JP2015529011A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 低誘電率シリコン含有誘電膜の誘電率（ｋ）を低下させる方法であって、
   低誘電率シリコン含有誘電膜をフッ化水素酸溶液に曝露すること、
   前記低誘電率シリコン含有誘電膜を気化されたシリル化剤に曝露すること、及び、
   前記低誘電率シリコン含有誘電膜を紫外線（ＵＶ）硬化プロセスに曝露すること
   を含む、方法。
2. 前記低誘電率シリコン含有誘電膜を気化されたシリル化剤に曝露すること、及び、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をＵＶ硬化プロセスに曝露することが、同じ処理チャンバ内で実施される、請求項１に記載の方法。
3. 前記ＵＶ硬化プロセスが、摂氏約１００度から摂氏約８００度までのＵＶ硬化温度で実施される、請求項１に記載の方法。
4. ＵＶ照射波長をシミュレートするために、遠隔プラズマ源により形成されるプラズマを使用することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
5. プラズマが遠隔プラズマ源により形成される、請求項４に記載の方法。
6. 前記低誘電率シリコン含有誘電膜を気化されたシリル化剤に曝露すること、及び、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をＵＶ硬化プロセスに曝露することが同時に実施される、請求項１に記載の方法。
7. 前記低誘電率シリコン含有誘電膜を気化されたシリル化剤に曝露すること、及び、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をＵＶ硬化プロセスに曝露することを繰り返すことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
8. 前記低誘電率シリコン含有誘電膜は、前記フッ化水素酸溶液に曝露する前の前記低誘電率シリコン含有誘電体の誘電率（ｋ）と比較して、前記シリル化剤に曝露した後により低い誘電率（ｋ）を有する、請求項１に記載の方法。
9. 前記低誘電率シリコン含有誘電膜は、３又はそれを下回る初期誘電率を有する、シリコンベースの誘電材料である、請求項１に記載の方法。
10. 前記低誘電率シリコン含有誘電膜は、炭素及び水素を含有する、酸化ケイ素である、請求項９に記載の方法。
11. 前記低誘電率シリコン含有誘電膜は、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をフッ化水素酸溶液に曝露することよりも前に、平坦化プロセス、エッチングプロセス、ディフュージョンバリア堆積プロセス、金属堆積プロセス、及びこれらの組み合わせから選択される、集積化プロセスに曝露される、請求項１に記載の方法。
12. 前記低誘電率シリコン含有誘電膜をＵＶ硬化プロセスに曝露することが、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をシリル化剤に曝露することよりも前に、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をシリル化剤に曝露することと同時に、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をシリル化剤に曝露することに続いて、又はこれらの組み合わせで、実施される、請求項１に記載の方法。
13. 前記低誘電率シリコン含有誘電膜をＵＶ硬化プロセスに曝露することが、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をシリル化剤に曝露することに続いて実施される、請求項１２に記載の方法。
14. 前記低誘電率シリコン含有誘電膜をフッ化水素酸溶液に曝露することが、低誘電率シリコン含有誘電膜をフッ化水素酸溶液に浸漬すること、又はフッ化水素酸溶液を低誘電率シリコン含有誘電膜上にスプレーすることを含む、請求項１に記載の方法。
15. 前記低誘電率シリコン含有誘電膜をＵＶ硬化プロセスに曝露するよりも前に、又は同時に、前記低誘電率シリコン含有誘電膜を加熱することをさらに含む、請求項１に記載の方法。