JP6208275B2 - 炭化珪素半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
少なくともシリコン系ガス及び酸素ガスを含む保護膜形成ガスと、反応性エッチングガスとを用いたプラズマにより、二酸化珪素マスクが形成された炭化珪素基板をエッチングする炭化珪素半導体素子の製造方法であって、
前記保護膜形成ガスと前記反応性エッチングガスとの総流量に対する前記シリコン系ガスの添加割合を30%以上50%以下とし、
前記炭化珪素基板の温度を100℃以上180℃以下に調整してエッチングする炭化珪素半導体素子の製造方法に係る。
面内均一性=(ERMax−ERMin)/(2×ERAve)×100
11 処理チャンバ
15 基台
20 ガス供給装置
21 SF6ガス供給部
22 SiF4ガス供給部
23 O2ガス供給部
24 不活性ガス供給部
30 プラズマ生成装置
31 コイル
32 高周波電源
35 高周波電源
40 排気装置
50 温度調整装置
Claims (6)
- 少なくともシリコン系ガス及び酸素ガスを含む保護膜形成ガスと、反応性エッチングガスとを用いたプラズマにより、二酸化珪素マスクが形成された炭化珪素基板をエッチングする炭化珪素半導体素子の製造方法であって、
前記保護膜形成ガスと前記反応性エッチングガスの総流量に対する前記シリコン系ガスの添加割合を30%以上50%以下とし、
前記炭化珪素基板の温度を100℃以上180℃以下に調整してエッチングすることを特徴とする、炭化珪素半導体素子の製造方法。 - 前記炭化珪素基板は、誘導結合プラズマによりエッチングされることを特徴とする請求項1記載の、炭化珪素半導体素子の製造方法。
- 前記シリコン系ガスは、SiF4ガス又はSiCl4ガスのいずれか一方のガスであることを特徴とする請求項1又は2記載の、炭化珪素半導体素子の製造方法。
- 前記反応性エッチングガスは、SF6ガス、NF3ガス及びF2ガスの中から選択したガスであることを特徴とする請求項1乃至3記載のいずれかの、炭化珪素半導体素子の製造方法。
- 前記炭化珪素基板をエッチングする際に、前記炭化珪素基板を載置する基台にバイアス電力を印加することを特徴とする請求項1乃至4記載のいずれかの、炭化珪素半導体素子の製造方法。
- 前記バイアス電力は、200W以上800W以下であることを特徴とする請求項5記載の、炭化珪素半導体素子の製造方法。
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