JP2009033179A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 半導体基板上に酸化物層を形成する方法であって：
   プラズマリアクタの真空チャンバ内の基板支持体上に酸化すべき基板を載置するステップであって、該チャンバが該基板支持体から遠隔のイオン発生領域を有する、前記ステップと；
   該チャンバにプロセスガスを導入するステップであって、該プロセスガスが水素（Ｈ_２）、酸素（Ｏ_２）及び水蒸気（Ｈ_２Ｏ蒸気）を含む、前記ステップと；
   該チャンバの該イオン発生領域に誘導結合プラズマを生成させて、該基板上に酸化シリコン層を形成するステップと；
   を含む、前記方法。
2. 該基板が、更に、複数の層を備え膜スタックを含み、該酸化シリコン層が該スタック上に形成される、請求項１に記載の方法。
3. 前記膜スタックが酸化物層を有するゲートスタックを含む請求項２に記載の方法。
4. 該プロセスガスが、更に、少なくとも一つの不活性ガスを含む、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の方法。
5. 該プロセスガスが、約１:３〜３:１の流量比で供給される水素（Ｈ_２）と酸素（Ｏ_２）を含む、請求項１ないし４のいずれかに記載の方法。
6. 該プロセスガスが、約３:１までの水素（Ｈ_２）と酸素（Ｏ_２）の流量比で供給される水素（Ｈ_２）と酸素（Ｏ_２）を含む、請求項１ないし４のいずれかに記載の方法。
7. 該基板を約７００℃未満に維持するステップを更に含む、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
8. 該基板を約６００℃未満に維持するステップを更に含む、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
9. 該チャンバ内の圧力が、約５-５００ミリトールに維持される、請求項１ないし８のいずれか１項に記載の方法。
10. 該酸化シリコン膜の成長速度が、約７-５０オングストローム／分である、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の方法。
11. 誘導結合プラズマを生成させるステップが、
    パルスプラズマ源電力を供給する工程、
    を更に含む、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の方法。
12. 該プラズマ源電力を約５-２０ｋＨｚのパルス周波数でパルスにするステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
13. 約２-７０パーセントのデューティサイクルを有するパルス化されたプラズマ源電力を供給するステップをさらに含む請求項１１に記載の方法。
14. 該イオン発生領域が、該基板支持体から約２-２０ｃｍに配置される、請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の方法。
15. 前記プラズマが約１５ｅＶ未満のイオンエネルギーを有する請求項１ないし１３のいずれかに記載の方法。