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Claims (20)
- 基板上の誘電体膜を処理する方法であって、
当該方法は:
エッチングプラズマ、アッシングプラズマ、若しくは湿式洗浄化学物質、又は上記2以上の組合せに表面層が曝露された前記誘電体膜を有する前記基板を処理システム内に設ける工程;及び
前記誘電体膜上で非プラズマ除去プロセスを実行する工程;
を有し、
前記除去プロセスは:
前記表面層を化学的に変化させるためにHF、NH3、又はこれらの混合物を有する処理ガスに前記誘電体膜上の前記表面層を曝露する工程;並びに
前記の化学的に変化した表面層の吸着物を除去するため、前記の化学的に変化した表面層を熱処理する工程;
を有する、
方法。 - 前記曝露する工程が、1.6から2.7の範囲の誘電率を有する誘電体膜の表面層を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記曝露する工程が、有孔性誘電体膜若しくは非有孔性誘電体膜、又はこれらの混合誘電体膜の表面層を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記曝露する工程が、単相材料有孔性誘電体膜若しくは二相材料有孔性誘電体膜、又はこれらが混合した有孔性誘電体膜の表面層を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記曝露する工程が、有機材料若しくは無機材料、又はこれらの混合材料を有する膜の表面層を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記曝露する工程が、シリケートベースの材料を有する膜の表面層を曝露する工程を有する、請求項5に記載の方法。
- 前記曝露する工程が、シリコン、炭素、及び酸素を有する複合膜の表面層を曝露する工程を有する、請求項5に記載の方法。
- 前記曝露する工程が、さらに水素を有する前記複合膜の表面層を曝露する工程を有する、請求項7に記載の方法。
- 前記曝露する工程が、約1mTorrから約100Torrの範囲のプロセス圧力で実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記曝露する工程が、前記基板温度を約10℃から約200℃の範囲の温度に維持したまま実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記曝露する工程が、さらに不活性ガスを有する処理ガスに前記基板を曝露する工程を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記曝露する工程が、さらに希ガスを有する処理ガスに前記基板を曝露する工程を有する、請求項11に記載の方法。
- 前記熱処理する工程が前記基板の温度を約50℃よりも高い温度に昇温する工程を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記熱処理する工程が前記基板の温度を約100℃よりも高い温度に昇温する工程を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記熱処理する工程が、不活性ガスを導入する工程中に実行される、請求項14に記載の方法。
- 前記導入する工程が窒素を導入する工程をさらに有する、請求項15に記載の方法。
- 基板上に形成されるlow-k膜内に特徴部位を形成する方法であって:
上に前記low-k膜を有する前記基板をプロセスチャンバ内に設ける工程;
前記low-k膜内に形成されるlow-k特徴部位に相当するパターン特徴部位を有するマスクパターンを前記low-k膜上に形成する工程;
ドライプラズマエッチングプロセスを用いて前記のlow-k膜内に形成されるlow-k特徴部位をエッチングする工程;並びに
前記low-k特徴部位上で乾式の非プラズマエッチングプロセスを実行して、前記プラズマエッチングプロセスによって損傷を受ける、及び/又は活性化する前記low-k特徴部位の表面層を除去する工程;
を有する方法。 - 前記形成する工程が、前記ドライプラズマ除去プロセスを補償するため、前記low-k特徴部位の限界寸法未満の限界寸法を有するマスクパターンを形成する工程を有する、請求項17に記載の方法。
- 前記low-k特徴部位が、相互接続ビア、若しくはワイヤとなる溝、又は上記の組合せを有する、請求項18に記載の方法。
- 前記の乾式の非プラズマエッチングプロセスを実行する工程が:
前記表面層を化学的に変化させるため、HF、若しくはNH3、又は上記の混合物を有する処理ガスに前記low-k特徴部位上の表面層を曝露する工程;及び
前記の化学的に変化した表面層の吸着物を除去するため、前記の化学的に変化した表面層を熱処理する工程;
を有する、
請求項19に記載の方法。
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US7786016B2 (en) * | 2007-01-11 | 2010-08-31 | Micron Technology, Inc. | Methods of uniformly removing silicon oxide and a method of removing a sacrificial oxide |
US8252194B2 (en) | 2008-05-02 | 2012-08-28 | Micron Technology, Inc. | Methods of removing silicon oxide |
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CN102420121B (zh) * | 2011-05-26 | 2013-12-04 | 上海华力微电子有限公司 | 一种针对氟基等离子体刻蚀后的氮化钛薄膜的处理方法 |
CN102437037B (zh) * | 2011-09-08 | 2014-06-04 | 上海华力微电子有限公司 | 一种有效减少水痕缺陷的方法 |
CN103094190B (zh) * | 2011-11-01 | 2015-04-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 互连层中空气间隙的形成方法 |
US8592327B2 (en) | 2012-03-07 | 2013-11-26 | Tokyo Electron Limited | Formation of SiOCl-containing layer on exposed low-k surfaces to reduce low-k damage |
US8551877B2 (en) | 2012-03-07 | 2013-10-08 | Tokyo Electron Limited | Sidewall and chamfer protection during hard mask removal for interconnect patterning |
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US8871639B2 (en) * | 2013-01-04 | 2014-10-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor devices and methods of manufacture thereof |
CN103646872A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种去胶设备 |
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KR20170057329A (ko) | 2014-09-12 | 2017-05-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 프로세싱 장비 유출물의 처리를 위한 제어기 |
US9576811B2 (en) | 2015-01-12 | 2017-02-21 | Lam Research Corporation | Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch) |
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US9870899B2 (en) | 2015-04-24 | 2018-01-16 | Lam Research Corporation | Cobalt etch back |
CN107924816B (zh) * | 2015-06-26 | 2021-08-31 | 东京毅力科创株式会社 | 具有含硅减反射涂层或硅氧氮化物相对于不同膜或掩模的可控蚀刻选择性的气相蚀刻 |
US9972504B2 (en) | 2015-08-07 | 2018-05-15 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching of tungsten for enhanced tungsten deposition fill |
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FR3041471B1 (fr) * | 2015-09-18 | 2018-07-27 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de formation des espaceurs d'une grille d'un transistor |
US10229837B2 (en) | 2016-02-04 | 2019-03-12 | Lam Research Corporation | Control of directionality in atomic layer etching |
US10727073B2 (en) | 2016-02-04 | 2020-07-28 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching 3D structures: Si and SiGe and Ge smoothness on horizontal and vertical surfaces |
US9991128B2 (en) | 2016-02-05 | 2018-06-05 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching in continuous plasma |
US10269566B2 (en) | 2016-04-29 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Etching substrates using ale and selective deposition |
US9837312B1 (en) | 2016-07-22 | 2017-12-05 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching for enhanced bottom-up feature fill |
US10566212B2 (en) | 2016-12-19 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Designer atomic layer etching |
US10559461B2 (en) | 2017-04-19 | 2020-02-11 | Lam Research Corporation | Selective deposition with atomic layer etch reset |
US10832909B2 (en) | 2017-04-24 | 2020-11-10 | Lam Research Corporation | Atomic layer etch, reactive precursors and energetic sources for patterning applications |
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CN107845574B (zh) * | 2017-10-31 | 2018-11-23 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体上刻蚀去除氧化物的方法 |
KR102642011B1 (ko) | 2018-03-30 | 2024-02-27 | 램 리써치 코포레이션 | 내화성 금속들 및 다른 고 표면 결합 에너지 재료들의 원자 층 에칭 및 평활화 (smoothing) |
US10982335B2 (en) * | 2018-11-15 | 2021-04-20 | Tokyo Electron Limited | Wet atomic layer etching using self-limiting and solubility-limited reactions |
CN110928142B (zh) * | 2019-11-28 | 2023-08-29 | 北京遥测技术研究所 | 一种光刻厚胶与金属基底结合力的改善方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5685951A (en) * | 1996-02-15 | 1997-11-11 | Micron Technology, Inc. | Methods and etchants for etching oxides of silicon with low selectivity in a vapor phase system |
US5838055A (en) * | 1997-05-29 | 1998-11-17 | International Business Machines Corporation | Trench sidewall patterned by vapor phase etching |
US6627539B1 (en) * | 1998-05-29 | 2003-09-30 | Newport Fab, Llc | Method of forming dual-damascene interconnect structures employing low-k dielectric materials |
JP3662472B2 (ja) * | 2000-05-09 | 2005-06-22 | エム・エフエスアイ株式会社 | 基板表面の処理方法 |
US6451712B1 (en) * | 2000-12-18 | 2002-09-17 | International Business Machines Corporation | Method for forming a porous dielectric material layer in a semiconductor device and device formed |
US6541351B1 (en) * | 2001-11-20 | 2003-04-01 | International Business Machines Corporation | Method for limiting divot formation in post shallow trench isolation processes |
JP2003234402A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造方法及び半導体製造装置 |
US6858532B2 (en) * | 2002-12-10 | 2005-02-22 | International Business Machines Corporation | Low defect pre-emitter and pre-base oxide etch for bipolar transistors and related tooling |
US6951821B2 (en) * | 2003-03-17 | 2005-10-04 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for chemically treating a substrate |
US7029536B2 (en) * | 2003-03-17 | 2006-04-18 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for treating a substrate |
US7877161B2 (en) | 2003-03-17 | 2011-01-25 | Tokyo Electron Limited | Method and system for performing a chemical oxide removal process |
TWI220774B (en) * | 2003-11-03 | 2004-09-01 | Univ Nat Sun Yat Sen | Method for patterning low dielectric constant film and method for manufacturing dual damascene structure |
US20050218113A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Limited | Method and system for adjusting a chemical oxide removal process using partial pressure |
US20050227494A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for treating a substrate |
US20050269291A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-08 | Tokyo Electron Limited | Method of operating a processing system for treating a substrate |
US7097779B2 (en) * | 2004-07-06 | 2006-08-29 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for chemically treating a TERA layer |
US7510972B2 (en) * | 2005-02-14 | 2009-03-31 | Tokyo Electron Limited | Method of processing substrate, post-chemical mechanical polishing cleaning method, and method of and program for manufacturing electronic device |
JP4860219B2 (ja) * | 2005-02-14 | 2012-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法、電子デバイスの製造方法及びプログラム |
JP4515309B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
US20070031609A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Ajay Kumar | Chemical vapor deposition chamber with dual frequency bias and method for manufacturing a photomask using the same |
US7214626B2 (en) * | 2005-08-24 | 2007-05-08 | United Microelectronics Corp. | Etching process for decreasing mask defect |
US20070238301A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Cabral Stephen H | Batch processing system and method for performing chemical oxide removal |
US7288483B1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-30 | Tokyo Electron Limited | Method and system for patterning a dielectric film |
US7368393B2 (en) * | 2006-04-20 | 2008-05-06 | International Business Machines Corporation | Chemical oxide removal of plasma damaged SiCOH low k dielectrics |
US7718032B2 (en) * | 2006-06-22 | 2010-05-18 | Tokyo Electron Limited | Dry non-plasma treatment system and method of using |
US7786016B2 (en) * | 2007-01-11 | 2010-08-31 | Micron Technology, Inc. | Methods of uniformly removing silicon oxide and a method of removing a sacrificial oxide |
KR101330707B1 (ko) * | 2007-07-19 | 2013-11-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 형성 방법 |
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