JP2009531857A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 基板上の誘電体膜を処理する方法であって、
   当該方法は：
   エッチングプラズマ、アッシングプラズマ、若しくは湿式洗浄化学物質、又は上記2以上の組合せに表面層が曝露された前記誘電体膜を有する前記基板を処理システム内に設ける工程；及び
   前記誘電体膜上で非プラズマ除去プロセスを実行する工程；
   を有し、
   前記除去プロセスは：
   前記表面層を化学的に変化させるためにHF、NH₃、又はこれらの混合物を有する処理ガスに前記誘電体膜上の前記表面層を曝露する工程；並びに
   前記の化学的に変化した表面層の吸着物を除去するため、前記の化学的に変化した表面層を熱処理する工程；
   を有する、
   方法。
2. 前記曝露する工程が、1.6から2.7の範囲の誘電率を有する誘電体膜の表面層を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
3. 前記曝露する工程が、有孔性誘電体膜若しくは非有孔性誘電体膜、又はこれらの混合誘電体膜の表面層を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
4. 前記曝露する工程が、単相材料有孔性誘電体膜若しくは二相材料有孔性誘電体膜、又はこれらが混合した有孔性誘電体膜の表面層を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
5. 前記曝露する工程が、有機材料若しくは無機材料、又はこれらの混合材料を有する膜の表面層を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
6. 前記曝露する工程が、シリケートベースの材料を有する膜の表面層を曝露する工程を有する、請求項5に記載の方法。
7. 前記曝露する工程が、シリコン、炭素、及び酸素を有する複合膜の表面層を曝露する工程を有する、請求項5に記載の方法。
8. 前記曝露する工程が、さらに水素を有する前記複合膜の表面層を曝露する工程を有する、請求項7に記載の方法。
9. 前記曝露する工程が、約1mTorrから約100Torrの範囲のプロセス圧力で実行される、請求項1に記載の方法。
10. 前記曝露する工程が、前記基板温度を約10℃から約200℃の範囲の温度に維持したまま実行される、請求項1に記載の方法。
11. 前記曝露する工程が、さらに不活性ガスを有する処理ガスに前記基板を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
12. 前記曝露する工程が、さらに希ガスを有する処理ガスに前記基板を曝露する工程を有する、請求項11に記載の方法。
13. 前記熱処理する工程が前記基板の温度を約50℃よりも高い温度に昇温する工程を有する、請求項1に記載の方法。
14. 前記熱処理する工程が前記基板の温度を約100℃よりも高い温度に昇温する工程を有する、請求項1に記載の方法。
15. 前記熱処理する工程が、不活性ガスを導入する工程中に実行される、請求項14に記載の方法。
16. 前記導入する工程が窒素を導入する工程をさらに有する、請求項15に記載の方法。
17. 基板上に形成されるlow-k膜内に特徴部位を形成する方法であって：
    上に前記low-k膜を有する前記基板をプロセスチャンバ内に設ける工程；
    前記low-k膜内に形成されるlow-k特徴部位に相当するパターン特徴部位を有するマスクパターンを前記low-k膜上に形成する工程；
    ドライプラズマエッチングプロセスを用いて前記のlow-k膜内に形成されるlow-k特徴部位をエッチングする工程；並びに
    前記low-k特徴部位上で乾式の非プラズマエッチングプロセスを実行して、前記プラズマエッチングプロセスによって損傷を受ける、及び/又は活性化する前記low-k特徴部位の表面層を除去する工程；
    を有する方法。
18. 前記形成する工程が、前記ドライプラズマ除去プロセスを補償するため、前記low-k特徴部位の限界寸法未満の限界寸法を有するマスクパターンを形成する工程を有する、請求項17に記載の方法。
19. 前記low-k特徴部位が、相互接続ビア、若しくはワイヤとなる溝、又は上記の組合せを有する、請求項18に記載の方法。
20. 前記の乾式の非プラズマエッチングプロセスを実行する工程が：
    前記表面層を化学的に変化させるため、HF、若しくはNH₃、又は上記の混合物を有する処理ガスに前記low-k特徴部位上の表面層を曝露する工程；及び
    前記の化学的に変化した表面層の吸着物を除去するため、前記の化学的に変化した表面層を熱処理する工程；
    を有する、
    請求項19に記載の方法。