JP2006165531A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 電界効果型トランジスタの製造方法であって、
   基板を用意する第１の工程、及び該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第２の工程を備え、且つ
   該第２の工程前に、
   該基板表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射する工程、該基板表面にプラズマを照射する工程、及び該基板表面を、過酸化水素を含有する薬液により洗浄する工程
   のうちの、少なくともいずれかの工程を行うことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
2. 電界効果型トランジスタの製造方法であって、
   基板を用意する第１の工程、及び該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第２の工程を備え、且つ
   該第２の工程を、
   成長室に設置されたオゾン発生装置から、オゾンガスを成長室に導入する工程、
   窒素酸化物ガスを成長室の外部から成長室に導入する工程、
   成長室に設置されたラジカル発生装置から、酸素ラジカルを成長室に導入する工程、
   成長室に設置されたプラズマ発生装置から、酸素イオンを該基板に向けて照射する工程、
   から選択されるいずれかの工程により発生させた、オゾンガス、窒素酸化物ガス、酸素含有ラジカル、酸素イオン、酸素ラジカルの少なくともいずれかを含む雰囲気中で行うことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
3. 電界効果型トランジスタの製造方法であって、
   基板を用意する第１の工程、及び
   該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第２の工程を備え、且つ
   該第２の工程後に、
   オゾン、窒素酸化物、水蒸気の少なくともいずれかを含有する雰囲気中において、
   該第２の工程における該活性層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程、
   該活性層を備えている該基板に酸素含有プラズマを照射する工程、
   の少なくともいずれかの工程を行うことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
4. 電界効果型トランジスタの製造方法であって、
   基板を用意する第１の工程、及び該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第２の工程を備え、且つ
   該第２の工程を、
   抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、化学気相成長法、ラインビームレーザー蒸着法、あるいは電気析出法により行うことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
5. 電界効果型トランジスタの製造方法であって、
   基板を用意する第１の工程、及び該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を成膜する第２の工程を備え、且つ
   該第２の工程を、成膜温度が７０℃以上で行うことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
6. 前記成膜温度が、７０℃以上２００℃以下であることを特徴とする請求項５記載の電界効果型トランジスタの製造方法。