JP2015504239A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板の表面を洗浄する方法であって、
   コンタクト構造体を有する基板を処理チャンバ内に配置することであって、前記基板が、前記基板上に配置され、前記基板上に開口を形成する誘電体層を有する、前記配置すること、
   前記基板上に配置された前記誘電体層を、前記チャンバ内に供給された水蒸気にさらし、水蒸気中にプラズマを形成すること、
   前記チャンバ内のプロセス圧力を約１トルから約１２０トルの間に維持すること、および
   前記基板上に形成された前記コンタクト構造体を洗浄すること
   を含む方法。
2. 前記コンタクト構造体を形成するのに使用された前記誘電体層が、ドープされていないシリコンガラス（ＵＳＧ）、ホウ素−ケイ酸塩ガラス（ＢＳＧ）、リン−ケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）、ホウ素−リン−ケイ酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）およびこれらの混合物からなるグループから選択される、請求項１に記載の方法。
3. 前記誘電体層をさらすことが、
   約４０度未満の濡れ角を有するように前記誘電体層の表面を制御すること
   をさらに含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記誘電体層をさらすことが、
   前記誘電体層の表面を親水性表面に変えること
   をさらに含む、請求項３に記載の方法。
5. 前記誘電体層を前記水蒸気にさらすことが、
   前記水蒸気と一緒に、酸素を含むガスまたは水素を含むガスを前記チャンバ内に供給すること
   をさらに含む、請求項１に記載の方法。
6. 前記誘電体層をさらすことが、
   前記水蒸気中に前記プラズマを形成するため、約５ワットから約５０００ワットの間のＲＦ電力を加えること
   をさらに含む、請求項１に記載の方法。
7. 前記誘電体層をさらすことが、
   前記水蒸気にさらす前に、前記誘電体層を、炭素−フッ素を含むガスにさらすこと
   をさらに含む、請求項１に記載の方法。
8. 前記水蒸気が、アルゴン、ヘリウムまたは窒素の存在下で生成される、請求項１に記載の方法。
9. 前記誘電体層を前記水蒸気にさらすことが、
   前記水蒸気を前記チャンバにパルスモードで供給すること
   をさらに含む、請求項１に記載の方法。
10. 前記基板上に形成された前記開口が、その下のコンタクト金属またはコンタクト金属ケイ化物層またはコンタクト窒化ケイ素層を露出させる前記誘電体層内の前記開口の中に開口を形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
11. 前記チャンバに供給された前記水蒸気が、前記基板上に配置された、前記コンタクト金属またはコンタクト金属ケイ化物層またはコンタクト窒化ケイ素層、および前記誘電体層を洗浄する、請求項１０に記載の方法。
12. 基板表面を洗浄する方法であって、
    その上に配置された誘電体層を有する基板をチャンバ内に配置すること、
    前記誘電体層を、前記チャンバ内に供給された水蒸気にさらし、水蒸気中にプラズマを形成すること、
    約４０度未満の濡れ角を有するように前記誘電体層の表面を制御すること、および
    前記基板から前記誘電体層を洗浄すること
    を含む方法。
13. 前記誘電体層を前記水蒸気にさらすことが、
    前記チャンバ内のプロセス圧力を約１トルから約１２０トルの間に維持すること
    をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
14. 前記誘電体層を前記水蒸気にさらすことが、
    前記水蒸気にＲＦ電力を加えること
    をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
15. 前記誘電体層を前記水蒸気にさらすことが、
    前記水蒸気と一緒に、酸素を含むガスおよび／または水素を含むガスを前記チャンバに流入させることをさらに含み、前記酸素を含むガスが、Ｏ_２、Ｎ_２Ｏ、ＣＯ_２、ＮＯおよびＮＯ_２からなるグループから選択され、前記水素を含むガスが、Ｈ_２、Ｈ_２Ｏ_２およびＮＨ_３からなるグループから選択される、
    請求項１２に記載の方法。