JP6824074B2 - エッチング方法 - Google Patents
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Description
塩素含有ガス及び酸素ガスを処理チャンバ内に供給し、該各ガスをプラズマ化し、生成されたプラズマによって、インジウム含有層を含む基板をエッチングし、前記インジウム含有層にエッチング構造を形成する方法において、
前記塩素含有ガス及び酸素ガスの総流量に占める酸素ガスの流量の比率が3%以上35%以下となるように、前記処理チャンバ内に前記塩素含有ガス及び酸素ガスを供給し、
前記基板の温度を30℃以上150℃以下に調整するエッチング方法に係る。
11 処理チャンバ
15 基台
20 ガス供給装置
21 Cl2ガス供給部
22 SiCl4ガス供給部
23 O2ガス供給部
30 プラズマ生成装置
31 コイル
32 高周波電源
35 高周波電源
40 排気装置
50 温度調整装置
Claims (6)
- 塩素含有ガス及び酸素ガスを処理チャンバ内に供給し、該各ガスをプラズマ化し、生成されたプラズマによって、InP層を含むInP基板をエッチングし、前記InP層にエッチング構造を形成する方法において、
前記塩素含有ガス及び酸素ガスの総流量に占める酸素ガスの流量の比率が3%以上35%以下となるように、前記処理チャンバ内に前記塩素含有ガス及び酸素ガスを供給し、
前記InP基板の温度を100℃以上150℃以下に調整することを特徴とするエッチング方法。 - 塩素含有ガス及び酸素ガスを処理チャンバ内に供給し、該各ガスをプラズマ化して誘導結合プラズマを生成し、生成された誘導結合プラズマによって、InP層を含むInP基板をエッチングし、前記InP層にエッチング構造を形成する方法において、
前記InP層上にレジストマスクを形成し、
前記塩素含有ガス及び酸素ガスの総流量に占める酸素ガスの流量の比率が3%以上35%以下となるように、前記処理チャンバ内に前記塩素含有ガス及び酸素ガスを供給し、
前記InP基板の温度を30℃以上150℃以下に調整するとともに、
前記InP基板のエッチングを、2μm/min以上、10μ/min以下のエッチングレートで実行することを特徴とするエッチング方法。 - 前記基板は、単一のInP層のみを含むことを特徴とする請求項1又は2記載のエッチング方法。
- 前記塩素含有ガスは、塩素ガス又は塩化水素ガスであることを特徴とする請求項1乃至3記載のいずれかのエッチング方法。
- 前記塩素含有ガスは、塩素ガス又は塩化水素ガスと、四塩化ケイ素ガス又は三塩化ホウ素ガスとであることを特徴とする請求項1乃至3記載のいずれかのエッチング方法。
- 塩素含有ガス及び酸素ガスを処理チャンバ内に供給し、該各ガスをプラズマ化し、生成されたプラズマによって、インジウム含有層を含む基板をエッチングし、前記インジウム含有層にエッチング構造を形成する方法において、
前記塩素含有ガスを、塩素ガス又は塩化水素ガスと、四塩化ケイ素ガス又は三塩化ホウ素ガスとの混合ガスとし、
前記塩素含有ガス及び酸素ガスの総流量に占める酸素ガスの流量の比率が3%以上35%以下となり、且つ前記塩素含有ガス及び酸素ガスの総流量に占める前記四塩化ケイ素ガス又は三塩化ホウ素ガスの流量の比率が10%以上38%以下となるように、前記処理チャンバ内に前記塩素含有ガス及び酸素ガスを供給するとともに、
前記基板の温度を30℃以上150℃以下に調整するようにしたことを特徴とするエッチング方法。
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