JP2009016446A - 半導体装置の製造方法及び記憶媒体 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009016446A JP2009016446A JP2007174307A JP2007174307A JP2009016446A JP 2009016446 A JP2009016446 A JP 2009016446A JP 2007174307 A JP2007174307 A JP 2007174307A JP 2007174307 A JP2007174307 A JP 2007174307A JP 2009016446 A JP2009016446 A JP 2009016446A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- gas
- dielectric constant
- processing
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 101
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims abstract description 60
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 146
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract description 54
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 61
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 59
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 53
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 21
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 20
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 4
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 4
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- WCYWZMWISLQXQU-UHFFFAOYSA-N methyl Chemical compound [CH3] WCYWZMWISLQXQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76814—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics post-treatment or after-treatment, e.g. cleaning or removal of oxides on underlying conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
- H01L21/76826—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by contacting the layer with gases, liquids or plasmas
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】エッチングを行った後、上部電極から供給するプラズマ発生用の電力を、基板の単位面積あたり1.91W/cm2〜3.18W/cm2となるように供給して、酸素ガス中をプラズマ化したときのプラズマ中の酸素ラジカルが多い状態として、このプラズマを用いてアッシング後の比誘電率が5.2以上となるようにアッシング処理を行い、その後有機ガスにより回復処理を行う。
【選択図】図5
Description
そのような層間絶縁膜にビアホール及びトレンチなどの凹部を形成するためには、処理ガスから得たプラズマによるエッチング工程が行われ、次いで酸素ガスや二酸化炭素ガスから得たプラズマによるレジストのアッシングが行われる。
しかしながら、上記のエッチング工程やアッシング工程においてSiCOH膜はプラズマによりダメージを受ける。特にアッシング工程時には酸素ガスが用いられ、そしてSiCOH膜は有機膜であることから、アッシング時におけるダメージの程度が大きく、電気的特性が著しく低下する。具体的には、このダメージは、図10(a)に示すように、酸素ガスのプラズマにより、SiCOH膜を構成するSiとメチル基(CH3)との間の結合が切れて、Siとの結合が切れたメチル基がSiCOH膜から脱離することによって生じる。また、メチル基との結合が切れたSiは、吸湿しやすいので、大気中や処理ガス中の水分あるいは処理ガスの酸素とメチル基の水素との反応による水分を取り込んでしまい、更にこのSiCOH膜の電気的特性が低下する。このようにダメージを受けると、具体的には、ウエハの洗浄後にパターンの線幅が広がる現象、比誘電率の上昇、リーク電流の上昇、水分の吸収による信頼性の低下といったことが起こる。
そこで、図10(b)に示すように、アッシング後に、SiCOH膜に対してメチル基を有する例えばシラザン系のガスを供給して、同図(c)に示すように上記のメチル基との結合の切れたシリコンにメチル基を付加することにより、回復処理を行っている。
上層側にレジストパターンが形成された、シリコン、炭素、酸素及び水素を含む有機系の低誘電率膜をプラズマによりエッチングする工程と、
次いで前記低誘電率膜の比誘電率が5.2以上とすることができる程度に酸素ラジカルの多いプラズマにより前記レジストパターンをアッシングする工程と、
その後、有機系のガスを前記低誘電率膜に供給して、プラズマにより受けた前記低誘電率膜のダメージの回復処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。
シリコン、炭素、酸素及び水素を含む有機系の低誘電率膜の上層側にレジストパターンが形成された基板をプラズマ処理装置内に搬入して、前記低誘電率膜をプラズマによりエッチングする工程と、
次いで平行平板型プラズマ処理装置を用い、処理圧力を1.33Pa〜6.67Paに設定すると共に、下部電極上の基板の単位面積あたりに印加されるプラズマ発生用の電力が1.91W/cm2〜3.18W/cm2となるように、上部電極にプラズマ発生用の電力を印加して酸素ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより前記レジストパターンをアッシングする工程と、
その後、有機系のガスを前記低誘電率膜に供給して、プラズマにより受けた前記低誘電率膜のダメージの回復処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。
半導体製造装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記半導体装置の製造方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
そしてこのようにアッシング条件を、低誘電率膜のダメージの程度を悪くするように設定することで、緻密層の形成が抑えられるため、回復処理用のガスが低誘電率膜の膜内部まで浸透しやすくなり、結果として低誘電率膜のダメージの回復率が向上する。
本発明の実施の形態について、以下に説明する。本発明は、基板である半導体ウェハ(以下「ウェハW」という)に対してプラズマ処理及び回復処理を行う方法に特徴を有するものであるが、初めに本方法を実施するための装置の一例について説明する。先ず、ウェハWに対してエッチング処理及びアッシング処理を行うための平行平板型プラズマ処理装置の一例について、図1を参照して説明する。
プラズマ処理装置10は、真空チャンバからなる処理容器21と、この処理容器21内の底面中央に配設された載置台30と、処理容器21の上面部に設けられた上部電極40と、を備えている。
処理容器21の底面の排気口22には、排気管24を介して真空ポンプ等を含む真空排気装置23が接続されている。処理容器21の壁面には、ウェハWの搬送口25が設けられており、この搬送口25はゲートバルブGによって開閉可能となっている。尚、処理容器21は接地されている。
載置台30内には、所定の温調媒体が通る温調流路37が形成されており、温調媒体によってウェハWの温度が所望の温度に調整されるように構成されている。
また、載置台30の内部には、He(ヘリウム)ガス等の熱伝導性ガスをバックサイドガスとして供給するガス流路38が形成されており、このガス流路38は、載置台30の上面の複数箇所で開口している。これらの開口部は、静電チャック34に設けられた前記貫通孔34aと連通している。
また、下部電極31の外周縁には、静電チャック34を囲むように、フォーカスリング39が配置され、プラズマ発生時にこのフォーカスリング39を介してプラズマが載置台30上のウェハWに集束するように構成されている。
上部電極40は、ローパスフィルタ(LPF)47を介して接地されており、高周波電源31aの高周波よりも周波数の高い高周波例えば60MHzの高周波電源40aが整合器40bを介して接続されている。
上部電極40に接続された高周波電源40aからの高周波は、処理ガスをプラズマ化するためのものである。下部電極31に接続された高周波電源31aからの高周波は、ウェハWにバイアス電力を印加することでプラズマ中のイオンをウェハW表面に引き込むためのものである。
次に、図2を参照して回復処理装置50について説明する。この回復処理装置50は、処理容器51と、載置台52と、を備えている。載置台52には、加熱手段であるヒーター52aが設けられており、このヒーター52aは、電源52bに接続され、ウェハWを例えば50℃〜200℃に加熱できるように構成されている。この載置台52には、図示しないピンなどの昇降手段が設けられており、この昇降手段により、処理容器51の側壁の搬送口53を介して載置台52と図示しない搬送手段との間でウェハWの受け渡しを行うように構成されている。載置台52の表面には、ウェハWを支持するための図示しない複数のピンが設置されており、載置台52の表面からウェハWを僅かに浮かせることで、ウェハWの裏面へのパーティクルの付着を抑えるように構成されている。尚、Gはゲートバルブである。
上記のプラズマ処理装置10及び回復処理装置50は、図3に示すように、マルチチャンバーシステムである基板処理装置60の一部として構成されている。
この基板処理装置60について以下に簡単に説明すると、この基板処理装置60は、キャリア室61、大気雰囲気の第1の搬送室62、ロードロック室63及び真空雰囲気の第2の搬送室64を備えている。第2の搬送室64には、プラズマ処理装置10及び回復処理装置50が気密に接続されている。
次に、上記のプラズマ処理装置10、回復処理装置50及び基板処理装置60において行われる各処理について説明する。ここで、まず本発明における半導体装置の製造方法が実施される例えば半導体基板(以下「ウェハ」Wという)の一例について、図4を参照して説明する。
図4(a)は、基板である例えば8インチサイズのウェハW上に形成されたn番目の回路層の上層に(n+1)番目の回路層を形成する様子を示している。このn番目の回路層は、層間絶縁膜であるSiCOH膜70内に、例えばCuなどの金属である配線71が埋め込まれた構成となっている。また、このn番目の回路層の上層には、キャップ膜72とバリア膜73とが下側からこの順番で積層されている。キャップ膜72は、例えばCMP加工における機械的衝撃からこの回路層を保護するためのものである。また、バリア膜73は、上下の回路層の間におけるCuの拡散を抑えるためのものである。尚、SiCOH膜70と配線71との間にも金属の拡散を抑えるためのバリア膜が形成されているが、ここでは省略する。
ウェハWを搬送アーム66によって処理容器21内の載置台30上に水平に載置した後、ゲートバルブGを閉じる。引き続きガス流路38からバックサイドガスを供給して、ウェハWを所定の温度に調整する。
そして、排気装置23により排気管24を介して処理容器21内の真空排気を行い、処理容器21内を所定の真空度に保持した後、ガス供給系46より処理ガスとして例えばCF4ガスを所定の流量で供給する。続いて周波数が60MHzの高周波を所定の電力となるように上部電極40に供給して、処理ガスをプラズマ化すると共に、バイアス用の高周波として周波数が2MHzの高周波を所定の電力で下部電極31に供給する。このプラズマによって、反射防止膜78及び酸化膜77がエッチングされる。
次に、高周波及び処理ガスの供給を停止し、処理容器21内を真空排気する。また、処理ガスとして酸素ガスを例えば300sccmで処理容器21内に供給すると共に、例えば1.33Pa(10mTorr)〜6.67Pa(50mTorr)となるように真空度を調整する。そして、上部電極40から例えば600W(1.91W/cm2)〜1000W(3.18W/cm2)の電力を供給して、酸素ガスをプラズマ化すると共に、下部電極31から例えば100W(0.32W/cm2)〜300W(0.95W/cm2)の電力を供給する。この高周波により、酸素ガスが活性化されてプラズマ化して、酸素イオンと酸素ラジカルとを生成する。この時、上記のように処理条件を調整(処理圧力を高く、上部電極40から供給する電力を高く)してプラズマ密度を増やしているので、その結果プラズマ中の酸素イオン濃度が極めて少なくなり、一方ラジカル濃度が増加する。また、下部電極31から供給する電力を上記のように低くしているので、酸素イオンがウェハWに強く引き寄せられずに、大量に生成したラジカルが主にウェハWに向かって流れていく。
次いで、高周波及び処理ガスの供給を停止して、処理容器21内を排気する。そして、搬送アーム66によりウェハWを処理容器21内から取り出して、既述の回復処理装置50の処理容器51内に搬入する。また、載置台52上において、ウェハWを所定の設定温度例えば150℃に加熱する。その後、処理容器51内の圧力が例えば6.67kPa(50Torr)となるまでTMSDMAガスを例えば500sccmの流量で供給する。そして、TMSDMAガスの供給を停止して処理容器51内を閉空間とし、この状態を例えば150秒保持する。
尚、ホール80内へのプラズマの進入を抑えるために、アッシング処理時における下部電極31から供給する電力は、100W(0.32W/cm2)〜300W(0.95W/cm2)とすることが好ましい。
尚、エッチング処理やアッシング処理を行うための装置としては、下部2周波の平行平板型のプラズマ処理装置を用いても良い。また、エッチング処理とアッシング処理とを別チャンバーにて行うようにしても良い。
次に、本発明の効果を確認するために行った実験について説明する。実験には、図7に示すように、SiC膜90の上にSiCOH膜91、酸化膜92、反射防止膜93及びフォトレジストマスク94が下からこの順番で積層された8インチ(200mm)サイズのウェハWを用いた。このフォトレジストマスク94には、所定の凹部がパターニングされている。先ず初めに、このウェハWを用いて、ダメージ層81が小さくなる処理条件を見つけるための実験を行った。
各処理条件については、以下の通りである。
(エッチング処理条件)
反射防止膜93のエッチング
処理圧力 :6.67Pa(50mTorr)
上部電極40の電力 :1000W
下部電極31の電力 :100W
処理ガス :CF4ガス=100sccm
処理時間 :70秒
メインエッチング
処理圧力 :6.67Pa(50mTorr)
上部電極40の電力 :1200W
下部電極31の電力 :1700W
処理ガス :CF4ガス/Arガス/N2ガス=5/1000/150sccm
処理時間 :25秒
(アッシング処理条件)
処理ガス :O2ガス/300sccm
(表1)
(回復処理条件)
処理圧力 :6.67kPa(50Torr)
処理ガス :TMSDMAガス=500sccm
処理時間 :150秒
ウェハWの加熱温度 :150℃
上部電極40の電力を増やしていくと、既述のように、プラズマ中の酸素イオンの濃度が減少すると考えられるが、上記の結果から、1500Wまで増やすと、その後の回復処理によっても回復できない程度まで酸素ラジカルによるダメージが大きくなってしまうと考えられる。
尚、上記のDMCガスを用いた場合でも、TMSDMAガスと同様にダメージ層81の量を減らす効果があることが分かった。
尚、SiC膜90の膜減りについても確認したが、ウェハW間で差異は見られなかった。
次に、電気的特性についての評価試験を行った。図8に示すように、実験用の8インチサイズのウェハW上に比誘電率が2.4となるSiCOH膜95をベタ膜として成膜して、このウェハWに対してエッチング処理、アッシング処理及び回復処理を行った。各処理条件としては、以下の条件以外については上記の実験例1と同様の条件とした。尚、比較のために、上記のエッチング処理及びアッシング処理を行い、回復処理を行わない試料も作製した。
比誘電率及びリーク電流の測定には、公知の手法を用いた。含水量の測定には、昇温脱離ガス分析法(TDS:Thermal Desorption Spectroscopy)により、100℃〜500℃まで昇温した時にウェハWから脱離した水の量を積分して求めた。また、炭素量の測定には、X線光電子分光法(XPS:X−ray photoelectron spectroscopy)により行い、膜中のシリコンの量に対する炭素の量の比率を計算することで比較した。尚、この時、ウェハWに対してスパッタを行い、スパッタ時間を変えることにより、ウェハWの深さ方向でどのように炭素量が変化するかを確認した。
処理圧力 :10.0Pa(75mTorr)
上部電極40の電力 :1500W
下部電極31の電力 :100W
処理ガス :CF4ガス/Arガス=80/160sccm
処理時間 :10秒
(アッシング処理条件)
実施例2−1:処理時間を25秒とした以外は実施例1−1と同じ条件とした。
実施例2−2:処理時間を23秒とした以外は実施例1−2と同じ条件とした。
比較例2 :処理時間を29秒とした以外は比較例1−3と同じ条件とした。
比誘電率、リーク電流及び含水量の結果について、表3に示す。
(表3)
回復処理前において、実施例2−1、2−2では、比誘電率が比較例2よりも上昇(悪化)しているが、回復処理を行うことにより、比誘電率が低下して、比較例2(従来の処理条件)とほぼ同程度となるまで改善している。一方、リーク電流及び含水量については、回復処理を行うことにより比較例2よりも改善されており、特にリーク電流は大幅に(一桁)小さくなっている。
このことから、本発明の手法により、上記の実験例1の見かけ上のダメージ層81の量の評価からは確認できない電気的特性の回復が行われていることが分かった。
一方、比較例2では、アッシング処理後のダメージ層81についてはウェハWの内部の深くまで進行していないものの、回復処理によってもあまり炭素量が増えていないことが分かる。この原因としては、酸素イオンのエネルギーによりウェハWの表面のダメージ層81に緻密層が形成されて、立体障害によりTMSDMAガスがウェハW内に拡散しにくくなっているためだと考えられる。
尚、図9では、実施例2−1の結果については省略している。
74 SiCOH膜
75 キャップ膜
76 ボトムレジスト膜
77 酸化膜
78 反射防止膜
79 フォトレジストマスク
80 ホール
81 ダメージ層
82 配線
21 処理容器
31 下部電極
40 上部電極
50 回復処理装置
Claims (3)
- 上層側にレジストパターンが形成された、シリコン、炭素、酸素及び水素を含む有機系の低誘電率膜をプラズマによりエッチングする工程と、
次いで前記低誘電率膜の比誘電率が5.2以上とすることができる程度に酸素ラジカルの多いプラズマにより前記レジストパターンをアッシングする工程と、
その後、有機系のガスを前記低誘電率膜に供給して、プラズマにより受けた前記低誘電率膜のダメージの回復処理を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - シリコン、炭素、酸素及び水素を含む有機系の低誘電率膜の上層側にレジストパターンが形成された基板をプラズマ処理装置内に搬入して、前記低誘電率膜をプラズマによりエッチングする工程と、
次いで平行平板型プラズマ処理装置を用い、処理圧力を1.33Pa〜6.67Paに設定すると共に、下部電極上の基板の単位面積あたりに印加されるプラズマ発生用の電力が1.91W/cm2〜3.18W/cm2となるように、上部電極にプラズマ発生用の電力を印加して酸素ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより前記レジストパターンをアッシングする工程と、
その後、有機系のガスを前記低誘電率膜に供給して、プラズマにより受けた前記低誘電率膜のダメージの回復処理を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体製造装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007174307A JP4578507B2 (ja) | 2007-07-02 | 2007-07-02 | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体 |
US12/216,155 US8012880B2 (en) | 2007-07-02 | 2008-06-30 | Method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007174307A JP4578507B2 (ja) | 2007-07-02 | 2007-07-02 | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009016446A true JP2009016446A (ja) | 2009-01-22 |
JP2009016446A5 JP2009016446A5 (ja) | 2009-09-10 |
JP4578507B2 JP4578507B2 (ja) | 2010-11-10 |
Family
ID=40295793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007174307A Expired - Fee Related JP4578507B2 (ja) | 2007-07-02 | 2007-07-02 | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8012880B2 (ja) |
JP (1) | JP4578507B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011166084A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 絶縁膜のダメージ回復方法及びダメージが回復された絶縁膜 |
KR20120109359A (ko) * | 2011-03-25 | 2012-10-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 방법 및 기억 매체 |
US20160196917A1 (en) * | 2015-01-05 | 2016-07-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
JP2017216351A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造システム |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8282984B2 (en) * | 2007-12-03 | 2012-10-09 | Tokyo Electron Limited | Processing condition inspection and optimization method of damage recovery process, damage recovering system and storage medium |
JP5538128B2 (ja) * | 2010-08-09 | 2014-07-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 排気方法およびガス処理装置 |
JP6754257B2 (ja) * | 2016-09-26 | 2020-09-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006020344A1 (en) * | 2004-08-02 | 2006-02-23 | Lam Research Corporation | Method for stripping photoresist from etched wafer |
JP2007080850A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマアッシング方法 |
JP2007157768A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法および基板処理システム |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4312630B2 (ja) | 2004-03-02 | 2009-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP4903374B2 (ja) * | 2004-09-02 | 2012-03-28 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7964511B2 (en) | 2005-09-09 | 2011-06-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma ashing method |
-
2007
- 2007-07-02 JP JP2007174307A patent/JP4578507B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-06-30 US US12/216,155 patent/US8012880B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006020344A1 (en) * | 2004-08-02 | 2006-02-23 | Lam Research Corporation | Method for stripping photoresist from etched wafer |
JP2007080850A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマアッシング方法 |
JP2007157768A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法および基板処理システム |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011166084A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 絶縁膜のダメージ回復方法及びダメージが回復された絶縁膜 |
KR20120109359A (ko) * | 2011-03-25 | 2012-10-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 방법 및 기억 매체 |
CN102723305A (zh) * | 2011-03-25 | 2012-10-10 | 东京毅力科创株式会社 | 膜的处理方法 |
JP2012204669A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法および記憶媒体 |
US9059103B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-06-16 | Tokyo Electron Limited | Processing method and storage medium |
KR101904547B1 (ko) * | 2011-03-25 | 2018-10-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 방법 및 기억 매체 |
US20160196917A1 (en) * | 2015-01-05 | 2016-07-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
US9779875B2 (en) * | 2015-01-05 | 2017-10-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
JP2017216351A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4578507B2 (ja) | 2010-11-10 |
US20090029558A1 (en) | 2009-01-29 |
US8012880B2 (en) | 2011-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI355019B (en) | Hydrogen ashing enhanced with water vapor and dilu | |
JP4578507B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体 | |
JP4919871B2 (ja) | エッチング方法、半導体装置の製造方法および記憶媒体 | |
TWI528454B (zh) | 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 | |
JP4049214B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置 | |
US8138096B2 (en) | Plasma etching method | |
WO2005069367A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および成膜システム | |
JP4999419B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理システム、ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
JP2009010043A (ja) | 基板処理方法,基板処理装置,記録媒体 | |
JP2007194284A (ja) | プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、及び記憶媒体 | |
JP2007250706A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4924245B2 (ja) | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法及び記憶媒体 | |
JP2007266099A (ja) | 低誘電率膜のダメージ修復方法、半導体製造装置、記憶媒体 | |
JP4940722B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及びプラズマ処理装置並びに記憶媒体 | |
JP5272336B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
JP5544893B2 (ja) | 基板処理方法及び記憶媒体 | |
US20080020584A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and plasma processing apparatus | |
JP4015510B2 (ja) | 半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜及びその製造方法 | |
JP5714004B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2006278836A (ja) | エッチング方法、エッチング装置、コンピュータプログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2012015411A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2006303422A (ja) | プラズマ処理方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2004119539A (ja) | レジストパターンの除去方法 | |
JP5941623B2 (ja) | 処理方法および記憶媒体 | |
JP3717073B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090724 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090724 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20090724 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20090807 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100427 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100628 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100810 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100824 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4578507 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |