JP2009530871A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 配線構造において誘電性バリア層をエッチングするための方法であり、
   誘電性バルク絶縁層を介してその一部が露出している誘電性バリア層を有する基板をエッチングリアクタ内に配置し、誘電性バリア層は窒素ドープ炭素含有ケイ素（ＳｉＣＮ）フィルムであり、
   少なくともＨ_２ガスを含有するガス混合物をリアクタ内に流し、
   ガス混合物から形成されるプラズマの存在下で、ＳｉＣＮ誘電性バリア層の露出部位を誘電性バルク絶縁層に対して選択的にエッチングすることを含む方法。
2. ガス混合物を流す工程が、フッ素含有ガスをＨ_２ガスと共にリアクタ内に流すことを含む請求項１記載の方法。
3. エッチングする工程が、
   処理圧力を約１０ｍＴｏｒｒから約２００ｍＴｏｒｒに維持し、
   基板温度を約０℃から約５０℃に制御し、
   約１００ワットから約８００ワットのプラズマパワーを印加することを更に含む請求項１記載の方法。
4. フッ素含有ガスを流す工程が、フッ素含有ガスを流量約０ｓｃｃｍから約８０ｓｃｃｍで流すことを含む請求項２記載の方法。
5. フッ素含有ガスがＣＨ_２Ｆ_２、ＣＨＦ_３、ＣＨ_３Ｆ、Ｃ_２Ｆ_６、ＣＦ_４及びＣ_３Ｆ_８から成る群から選択される請求項２記載の方法。
6. ＳｉＣＮ誘電性バリア層が５．５未満の誘電率を有しており、誘電性バルク絶縁層が４未満の誘電率を有している請求項１記載の方法。
7. 誘電性バルク層が炭素含有酸化ケイ素フィルムである請求項１記載の方法。
8. 露出したＳｉＣＮ誘電性バリア層を除去し、
   ＳｉＣＮ誘電性バリア層の下に配置された、基板上の下層である導電層を露出させることを含む請求項１記載の方法。
9. 配線構造において誘電性バリア層をエッチングするための方法であり、
   誘電性バルク絶縁層を介してその一部が露出している誘電性バリア層を有する基板をエッチングリアクタ内に配置し、誘電性バリア層が５．５未満の誘電率を有し、誘電性バリア層は窒素ドープ炭素含有ケイ素（ＳｉＣＮ）フィルムであり、
   Ｈ_２ガスとフッ素含有ガスを含有するガス混合物をリアクタ内に流し、
   ガス混合物から生成されたプラズマの存在下で、ＳｉＣＮ誘電性バリア層の露出部位を、誘電性バルク絶縁層に対して選択的にエッチングすることを含む方法。
10. ガス混合物を流す工程が、
    Ｈ_２ガスを流量約５ｓｃｃｍから約１００ｓｃｃｍで流し、
    フッ素含有ガスを流量約０ｓｃｃｍから約８０ｓｃｃｍで流すことを含む請求項９記載の方法。
11. ガス混合物を流す工程が、
    処理圧力を約１０ｍＴｏｒｒから約２００ｍＴｏｒｒに維持し、
    基板温度を約０℃から約５０℃に制御し、
    約１００ワットから約８００ワットのプラズマを印加することを含む請求項９記載の方法。
12. フッ素含有ガスがＣＨ_２Ｆ_２、ＣＨＦ_３、ＣＨ_３Ｆ、Ｃ_２Ｆ_６、ＣＦ_４及びＣ_３Ｆ_８から成る群から選択される請求項９記載の方法。
13. 配線構造において誘電性バリア層をエッチングするための方法であり、
    誘電性バルク絶縁層を介してその一部が露出している誘電性バリア層を有する基板をエッチングリアクタ内に配置することを含み、誘電性バリア層は窒素ドープ炭素含有ケイ素（ＳｉＣＮ）フィルムであり、誘電性バルク絶縁層は炭素含有酸化ケイ素フィルムであり、
    Ｈ_２ガス、フッ素含有ガス及び少なくとも１つのインサートガスを含有するガス混合物をリアクタ内に流し、
    ガス混合物から生成されるプラズマの存在下で、誘電性層の露出部位を誘電性バルク絶縁層に対して選択的にエッチングすることを含む方法。
14. ガス混合物を流す工程が、
    Ｈ_２ガスを流量約５ｓｃｃｍから約１００ｓｃｃｍで流し、
    フッ素含有ガスを流量約０ｓｃｃｍから約８０ｓｃｃｍで流し、フッ素含有ガスがＣＨ_２Ｆ_２、ＣＨＦ_３、ＣＨ_３Ｆ、Ｃ_２Ｆ_６、ＣＦ_４及びＣ_３Ｆ_８から成る群から選択され、
    インサートガスを流量約５０ｓｃｃｍから約５００ｓｃｃｍで流し、インサートガスがＡｒ、Ｏ_２、ＣＯ、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、Ｈｅ及びＮ_２から成る群から選択される請求項１３記載の方法。
15. ガス混合物を流す工程が、
    処理圧力を約１０ｍＴｏｒｒから約２００ｍＴｏｒｒに維持し、
    基板温度を約０℃から約５０℃に制御し、
    約１００ワットから約８００ワットのプラズマを印加することを含む請求項１３記載の方法。