KR101083211B1 - 높은 선택도로 유전체 배리어층을 에칭하는 방법 - Google Patents
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Abstract
유전체 벌크 절연층에 대해 높은 선택도로 유전체 배리어층을 에칭하는 방법들이 제공된다. 일 실시예에서, 반응기의 유전체 벌크 절연층을 통해 노출되는 유전체 배리어층의 일부를 갖는 기판을 제공하는 단계, H2 가스, 불소 함유 가스, 적어도 하나의 불활성 가스를 포함하는 가스 혼합물을 반응기 속에 흘려보내는 단계, 및 유전체 벌크 절연층에 대해 선택적으로 유전체 배리어층의 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 전반적으로 반도체 프로세싱 기술들에 관한 것으로, 특히 반도체 프로세싱에서 유전체 벌크 절연층에 대한 높은 선택도로 유전체 배리어층을 에칭하는 방법에 관한 것이다.
집적회로들은 단일 칩 상에 수백만개의 부품들(예를 들어, 트랜지스터들, 캐패시터들 및 레지스터들)을 포함할 수 있는 복잡한 소자들로 발전했다. 칩 설계의 발전은 지속적으로 보다 빠른 회로소자 및 보다 큰 회로 밀도를 요구한다. 보다 큰 회로 밀도에 대한 요구사항은 집적회로 부품들 치수의 감소를 필요로 한다.
집적회로 부품들의 치수들이 (예를 들면, 서브-미크론 치수로) 감소됨에 따라, 이러한 부품들을 제조하는데 이용되는 물질들은 이들의 전기적 성능에 기여하게 된다. 이를 테면, 낮은 저항을 갖는 금속 상호접속부들(예를 들면, 구리 및 알루미늄)은 집적된 호로 상의 부품들 사이에 도전 경로들을 제공한다.
통상적으로, 금속 상호접속부들은 전기적 벌크 절연 물질에 의해 서로 전기적으로 절연된다. 인접한 금속 상호접속부들 간의 간격 및/또는 유전체 벌크 절연 물질의 두께가 서브-미크론 치수인 경우, 이러한 상호접속부들 사이에서는 용량성 결합이 잠재적으로 이루어진다. 인접한 금속 상호접속부들 간의 용량성 결합은 집적회로의 전체 성능을 감소시키는 혼선 및/또는 저항-캐패시턴스(RC) 지연을 야기시킬 수 있다.
인접한 상호접속부들 간의 용량성 결합을 최소화시키기 위해, 낮은 유전 상수 벌크 절연 물질들(예를 들면, 4.0 미만의 유전 상수)이 요구된다. 낮은 유전 상수 벌크 절연 물질들의 예로는 특히 실리콘 이산화물(SiO2), 실리케이트 글라스, 플루오로실리케이트 글라스(FSG), 및 탄소 도핑 실리콘 이산화물(SiOC)이 포함된다.
또한, 유전체 배리어층은 금속 상호접속부들을 유전체 벌크 절연 물질들과 분리시킨다. 유전체 배리어층은 유전체 벌크 절연 물질 속으로 금속의 확산을 최소화시킨다. 유전체 벌크 절연 물질 속으로의 금속 확산은 바람직하지 못하며, 이는 이러한 확산은 집적회로의 전기적 성능에 영향을 미치거나 또는 집적회로가 동작하지 못하게 하기 때문이다. 유전체층은 전도성 라인들 사이의 유전체 스택의 낮은-k 특성을 유지하기 위해 낮은 유전 상수를 갖는 것이 필요하다. 이러한 유전체 배리어층은 유전체 벌크 절연층 에칭 프로세스에 대한 에칭-스톱층으로 작용하여, 하부에 놓인 금속은 에칭 환경에 노출되지 않는다. 유전체 배리어층은 약 5.5 이하의 유전 상수를 갖는다. 유전체 배리어층의 예들로는 특히 실리콘 카바이드(SiC) 및 질소 함유 실리콘 카바이드(SiCN)가 포함된다.
일부 집적회로 부품들은 멀티레벨 상호접속 구조(예를 들어, 듀얼 다마신 구조)를 포함한다. 멀티레벨 상호접속 구조는 2개 이상의 벌크 절연층, 낮은 유전체 배리어층들, 및 하나 위에 다른 하나가 적층된 금속층들을 포함할 수 있다. 도 1A에 도시된 예시적인 듀얼 다마신 구조처럼, 하부에 놓인 유전체 배리어층(106)과 유전체 벌크 절연층(108)은 또 다른 유전체 벌크 절연층(102)에 내장된 전도성층(104)과 앞서 형성된 또 다른 상호접속부상에 적층된다. 비아/트렌치 에칭 프로세스들이 완료되고 비아/트렌치(110)가 유전체 벌크 절연층(108) 상에 형성됨에 따라, 비아/트렌치(110)에 의해 한정된 노출된 유전체 배리어층(106)은 순차적으로 제거되어 하부에 놓인 전도성층(104)을 노출시켜 이후 증착되는 전도성층(116)이 도 1B에 도시된 것처럼, 그를 통해 접속되고 결합될 수 있다. 그러나, 유전체 배리어층(106) 및 벌크 절연층(108)의 선택된 물질들의 유사성은 이들 간에 유사한 에칭 특성을 산출하여, 에칭 동안 열악한 선택도가 야기된다. 도 1C에 도시된 것처럼, 유전체 배리어층(106)이 에칭됨에 따라, 유전체 벌크 절연층(108)은 반응성 에천트 종들에 의해 동시적으로 공격될 수 있어, 층(114)의 측벽 및/또는 상부에서 불균일한 또는 테이퍼진 프로파일이 산출된다. 도 1D에 도시된 것처럼, 하부에 놓인 전도성층(104)이 트렌치 개구(110)와 정렬되지 않는 실시예들에서, 하부에 놓인 유전체 벌크 절연층(102)은 유전체 벌크 절연층(102)에 대한 열악한 선택도로 인해 유전체 배리어층(106)의 에칭 동안 공격받을 수 있다.
따라서, 유전체 벌크 절연층에 대해 높은 선택도로 유전체 배리어층을 에칭하는 방법이 요구된다.
본 발명에서는 유전체 벌크 절연층에 대해 높은 선택도로 유전체 배리어층을 에칭하는 방법들이 제공된다. 일 실시예에서, 유전체 배리어층을 에칭하는 방법은 반응기에 유전체 벌크 절연층을 통해 노출된 유전체 배리어층의 일부를 갖는 기판을 제공하는 단계, 반응기에 H2를 포함하는 가스 혼합물을 흘려보내는 단계, 및 유전체 벌크 절연층에 대해 선택적으로 유전체 배리어층의 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 유전체 배리어층을 에칭하는 방법은 반응기에 유전체 벌크 절연층을 통해 노출된 유전체 배리어층의 일부를 갖는 기판을 제공하는 단계, H2 가스 및 불소 함유 가스를 포함하는 가스 혼합물을 반응기로 흘려보내는 단계, 및 가스 혼합물로부터 형성된 플라즈마의 존재하에 유전체 배리어층의 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 유전체 배리어층을 에칭하는 방법은 반응기에 유전체 벌크 절연층을 통해 노출된 유전체 배리어층의 일부를 갖는 기판을 제공하는 단계 - 유전체 배리어층은 탄소 함유 실리콘막임 - , H2 가스, 불소 함유 가스 및 적어도 하나의 불활성 가스를 포함하는 가스 혼합물을 반응기로 흘려보내는 단계 및 유전체 벌크 절연층에 대해 선택적으로 유전체층의 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함한다.
본 발명의 앞서 언급된 특징들을 본 발명의 보다 상세한 설명, 상기 간략한 설명을 통해 이해할 수 있도록, 첨부되는 도면에 도시된 몇 가지 실시예를 참조한다.
도 1A-1D는 예시적인 상호접속부 구조물들의 단면도들;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 이용되는 플라즈마 반응기의 개략적 단면도;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 상호접속 구조물 상에서 유전체 배리어층 제거 프로세스의 일 실시예의 흐름도; 및
도 4A-4B는 기판 상에 배치되는 노출된 유전체 배리어층을 가지는 상호접속 구조물의 일 실시예의 단면도들.
발명의 이해를 돕기 위해 도면에서 공통되는 동일한 부재들을 나타내는데 가능한 동일한 참조번호를 사용했다. 일 실시예의 부재들 및 피쳐들은 추가 설명 없이 다른 실시예에 바람직하게 통합될 수 있다.
그러나 첨부되는 도면은 단지 본 발명의 전형적인 실시예만을 나타내는 것으로, 본 발명의 범주를 제한하고자 하는 것은 아니며, 본 발명은 등가적인 다른 실시예를 구현할 수 있다는 것을 주지해야 한다.
본 발명의 실시예들은 유전체 벌크 절연층에 대해 높은 선택도로 유전체 배리어층을 에칭하는 방법들을 포함한다. 상기 방법들은 인접한 유전체 벌크 절연층 및/또는 하부에 놓인 전도성층 및 유전체 벌크 절연층을 실질적으로 공격하지 않으면서 유전체 배리어층을 선택적으로 에칭하여 기판 상에 형성된 피쳐들의 프로파일 및 치수를 보호한다. 높은 에칭 선택도는 유전체 배리어층을 에칭하기 위해 수소 가스(H2)를 함유하는 가스 혼합물을 사용함으로써 달성된다.
도 2는 본 발명에 따라 유전체 배리어층 에칭을 수행하기에 적합한 플라즈마 소스 에칭 반응기(202)의 일 실시예에 대한 개략적 단면도이다. 본 발명을 수행하기에 적합한 이러한 에칭 반응기중 하나로는 캘리포니아 산타클라라의 어플라이드 머티리얼스사로부터 입수가능한 
가 있다. 본 발명에 개시된 유전체 배리어층 에칭 프로세스는 다른 제조자들로부터의 반응기를 포함하여, 다른 에칭 반응기들에서 수행될 수도 있다.
일 실시예에서, 반응기(202)는 전도성 챔버 벽(230)을 가지는 프로세스 챔버(210)를 포함한다. 챔버 벽(230)의 온도는 벽(230) 내부 및/또는 부근에 배치되는 액체-함유 도관들(미도시)을 이용하여 제어된다.
챔버(210)는 쓰로틀(throttle) 밸브(227)를 통해 진공 펌프(236)에 결합되는 고진공 용기이다. 챔버 벽(230)은 전기적 접지(234)에 접속된다. 라이너(231)가 챔버(210)에 배치되어 벽(230)의 내부 표면들을 커버한다. 라이너(231)는 챔버(210)의 인시튜 자체-세정 능력을 촉진시켜, 라이너(231) 상에 증착된 부산물들 및 잔류물들은 라이너(231)로부터 쉽게 제거될 수 있다.
또한 프로세스 챔버(210)는 지지 페데스탈(216) 및 샤워헤드(232)를 포함한다. 지지 페데스탈(216)은 이격된 관계로 샤워헤드(232) 아래에 배치된다. 지지 페데스탈(216)은 프로세싱 동안 기판(200)을 보유하기 위한 정전기 척(226)을 포함 할 수 있다. 정전기 척(226)에 대한 전력은 DC 전력원(220)에 의해 제어된다.
지지 페데스탈(216)은 매칭 네트워크(224)를 통해 무선 주파수(RF) 바이어스 전력원(222)에 결합된다. 바이어스 전력원(222)은 일반적으로 약 50kHz 내지 약 60MHz의 조정가능한(tunable) 주파수 및 약 0 내지 5,000Watt의 바이어스 전력을 갖는 RF 신호를 생성할 수 있다. 선택적으로, 바이어스 전력원(222)은 DC 또는 펄스형 DC 소스일 수 있다.
지지 페데스탈(216) 상에서 지지되는 기판(200)의 온도는 지지 페데스탈(216)의 온도를 조절함으로써 적어도 부분적으로 제어된다. 일 실시예에서, 지지 페데스탈(216)은 냉각제를 흘려보내기 위해 내부에 채널들이 형성된 냉각 플레이트(미도시)를 포함한다. 또한, 가스 소스(248)로부터 제공되는 헬륨(He) 가스와 같은 후방(backside) 가스는 정전기 척(226)의 표면에 형성된 그루브들(미도시)과 기판(200)의 후방 사이에 배치되는 채널들에 제공된다. 후방 H2 가스는 페데스탈(216)과 기판(200) 사이에 유동성 열전달을 제공한다. 또한 정전기 척(226)은 프로세싱 동안 척(226)을 가열하기 위해 척 바디 내부에 저항성 히터(미도시)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 기판(200)은 섭씨 약 10 내지 약 500도 사이의 온도에서 유지된다.
샤워헤드(232)는 프로세싱 챔버(210)의 리드(213)에 장착된다. 가스 패널(238)은 샤워헤드(232)와 리드(213) 사이에 한정된 플래넘(미도시)과 유동적으로 결합된다. 샤워헤드(232)는 가스 패널(238)로부터 플레넘에 제공되는 가스들이 프 로세스 챔버(210)로 진입할 수 있게 하는 다수의 홀들을 포함한다. 샤워헤드(232)의 홀들은 다양한 가스가 상이한 용량의 유량으로 챔버(210)로 방출될 수 있도록 상이한 구역에 배열될 수 있다.
샤워헤드(232) 및/또는 샤워헤드 부근에 배치된 상부 전극(228)은 임피던스 변형기(219)(예를 들어, 4분의 1파장 매칭 스터브)를 통해 RF 소스 전력(218)과 결합된다. RF 소스 전력(218)은 일반적으로 약 160MHz의 조정가능한 주파수 및 약 0 내지 5,000Watt의 소스 전력을 가지는 RF 신호를 생성할 수 있다.
또한 반응기(202)는 챔버 리드(213) 부근에서 챔버 벽(230) 외부에 위치된 하나 이상의 코일 세그먼트 또는 자석들(212)을 포함할 수 있다. 코일 세그먼트(들)에 대한 전력은 DC 전력원 또는 저주파수 AC 전력원(254)에 의해 제어된다.
기판 프로세싱 동안, 챔버(210) 내부의 가스 압력은 가스 패널(238) 및 쓰로틀 밸브(227)를 사용하여 제어된다. 일 실시예에서, 챔버(210) 내부의 가스 압력은 약 0.1 내지 999mTorr로 유지된다.
중앙 프로세싱 유닛(CPU)(244), 메모리(242) 및 지지 회로들(246)을 포함하는 제어기(240)는 본 발명의 프로세스들의 제어를 조장하기 위해 다양한 부품들과 결합된다. 메모리(242)는 RAM, ROM, 플로피 디스크, 하드 디스크 또는 반응기(202) 또는 CPU(244)에 대한 디지털 저장기, 국부적 또는 원격적 저장기의 임의의 다른 형태와 같은 임의의 컴퓨터-판독가능 매체일 수 있다. 지지 회로들(246)은 종래의 방식으로 CPU(244)를 지지하도록 CPU(244)와 결합된다. 이러한 회로들은 캐시, 전력원들, 클록 회로들, 입/출력 회로소자 및 서브시스템들, 및 이와 유사한 것들을 포함한다. 메모리(242)에 저장된 일련의 프로그램 명령들 또는 소프트웨어 루틴은 CPU(244)에 의해 실행될 경우, 반응기(202)가 본 발명의 에칭 프로세스를 수행하게 한다.
도 2는 본 발명을 실행하는데 이용될 수 있는 다양한 형태의 플라즈마 반응기들의 예시적인 한 구성을 나타낸다. 예를 들어, 상이한 형태의 소스 전력 및 바이어스 전력이 상이한 결합 메커니즘들을 이용하여 플라즈마 챔버에 결합될 수 있다. 소스 전력 및 바이어스 전력 모두의 사용은 플라즈마를 기준으로 기판의 바이어스 전압 및 플라즈마 밀도의 독립적인 제어를 허용한다. 일부 분야들에서, 소스 전력은 필요 없을 수 있고 플라즈마는 바이어스 전력에 의해 단독으로 유지된다. 플라즈마 밀도는 저주파수의(예를 들어, 0.1-.05Hertz) AC 전류 소스 또는 DC 소스로 구동되는 전자석들을 이용하여 진공 챔버에 인가되는 자계에 의해 강화될 수 있다. 또 다른 분야들에서, 플라즈마는 기판이 배치되는 것과 상이한 챔버에서, 이를 테면 원격 플라즈마 소스에서 생성될 수 있으며, 플라즈마는 공지된 기술들을 이용하여 챔버로 순차적으로 유도된다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유전체 배리어층 제거 프로세스(300)의 일 실시예의 흐름도를 나타낸다. 도 4A-4B는 유전체 배리어층 제거 프로세스(300)의 시퀀스를 나타내는 개략적 단면도들이다. 프로세스(300)는 프로세스(300)가 반응기(202)에서 수행되도록 제어기(240)에 의해 실행되는 명령들로서 메모리(242)에 저장될 수 있다.
프로세스(300)는 상호접속 구조물에 유전체 배리어층을 가지는 기판(400)을 반응기(202)에 제공함으로써 단계 302에서 시작된다. 도 4A에 도시된 것처럼, 유전체 스택(412)은 구리 라인과 같이 그 내부에 배치되는 적어도 하나의 전도성층(404)을 가지는 층(402)상에 배치된다. 유전체 스택(412)은 유전체 배리어층(406) 위에 유전체 벌크 절연층(408)을 포함한다. 트렌치/비아(410)는 듀얼 다마신 에칭 프로세스와 같은, 종래의 에칭 프로세스에 의해 유전체 벌크 절연층(408)에 형성된다. 일 실시예에서, 유전체 벌크 절연층(408)은 4.0 미만의 유전상수를 가지는 유전체 물질(낮은-k 물질들)이다. 적절한 물질들의 예로는 어플라이드 머티리얼스사로부터 이용가능한 
유전체 물질과 같은 탄소-함유 실리콘 산화물들(SiOC) 및 폴리아미드와 같은 다른 낮은-k 폴리머들이 포함된다.
유전체 배리어층(406)은 약 5.5 이하의 유전상수를 갖는다. 일 실시예에서, 유전체 배리어층(406)은 탄소 함유 실리콘층(SiC), 질소 도핑 탄소 함유 실리콘층(SiCN) 또는 이와 유사한 것이다. 도 4A에 도시된 실시예에서, 유전체 배리어층은 SiCN막이다. 예시적인 유전체 배리어층 물질로는 어플라이드 머티리얼스사로부터 입수가능한 
유전체 물질이 있다.
도 4A에 도시된 실시예에서, 유전체 스택(410)은 개구를 통해 에칭되어 유전체 배리어층(406) 위의 유전체 벌크 절연층(408)내에 트렌치 또는 비아와 같은 피쳐(410)를 한정한다. 유전체 벌크 절연층(408)의 일부는 유전체 배리어층(406)의 표면(414)이 노출되도록 제거된다. 층(402)에 존재하는 전도성층(404)은 유전체 배리어층(406)에 형성된 피쳐(410) 아래에 있다. 일 실시예에서, 유전체 벌크 절 연층(408)은 불소 및 탄소로부터 형성된 플라즈마를 이용하여 에칭된다. 유전체 벌크 절연층(408)은 도 2에 도시된 반응기(202) 또는 다른 적절한 반응기와 같은 에칭 챔버에서 에칭될 수 있다.
일 실시예에서, 에칭 프로세스는 약 5 내지 약 250sccm에서 탄소 사불화물(CF4)과 같이, 탄소 및 불소 함유 가스를 공급하는 단계, 약 50 Watt 내지 약 2000 Watt의 전력을 인가하는 단계, 섭씨 약 0도 내지 약 50도로 온도를 유지하는 단계, 및 반응기에 약 5mTorr 내지 약 200mTorr 사이로 프로세스 압력을 제어하는 단계에 의해 실행될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 아르곤(Ar)과 같은 적어도 하나의 캐리어 가스가 탄소 및 불소 함유 가스와 함께 반응기에 공급될 수 있다. 캐리어 가스는 약 50 내지 약 500sccm로 공급될 수 있다.
단계 304에서, H2 가스를 함유하는 가스 혼합물이 반응기(202)에 공급되어 유전체 벌크 절연층(408)에 형성된 피쳐(410)에 의해 한정되는 노출된 유전체 배리어층(406)을 에칭한다. 가스 혼합물에 수반되는 H2 가스는 유전체 배리어층(406)의 질소 및 탄소 성분들과 반응하는 자유 수소 라디칼들을 생성함으로써 유전체 배리어층의 에칭을 조장하여, 유전체 벌크 절연층(408)을 실질적으로 에칭하지 않으면서 유전체 배리어층(406)을 선택적으로 분해시킨다. 일 실시예에서, 가스 혼합물은, 제한되는 것은 아니지만, H2 가스 및 불소 함유 가스를 포함할 수 있다. 불소 함유 가스의 적절한 예들로는,
,
및 이와 유사 한 것을 포함할 수 있으나, 이로 제한되는 것은 아니다. 또 다른 실시예에서, 가스 혼합물은 H2 가스, 불소 함유 가스 및 적어도 하나의 불활성 가스를 포함할 수 있다. 불활성 가스는 아르곤 가스(Ar), 헬륨 가스(He), 일산화 질소(NO), 일산화 탄소(CO), 아산화질소(N2O), 산소 가스(O2), 질소 가스(N2) 및 이와 유사한 것으로 이루어진 그룹에서 선택될 수 있다. 에칭 프로세스 동안 하부에 놓인 전도성층(404)의 산화를 방지하는 실시예들에서, 가스 혼합물은 산소를 함유하는 임의의 가스들을 포함하지 않는다.
가스 혼합물이 에칭 반응기에 공급되는 동안 몇 개의 프로세스 파라미터들이 단계 304에서 조절된다. 일 실시예에서, 에칭 반응기에서 가스 혼합물의 압력은 약 10mTorr 내지 약 200mTorr, 예를 들어 약 20mTorr 내지 약 60mTorr로 조절되며 기판 온도는 섭씨 약 0도 내지 약 50도, 예를 들어 섭씨 약 0도 내지 약 25도로 유지된다.
단계 306에서, 노출된 유전체 배리어층(406)을 에칭하고 도 4B에 도시된 것처럼, 기판 상의 유전체 벌크 절연층(408)의 트렌치(410)에 의해 한정된 전도성층(402) 위에서 부터 유전체 배리어층(406)을 제거하기 위해 플라즈마가 형성된다. 일 실시예에서, RF 소스 전력은 약 10 Watt 내지 약 800Watt의 전력에서 인가되어 가스 혼합물로부터 플라즈마를 제공한다. H2 가스는 약 5sccm 내지 약 100sccm의 유량, 예를 들면 약 20sccm 내지 약 60sccm의 유량으로 제공된다. 불소 함유 가스, 이를 테면 CH2F2는 약 0 sccm 내지 약 80sccm의 속도의 유량, 예를 들면 약 10sccm 내지 약 30sccm의 유량으로 제공될 수 있다. Ar 또는 O2 가스와 같은 불활성 가스는 약 50sccm 내지 약 500sccm, 예를 들어 약 100sccm 내지 약 200sccm의 유량으로 제공될 수 있다. 에칭 시간은 약 10초 내지 약 80초 사이로 처리될 수 있다.
H2 가스를 함유하는 가스 혼합물을 이용한 에칭 프로세스는 인접한 및/또는 하부에 놓인 유전체 벌크 절연층(408)을 공격하지 않는 방식으로 유전체 배리어층(406)이 선택적으로 에칭될 수 있게 한다. 유전체 배리어층(406)의 에칭 가스 혼합물은 유전체 배리어층(406)에 포함된 질소 및 탄소 결합들과 주로 반응하는 수소 자유 라디칼들을 생성함으로써 유전체 벌크 절연층(408)에 대해 높은 선택도를 산출하여, 트렌치(410)에 의해 한정된 노출된 유전체 배리어층(406)이 균일하게 에칭될 수 있게 한다. 일 실시예에서, 벌크 절연층(408)에 대한 유전체 배리어층(406)의 선택도는 적어도 5, 예를 들면 15이다.
유전체 배리어층(406)의 에칭 프로세스는 하부에 놓인 전도성층(404)이 노출되었다는 엔드포인트 신호에 도달한 후 종결된다. 엔드포인트는 임의의 적절한 방식에 의해 결정될 수 있다. 예를 들면, 엔드포인트는 광학적 방출 모니터링, 예정된 시간 주기의 종료 또는 에칭될 유전체 배리어층(406)이 충분히 제거되었는지를 결정하는 또 다른 표시기에 의해 결정될 수 있다.
따라서, 본 발명은 유전체 벌크 절연층에 대해 높은 선택도로 유전체 배리어층을 에칭하는 개선된 방법을 제공한다. 방법은 유전체 벌크 절연층에 있는 트렌 치들에 의해 한정된 유전체 배리어층을 선택적으로 에칭함으로써 상호접속 구조물의 피쳐들의 프로파일 및 치수를 바람직하게 조장한다.
지금까지 본 발명의 실시예들에 관해 개시되었지만, 하기 특허청구항들에 의해 제한되는 본 발명의 기본 사상 및 범주를 이탈하지 않는 본 발명의 다른 추가 실시예들이 고안될 수 있다.
Claims (23)
- 상호접속 구조물에 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법으로서,유전체 벌크 절연층을 통해 노출되는 유전체 배리어층의 일부를 갖는 기판을 반응기에 제공하는 단계;상기 반응기로 적어도 H2 가스를 함유하는 가스 혼합물을 흘려보내는 단계; 및상기 유전체 벌크 절연층에 대해 선택적으로 상기 유전체 배리어층의 상기 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함하며, 상기 유전체 배리어층은 5.5 미만의 유전상수를 갖고, 상기 유전체 절연층은 4 미만의 유전상수를 갖는, 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 가스 혼합물을 흘려보내는 단계는 H2 가스를 수반하는 불소 함유 가스를 상기 반응기로 흘려보내는 단계를 더 포함하는, 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 에칭하는 단계는,10mTorr 내지 200mTorr 사이로 프로세스 압력을 유지하는 단계;섭씨 0도 내지 50도 사이로 기판 온도를 제어하는 단계; 및100Watt 내지 800Watt 사이의 플라즈마 전력을 인가하는 단계를 더 포함하는, 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 불소 함유 가스를 흘려보내는 단계는 0sccm을 초과하고 80sccm 미만인 유량으로 상기 불소 함유 가스를 흘려보내는 단계를 더 포함하는, 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 불소 함유 가스는및
로 이루어진 그룹에서 선택되는, 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 유전체 배리어층은 탄소 함유 실리콘막인, 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 노출된 유전체 배리어층을 제거하는 단계; 및상기 기판상의 상기 유전체 배리어층 아래에 배치되는 하부에 놓인 전도성층을 노출시키는 단계를 더 포함하는, 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법.
- 상호접속 구조물에 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법으로서,유전체 벌크 절연층을 통해 노출되는 유전체 배리어층의 일부를 갖는 기판을 반응기에 제공하는 단계 ― 상기 유전체 배리어층은 5.5 미만의 유전상수를 가짐 ― ;상기 반응기에 H2 가스 및 불소 함유 가스를 포함하는 가스 혼합물을 흘려보내는 단계 ― 상기 불소 함유 가스는및
로 이루어진 그룹에서 선택됨 ― ; 및
상기 가스 혼합물로부터 형성된 플라즈마의 존재하에 상기 유전체 배리어층의 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함하는, 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법. - 제 9 항에 있어서, 상기 가스 혼합물을 흘려보내는 단계는,5sccm을 초과하고 100sccm 미만인 유량으로 수소 가스(H2)를 흘려보내는 단계; 및0sccm을 초과하고 80sccm 미만인 유량으로 불소 함유 가스를 흘려보내는 단계를 더 포함하는, 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 가스 혼합물을 흘려보내는 단계는,10mTorr 내지 200mTorr 사이로 프로세스 압력을 유지하는 단계;섭씨 0도 내지 50도 사이로 기판 온도를 제어하는 단계; 및100Watt 내지 800Watt 사이에서 플라즈마를 인가하는 단계를 더 포함하는, 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 유전체 배리어층은 탄소 함유 실리콘막인, 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법.
- 상호접속 구조물에 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법으로서,유전체 벌크 절연층을 통해 노출되는 유전체 배리어층의 일부를 갖는 기판을 반응기에 제공하는 단계 ― 상기 유전체 배리어층은 탄소 함유 실리콘막임 ― ;상기 반응기로 H2 가스, 불소 함유 가스 및 적어도 하나의 불활성 가스를 함유하는 가스 혼합물을 흘려보내는 단계; 및상기 유전체 벌크 절연층에 대해 선택적으로 상기 유전체 배리어층의 상기 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함하는, 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 가스 혼합물을 흘려보내는 단계는,5sccm을 초과하고 100sccm 미만인 유량으로 H2 가스를 흘려보내는 단계;0sccm을 초과하고 80sccm 미만인 유량으로 불소 함유 가스를 흘려보내는 단계 ― 상기 불소 함유 가스는및
로 이루어진 그룹에서 선택됨 ― ; 및
50sccm을 초과하고 500sccm 미만인 유량으로 상기 불활성 가스를 흘려보내는 단계 ― 상기 불활성 가스는 Ar, O2, CO, NO, N2O, He 및 N2로 이루어진 그룹에서 선택됨 ―를 더 포함하는, 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법. - 제 13 항에 있어서, 상기 가스 혼합물을 흘려보내는 단계는,10mTorr 내지 200mTorr 사이로 프로세스 압력을 유지하는 단계;섭씨 0도 내지 50도 사이로 기판 온도를 제어하는 단계; 및100Watt 내지 800Watt 사이에서 플라즈마를 인가하는 단계를 더 포함하는, 유전체 배리어층을 에칭하기 위한 방법.
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