JP2019508883A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板の上にゲート電極を形成することと、
   前記ゲート電極の上にゲート誘電体層を堆積することと、
   前記ゲート誘電体層の上に金属酸化物の半導体層を堆積することと、次に、
   前記金属酸化物の半導体層をアニールすることと、次に、
   第１のフッ素ラジカルを用いて前記金属酸化物の半導体層を処理することと、次に、
   前記金属酸化物の半導体層の上に導電層を堆積することと
   を含む方法。
2. 前記第１のフッ素ラジカルが、第１の遠隔プラズマ内で生成される、請求項１に記載の方法。
3. 前記第１のフッ素ラジカルが、前記金属酸化物の半導体層が配置されたチャンバの内部で点火された第１のプラズマ内で生成される、請求項１に記載の方法。
4. 前記金属酸化物の半導体層をアニールする前に、第２のフッ素ラジカルを用いて前記金属酸化物の半導体層を処理することをさらに含み、前記第２のフッ素ラジカルが、第２の遠隔プラズマ内で生成される、請求項１に記載の方法。
5. 前記金属酸化物の半導体層をアニールする前に、第２のフッ素ラジカルを用いて前記金属酸化物の半導体層を処理することをさらに含み、前記第２のフッ素ラジカルが、前記金属酸化物の半導体層が配置されたチャンバの内部で点火された第２のプラズマ内で生成される、請求項１に記載の方法。
6. 基板の上に金属酸化物層を堆積することと、
   第１のフッ素ラジカル又は第１のフッ素含有ガスを用いて前記金属酸化物層を処理することと、
   前記金属酸化物層にゲート誘電体層を堆積することと、
   前記金属酸化物層の上に層間誘電体層を堆積することと、
   前記層間誘電体層に金属層を堆積することと
   を含む方法。
7. 前記第１のフッ素ラジカルが、第１の遠隔プラズマ内で生成される、請求項６に記載の方法。
8. 前記第１のフッ素ラジカルが、前記金属酸化物層が配置されたチャンバの内部で点火された第１のプラズマ内で生成される、請求項６に記載の方法。
9. 前記第１のフッ素ラジカル又は前記第１のフッ素含有ガスを用いて前記金属酸化物層を処理した後に、前記金属酸化物層をエッチングすることをさらに含む、請求項６に記載の方法。
10. 前記金属酸化物層をエッチングした後に、第２のフッ素ラジカル又は第２のフッ素含有ガスを用いて前記金属酸化物層を処理することをさらに含み、前記第２のフッ素ラジカルが、第２の遠隔プラズマ内で生成される、請求項９に記載の方法。
11. 前記金属酸化物層をエッチングした後に、第２のフッ素ラジカル又は第２のフッ素含有ガスを用いて前記金属酸化物層を処理することをさらに含み、前記第２のフッ素ラジカルが、前記金属酸化物層が配置されたチャンバの内部で点火された第２のプラズマ内で生成される、請求項９に記載の方法。
12. 基板の上にゲート電極を形成することと、
    前記ゲート電極の上にゲート誘電体層を堆積することと、
    前記ゲート誘電体層の上に金属酸化物の半導体層を堆積することと、次に、
    前記金属酸化物の半導体層をアニールすることと、次に、
    フッ素含有ガスを用いて前記金属酸化物の半導体層を処理することと、次に、
    前記金属酸化物の半導体層の上に導電層を堆積することと
    を含む方法。
13. 前記フッ素含有ガスが、ＮＦ _３ 、ＣＦ _４ 、又はＦ _２ を含む、請求項１２に記載の方法。
14. 第１のフッ素ラジカルを用いて前記金属酸化物の半導体層を処理することが、
    約２０００立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）から約６０００ｓｃｃｍの範囲内の流量のフッ素含有ガスを遠隔プラズマ源内に流し込むことと、
    約０．２Ｗ／ｃｍ２から約０．６Ｗ／ｃｍ２の範囲内の電力密度を有する前記遠隔プラズマ源内で、酸素もシリコンも含有しないフッ素含有プラズマを形成することと、
    前記フッ素含有プラズマを処理領域内に流し込むことと
    を含み、前記基板が約摂氏約１５０度から摂氏約３５０度の範囲内の温度である、請求項１に記載の方法。
15. 前記金属酸化物の半導体層を処理することが、プラズマ化学気相堆積チャンバで行われ、前記プラズマ化学気相堆積チャンバ内部の圧力が約２００ｍＴから約９００ｍＴの範囲内である、請求項１４に記載の方法。