するために必要な工程である。酸
化エッチングはコンタクト／ビアエッチング（ｃｏｎｔ
ａｃｔ／ｖｉａ ｅｔｃｈｉｎｇ）と呼ばれている。な
ぜなら、その目的が集積回路の多層間で電気的に接続さ
せることであるからである。調査した結果、シリコンお
よび金属のエッチングは、０．１８ないし０．３５μｍ
の範囲のフィーチャーサイズで行なわれる。しかしなが
ら、酸化ケイ素のエッチングは満足されない状態で続け
られる。それは、コンタクトホールおよびビアのエッチ
ング深さの選択性の弱さと難しさとによる。結論的に
は、多層集積回路は、コンピュータのチップなどの高性
能の適用における標準的なものであるが、酸化ケイ素の
エッチング処理により限定される。なぜなら、酸化ケイ
素のエッチングの問題点が０．３５μｍ未満のフィーチ
ャーサイズで存在するからである。
ッチングは、層間の電気的接続を形成する必要性のゆえ
に多層集積回路を製造するために必要な工程である。酸
化エッチングはコンタクト／ビアエッチング（ｃｏｎｔ
ａｃｔ／ｖｉａ ｅｔｃｈｉｎｇ）と呼ばれている。な
ぜなら、その目的が集積回路の多層間で電気的に接続さ
せることであるからである。調査した結果、シリコンお
よび金属のエッチングは、０．１８ないし０．３５μｍ
の範囲のフィーチャーサイズで行なわれる。しかしなが
ら、酸化ケイ素のエッチングは満足されない状態で続け
られる。それは、コンタクトホールおよびビアのエッチ
ング深さの選択性の弱さと難しさとによる。結論的に
は、多層集積回路は、コンピュータのチップなどの高性
能の適用における標準的なものであるが、酸化ケイ素の
エッチング処理により限定される。なぜなら、酸化ケイ
素のエッチングの問題点が０．３５μｍ未満のフィーチ
ャーサイズで存在するからである。
【０００９】本発明の目的は磁場の強さおよび（また
は）高周波出力を制御してヘリコンプラズマ源内の高エ
ネルギー電子の生成を制御することである。
は）高周波出力を制御してヘリコンプラズマ源内の高エ
ネルギー電子の生成を制御することである。
【００１０】本発明の他の目的は０．１８ないし０．３
５μｍまたはそれ以下の範囲における小さいフィーチャ
ーサイズを有する半導体工業において酸化エッチングを
行なうことである。シリコンまたは金属に対する酸化物
のより選択的なエッチングが実施されうる。なぜなら、
高エネルギー電子が酸化物の表面を負に帯電し、酸化ケ
イ素上に入射するとき、エッチング剤として機能する正
のイオンを高いエネルギーおよび有効性を有するように
加速するからである。これが酸化物領域でエッチング速
度を選択的に増大させ、非酸化物領域でエッチング速度
を減少させるからである。
５μｍまたはそれ以下の範囲における小さいフィーチャ
ーサイズを有する半導体工業において酸化エッチングを
行なうことである。シリコンまたは金属に対する酸化物
のより選択的なエッチングが実施されうる。なぜなら、
高エネルギー電子が酸化物の表面を負に帯電し、酸化ケ
イ素上に入射するとき、エッチング剤として機能する正
のイオンを高いエネルギーおよび有効性を有するように
加速するからである。これが酸化物領域でエッチング速
度を選択的に増大させ、非酸化物領域でエッチング速度
を減少させるからである。
【００１１】本発明のさらに他の目的は、本発明の酸化
ケイ素エッチング処理方法を用いて多層半導体を製造す
ることである。そのうえさらに、同じツールによる多数
の処理を行ないうる可能性は、ウエハがツール間で移動
されなければならない回数を減少させることによって生
産性を増加させる。したがって、ヘリコンプラズマ源
は、半導体工業が現在有している製造の問題のいくつか
を解決するために用いられる。
ケイ素エッチング処理方法を用いて多層半導体を製造す
ることである。そのうえさらに、同じツールによる多数
の処理を行ないうる可能性は、ウエハがツール間で移動
されなければならない回数を減少させることによって生
産性を増加させる。したがって、ヘリコンプラズマ源
は、半導体工業が現在有している製造の問題のいくつか
を解決するために用いられる。
【００１２】本発明のさらに他の目的は、よりよく制御
され、選択性の高い薄膜装置のエッチングを行なうこと
である。高エネルギー電子の生成を制御して、製造業者
は薄膜層上の酸化物などの絶縁体のエッチングを正確に
制御できる。この技術はフラットパネルディスプレーの
技術に有用である。
され、選択性の高い薄膜装置のエッチングを行なうこと
である。高エネルギー電子の生成を制御して、製造業者
は薄膜層上の酸化物などの絶縁体のエッチングを正確に
制御できる。この技術はフラットパネルディスプレーの
技術に有用である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の一態様であるエ
ッチング処理方法は、非絶縁体表面上に形成された絶縁
体をエッチングするための処理方法であって、当該絶縁
体の露出表面に電荷を付与する高エネルギー電子を発生
する工程と、当該絶縁体の電荷が付与された露出された
表面をエッチングするイオンプラズマを形成する工程か
らなることを特徴としている。
ッチング処理方法は、非絶縁体表面上に形成された絶縁
体をエッチングするための処理方法であって、当該絶縁
体の露出表面に電荷を付与する高エネルギー電子を発生
する工程と、当該絶縁体の電荷が付与された露出された
表面をエッチングするイオンプラズマを形成する工程か
らなることを特徴としている。
【００１４】本発明の他の態様である薄膜装置は、高エ
ネルギー電子を用いて部分的に製造される薄膜装置であ
り、該薄膜装置の製造中に、絶縁体層のエッチング処理
を要するものであって、当該エッチング処理が絶縁体層
の露出された表面に荷電する高エネルギー電子を発生す
る工程と、該絶縁体の露出された、荷電された表面をエ
ッチングするイオンプラズマを形成する工程とからなる
ことを特徴としている。
ネルギー電子を用いて部分的に製造される薄膜装置であ
り、該薄膜装置の製造中に、絶縁体層のエッチング処理
を要するものであって、当該エッチング処理が絶縁体層
の露出された表面に荷電する高エネルギー電子を発生す
る工程と、該絶縁体の露出された、荷電された表面をエ
ッチングするイオンプラズマを形成する工程とからなる
ことを特徴としている。
【００１５】本発明のさらに他の態様であるヘリコンプ
ラズマ源は、ヘリコン波によって運搬される高エネルギ
ー電子流の生成のコントロールを備えたヘリコンプラズ
マ源であって、蓋をつけられた第１の端部を有するプラ
ズマ管と、該プラズマ管の外部を取り囲み、該プラズマ
管の第２の端部から発せられるプラズマ内でヘリコン波
を形成する、ｒｆ出力源によって駆動されるアンテナ
と、該アンテナおよびプラズマ管を取り囲み、プラズマ
内で磁場を生成する軸方向の電磁巻線と、ヘリコン波の
形成を制御し、ヘリコン波によって運搬される高エネル
ギー電子を高エネルギー電子流を制御するための手段と
からなることを特徴としている。
ラズマ源は、ヘリコン波によって運搬される高エネルギ
ー電子流の生成のコントロールを備えたヘリコンプラズ
マ源であって、蓋をつけられた第１の端部を有するプラ
ズマ管と、該プラズマ管の外部を取り囲み、該プラズマ
管の第２の端部から発せられるプラズマ内でヘリコン波
を形成する、ｒｆ出力源によって駆動されるアンテナ
と、該アンテナおよびプラズマ管を取り囲み、プラズマ
内で磁場を生成する軸方向の電磁巻線と、ヘリコン波の
形成を制御し、ヘリコン波によって運搬される高エネル
ギー電子を高エネルギー電子流を制御するための手段と
からなることを特徴としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】ここでは、とくに１つの例示的な
実施例について言及しながら本発明について詳細に説明
するが、本発明がこの実施例に限定されるものでない点
は理解すべきである。反対に本発明は、クレームが定義
しているとおりの本発明の精神および範囲内にあるすべ
ての改良、代替物および均等物を包含することを意図し
ている。とくに、本発明は高エネルギー電子の生成の制
御が効果をそうするような状況に適用が可能である。さ
らに、酸化物のエッチング段階における半導体の製造
が、高エネルギー電子の数量および速度を制御すること
により、増大する。薄膜装置上のあらゆる絶縁体のエッ
チングに対して、本発明は利益を与えうる。
実施例について言及しながら本発明について詳細に説明
するが、本発明がこの実施例に限定されるものでない点
は理解すべきである。反対に本発明は、クレームが定義
しているとおりの本発明の精神および範囲内にあるすべ
ての改良、代替物および均等物を包含することを意図し
ている。とくに、本発明は高エネルギー電子の生成の制
御が効果をそうするような状況に適用が可能である。さ
らに、酸化物のエッチング段階における半導体の製造
が、高エネルギー電子の数量および速度を制御すること
により、増大する。薄膜装置上のあらゆる絶縁体のエッ
チングに対して、本発明は利益を与えうる。
【００１７】実施の形態１について、図１を参照しなが
ら説明する。この図は、本発明によるヘリコンプラズマ
源５０を示している。構成要素の多くは、先に先行技術
に関して説明したものと同じである。エンドプレート１
６が付いた、プラズマ管１２として機能するパイレック
ス（Ｐｙｒｅｘ）管の周囲にはアンテナ１８を形成して
いる。プラズマ管１２内に磁場を形成するため、同軸電
磁巻線１４をプラズマ管１２の周囲に巻いている。
ら説明する。この図は、本発明によるヘリコンプラズマ
源５０を示している。構成要素の多くは、先に先行技術
に関して説明したものと同じである。エンドプレート１
６が付いた、プラズマ管１２として機能するパイレック
ス（Ｐｙｒｅｘ）管の周囲にはアンテナ１８を形成して
いる。プラズマ管１２内に磁場を形成するため、同軸電
磁巻線１４をプラズマ管１２の周囲に巻いている。
【００１８】先行技術の場合は、単に不変性の磁場をプ
ラズマチャンバに適用するだけで高振幅のヘリコン波を
管から放射させている。事実、一般に先行技術が形成す
る磁場の大きさは、１００〜１０００Ｇの範囲であっ
た。図２は、軸方向の磁場の力を変えることによって制
御される高エネルギー電子流（ｅｎｅｒｇｅｔｉｃ ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ ｃｕｒｒｅｎｔ）を示したグラフであ
る。磁場が１００Ｇ以上になると、高エネルギー電子流
の密度はほぼゼロになることがわかる。図３の半対数プ
ロットは１００Ｇ以上で高エネルギー電子流のピークが
いくつかあることを示しているが、こうしたピークは、
１００Ｇ以下におけるピークに比べると１／５ほど、ま
たはそれよりも小さい。磁場を５０〜９０Ｇの範囲に調
整すると、電子流密度は著しく増大する。このように、
ヘリコン波上に乗る高エネルギー電子の数量を形成およ
び制御する１つの鍵は、プラズマに適用する磁場を制御
することにある。図１では、プラズマチャンバ内部の磁
場を制御するために、同軸電磁巻線に磁場制御器５２が
付設されている。
ラズマチャンバに適用するだけで高振幅のヘリコン波を
管から放射させている。事実、一般に先行技術が形成す
る磁場の大きさは、１００〜１０００Ｇの範囲であっ
た。図２は、軸方向の磁場の力を変えることによって制
御される高エネルギー電子流（ｅｎｅｒｇｅｔｉｃ ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ ｃｕｒｒｅｎｔ）を示したグラフであ
る。磁場が１００Ｇ以上になると、高エネルギー電子流
の密度はほぼゼロになることがわかる。図３の半対数プ
ロットは１００Ｇ以上で高エネルギー電子流のピークが
いくつかあることを示しているが、こうしたピークは、
１００Ｇ以下におけるピークに比べると１／５ほど、ま
たはそれよりも小さい。磁場を５０〜９０Ｇの範囲に調
整すると、電子流密度は著しく増大する。このように、
ヘリコン波上に乗る高エネルギー電子の数量を形成およ
び制御する１つの鍵は、プラズマに適用する磁場を制御
することにある。図１では、プラズマチャンバ内部の磁
場を制御するために、同軸電磁巻線に磁場制御器５２が
付設されている。
【００１９】ヘリコンプラズマ源を駆動するｒｆ（高周
波）周波数（１３．５６ＭＨｚ）のアルゴン可視光線放
射のパルスからは、速度が数十ｅＶ相当の高エネルギー
電子が分光学的に観察されている。（参考のために本明
細書に編入している、エイアール エリンボーら（Ａ．
Ｒ．Ｅｌｌｉｎｇｂｏｅ ｅｔ ａｌ）著「ヘリコン波
励振が生成する電子ビームパルス（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｂｅａｍ Ｐｕｌｓｅｓ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ ｂｙ Ｈ
ｅｌｉｃｏｎ−Ｗａｖｅ Ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ）」、
フィジックス オブ プラズマ（Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ
Ｐｌａｓｍａ）、第１巻、１８０７頁（１９９５年）
参照）図２が示すように、高エネルギー電子はアンテナ
下の軸方向磁場の３５Ｇにおいて１つのピークである７
ｍＡ／ｃｍ2まで増大し、ついで９０Ｇでより大きなピ
ークである１８ｍＡ／ｃｍ2に達するが、その後は急激
に下がって１００Ｇで１ｍＡ／ｃｍ2となる。
波）周波数（１３．５６ＭＨｚ）のアルゴン可視光線放
射のパルスからは、速度が数十ｅＶ相当の高エネルギー
電子が分光学的に観察されている。（参考のために本明
細書に編入している、エイアール エリンボーら（Ａ．
Ｒ．Ｅｌｌｉｎｇｂｏｅ ｅｔ ａｌ）著「ヘリコン波
励振が生成する電子ビームパルス（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｂｅａｍ Ｐｕｌｓｅｓ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ ｂｙ Ｈ
ｅｌｉｃｏｎ−Ｗａｖｅ Ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ）」、
フィジックス オブ プラズマ（Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ
Ｐｌａｓｍａ）、第１巻、１８０７頁（１９９５年）
参照）図２が示すように、高エネルギー電子はアンテナ
下の軸方向磁場の３５Ｇにおいて１つのピークである７
ｍＡ／ｃｍ2まで増大し、ついで９０Ｇでより大きなピ
ークである１８ｍＡ／ｃｍ2に達するが、その後は急激
に下がって１００Ｇで１ｍＡ／ｃｍ2となる。
【００２０】図５〜７は、アンテナ下の軸方向位置に対
するｒｆ磁場の強度を示したものである。位相速度は、
周波数と軸波長測定値との積に等しい。図５では、位相
速度の計算値は磁場３６Ｇにおける軸方向の電子エネル
ギー５ｅＶに一致する。図６では、位相速度の計算値は
磁場８１Ｇにおける軸方向の電子エネルギー１８ｅＶに
一致する。図７では、位相速度の計算値は磁場１１７Ｇ
における軸方向の電子エネルギー５０ｅＶに一致する。
こうしたグラフは、直流磁場の変化に応じた軸波長のジ
ャンピング変化を量子化して示している。１８チャネル
の磁気プローブを使用して行う軸走査は、電子エネルギ
ー分析器が高エネルギー電子流の急速変化を観測した、
つまり軸波長が大幅に変化した範囲の磁場において軸モ
ードの数が変化したことを示している。
するｒｆ磁場の強度を示したものである。位相速度は、
周波数と軸波長測定値との積に等しい。図５では、位相
速度の計算値は磁場３６Ｇにおける軸方向の電子エネル
ギー５ｅＶに一致する。図６では、位相速度の計算値は
磁場８１Ｇにおける軸方向の電子エネルギー１８ｅＶに
一致する。図７では、位相速度の計算値は磁場１１７Ｇ
における軸方向の電子エネルギー５０ｅＶに一致する。
こうしたグラフは、直流磁場の変化に応じた軸波長のジ
ャンピング変化を量子化して示している。１８チャネル
の磁気プローブを使用して行う軸走査は、電子エネルギ
ー分析器が高エネルギー電子流の急速変化を観測した、
つまり軸波長が大幅に変化した範囲の磁場において軸モ
ードの数が変化したことを示している。
【００２１】一般的な電子温度２−４ｅＶの場合、おそ
らくは、ＥＥＤＦ（電子エネルギー分布関数）がピーク
から約５％のところまで低下したばかりである５ｅＶに
おける分布関数の有効テールの加熱を衝突が防止する。
１８ｅＶでは、ＥＥＤＦはピーク時の約０．１％にまで
低下しているため、テールの引き抜きが正当に予測さ
れ、電子エネルギー分析器の測定値がほぼこのエネルギ
ーのテールを示している。５０ｅＶでは、波に捕捉され
るほどのエネルギーを有する電子はないと思われる。
らくは、ＥＥＤＦ（電子エネルギー分布関数）がピーク
から約５％のところまで低下したばかりである５ｅＶに
おける分布関数の有効テールの加熱を衝突が防止する。
１８ｅＶでは、ＥＥＤＦはピーク時の約０．１％にまで
低下しているため、テールの引き抜きが正当に予測さ
れ、電子エネルギー分析器の測定値がほぼこのエネルギ
ーのテールを示している。５０ｅＶでは、波に捕捉され
るほどのエネルギーを有する電子はないと思われる。
【００２２】図２〜４および５〜６が示す磁場の正確な
値は、プラズマ管１２（図１参照）の大きさとプラズマ
密度に依存している。その関係は、ほぼ以下の等式のと
おりである。
値は、プラズマ管１２（図１参照）の大きさとプラズマ
密度に依存している。その関係は、ほぼ以下の等式のと
おりである。
【００２３】 ω／ｋ＝２×１０19（Ｂ0／ａｎ0）) （１） ここで、ωは角周波数（２πｆ）、ｋは波数（２π／
λ）、Ｂ0は軸磁場（単位：ガウス）、ａはプラズマ半
径、つまり図４におけるプラズマ管１２の半径、ｎ0は
電子密度（単位：ｃｍ-3）である。任意の幾何学的配置
の場合、高エネルギー電子の製造は、電子エネルギー分
析器で電子流を直接測定してこれを最大にするか、また
は軸方向のｒｆ磁場を測定してこの磁場を軸波長とｒｆ
周波数との積が約２〜３×１０8ｃｍ／Ｓの位相速度に
一致するまで調整するか、いずれかの方法によって最適
化することができる。
λ）、Ｂ0は軸磁場（単位：ガウス）、ａはプラズマ半
径、つまり図４におけるプラズマ管１２の半径、ｎ0は
電子密度（単位：ｃｍ-3）である。任意の幾何学的配置
の場合、高エネルギー電子の製造は、電子エネルギー分
析器で電子流を直接測定してこれを最大にするか、また
は軸方向のｒｆ磁場を測定してこの磁場を軸波長とｒｆ
周波数との積が約２〜３×１０8ｃｍ／Ｓの位相速度に
一致するまで調整するか、いずれかの方法によって最適
化することができる。
【００２４】磁場が高エネルギー電子の生産にとって最
適となるように適正に調整されている場合は、図４が示
すように、アンテナコントローラ５８を使用してｒｆ出
力を低減することにより高エネルギー電子流を切ること
もできる。図４のグラフは、磁場が一定に保持されｒｆ
電源が調整されていれば、高エネルギー電子流Ｊｅは第
２ジャンプ以上に有意となることを示している。ヘリコ
ンプラズマ源は、Ｅ容量性モード、Ｈ誘導性モードおよ
びＷヘリコン波モードの３モード（図４参照）で作動す
る。（参照用として本明細書に取り入れているエイアー
ル エリンボーら（Ａ．Ｒ．Ｅｌｌｉｎｇｂｏｅ）、著
「ヘリコンプラズマ源の容量性、誘導性およびヘリコン
波操作モード（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ，ｌｎｄｕｃｔｉ
ｖｅ ａｎｄ Ｈｅｌｉｃｏｎ−Ｗａｖｅ Ｍｏｄｅｓ
ｏｆ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ ａ Ｈｅｌｉｃｏ
ｎ Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅ）」、フィジックス
オブ プラズマ（Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｐｌａｓｍ
ａ）第３巻、第７号、２７９７〜２８０４頁参照）この
第３のモードにおいては、電子密度ｎ0は高エネルギー
電子流密度の漸次的増加を維持しているが、高エネルギ
ー電子流Ｊｅはｒｆ電源が僅かに変化するだけでそれが
著しく増大している。これは、制御上の追加手段を提示
している。これはまた、高エネルギー電子製造にとって
の最適な磁場を決定するためにはｒｆ電源が充分に高圧
でなければならないことを指摘するものである。
適となるように適正に調整されている場合は、図４が示
すように、アンテナコントローラ５８を使用してｒｆ出
力を低減することにより高エネルギー電子流を切ること
もできる。図４のグラフは、磁場が一定に保持されｒｆ
電源が調整されていれば、高エネルギー電子流Ｊｅは第
２ジャンプ以上に有意となることを示している。ヘリコ
ンプラズマ源は、Ｅ容量性モード、Ｈ誘導性モードおよ
びＷヘリコン波モードの３モード（図４参照）で作動す
る。（参照用として本明細書に取り入れているエイアー
ル エリンボーら（Ａ．Ｒ．Ｅｌｌｉｎｇｂｏｅ）、著
「ヘリコンプラズマ源の容量性、誘導性およびヘリコン
波操作モード（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ，ｌｎｄｕｃｔｉ
ｖｅ ａｎｄ Ｈｅｌｉｃｏｎ−Ｗａｖｅ Ｍｏｄｅｓ
ｏｆ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ ａ Ｈｅｌｉｃｏ
ｎ Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅ）」、フィジックス
オブ プラズマ（Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｐｌａｓｍ
ａ）第３巻、第７号、２７９７〜２８０４頁参照）この
第３のモードにおいては、電子密度ｎ0は高エネルギー
電子流密度の漸次的増加を維持しているが、高エネルギ
ー電子流Ｊｅはｒｆ電源が僅かに変化するだけでそれが
著しく増大している。これは、制御上の追加手段を提示
している。これはまた、高エネルギー電子製造にとって
の最適な磁場を決定するためにはｒｆ電源が充分に高圧
でなければならないことを指摘するものである。
【００２５】要するに、ヘリコンプラズマ源は、たとえ
ば酸化物のエッチングおよびプラズマの化学作用の制御
といった多様な方面において充分使用できるだけの量の
高エネルギー電子を製造することができる。本明細書が
示す例では、磁場を８０〜１００Ｇに変更することによ
りヘリコン波が運ぶ高エネルギー電子流を制御すること
ができる。たとえば磁場が８０Ｇであるときは、図１が
示すように、ヘリコン波５４上には高エネルギー電子が
存在している。磁場を１００Ｇに修正すると、ヘリコン
波５６上には高エネルギー電子はほとんど存在しない。
異なるタイプのプラズマを使用したりソース管の寸法が
変わると、この機能の実行に要する磁場の強さも変わる
可能性がある。しかしながら、図１のように磁場コント
ローラ５２を使用すると、高エネルギー電子製造のオン
オフ切換を迅速かつ容易に行うことができる。
ば酸化物のエッチングおよびプラズマの化学作用の制御
といった多様な方面において充分使用できるだけの量の
高エネルギー電子を製造することができる。本明細書が
示す例では、磁場を８０〜１００Ｇに変更することによ
りヘリコン波が運ぶ高エネルギー電子流を制御すること
ができる。たとえば磁場が８０Ｇであるときは、図１が
示すように、ヘリコン波５４上には高エネルギー電子が
存在している。磁場を１００Ｇに修正すると、ヘリコン
波５６上には高エネルギー電子はほとんど存在しない。
異なるタイプのプラズマを使用したりソース管の寸法が
変わると、この機能の実行に要する磁場の強さも変わる
可能性がある。しかしながら、図１のように磁場コント
ローラ５２を使用すると、高エネルギー電子製造のオン
オフ切換を迅速かつ容易に行うことができる。
【００２６】本発明の実施の形態２は、半導体製造者ま
たは薄膜装置製造者の能力を利用してヘリコンプラズマ
源が製造する高エネルギー電子を制御するものである。
このように、高エネルギー電子の製造のオンオフ切換に
より、高エネルギー電子を使用する例えば高密度プラズ
マ絶縁体のエッチング（酸化物のエッチング）と、高エ
ネルギー電子を使用しない単なる金属またはシリコンの
エッチングとを切換することができる。
たは薄膜装置製造者の能力を利用してヘリコンプラズマ
源が製造する高エネルギー電子を制御するものである。
このように、高エネルギー電子の製造のオンオフ切換に
より、高エネルギー電子を使用する例えば高密度プラズ
マ絶縁体のエッチング（酸化物のエッチング）と、高エ
ネルギー電子を使用しない単なる金属またはシリコンの
エッチングとを切換することができる。
【００２７】図８では、エッチングを施す半導体８８ま
たは何らかの薄膜装置がアッセンブリ７０内に配置され
ている。このアッセンブリ７０内のヘリコンプラズマ源
７２は、たとえば上述のものと同じ構成要素、つまり、
アンテナ７４と、周波数１３．５６ＭＨｚでｒｆ出力２
ｋＷを供給するマッチングネットワーク７６と、磁場を
生成する同軸電磁巻線７８と、磁場コントローラ８０と
を有している。アッセンブリ７０はまた、ヘリコンプラ
ズマ源７２から放出されるヘリコン波の波長および位相
速度を制御するために、チャンバ８２を部分的に取り巻
く同軸電磁巻線をも有している。半導体ウエハ８８は、
テーブル８６の上に置く。テーブルには、オプションと
してｒｆバイアスを保有させることができる。これは、
マッチングネットワーク９０が供給し、その電力および
位相をアンテナｒｆ給電が独自に調節する。
たは何らかの薄膜装置がアッセンブリ７０内に配置され
ている。このアッセンブリ７０内のヘリコンプラズマ源
７２は、たとえば上述のものと同じ構成要素、つまり、
アンテナ７４と、周波数１３．５６ＭＨｚでｒｆ出力２
ｋＷを供給するマッチングネットワーク７６と、磁場を
生成する同軸電磁巻線７８と、磁場コントローラ８０と
を有している。アッセンブリ７０はまた、ヘリコンプラ
ズマ源７２から放出されるヘリコン波の波長および位相
速度を制御するために、チャンバ８２を部分的に取り巻
く同軸電磁巻線をも有している。半導体ウエハ８８は、
テーブル８６の上に置く。テーブルには、オプションと
してｒｆバイアスを保有させることができる。これは、
マッチングネットワーク９０が供給し、その電力および
位相をアンテナｒｆ給電が独自に調節する。
【００２８】先行技術では、エッチングプラズマガスを
チャンバ８２へと注入して、半導体８８上に露出する酸
化ケイ素を除去する。最近のエッチングの分子動力学モ
デルは、イオンが相応のエネルギーで酸化ケイ素表面を
衝撃してダングリングボンド（ｄａｎｇｌｉｎｇ ｂｏ
ｎｄ）を生成するが、直接表面から原子を除去はしない
ことを示している。（エムイー バロン（Ｍ．Ｅ．Ｂａ
ｒｏｎｅ）、ディービー グレーブズ ジェイ（Ｄ．
Ｂ．Ｇｒａｖｅｓ））共著「フッ素加工シリコンの化学
的および物理的スパッタリング（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ａ
ｎｄ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｏｆ
Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ Ｓｉｌｉｃｏｎ）」応用物
理学、７７（３）、１２６３〜１２７３頁参照）原子
は、フッ素ガスと反応して揮発性物質を生成することに
より除去される。したがって、イオンはこのモデルにお
いてダングリ０ングボンドを生成するだけの限界エネル
ギーを必要としている。他のものは、エッチングが、表
面を衝撃してダングリングボンドを生成し、つづいて中
性原子（一般に、Ｆ、ＣｌまたはＢｒ）と反応して揮発
性生成物を発生させ表面から原子を除去するイオンの組
合せに起因するものであることを発見している。
チャンバ８２へと注入して、半導体８８上に露出する酸
化ケイ素を除去する。最近のエッチングの分子動力学モ
デルは、イオンが相応のエネルギーで酸化ケイ素表面を
衝撃してダングリングボンド（ｄａｎｇｌｉｎｇ ｂｏ
ｎｄ）を生成するが、直接表面から原子を除去はしない
ことを示している。（エムイー バロン（Ｍ．Ｅ．Ｂａ
ｒｏｎｅ）、ディービー グレーブズ ジェイ（Ｄ．
Ｂ．Ｇｒａｖｅｓ））共著「フッ素加工シリコンの化学
的および物理的スパッタリング（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ａ
ｎｄ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｏｆ
Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ Ｓｉｌｉｃｏｎ）」応用物
理学、７７（３）、１２６３〜１２７３頁参照）原子
は、フッ素ガスと反応して揮発性物質を生成することに
より除去される。したがって、イオンはこのモデルにお
いてダングリ０ングボンドを生成するだけの限界エネル
ギーを必要としている。他のものは、エッチングが、表
面を衝撃してダングリングボンドを生成し、つづいて中
性原子（一般に、Ｆ、ＣｌまたはＢｒ）と反応して揮発
性生成物を発生させ表面から原子を除去するイオンの組
合せに起因するものであることを発見している。
【００２９】入射する電子流をイオン流と等しく保持す
るため（表面上の電位がもはや変化しないのはその操作
が安定状態にあるためである）、酸化物表面には最高エ
ネルギーの電子以外の電子をすべてはね返す電荷電圧が
生成される。これが、２５〜４０Ｖの電圧電位となる。
この電位は、ウエハ上に別個に付加するｒｆバイアスの
ためと、直流シース電位（ｄｃ ｓｈｅａｔｈ ｐｏｔ
ｅｎｔｉａｌ）のために追加するものである。高エネル
ギー電子は、増加する負電圧でチャージすることにより
絶縁表面を優先的に自己バイアスする。こうして増大し
た電位は、入射する電子流が低減されて局部イオン流に
等しくなるまで、増大したエネルギーから低エネルギー
電子をはね返す。導体表面と半導体表面は、負電荷の過
剰が局所に構築されないように結合することができる。
こうして、イオンまたは電子のいずれかによる不均衡な
流れが排出されて高エネルギー電子を生成するバイアス
が防止される。半導体または金属上へのイオンエネルギ
ーの入射範囲がこうした表面をエッチングする際の限界
値を下回る場合、高い選択性が実現するが、酸化物上へ
入射するイオンエネルギーは、酸化物の自己バイアスに
よってほぼあるいは完全に酸化物エッチングの限界値を
上回っている。
るため（表面上の電位がもはや変化しないのはその操作
が安定状態にあるためである）、酸化物表面には最高エ
ネルギーの電子以外の電子をすべてはね返す電荷電圧が
生成される。これが、２５〜４０Ｖの電圧電位となる。
この電位は、ウエハ上に別個に付加するｒｆバイアスの
ためと、直流シース電位（ｄｃ ｓｈｅａｔｈ ｐｏｔ
ｅｎｔｉａｌ）のために追加するものである。高エネル
ギー電子は、増加する負電圧でチャージすることにより
絶縁表面を優先的に自己バイアスする。こうして増大し
た電位は、入射する電子流が低減されて局部イオン流に
等しくなるまで、増大したエネルギーから低エネルギー
電子をはね返す。導体表面と半導体表面は、負電荷の過
剰が局所に構築されないように結合することができる。
こうして、イオンまたは電子のいずれかによる不均衡な
流れが排出されて高エネルギー電子を生成するバイアス
が防止される。半導体または金属上へのイオンエネルギ
ーの入射範囲がこうした表面をエッチングする際の限界
値を下回る場合、高い選択性が実現するが、酸化物上へ
入射するイオンエネルギーは、酸化物の自己バイアスに
よってほぼあるいは完全に酸化物エッチングの限界値を
上回っている。
【００３０】シリコン酸化物およびシリコン上でのＥＣ
Ｒ放電におけるエッチング速度について計測したが、充
分なフッ素原子が存在する場合は、シリコン酸化物のエ
ッチング速度はフッ素イオンエネルギー密度ＪｉＥｉに
比例していた。Ｊiはイオン電流密度であり、Ｅiはウエ
ハ表面におけるイオンエネルギーである。平均イオンエ
ネルギーは４０ｅＶから１３０ｅＶの間で変化した。エ
ッチング速度の最大値は４００ｍＷ／ｃｍ2で３４０ｎ
ｍ/分に達した。シリコンのエッチング速度は、イオン
エネルギー密度が低い場合にはシリコン酸化物の場合と
同様であったが、１５０ｍＷ／ｃｍ2、約１２０ｎｍ１
／分で飽和状態になった（ジェイ ディング（Ｊ．Ｄｉ
ｎｇ）ら著「ＣＦ4／Ｏ2／Ａｒ電子サイクロトロン共鳴
プラズマにおけるイオンエネルギー束およびフッ素原子
密度を使用したＳｉＯ2およびＳｉのエッチング速度の
特性化（Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｒａｔｅ Ｃｈａｒｅｃｔｅ
ｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ＳｉＯ2 ａｎｄ Ｓｉ Ｕ
ｓｉｎｇ ｌｏｎ Ｅｎｅｒｇｙ Ｆｌｕｘ ａｎｄ
Ａｔｏｍｉｃ Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｄｅｎｓｉｔｙｉｎ
ａ ＣＲ4／Ｏ2Ａｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏ
ｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｐｌａｓｍａ）」ジェ
イ バキューム サイエンス テクノロジー（Ｊ．Ｖａ
ｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．）、Ａ１１、１２８３頁
（１９９３年）参照）。この結果、ヘリコンプラズマ源
からの高エネルギー電子を使用すれば、２倍ほど選択性
が増大する。
Ｒ放電におけるエッチング速度について計測したが、充
分なフッ素原子が存在する場合は、シリコン酸化物のエ
ッチング速度はフッ素イオンエネルギー密度ＪｉＥｉに
比例していた。Ｊiはイオン電流密度であり、Ｅiはウエ
ハ表面におけるイオンエネルギーである。平均イオンエ
ネルギーは４０ｅＶから１３０ｅＶの間で変化した。エ
ッチング速度の最大値は４００ｍＷ／ｃｍ2で３４０ｎ
ｍ/分に達した。シリコンのエッチング速度は、イオン
エネルギー密度が低い場合にはシリコン酸化物の場合と
同様であったが、１５０ｍＷ／ｃｍ2、約１２０ｎｍ１
／分で飽和状態になった（ジェイ ディング（Ｊ．Ｄｉ
ｎｇ）ら著「ＣＦ4／Ｏ2／Ａｒ電子サイクロトロン共鳴
プラズマにおけるイオンエネルギー束およびフッ素原子
密度を使用したＳｉＯ2およびＳｉのエッチング速度の
特性化（Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｒａｔｅ Ｃｈａｒｅｃｔｅ
ｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ＳｉＯ2 ａｎｄ Ｓｉ Ｕ
ｓｉｎｇ ｌｏｎ Ｅｎｅｒｇｙ Ｆｌｕｘ ａｎｄ
Ａｔｏｍｉｃ Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｄｅｎｓｉｔｙｉｎ
ａ ＣＲ4／Ｏ2Ａｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏ
ｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｐｌａｓｍａ）」ジェ
イ バキューム サイエンス テクノロジー（Ｊ．Ｖａ
ｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．）、Ａ１１、１２８３頁
（１９９３年）参照）。この結果、ヘリコンプラズマ源
からの高エネルギー電子を使用すれば、２倍ほど選択性
が増大する。
【００３１】一般の製造者は、プラズマガスとしてフッ
化炭素のようなガスを酸化物のエッチングに足る濃度で
チャンバ内に誘導する。以下の２つの式は、その際に発
生する化学反応を表している。
化炭素のようなガスを酸化物のエッチングに足る濃度で
チャンバ内に誘導する。以下の２つの式は、その際に発
生する化学反応を表している。
【００３２】ＣＨＦ3＋ｅ-→ＣＨＦ2＋Ｆ （２） ＣＨＦ3＋ｅ-→ＣＦ2＋ＨＦ （３） 図９は、ヘリコンプラズマの時間平均電子エネルギー分
布関数（ＥＥＤＦ）を表すグラフである。曲線１００は
高エネルギー電子を形成せずに、曲線１０２はホット電
子の形成を伴って生成されたものである。図１０は、上
記の式（２）および（３）が示す化学反応を推進する断
面を表すグラフである。式（３）の化学反応は、ポイン
ト１０８において最小限界値に達して初めて発生する。
たとえば、曲線１０４が式（２）の化学反応に、曲線１
０６が式（３）の化学反応に伴うものであるとすると、
第２反応によって生成される生成物は、ホット電子密度
を増加することによって増大する。すなわち、図９の曲
線１００から曲線１０２まで拡大される。このように、
図９の曲線１０２のピークは、図１０の限界点１０８を
越えたところにある。同様に、ホット電子生成の減少
も、上記反応式（２）における化学反応からの生成物に
とって有利である。
布関数（ＥＥＤＦ）を表すグラフである。曲線１００は
高エネルギー電子を形成せずに、曲線１０２はホット電
子の形成を伴って生成されたものである。図１０は、上
記の式（２）および（３）が示す化学反応を推進する断
面を表すグラフである。式（３）の化学反応は、ポイン
ト１０８において最小限界値に達して初めて発生する。
たとえば、曲線１０４が式（２）の化学反応に、曲線１
０６が式（３）の化学反応に伴うものであるとすると、
第２反応によって生成される生成物は、ホット電子密度
を増加することによって増大する。すなわち、図９の曲
線１００から曲線１０２まで拡大される。このように、
図９の曲線１０２のピークは、図１０の限界点１０８を
越えたところにある。同様に、ホット電子生成の減少
も、上記反応式（２）における化学反応からの生成物に
とって有利である。
【００３３】反応式（２）の反応が発生すると、自由フ
ッ素原子は以下の化学反応式に従って二酸化ケイ素分子
と反応することができる。
ッ素原子は以下の化学反応式に従って二酸化ケイ素分子
と反応することができる。
【００３４】 ４Ｆ＋ＳｉＯ2→ＳｉＦ4＋Ｏ2 （４） こうして半導体から二酸化ケイ素がエッチングされ、生
成ガスはチャンバから排出が可能である。反応式（３）
の化学反応が発生すると、ＣＦ2ラジカルが生成され
る。この基はポリマの堆積を引き起こすものと考えられ
ており、これが側壁（フォトレジストの効力低下を防止
している）および基部シリコン層を保護している。この
ようにホット電子の生成を制御すれば、ガス位相および
イオンの化学的性質を改良することができる。
成ガスはチャンバから排出が可能である。反応式（３）
の化学反応が発生すると、ＣＦ2ラジカルが生成され
る。この基はポリマの堆積を引き起こすものと考えられ
ており、これが側壁（フォトレジストの効力低下を防止
している）および基部シリコン層を保護している。この
ようにホット電子の生成を制御すれば、ガス位相および
イオンの化学的性質を改良することができる。
【００３５】また、低エネルギーイオンビームを使用し
たポリシリコン上のエッチング速度についても計測して
いるが、それは１０-4Ｔｏｒｒの塩素ガス中で塩素イオ
ンによってポリシリコンをエッチングするための限界値
が２５ｅＶであることを示した。こうした結果は、次の
ような２つの理由から、ＥＣＲ放電の場合の結果と、両
立しないというよりむしろ相補的である。（ａ）それぞ
れフッ素および塩素という異なるエッチングガスを使用
している。また、（ｂ）ＥＣＲプラズマエッチングイオ
ンエネルギーは、イオンビーム計測に伴ってエネルギー
限界値を越えた時点で観測され始めた。エネルギーが限
界値であれば、酸化物のエッチングは選択的に大きさ順
に強化が可能である。
たポリシリコン上のエッチング速度についても計測して
いるが、それは１０-4Ｔｏｒｒの塩素ガス中で塩素イオ
ンによってポリシリコンをエッチングするための限界値
が２５ｅＶであることを示した。こうした結果は、次の
ような２つの理由から、ＥＣＲ放電の場合の結果と、両
立しないというよりむしろ相補的である。（ａ）それぞ
れフッ素および塩素という異なるエッチングガスを使用
している。また、（ｂ）ＥＣＲプラズマエッチングイオ
ンエネルギーは、イオンビーム計測に伴ってエネルギー
限界値を越えた時点で観測され始めた。エネルギーが限
界値であれば、酸化物のエッチングは選択的に大きさ順
に強化が可能である。
【００３６】図１１は、エッチングの準備が整った状態
の半導体を示している。ヘリコン波１１０はシリコン酸
化物３４の表面上に高エネルギー電子１１２を堆積させ
る。したがって、この酸化物は負の電荷を有している。
ついで、エッチングガス（図示されていない）が半導体
に加わると、負の電位は、酸化物上に入射する正のエッ
チングイオンを加速してそのエネルギーおよび効率を高
める。加速されたイオンは、高エネルギーによって負の
バイアス表面を衝撃する。エッチング速度はイオンエネ
ルギーの増加に伴って増大することが知られており、ま
たその限界エネルギーは多くの場合、それ以下ではエッ
チング速度は無きに等しいといったものであることか
ら、自己バイアス表面は非自己バイアス表面の場合より
も選択的に高い率でエッチングが可能である。
の半導体を示している。ヘリコン波１１０はシリコン酸
化物３４の表面上に高エネルギー電子１１２を堆積させ
る。したがって、この酸化物は負の電荷を有している。
ついで、エッチングガス（図示されていない）が半導体
に加わると、負の電位は、酸化物上に入射する正のエッ
チングイオンを加速してそのエネルギーおよび効率を高
める。加速されたイオンは、高エネルギーによって負の
バイアス表面を衝撃する。エッチング速度はイオンエネ
ルギーの増加に伴って増大することが知られており、ま
たその限界エネルギーは多くの場合、それ以下ではエッ
チング速度は無きに等しいといったものであることか
ら、自己バイアス表面は非自己バイアス表面の場合より
も選択的に高い率でエッチングが可能である。
【００３７】図１２では、酸化物の一部が基板から完全
に除去されている。ヘリコン波１１０によって連続的に
供給される高エネルギー電子は排出されるため、表面電
位は残存する酸化物層上の電荷よりも負が少なくなる。
したがって、エッチング速度は非酸化物区域において選
択的に減少する。こうして、非酸化物区域の腐食が回避
される。
に除去されている。ヘリコン波１１０によって連続的に
供給される高エネルギー電子は排出されるため、表面電
位は残存する酸化物層上の電荷よりも負が少なくなる。
したがって、エッチング速度は非酸化物区域において選
択的に減少する。こうして、非酸化物区域の腐食が回避
される。
【００３８】図１３を参照して、本発明の実施の形態３
について説明する。製造者が現在製造している半導体
は、数層または数レベルの構成要素で構成されるもので
ある。通常、こうした複数のレベル間の接続は、半導体
上のマルチレベル間の接続を使用して行なうが、異なる
レベルの構成要素を相互に接続するためには、製造者は
０．１８μｍあるいはそれ以下のチャネルを作る能力を
有していなければならない。現在のところ、シリコンお
よび金属では径０．１８μｍまでのチャネルをエッチン
グ可能である。しかしながら、シリコン酸化物において
は、エッチング製造ができるチャネル径は０．３５μｍ
までである。したがって、本発明はシリコン酸化物にお
ける０．１８μｍから０．３５μｍの範囲のチャンネル
製造に対して使用可能である。しかしながら、ヘリコン
プラズマ源を使用するこの手法を使用すれば、もっと狭
い径０．１８μｍ以下のチャンネルも製造可能である。
について説明する。製造者が現在製造している半導体
は、数層または数レベルの構成要素で構成されるもので
ある。通常、こうした複数のレベル間の接続は、半導体
上のマルチレベル間の接続を使用して行なうが、異なる
レベルの構成要素を相互に接続するためには、製造者は
０．１８μｍあるいはそれ以下のチャネルを作る能力を
有していなければならない。現在のところ、シリコンお
よび金属では径０．１８μｍまでのチャネルをエッチン
グ可能である。しかしながら、シリコン酸化物において
は、エッチング製造ができるチャネル径は０．３５μｍ
までである。したがって、本発明はシリコン酸化物にお
ける０．１８μｍから０．３５μｍの範囲のチャンネル
製造に対して使用可能である。しかしながら、ヘリコン
プラズマ源を使用するこの手法を使用すれば、もっと狭
い径０．１８μｍ以下のチャンネルも製造可能である。
【００３９】製造者は図１３に示す半導体１２０を図８
に示すチャンバ内に挿入が可能である。単にヘリコンプ
ラズマ源の磁場またはｒｆ電源を調整するだけで同一チ
ャンバ内で多くの段階を実行し、製造中の半導体の被曝
表面に高エネルギー電子を供給することも可能である。
に示すチャンバ内に挿入が可能である。単にヘリコンプ
ラズマ源の磁場またはｒｆ電源を調整するだけで同一チ
ャンバ内で多くの段階を実行し、製造中の半導体の被曝
表面に高エネルギー電子を供給することも可能である。
【００４０】たとえば、製造の次段階が低位レベルへの
接続である場合には、パターン化されたホトレジスト層
１２４がシリコン酸化物１２６の層上に形成される。２
つの金属層１２８および１３０はすでに、酸化物層１２
６の下に堆積している。つぎはホトレジスト１２４によ
って被曝された部分１３２の酸化物をエッチングして金
属層１２８を露呈させる段階である。ヘリコンプラズマ
源周辺の磁場を変化させると、高エネルギー電子を生成
可能である。プラズマガスは被曝されたシリコン酸化物
のエッチングを開始し、狭い溝または通路を形成してい
く。高エネルギー電子が通路内の酸化物の底部を荷電す
ると、酸化物に衝撃を与えるイオンエネルギーが増加す
る。それに伴って、酸化物のエッチング速度が増加す
る。金属１２８との接触に際しては、過剰な負電荷は表
面外へ誘導し、イオンの衝撃エネルギーを減少させるこ
とができる。したがって、金属１２８のエッチング速度
が減少する。製造者が金属のエッチングの継続を望む場
合は、ヘリコンプラズマ源周辺の磁場を変化させて高エ
ネルギー電子の生成を抑制することができる。金属層の
エッチングにとって適切なエッチングプラズマを供給す
る方法は、先行技術が教示する通りである。
接続である場合には、パターン化されたホトレジスト層
１２４がシリコン酸化物１２６の層上に形成される。２
つの金属層１２８および１３０はすでに、酸化物層１２
６の下に堆積している。つぎはホトレジスト１２４によ
って被曝された部分１３２の酸化物をエッチングして金
属層１２８を露呈させる段階である。ヘリコンプラズマ
源周辺の磁場を変化させると、高エネルギー電子を生成
可能である。プラズマガスは被曝されたシリコン酸化物
のエッチングを開始し、狭い溝または通路を形成してい
く。高エネルギー電子が通路内の酸化物の底部を荷電す
ると、酸化物に衝撃を与えるイオンエネルギーが増加す
る。それに伴って、酸化物のエッチング速度が増加す
る。金属１２８との接触に際しては、過剰な負電荷は表
面外へ誘導し、イオンの衝撃エネルギーを減少させるこ
とができる。したがって、金属１２８のエッチング速度
が減少する。製造者が金属のエッチングの継続を望む場
合は、ヘリコンプラズマ源周辺の磁場を変化させて高エ
ネルギー電子の生成を抑制することができる。金属層の
エッチングにとって適切なエッチングプラズマを供給す
る方法は、先行技術が教示する通りである。
【００４１】エッチングの進行に伴って、軸方向の磁場
またはｒｆ電源を変化させれば、ヘリコンプラズマによ
る高エネルギー電子の生成をオンオフすることができる
ため、製造者は高エネルギー電子を使用する酸化物のエ
ッチング状態と高エネルギー電子を使用しない他の金属
のエッチング状態とを素早く切換することができる。多
重用途用として単一ツールを使用するこの能力があれ
ば、複数のツール間でウェーハを変える必要性もそれに
費やす時間も減少し、生産性が向上する。たとえば、酸
化物エッチング後の酸素プラズマ中の励磁によって、接
点および側壁からポリマーの蓄積を取り除くことができ
る。ただし、この段階での高イオンエネルギーは逆効果
に繋がることから、高エネルギー電子の生成は停止させ
る。
またはｒｆ電源を変化させれば、ヘリコンプラズマによ
る高エネルギー電子の生成をオンオフすることができる
ため、製造者は高エネルギー電子を使用する酸化物のエ
ッチング状態と高エネルギー電子を使用しない他の金属
のエッチング状態とを素早く切換することができる。多
重用途用として単一ツールを使用するこの能力があれ
ば、複数のツール間でウェーハを変える必要性もそれに
費やす時間も減少し、生産性が向上する。たとえば、酸
化物エッチング後の酸素プラズマ中の励磁によって、接
点および側壁からポリマーの蓄積を取り除くことができ
る。ただし、この段階での高イオンエネルギーは逆効果
に繋がることから、高エネルギー電子の生成は停止させ
る。
【００４２】この処理に関する他の明白な優位点は、高
エネルギー電子が酸化物表面に向かって直線的に投射さ
れることである。したがって、酸化物の側壁上に蓄積さ
れる電荷は、その底部ほど多くない。高エネルギー電子
は低エネルギー電子より少ない偏向度で溝および通路の
底部に貫通することから、この点は多重層の半導体にお
いて非常に有利である。こうした溝および通路の底部で
は、高エネルギー電子がイオン電流を中和し、深さが幅
より遥かに大きい次世代機器においてさえも完全なエッ
チング速度が維持される。しかしながら、エッチング速
度は多重層の半導体においてエッチングが酸化物層を貫
通してシリコン基板に至る時点で減少する。
エネルギー電子が酸化物表面に向かって直線的に投射さ
れることである。したがって、酸化物の側壁上に蓄積さ
れる電荷は、その底部ほど多くない。高エネルギー電子
は低エネルギー電子より少ない偏向度で溝および通路の
底部に貫通することから、この点は多重層の半導体にお
いて非常に有利である。こうした溝および通路の底部で
は、高エネルギー電子がイオン電流を中和し、深さが幅
より遥かに大きい次世代機器においてさえも完全なエッ
チング速度が維持される。しかしながら、エッチング速
度は多重層の半導体においてエッチングが酸化物層を貫
通してシリコン基板に至る時点で減少する。
【００４３】本発明をその特異性に関して詳述し図示し
てきたが、好適な実施例は例示的なものである。開示内
容が、単に例示的なものでしかないことは理解されると
ころであり、当業者は、以下の特許請求の範囲に記載さ
れている本発明の精神と範囲から逸脱することなく、そ
の部品、工程および特徴の組合せおよび配置を様々に変
更することができる。
てきたが、好適な実施例は例示的なものである。開示内
容が、単に例示的なものでしかないことは理解されると
ころであり、当業者は、以下の特許請求の範囲に記載さ
れている本発明の精神と範囲から逸脱することなく、そ
の部品、工程および特徴の組合せおよび配置を様々に変
更することができる。
【図１】図１は本発明のヘリコンプラズマの一例を示す
説明図である。
説明図である。
【図２】図２は軸方向の磁場の強さを変化させることに
よって制御される高エネルギー電子流を示すグラフであ
る。
よって制御される高エネルギー電子流を示すグラフであ
る。
【図３】図３は軸方向の磁場の強さを変化させることに
よって制御される高エネルギー電子流を示す半対数グラ
フである。
よって制御される高エネルギー電子流を示す半対数グラ
フである。
【図４】図４はアンテナに供給されたｒｆ出力を変化さ
せることによって制御される高エネルギー電子流を示す
グラフである。
せることによって制御される高エネルギー電子流を示す
グラフである。
【図５】図５は電子の軸方向の共振エネルギーが５ｅＶ
であり磁場の強さが３６Ｇであるときプラズマ管の内部
の軸方向の位置に対するｒｆ磁場の強さを示すグラフで
ある。
であり磁場の強さが３６Ｇであるときプラズマ管の内部
の軸方向の位置に対するｒｆ磁場の強さを示すグラフで
ある。
【図６】図６は電子の軸方向の共振エネルギーが１８ｅ
Ｖであり磁場の強さが８１Ｇであるときプラズマ管の内
部の軸方向の位置に対するｒｆ磁場の強さを示すグラフ
である。
Ｖであり磁場の強さが８１Ｇであるときプラズマ管の内
部の軸方向の位置に対するｒｆ磁場の強さを示すグラフ
である。
【図７】図７は電子の軸方向の共振エネルギーが５０ｅ
Ｖであり磁場の強さが１１７Ｇであるときプラズマ管の
内部の軸方向の位置に対するｒｆ磁場の強さを示すグラ
フである。
Ｖであり磁場の強さが１１７Ｇであるときプラズマ管の
内部の軸方向の位置に対するｒｆ磁場の強さを示すグラ
フである。
【図８】図８はヘリコンプラズマ源を用いて半導体を製
造するためのアセンブリの説明図である。
造するためのアセンブリの説明図である。
【図９】図９はヘリコンプラズマの時平均電子エネルギ
ー分布関数を示すグラフである。
ー分布関数を示すグラフである。
【図１０】図１０は特定の化学反応を駆動するための断
面を示すグラフである。
面を示すグラフである。
【図１１】図１１は本発明のエッチング処理のあいだ高
エネルギー電子を蓄積している半導体を示す説明図であ
る。
エネルギー電子を蓄積している半導体を示す説明図であ
る。
【図１２】本発明のエッチング処理のあいだエッチング
された酸化物層の異なるレベルを有する半導体を示す説
明図である。
された酸化物層の異なるレベルを有する半導体を示す説
明図である。
【図１３】本発明の処理を用いて異なるレベル間の相互
連結を有するマルチレベル半導体装置を示す説明図であ
る。
連結を有するマルチレベル半導体装置を示す説明図であ
る。
【図１４】図１４は従来のヘリコンプラズマ源を示す説
明図である。
明図である。
【図１５】図１５は従来のエッチング処理が施された半
導体装置を示す説明図である。
導体装置を示す説明図である。
【図１６】図１６は従来の方法によるエッチング後の半
導体装置を示す説明図である。
導体装置を示す説明図である。
１２ プラズマ管 １６ 蓋 １８、７４ アンテナ ５０、７２ ヘリコンプラズマ源 ５４、５６ ヘリコン波
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アルバート ロジャー エリンボー アメリカ合衆国、94593 カリフォルニア 州、フリーモント、ワシントン ブールバ ード 426
Claims (36)
- 【請求項１】 非絶縁体表面上に形成された絶縁体をエ
ッチングするための処理方法であって、当該絶縁体の露
出表面に電荷を付与する高エネルギー電子を発生する工
程と、当該絶縁体の電荷が付与された露出表面をエッチ
ングするイオンプラズマを形成する工程からなる処理方
法。 - 【請求項２】 前記高エネルギー電子を発生する工程が
ヘリコンプラズマ源によってなされる請求項１記載の処
理方法。 - 【請求項３】 前記ヘリコンプラズマ源が、蓋をつけら
れた第１の端部を有するプラズマ管と、該プラズマ管の
外部を取り囲み、該プラズマ管の第２の端部から発せら
れるプラズマ内でヘリコン波を形成する、ｒｆ出力源か
ら電力供給されるアンテナと、該アンテナおよびプラズ
マ管を取り囲み、プラズマ内で磁場を生成する軸方向の
電磁巻線と、ヘリコン波の形成を制御し、ヘリコン波に
よって運搬される高エネルギー電子を高エネルギー電子
流を制御するための手段とからなる請求項２記載の処理
方法。 - 【請求項４】 前記手段が高エネルギー電子流が増減さ
れうるように磁場を調節する請求項３記載の処理方法。 - 【請求項５】 前記手段が高エネルギー電子流が増減さ
れうるように前記アンテナに供給されたｒｆ出力を調節
する請求項３記載の処理方法。 - 【請求項６】 前記手段が高エネルギー電子流が増減さ
れうるように磁場と前記アンテナに供給されたｒｆ出力
とを調節する請求項３記載の処理方法。 - 【請求項７】 前記非絶縁体が、基板、金属、半導体材
料およびシリコンウエハのうちの１つである請求項１記
載の処理方法。 - 【請求項８】 前記非絶縁体の上に絶縁体が形成され、
当該非絶縁体が過度の負の電荷が蓄積せず、前記露出さ
れた絶縁体層が荷電されたままになるように接続されて
なる請求項７記載の処理方法。 - 【請求項９】 前記絶縁体が酸化物および酸化ケイ素の
うちの１つである請求項７記載の処理方法。 - 【請求項１０】 前記露出された表面が硬化されたホト
レジスト、金属、クロムおよびシリコンのうちの１つか
らなるパターン層を形成することによって形成されてな
る請求項１記載の処理方法。 - 【請求項１１】 エッチング後に残っている２つの隣接
する絶縁体のあいだに形成されたチャネルの幅が０．３
５μｍ未満である請求項１記載の処理方法。 - 【請求項１２】 前記イオンプラズマがフッ素、クロム
および臭素のうちの少なくとも１つである請求項１記載
の処理方法。 - 【請求項１３】 高エネルギー電子を用いて部分的に製
造される薄膜装置であり、該薄膜装置の製造中に、絶縁
体層のエッチング処理を要するものであって、当該エッ
チング処理が絶縁体層の露出された表面に荷電する高エ
ネルギー電子を発生する工程と、該絶縁体の露出され
た、荷電された表面をエッチングするイオンプラズマを
形成する工程とからなる薄膜装置。 - 【請求項１４】 前記高エネルギー電子を発生する工程
がヘリコン波を発するヘリコンプラズマ源によってなさ
れる請求項１３記載の薄膜装置。 - 【請求項１５】 前記ヘリコン波によって運搬される高
エネルギー電子流がヘリコンプラズマ源内の磁場を調節
することによって増減される請求項１４記載の薄膜装
置。 - 【請求項１６】 前記ヘリコン波によって運搬される高
エネルギー電子流がヘリコンプラズマ源のアンテナに供
給されたｒｆ出力を調節することによって増減される請
求項１４記載の薄膜装置。 - 【請求項１７】 前記ヘリコン波によって運搬される高
エネルギー電子流がヘリコンプラズマ源内の磁場を調節
し、かつヘリコンプラズマ源のアンテナに供給されたｒ
ｆ出力を調節することによって増減される請求項１４記
載の薄膜装置。 - 【請求項１８】 前記絶縁体が酸化物および酸化ケイ素
のうちの１つである請求項１３記載の薄膜装置。 - 【請求項１９】 エッチング処理に先立って前記絶縁体
が非絶縁材料上に形成されてなる請求項１３記載の薄膜
装置。 - 【請求項２０】 前記非絶縁材料が基板、金属、半導体
材料およびシリコンウエハのうちの１つである請求項１
９記載の薄膜装置。 - 【請求項２１】 エッチング処理に先立って前記絶縁体
の表面上にパターン層が形成され、該パターン層が硬化
されたホトレジスト、金属、クロムおよびシリコンのう
ちの１つからなる請求項１３記載の薄膜装置。 - 【請求項２２】 前記薄膜装置が半導体、フラットパネ
ルディスプレーおよびプラズマディスプレー駆動回路の
うちの１つである請求項１３記載の薄膜装置。 - 【請求項２３】 ヘリコン波によって運搬される高エネ
ルギー電子流の生成のコントロールを備えたヘリコンプ
ラズマ源であって、蓋をつけられた第１の端部を有する
プラズマ管と、該プラズマ管の外部を取り囲み、該プラ
ズマ管の第２の端部から発せられるプラズマ内でヘリコ
ン波を形成する、ｒｆ出力源によって駆動されるアンテ
ナと、該アンテナおよびプラズマ管を取り囲み、プラズ
マ内で磁場を生成する軸方向の電磁巻線と、ヘリコン波
の形成を制御し、ヘリコン波によって運搬される高エネ
ルギー電子を高エネルギー電子流を制御するための手段
とからなるヘリコンプラズマ源。 - 【請求項２４】 高エネルギー電子流の形成が増加さ
れ、かつ減少されうるように前記手段が磁場を調節する
請求項２３記載のヘリコンプラズマ源。 - 【請求項２５】 高エネルギー電子流の形成が増減され
うるように前記手段がアンテナに供給されたｒｆ出力を
調節する請求項２３記載のヘリコンプラズマ源。 - 【請求項２６】 高エネルギー電子流の形成が増減され
うるように、前記手段が磁場と、アンテナに供給された
ｒｆ出力とを調節する請求項２３記載のヘリコンプラズ
マ源。 - 【請求項２７】 ヘリコン波によって運搬された高エネ
ルギー電子流を増減する方法。 - 【請求項２８】 前記ヘリコン波がヘリコンプラズマ源
によって形成され、前記高エネルギー電子流がヘリコン
プラズマ源内の磁場を調節することによって増減される
請求項２７記載の方法。 - 【請求項２９】 前記ヘリコン波がヘリコンプラズマ源
によって形成され、前記高エネルギー電子流がヘリコン
プラズマ源内のアンテナに供給されたｒｆ出力を調節す
ることによって増減される請求項２７記載の方法。 - 【請求項３０】 薄膜装置を製造するための装置であっ
て、チャンバと、当該薄膜装置に向かって放出されるヘ
リコン波を当該チャンバ内で生成するための手段と、該
ヘリコン波によって運搬される高エネルギー電子を増減
するための手段と、当該薄膜装置を保持するための台
と、前記チャンバ内でエッチングプラズマの濃度を制御
するための手段とからなる装置。 - 【請求項３１】 前記ヘリコン波がヘリコンプラズマ源
によって形成され、前記高エネルギー電子流がヘリコン
プラズマ源内の磁場を調節することによって増減される
請求項３０記載の装置。 - 【請求項３２】 前記ヘリコン波がヘリコンプラズマ源
によって形成され、前記高エネルギー電子流がヘリコン
プラズマ源内のアンテナに供給されたｒｆ出力を調節す
ることによって増減される請求項３０記載の装置。 - 【請求項３３】 前記高エネルギー電子流と、エッチン
グプラズマの濃度とを増減することによって前記薄膜装
置を移動させることなくチャンバ内で複数のエッチング
工程が行われる請求項３０記載の装置。 - 【請求項３４】 前記高エネルギー電子流内の高エネル
ギー電子が薄膜装置のエッチング処理のあいだに形成さ
れたチャネルの底部まで貫通する請求項３０記載の装
置。 - 【請求項３５】 表面上に入射する化学的なスピーシー
ズの束およびイオンが変更されるようにガス相とイオン
の化学的条件とを変更するために高エネルギー電子を用
いる方法。 - 【請求項３６】 前記表面に対する変更が形成処理およ
びエッチング処理のうちの１つである請求項３５記載の
方法。
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