JP2013016699A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、基板処理方法が提供される。前記基板処理方法は、少なくとも主面上に形成された構造体を有する基板を液体によって処理する工程を含む。前記基板処理方法は、前記液体で濡れた状態の前記構造体に溶液を接触させ、前記溶液を反応させる、前記溶液に含まれる溶媒の量を減少させる、及び、前記溶媒に溶かされた物質の少なくとも一部を析出させる、の少なくともいずれかにより前記溶液の少なくとも一部を固体に変化させて、前記構造体を支持する支持材を形成する工程をさらに含む。前記基板処理方法は、前記支持材を固相から気相に、液相を経ずに変化させて前記支持材を除去する工程をさらに含む。
【選択図】図1
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1の実施形態に係る基板処理方法を例示するフローチャート図である。
図2(a)〜図2(e)は、第1の実施形態に係る基板処理方法を例示する模式的断面図である。
すなわち、図2(a)に表したように、構造体20には、不純物、残渣、パーティクルなどの異物80が付着している。この異物80を除去するために、液体を用いた洗浄が行われる。
これらの図においては、見易いように、基板10に設けられる構造体20は省略されている。
図4(a)に表したように、支持材45は、構造体20の実質的に全てを埋め込んでいる。すなわち、支持材45の厚さ(高さ)は、構造体20の高さよりも厚く、支持材45の上面は実質的に平坦である。このように、構造体20は、支持材45に埋め込まれることができる。これにより、支持材45によって構造体20を強固に支持でき、パターン倒壊の抑制がより確実になる。
このように、空隙45vや凹部45dが形成されるように、支持材45を形成することで、支持材45が除去されやすくなり、生産性が向上できる。
これらの図は、基板10に設けられる構造体20を例示している。図5(a)は、構造体20を形成するための加工前の状態を示し、図5(b)は、加工後の状態を示している。これらの図は、NAND型フラッシュメモリ装置のメモリセル領域に形成される素子分離構造の加工を例示している。
なお、この例では、トレンチ106の側壁に残渣107が存在している。
これらの図は、基板10に設けられる構造体20を例示している。図6(a)は、構造体20を形成するための加工前の状態を示し、図6(b)は、加工後の状態を示している。これらの図は、抵抗変化型の記憶装置のメモリセル領域に形成される、メモリ素子及び整流素子(例えばダイオード)の加工を例示している。整流素子は、メモリ素子を選択するためのものである。この例では、メモリ素子の部分と整流素子の部分とが一括して加工される。抵抗変化型の記憶装置は、三次元メモリ装置の1つである。
なお、この例でも、複数のメモリ素子120の側面に、エッチングの残渣121が付着している。
これらの方法は、他にもDRAMのキャパシタ(特にシリンダー)などを形成する際のパターン倒壊抑制にも用いることができる。
図7(a)に表したように、複数の構造体20が設けられた基板10の上に、レジスト層51を形成する。例えば、基板10の主面10aにレジスト層51となるレジスト溶液を例えばスピンナで塗布し、プリベークする。これにより、レジスト層51が形成される。
この例では、MEMS素子の製造工程において、基板から離間した梁などを形成する際の液体によるエッチング処理に本実施形態が応用される。
図9(a)に表したように、基板10上の構造体20を支持する支持材45を形成する。これには、既に説明した方法のいずれかを用いることができる。この例では、支持材45は、図4(a)に例示したように、構造体20の実質的に全てを埋め込んでいる。ただし、図4(b)〜図4(d)に例示したように、支持体45の構成は、種々の変形が可能である。
図9(a)に例示した状態の支持体45のエッチバックにより、支持体45の高さを構造体20の高さよりも低くし、構造体20の上部を露出させる。そして、図9(e)に表したように、露出した構造体20の上部と、支持体45と、を覆うように、上部支持膜61を形成する。図9(f)に表したように、上部支持膜61を残しつつ、支持体45を除去する。これにより、構造体20の上部の側面と、上面と、が、上部支持膜61で支持される。この後、上部支持膜61を除去しても良いし、そのまま残してエアギャップ構造として使用しても良い。
このように、支持体45の上に上部支持膜61を形成することで、構造体20の倒壊がより効果的に抑制される。
本実施形態は、第1の実施形態に関して説明した基板処理方法を実施可能な基板処理装置に係る。
図10に表したように、本実施形態に係る基板処理装置410は、液体処理部210と、支持材形成部220と、支持材除去部230と、制御部280と、を含む。液体処理部210は、基板10に対して液体30を用いた処理を実施する部分である。支持材形成部220は、基板10上の構造体20を支持する支持材45を形成する部分である。支持材除去部230は、支持材45を固相から直接的に気相に変化させて支持材45を除去する部分である。制御部280は、これらの各部分を制御する。
図11に表したように、基板処理装置410の液体処理部210には、保持部310aと、供給部320aと、が設けられる。保持部310aは、基板10を保持する。基板10の主面10a上には構造体20(この図では省略)が設けられている。保持部310aとして、回転可能なステージが用いられている。供給部320aは、基板10の主面10a上に液状物質350として液体30を供給する。供給部320aは、例えば、薬液を供給可能なノズルを含む。また、この例では、保持部310aを取り囲むようにカバー360が設けられている。カバー360により、薬液が周囲に飛び散ることが抑制される。このような保持部310a及び供給部320aにより、第1の実施形態に関して説明した、基板10を液体30によって処理する工程(ステップS110)が実施できる。
図12に表したように、基板処理装置410の支持材形成部220には、保持部310bと、供給部320bと、が設けられる。保持部310bは、基板10を保持する。供給部320bは、基板10の主面10a上に、液状物質350として溶液40を供給する。また、この例では、保持部310bを取り囲むようにカバー360が設けられている。このような保持部310b及び供給部320bにより、第1の実施形態に関して説明した、液体30で濡れた状態の構造体20に溶液40を接触させることが実施される。そして、溶液40の少なくとも一部を固体に変化させて支持材45を形成する工程(ステップS120)が実施できる。
図13に表したように、基板処理装置410の支持材除去部230には、保持部311aと、処理部330aと、が設けられる。保持部311aは、基板10を保持する。処理部330aは、基板10に対して、加熱、光照射、電子線照射、減圧、及び、ガス供給の少なくともいずれかの処理を行う。この例では、処理部330aは加熱を行う。この例では、処理部330aは、基板10の主面10aに高温ガス370などを吹き付けるノズルを含む。これにより、基板10は加熱され、支持材45が固相から直接的に気相に変化し、支持材45が除去される。
図14に表したように、支持材除去部230には、保持部311bと、処理部330bと、が設けられる。保持部311bは、基板10を保持する。この例では、処理部330bとして、ヒータが用いられる。ヒータは、保持部311b内、または、保持部311bの上面部分に設けられている。処理部330bにより、基板10は加熱され、支持材45が固相から直接的に気相に変化し、支持材45が除去される。
図15に表したように、支持材除去部230には、保持部311aと、処理部330cと、が設けられる。この例では、処理部330cとして、ヒータ、ランプ、電子線照射装置などが用いられる。処理部330cは、保持部311aの上に保持される基板10に対向するように、保持部311aの上方に設置される。処理部330cにより、基板10に対して、加熱、光照射、電子線照射などが行われ、支持材45が固相から直接的に気相に変化し、支持材45が除去される。
図16に表したように、支持材除去部230には、保持部311aと、処理部330dと、が設けられる。この例では、処理部330dとして、減圧可能なチャンバが用いられる。処理部330dの排気口331は、ポンプに接続される。処理部330dの内部に保持部311aが設けられ、基板10の周囲が減圧状態にされる。これにより、基板10に対して、減圧処理が行われ、支持材45が固相から直接的に気相に変化し、支持材45が除去される。
図17に表したように、支持材除去部230には、保持部311aと、処理部330eと、が設けられる。この例では、処理部330eは、支持材45と反応するガス(反応性ガス371)を供給するノズルを含む。この例では、保持部311aと処理部330eとは、処理チャンバ330ea内に設けられている。処理部330eから反応性ガス371を基板10に供給することで、支持材45が固相から直接的に気相に変化し、支持材45が除去される。
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置410は、保持部310(保持部310a、310b、311a及び311bなど)と、供給部320(供給部320a及び320bなど)と、処理部330(処理部330a、330b、330c、330d及び330eなど)と、を備える。保持部310は、基板10を保持する。例えば、基板10の主面10aには構造体20が形成されている。供給部320は、基板10の主面10a上に液状物質350(液体30及び溶液40など)を供給する。処理部330は、基板10に対して、加熱、光照射、電子線照射、減圧、及び、ガス供給の少なくともいずれかの処理を行う。
図18に表したように、本実施形態に係る別の基板処理装置411は、液体処理・支持材形成部215と、支持材除去部230と、制御部280と、を含む。液体処理・支持材形成部215は、液体処理部210と支持材形成部220との両方の機能を有する。
図19に表したように、基板処理装置411の液体処理・支持材形成部215には、保持部310と、供給部320と、が設けられる。保持部310は、基板10を保持する。供給部320として、複数のノズル(供給部320a、320b及び320cなど)が設けられる。これにより、異なる種類の液状物質350(例えば、液体30及び溶液40など)を基板10の主面10a上に供給できる。例えば、液体30の一部である薬液及びリンス液、並びに、支持材45となる溶液40などが、互いに異なるノズルから供給される。これにより、ステップS110及びステップS120の少なくともいずれかが実施される。例えば、ステップS110とステップS120とが連続して実施される。
図20に表したように、この例では、供給部320である複数のノズル(供給部320a、320b及び320cなど)が、基板10の主面10aに対して斜め方向から基板10に向けて液状物質350を供給している。このように、液状物質350を供給する形態は各種の変形が可能である。
図21に表したように、本実施形態に係る別の基板処理装置412は、液体処理・支持材形成・除去部216と、制御部280と、を含む。液体処理・支持材形成・除去部216は、液体処理部210と支持材形成部220と支持材除去部230との3つの機能を有する。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
Claims (5)
- 少なくとも主面上に形成された構造体を有する基板を液体によって処理する工程と、
前記液体で濡れた状態の前記構造体に溶液を接触させ、前記溶液を反応させる、前記溶液に含まれる溶媒の量を減少させる、及び、前記溶媒に溶かされた物質の少なくとも一部を析出させる、の少なくともいずれかにより前記溶液の少なくとも一部を固体に変化させて、前記構造体を支持する支持材を形成する工程と、
前記支持材を固相から気相に、液相を経ずに変化させて前記支持材を除去する工程と、
を備え、
前記支持材は、メタクリル系樹脂材料、スチレン系樹脂材料及びフッ化炭素系材料の少なくともいずれかを含み、
前記支持材を固相から気相へ変化させることは、加熱処理、光照射処理、電子線照射処理、減圧処理、及び、前記支持材と反応するガスを用いた処理の少なくともいずれかを実施して、前記支持材の昇華、分解、及び、反応の少なくともいずれかを行うことを含むことを特徴とする基板処理方法。 - 少なくとも主面上に形成された構造体を有する基板を液体によって処理する工程と、
前記液体で濡れた状態の前記構造体に溶液を接触させ、前記溶液を反応させる、前記溶液に含まれる溶媒の量を減少させる、及び、前記溶媒に溶かされた物質の少なくとも一部を析出させる、の少なくともいずれかにより前記溶液の少なくとも一部を固体に変化させて、前記構造体を支持する支持材を形成する工程と、
前記支持材を固相から気相に、液相を経ずに変化させて前記支持材を除去する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 前記支持材を固相から気相へ変化させることは、前記支持材の昇華、分解、及び、反応の少なくともいずれかを行うことを含むことを特徴とする請求項2記載の基板処理方法。
- 前記支持材を固相から気相へ変化させることは、加熱処理、光照射処理、電子線照射処理、減圧処理、及び、前記支持材と反応するガスを用いた処理の少なくともいずれかを実施することを含むことを特徴とする請求項2または3に記載の基板処理方法。
- 基板を保持する保持部と、
前記基板上に液状物質を供給する供給部と、
前記基板に対して、加熱、光照射、電子線照射、減圧、及び、ガス供給の少なくともいずれかの処理を行う処理部と、
前記基板を液体によって処理後、前記液体で濡れた状態の前記基板に溶液を接触させ、前記溶液を反応させる、前記溶液に含まれる溶媒の量を減少させる、及び、前記溶媒に溶かされた物質の少なくとも一部を析出させる、の少なくともいずれかにより前記溶液の少なくとも一部を固体に変化させて前記基板上に支持材を形成し、前記支持材を固相から気相に、液相を経ずに変化させて除去する一連の動作を、前記保持部、前記供給部及び前記処理部に実施させる制御部と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
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US14/940,186 US20160071747A1 (en) | 2011-07-05 | 2015-11-13 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US16/357,151 US20190214277A1 (en) | 2011-07-05 | 2019-03-18 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US17/680,396 US11921428B2 (en) | 2011-07-05 | 2022-02-25 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
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---|---|---|---|
JP2011149367A JP5622675B2 (ja) | 2011-07-05 | 2011-07-05 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Publications (2)
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Cited By (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015023172A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理用記録媒体 |
JP2015037128A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 |
JP2015050414A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥装置 |
JP2015106645A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2015111610A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | メルクパフォーマンスマテリアルズマニュファクチャリング合同会社 | 熱分解可能な充填用組成物、ならびにその組成物を用いて形成された空隙を具備した半導体装置、およびその組成物を用いた半導体装置の製造方法 |
JP2015162486A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 |
JP2015185713A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 株式会社東芝 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR20160033624A (ko) * | 2014-09-18 | 2016-03-28 | 램 리써치 코포레이션 | 자극-반응성 희생 브레이싱 재료를 사용하여 붕괴 없이 고종횡비 구조체들을 건조시키기 위한 시스템들 및 방법들 |
KR20160041012A (ko) * | 2014-10-06 | 2016-04-15 | 램 리써치 코포레이션 | 수소-풍부 플라즈마를 사용하여 제거되는 희생적인 브레이싱 재료를 사용하여 붕괴 없이 고종횡비 구조체들을 건조시키기 위한 시스템들 및 방법들 |
US9437599B2 (en) | 2014-08-12 | 2016-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same |
KR20160143578A (ko) * | 2015-06-04 | 2016-12-14 | 램 리써치 코포레이션 | 고 종횡비 구조체들을 붕괴 없이 건조하기 위한 방법 |
JP2016219471A (ja) * | 2015-05-15 | 2016-12-22 | 株式会社Screenホールディングス | 液充填方法 |
US9536797B2 (en) | 2014-07-22 | 2017-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
JP2017005134A (ja) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | 株式会社東芝 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2017045850A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 株式会社東芝 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2017076817A (ja) * | 2017-01-05 | 2017-04-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び薬液 |
WO2017122600A1 (ja) * | 2016-01-13 | 2017-07-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体基板材料に撥アルコール性を付与する液体組成物および該液体組成物を用いた半導体基板の表面処理方法 |
EP3249682A1 (en) | 2016-05-24 | 2017-11-29 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
JPWO2016185888A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2018-03-01 | Jsr株式会社 | 基板パターン倒壊抑制用処理材及び基板の処理方法 |
WO2018047615A1 (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-15 | 株式会社Screenホールディングス | 犠牲膜形成方法、基板処理方法および基板処理装置 |
US9934958B2 (en) | 2014-11-17 | 2018-04-03 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
KR20180034229A (ko) * | 2016-09-27 | 2018-04-04 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
EP3340280A1 (en) | 2016-12-26 | 2018-06-27 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
JP2018152617A (ja) * | 2018-07-04 | 2018-09-27 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
JP6421902B1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体基板に撥アルコール性を付与する表面処理方法 |
WO2018216326A1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-29 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体基板に撥アルコール性を付与する表面処理方法 |
EP3435405A1 (en) | 2017-07-26 | 2019-01-30 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating method and substrate treating apparatus |
JP2019021940A (ja) * | 2018-10-29 | 2019-02-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 |
KR101946139B1 (ko) * | 2016-03-25 | 2019-02-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
CN109326535A (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-12 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法和基板处理装置 |
US10242861B2 (en) | 2014-07-30 | 2019-03-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Processing apparatus, processing method, and manufacturing method of electronic device |
EP3460830A1 (en) | 2017-09-25 | 2019-03-27 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating method, substrate treating liquid and substrate treating apparatus |
WO2019123852A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR20190082963A (ko) | 2017-01-06 | 2019-07-10 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
WO2020004214A1 (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN110660641A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 株式会社斯库林集团 | 衬底处理方法及衬底处理装置 |
JP2020004948A (ja) * | 2018-06-22 | 2020-01-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、基板処理装置、および乾燥前処理液 |
WO2020021903A1 (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR20200013724A (ko) | 2017-07-27 | 2020-02-07 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법, 기판 처리액 및 기판 처리 장치 |
WO2020044885A1 (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2020035907A (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | キオクシア株式会社 | 基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2020047887A (ja) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10699920B2 (en) | 2018-03-22 | 2020-06-30 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating method and substrate treating apparatus |
JP2020129619A (ja) * | 2019-02-08 | 2020-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、及び基板処理装置 |
US10766054B2 (en) | 2016-09-27 | 2020-09-08 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US11101147B2 (en) | 2017-12-11 | 2021-08-24 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
WO2022039071A1 (ja) * | 2020-08-20 | 2022-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、及び基板処理装置 |
US11574821B2 (en) | 2017-07-27 | 2023-02-07 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating method, substrate treating liquid and substrate treating apparatus |
KR20230042643A (ko) | 2021-09-22 | 2023-03-29 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 학습 장치, 정보 처리 장치, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 학습 방법, 레시피 결정 방법 및 학습 프로그램 |
WO2023182213A1 (ja) * | 2022-03-22 | 2023-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥方法と基板処理方法 |
WO2023182212A1 (ja) * | 2022-03-22 | 2023-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
US11851745B2 (en) | 2018-06-22 | 2023-12-26 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method, substrate processing apparatus and pre-drying processing liquid |
US11862473B2 (en) | 2020-05-12 | 2024-01-02 | Lam Research Corporation | Controlled degradation of a stimuli-responsive polymer film |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5994736B2 (ja) * | 2013-06-10 | 2016-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
JP2015088732A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-05-07 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
US10008396B2 (en) * | 2014-10-06 | 2018-06-26 | Lam Research Corporation | Method for collapse-free drying of high aspect ratio structures |
CN105047529A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-11-11 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 改善小尺寸高深宽比结构的湿法工艺润湿性的方法 |
JP6502206B2 (ja) * | 2015-08-07 | 2019-04-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6591280B2 (ja) * | 2015-12-16 | 2019-10-16 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6849368B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2021-03-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
JP2019054112A (ja) * | 2017-09-15 | 2019-04-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
KR102125141B1 (ko) | 2017-09-22 | 2020-06-19 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
JP7008489B2 (ja) * | 2017-12-05 | 2022-01-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10957530B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-03-23 | Micron Technology, Inc. | Freezing a sacrificial material in forming a semiconductor |
JP7175119B2 (ja) * | 2018-07-25 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
JP7129482B2 (ja) * | 2018-08-21 | 2022-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP7100564B2 (ja) * | 2018-11-09 | 2022-07-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥方法および基板処理装置 |
JP7194645B2 (ja) * | 2019-05-31 | 2022-12-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US11658031B2 (en) | 2021-03-04 | 2023-05-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Implantation mask formation |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09260337A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Nikon Corp | 薄膜構造体の製造装置 |
JP2008010638A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Ulvac Seimaku Kk | 半導体装置の製造方法 |
JP2011124313A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム、基板処理装置、基板処理方法及び基板処理プログラムを記録した記録媒体 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US720637A (en) * | 1902-05-17 | 1903-02-17 | Arthur A Thomas | Band-cutter and feeder for threshing-machines. |
JPS63231446A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-27 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
US5783367A (en) * | 1989-09-20 | 1998-07-21 | Fujitsu Limited | Process for production of semiconductor device and resist developing apparatus used therein |
JPH0754795B2 (ja) * | 1993-01-28 | 1995-06-07 | 日本電気株式会社 | レジスト現像方法 |
JP2947694B2 (ja) | 1993-07-02 | 1999-09-13 | 株式会社日立製作所 | レジストパターン形成方法 |
JP3785003B2 (ja) | 1999-09-20 | 2006-06-14 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
US6666979B2 (en) * | 2001-10-29 | 2003-12-23 | Applied Materials, Inc. | Dry etch release of MEMS structures |
US7080545B2 (en) * | 2002-10-17 | 2006-07-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and process for sensing fluoro species in semiconductor processing systems |
US7129569B2 (en) | 2004-04-30 | 2006-10-31 | St Assembly Test Services Ltd. | Large die package structures and fabrication method therefor |
JP4789599B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-12 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | フォトレジスト組成物 |
US7700494B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-04-20 | Tokyo Electron Limited, Inc. | Low-pressure removal of photoresist and etch residue |
JP2008060368A (ja) | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP4949091B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2012-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記録媒体 |
US8793898B2 (en) | 2007-05-23 | 2014-08-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for drying substrates |
US20080295868A1 (en) * | 2007-06-04 | 2008-12-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Manufacturing method of a semiconductor device and substrate cleaning apparatus |
KR20110121301A (ko) * | 2010-04-30 | 2011-11-07 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
KR101592058B1 (ko) | 2010-06-03 | 2016-02-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치 |
JP5647845B2 (ja) | 2010-09-29 | 2015-01-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥装置及び基板乾燥方法 |
JP2012084789A (ja) | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
US9673037B2 (en) * | 2011-05-31 | 2017-06-06 | Law Research Corporation | Substrate freeze dry apparatus and method |
-
2011
- 2011-07-05 JP JP2011149367A patent/JP5622675B2/ja active Active
-
2012
- 2012-07-03 US US13/541,167 patent/US9213242B2/en active Active
-
2015
- 2015-11-13 US US14/940,186 patent/US20160071747A1/en not_active Abandoned
-
2019
- 2019-03-18 US US16/357,151 patent/US20190214277A1/en not_active Abandoned
-
2022
- 2022-02-25 US US17/680,396 patent/US11921428B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09260337A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Nikon Corp | 薄膜構造体の製造装置 |
JP2008010638A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Ulvac Seimaku Kk | 半導体装置の製造方法 |
JP2011124313A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム、基板処理装置、基板処理方法及び基板処理プログラムを記録した記録媒体 |
Cited By (110)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015023172A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理用記録媒体 |
JP2015037128A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 |
JP2015050414A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥装置 |
JP2015106645A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US10192733B2 (en) | 2013-11-29 | 2019-01-29 | Toshiba Memory Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and chemical liquid |
US9620353B2 (en) | 2013-11-29 | 2017-04-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
JP2015111610A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | メルクパフォーマンスマテリアルズマニュファクチャリング合同会社 | 熱分解可能な充填用組成物、ならびにその組成物を用いて形成された空隙を具備した半導体装置、およびその組成物を用いた半導体装置の製造方法 |
JP2015162486A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 |
JP2015185713A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 株式会社東芝 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US9536797B2 (en) | 2014-07-22 | 2017-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
US10242861B2 (en) | 2014-07-30 | 2019-03-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Processing apparatus, processing method, and manufacturing method of electronic device |
US9437599B2 (en) | 2014-08-12 | 2016-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same |
KR102516922B1 (ko) * | 2014-09-18 | 2023-03-31 | 램 리써치 코포레이션 | 자극-반응성 희생 브레이싱 재료를 사용하여 붕괴 없이 고종횡비 구조체들을 건조시키기 위한 시스템들 및 방법들 |
KR20160033624A (ko) * | 2014-09-18 | 2016-03-28 | 램 리써치 코포레이션 | 자극-반응성 희생 브레이싱 재료를 사용하여 붕괴 없이 고종횡비 구조체들을 건조시키기 위한 시스템들 및 방법들 |
KR20160041012A (ko) * | 2014-10-06 | 2016-04-15 | 램 리써치 코포레이션 | 수소-풍부 플라즈마를 사용하여 제거되는 희생적인 브레이싱 재료를 사용하여 붕괴 없이 고종횡비 구조체들을 건조시키기 위한 시스템들 및 방법들 |
KR102525288B1 (ko) * | 2014-10-06 | 2023-04-24 | 램 리써치 코포레이션 | 수소-풍부 플라즈마를 사용하여 제거되는 희생적인 브레이싱 재료를 사용하여 붕괴 없이 고종횡비 구조체들을 건조시키기 위한 시스템들 및 방법들 |
US9934958B2 (en) | 2014-11-17 | 2018-04-03 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
JP2016219471A (ja) * | 2015-05-15 | 2016-12-22 | 株式会社Screenホールディングス | 液充填方法 |
JPWO2016185888A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2018-03-01 | Jsr株式会社 | 基板パターン倒壊抑制用処理材及び基板の処理方法 |
US20180068863A1 (en) * | 2015-05-15 | 2018-03-08 | Jsr Corporation | Treatment agent for inhibiting substrate pattern collapse and treatment method of substrate |
KR20160143578A (ko) * | 2015-06-04 | 2016-12-14 | 램 리써치 코포레이션 | 고 종횡비 구조체들을 붕괴 없이 건조하기 위한 방법 |
KR102591277B1 (ko) * | 2015-06-04 | 2023-10-18 | 램 리써치 코포레이션 | 고 종횡비 구조체들을 붕괴 없이 건조하기 위한 방법 |
US10199209B2 (en) | 2015-06-11 | 2019-02-05 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
JP2017005134A (ja) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | 株式会社東芝 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2017045850A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 株式会社東芝 | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10304704B2 (en) | 2015-08-26 | 2019-05-28 | Toshiba Memory Corporation | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
KR102620502B1 (ko) | 2016-01-13 | 2024-01-03 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 반도체기판재료에 발알코올성을 부여하는 액체조성물 및 이 액체조성물을 이용한 반도체기판의 표면처리방법 |
KR20180101323A (ko) * | 2016-01-13 | 2018-09-12 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 반도체기판재료에 발알코올성을 부여하는 액체조성물 및 이 액체조성물을 이용한 반도체기판의 표면처리방법 |
WO2017122600A1 (ja) * | 2016-01-13 | 2017-07-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体基板材料に撥アルコール性を付与する液体組成物および該液体組成物を用いた半導体基板の表面処理方法 |
JPWO2017122600A1 (ja) * | 2016-01-13 | 2018-11-01 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体基板材料に撥アルコール性を付与する液体組成物および該液体組成物を用いた半導体基板の表面処理方法 |
US11094526B2 (en) | 2016-01-13 | 2021-08-17 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Liquid composition for imparting alcohol-repellency to semiconductor substrate material, and method for treating surface of semiconductor substrate using said liquid composition |
KR101946139B1 (ko) * | 2016-03-25 | 2019-02-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
US10153181B2 (en) | 2016-05-24 | 2018-12-11 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
EP3249682A1 (en) | 2016-05-24 | 2017-11-29 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
US11036139B2 (en) | 2016-09-12 | 2021-06-15 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Sacrificial film forming method, substrate treatment method, and substrate treatment device |
WO2018047615A1 (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-15 | 株式会社Screenホールディングス | 犠牲膜形成方法、基板処理方法および基板処理装置 |
JP2018043173A (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 犠牲膜形成方法、基板処理方法および基板処理装置 |
KR20190019186A (ko) * | 2016-09-12 | 2019-02-26 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 희생막 형성 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
KR102121705B1 (ko) | 2016-09-12 | 2020-06-10 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 희생막 형성 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
JP2018056553A (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10766054B2 (en) | 2016-09-27 | 2020-09-08 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
KR102015702B1 (ko) * | 2016-09-27 | 2019-08-28 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
KR20180034229A (ko) * | 2016-09-27 | 2018-04-04 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
EP3340280A1 (en) | 2016-12-26 | 2018-06-27 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
US10720342B2 (en) | 2016-12-26 | 2020-07-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
JP2017076817A (ja) * | 2017-01-05 | 2017-04-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び薬液 |
KR20190082963A (ko) | 2017-01-06 | 2019-07-10 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
US11133175B2 (en) | 2017-01-06 | 2021-09-28 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating method and substrate treating apparatus |
CN110731004A (zh) * | 2017-05-26 | 2020-01-24 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 对半导体基板赋予拒醇性的表面处理方法 |
US11174399B2 (en) | 2017-05-26 | 2021-11-16 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Surface treatment method for imparting alcohol repellency to semiconductor substrate |
CN110731004B (zh) * | 2017-05-26 | 2023-06-13 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 对半导体基板赋予拒醇性的表面处理方法 |
WO2018216326A1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-29 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体基板に撥アルコール性を付与する表面処理方法 |
TWI758443B (zh) * | 2017-05-26 | 2022-03-21 | 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 | 對半導體基板賦予撥醇性的表面處理方法 |
JP6421902B1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体基板に撥アルコール性を付与する表面処理方法 |
KR20190012105A (ko) * | 2017-07-26 | 2019-02-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
KR102048152B1 (ko) * | 2017-07-26 | 2019-11-22 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
EP3435405A1 (en) | 2017-07-26 | 2019-01-30 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating method and substrate treating apparatus |
KR102387875B1 (ko) * | 2017-07-27 | 2022-04-18 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법, 기판 처리액 및 기판 처리 장치 |
US11574821B2 (en) | 2017-07-27 | 2023-02-07 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating method, substrate treating liquid and substrate treating apparatus |
KR20200013724A (ko) | 2017-07-27 | 2020-02-07 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법, 기판 처리액 및 기판 처리 장치 |
JP2019029527A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN109326535B (zh) * | 2017-07-31 | 2022-07-12 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法和基板处理装置 |
JP6993806B2 (ja) | 2017-07-31 | 2022-01-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN109326535A (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-12 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法和基板处理装置 |
KR102048154B1 (ko) * | 2017-09-25 | 2019-11-22 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법, 기판 처리액 및 기판 처리 장치 |
US11094565B2 (en) | 2017-09-25 | 2021-08-17 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating method, substrate treating liquid and substrate treating apparatus |
KR20190035493A (ko) * | 2017-09-25 | 2019-04-03 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법, 기판 처리액 및 기판 처리 장치 |
EP3460830A1 (en) | 2017-09-25 | 2019-03-27 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating method, substrate treating liquid and substrate treating apparatus |
US11101147B2 (en) | 2017-12-11 | 2021-08-24 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP7033912B2 (ja) | 2017-12-22 | 2022-03-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2019123852A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2019114654A (ja) * | 2017-12-22 | 2019-07-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US10699920B2 (en) | 2018-03-22 | 2020-06-30 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating method and substrate treating apparatus |
KR102356766B1 (ko) | 2018-06-22 | 2022-02-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 건조 전처리액 |
KR20220133831A (ko) * | 2018-06-22 | 2022-10-05 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 건조 전처리액 |
KR102641776B1 (ko) | 2018-06-22 | 2024-02-28 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 건조 전처리액 |
KR20210011486A (ko) * | 2018-06-22 | 2021-02-01 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 건조 전처리액 |
US11851745B2 (en) | 2018-06-22 | 2023-12-26 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method, substrate processing apparatus and pre-drying processing liquid |
JP7286359B2 (ja) | 2018-06-22 | 2023-06-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、基板処理装置、および乾燥前処理液 |
JP2020004948A (ja) * | 2018-06-22 | 2020-01-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、基板処理装置、および乾燥前処理液 |
WO2020004214A1 (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2020004908A (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN110660641A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 株式会社斯库林集团 | 衬底处理方法及衬底处理装置 |
JP7030633B2 (ja) | 2018-06-29 | 2022-03-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2020004907A (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20210014689A (ko) * | 2018-06-29 | 2021-02-09 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7015219B2 (ja) | 2018-06-29 | 2022-02-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR102475175B1 (ko) * | 2018-06-29 | 2022-12-07 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2018152617A (ja) * | 2018-07-04 | 2018-09-27 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
JP7231350B2 (ja) | 2018-07-25 | 2023-03-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
TWI708339B (zh) * | 2018-07-25 | 2020-10-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
WO2020021903A1 (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2020017613A (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2020035907A (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | キオクシア株式会社 | 基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP7077184B2 (ja) | 2018-08-30 | 2022-05-30 | キオクシア株式会社 | 基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2020035986A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7122911B2 (ja) | 2018-08-31 | 2022-08-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN112640057A (zh) * | 2018-08-31 | 2021-04-09 | 株式会社斯库林集团 | 衬底处理方法及衬底处理装置 |
WO2020044885A1 (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN112640057B (zh) * | 2018-08-31 | 2024-04-12 | 株式会社斯库林集团 | 衬底处理方法及衬底处理装置 |
JP7198618B2 (ja) | 2018-09-21 | 2023-01-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2020047887A (ja) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2019021940A (ja) * | 2018-10-29 | 2019-02-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 |
JP7220582B2 (ja) | 2019-02-08 | 2023-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、及び基板処理装置 |
JP2020129619A (ja) * | 2019-02-08 | 2020-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、及び基板処理装置 |
US11862473B2 (en) | 2020-05-12 | 2024-01-02 | Lam Research Corporation | Controlled degradation of a stimuli-responsive polymer film |
WO2022039071A1 (ja) * | 2020-08-20 | 2022-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、及び基板処理装置 |
KR20230042643A (ko) | 2021-09-22 | 2023-03-29 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 학습 장치, 정보 처리 장치, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 학습 방법, 레시피 결정 방법 및 학습 프로그램 |
WO2023182212A1 (ja) * | 2022-03-22 | 2023-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
WO2023182213A1 (ja) * | 2022-03-22 | 2023-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥方法と基板処理方法 |
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