JP2009016446A5

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Publication number: JP2009016446A5
Application number: JP2007174307A
Authority: JP
Filing date: 2007-07-02
Publication date: 2009-09-10
Anticipated expiration: 2027-07-02

Claims

シリコンを含む有機系の低誘電率膜の上層側にレジストパターンが形成された基板をプラズマ処理装置内に搬入して、前記低誘電率膜をプラズマによりエッチングする工程と、
次いで前記プラズマ処理装置内においてＣＯ2ガスのプラズマにより前記レジストパターンをアッシングする工程と、
その後、有機系のガスを前記低誘電率膜に供給して、プラズマにより受けた前記低誘電率膜のダメージの回復処理を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
シリコンを含む有機系の低誘電率膜は、炭素、酸素及び水素を含むものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
前記回復処理は、前記エッチング及び前記アッシングが行われる処理容器とは別の処理容器内で行われることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
前記有機系のガスの分子は、メチル基を有するものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
メチル基の数は２以上であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
メチル基を有する有機系のガスは、ジメチルカーボネートであることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体装置の製造方法。
前記アッシングする工程は、前記低誘電率膜に形成されるダメージが緻密化しない条件に設定されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
前記アッシングする工程は、処理圧力が１．３３Ｐａ〜６．６７Ｐａに設定されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
前記アッシングする工程は、プラズマ処理装置を用い、プラズマ発生用の電力が、下部電極上の基板の単位面積あたりに印加されるプラズマ発生用の電力が１．９１Ｗ／ｃｍ ² 〜３．１８Ｗ／ｃｍ ² となるように設定されていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
シリコンを含む有機系の低誘電率膜の上層側にレジストパターンが形成された基板が搬入される処理容器を含み、前記低誘電率膜をプラズマによりエッチングするためのプラズマ処理装置と、
前記エッチング後の基板が搬入される処理容器を含み、ＣＯ2ガスのプラズマにより前記レジストパターンをアッシングするプラズマ処理装置と、
前記アッシング後の基板が搬入される処理容器を含み、有機系のガスを前記低誘電率膜に供給して、プラズマにより受けた前記低誘電率膜のダメージの回復処理を行うための処理装置と、を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
前記エッチングするためのプラズマ処理装置の処理容器は、前記アッシングするためのプラズマ処理装置の処理容器を兼用していることを特徴とする請求項１０記載の半導体製造装置。
前記有機系のガスの分子は、メチル基を有するものであることを特徴とする請求項１０または１１に記載の半導体製造装置。
メチル基の数は２以上であることを特徴とする請求項１２記載の半導体製造装置。
メチル基を有する有機系のガスは、ジメチルカーボネートであることを特徴とする請求項１２または１３に記載の半導体製造装置。
上層側にレジストパターンが形成された、シリコン、炭素、酸素及び水素を含む有機系の低誘電率膜をプラズマによりエッチングする工程と、
次いで前記低誘電率膜の比誘電率が５．２以上とすることができる程度に酸素ラジカルの多いプラズマにより前記レジストパターンをアッシングする工程と、
その後、有機系のガスを前記低誘電率膜に供給して、プラズマにより受けた前記低誘電率膜のダメージの回復処理を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
シリコン、炭素、酸素及び水素を含む有機系の低誘電率膜の上層側にレジストパターンが形成された基板をプラズマ処理装置内に搬入して、前記低誘電率膜をプラズマによりエッチングする工程と、
次いで平行平板型プラズマ処理装置を用い、処理圧力を１．３３Ｐａ〜６．６７Ｐａに設定すると共に、下部電極上の基板の単位面積あたりに印加されるプラズマ発生用の電力が１．９１Ｗ／ｃｍ²〜３．１８Ｗ／ｃｍ²となるように、上部電極にプラズマ発生用の電力を印加して酸素ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより前記レジストパターンをアッシングする工程と、
その後、有機系のガスを前記低誘電率膜に供給して、プラズマにより受けた前記低誘電率膜のダメージの回復処理を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
半導体製造装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１５及び１６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。