JP2020004948A - 基板処理方法、基板処理装置、および乾燥前処理液 - Google Patents
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Abstract
Description
請求項3に記載の発明は、前記溶媒は、IPA(イソプロピルアルコール)、アセトン、およびPGEE(プロピレングリコールモノエチルエーテル)の少なくとも一つを含む、請求項1または2に記載の基板処理方法である。
請求項5に記載の発明は、前記溶媒は、アセトンであり、前記乾燥前処理液における前記昇華性物質の質量パーセント濃度は、0.62を超え、0.96以下である、請求項3に記載の基板処理方法である。
請求項7に記載の発明は、前記乾燥前処理液供給工程で前記基板の表面に供給される前記乾燥前処理液は、疎水基を含む前記昇華性物質と、前記溶媒と、疎水基と親水基とを含み、前記昇華性物質よりも親水性が高い吸着物質と、を含む溶液である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、昇華性物質だけでなく、吸着物質も昇華性を有している。吸着物質は、常温または常圧で液体を経ずに固体から気体に変化する。パターンの表面の少なくとも一部が親水性である場合、乾燥前処理液中の吸着物質がパターンの表面に吸着した状態で溶媒が蒸発する。吸着物質は、パターンの表面で液体から固体に変化する。これにより、吸着物質および昇華性物質を含む凝固体が形成される。その後、吸着物質の固体は、パターンの表面で液体を経ずに気体に変化する。したがって、パターンの表面で液体を気化させる場合に比べて倒壊力を低下させることができる。
この方法によれば、吸着物質の濃度が低い乾燥前処理液を基板の表面に供給する。パターンの表面の少なくとも一部が親水性である場合、吸着物質の親水基がパターンの表面に付着し、吸着物質の単分子膜がパターンの表面に沿って形成される。吸着物質の濃度が高いと、複数の単分子膜が積み重なり、吸着物質の積層膜がパターンの表面に沿って形成される。この場合、昇華性物質は、吸着物質の積層膜を介してパターンの表面に保持される。吸着物質の積層膜が厚いと、パターンの間に進入する昇華性物質が減少する。したがって、吸着物質の濃度を低下させることにより、より多くの昇華性物質をパターンの間に進入させることができる。
この方法によれば、吸着物質よりも疎水性が高い昇華性物質を含む乾燥前処理液を基板の表面に供給する。昇華性物質および吸着物質のいずれにも疎水基が含まれているので、パターンの表面の少なくとも一部が疎水性である場合、昇華性物質および吸着物質の両方がパターンの表面に付着し得る。しかしながら、昇華性物質とパターンとの親和性が、吸着物質とパターンとの親和性よりも高いので、吸着物質よりも多くの昇華性物質がパターンの表面に付着する。これにより、より多くの昇華性物質をパターンの表面に付着させることができる。
以下の説明において、基板処理装置1内の気圧は、特に断りがない限り、基板処理装置1が設置されるクリーンルーム内の気圧(たとえば1気圧またはその近傍の値)に維持されているものとする。
図1Aは、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1を上から見た模式図である。図1Bは、基板処理装置1を側方から見た模式図である。
処理ユニット2は、基板Wに処理液を供給するウェット処理ユニット2wである。処理ユニット2は、内部空間を有する箱型のチャンバー4と、チャンバー4内で1枚の基板Wを水平に保持しながら基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線A1まわりに回転させるスピンチャック10と、回転軸線A1まわりにスピンチャック10を取り囲む筒状の処理カップ21とを含む。
図3は、基板処理装置1に備えられた乾燥前処理液供給ユニットを示す模式図である。
基板処理装置1は、乾燥前処理液配管40を介して乾燥前処理液ノズル39に乾燥前処理液を供給する乾燥前処理液供給ユニットを備えている。
乾燥前処理液供給ユニットは、乾燥前処理液を貯留する第1タンク87Aと、第1タンク87A内の乾燥前処理液を循環させる第1循環配管88Aと、第1タンク87A内の乾燥前処理液を第1循環配管88Aに送る第1ポンプ89Aと、第1循環配管88A内の乾燥前処理液を乾燥前処理液配管40に案内する第1個別配管90Aとを含む。乾燥前処理液供給ユニットは、さらに、第1個別配管90Aの内部を開閉する第1開閉バルブ91Aと、第1個別配管90Aから乾燥前処理液配管40に供給される乾燥前処理液の流量を変更する第1流量調整バルブ92Aとを含む。
制御装置3は、コンピュータ本体3aと、コンピュータ本体3aに接続された周辺装置3bとを含む、コンピュータである。コンピュータ本体3aは、各種の命令を実行するCPU93(central processing unit:中央処理装置)と、情報を記憶する主記憶装置94とを含む。周辺装置3bは、プログラムP等の情報を記憶する補助記憶装置95と、リムーバブルメディアMから情報を読み取る読取装置96と、ホストコンピュータ等の他の装置と通信する通信装置97とを含む。
処理される基板Wは、たとえば、シリコンウエハなどの半導体ウエハである。基板Wの表面は、トランジスタやキャパシタ等のデバイスが形成されるデバイス形成面に相当する。基板Wは、パターン形成面である基板Wの表面にパターンP1(図6A参照)が形成された基板Wであってもよいし、基板Wの表面にパターンP1が形成されていない基板Wであってもよい。後者の場合、後述する薬液供給工程でパターンP1が形成されてもよい。
以下では、図2および図5を参照する。図6A〜図6Cについては適宜参照する。
基板処理装置1によって基板Wが処理されるときは、チャンバー4内に基板Wを搬入する搬入工程(図5のステップS1)が行われる。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット34が薬液ノズル31を待機位置から処理位置に移動させる。その後、薬液バルブ33が開かれ、薬液ノズル31が薬液の吐出を開始する。薬液バルブ33が開かれてから所定時間が経過すると、薬液バルブ33が閉じられ、薬液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット34が、薬液ノズル31を待機位置に移動させる。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット38がリンス液ノズル35を待機位置から処理位置に移動させる。その後、リンス液バルブ37が開かれ、リンス液ノズル35がリンス液の吐出を開始する。純水の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット27は、基板Wから排出された液体を受け止めるガード24を切り替えるために、少なくとも一つのガード24を鉛直に移動させてもよい。リンス液バルブ37が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ37が閉じられ、リンス液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット38が、リンス液ノズル35を待機位置に移動させる。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット46が置換液ノズル43を待機位置から処理位置に移動させる。その後、置換液バルブ45が開かれ、置換液ノズル43が置換液の吐出を開始する。置換液の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット27は、基板Wから排出された液体を受け止めるガード24を切り替えるために、少なくとも一つのガード24を鉛直に移動させてもよい。置換液バルブ45が開かれてから所定時間が経過すると、置換液バルブ45が閉じられ、置換液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット46が、置換液ノズル43を待機位置に移動させる。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット42が乾燥前処理液ノズル39を待機位置から処理位置に移動させる。その後、乾燥前処理液バルブ41が開かれ、乾燥前処理液ノズル39が乾燥前処理液の吐出を開始する。乾燥前処理液の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット27は、基板Wから排出された液体を受け止めるガード24を切り替えるために、少なくとも一つのガード24を鉛直に移動させてもよい。乾燥前処理液バルブ41が開かれてから所定時間が経過すると、乾燥前処理液バルブ41が閉じられ、乾燥前処理液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット42が、乾燥前処理液ノズル39を待機位置に移動させる。
具体的には、遮断部材51が下位置に位置している状態で、スピンモータ14が基板Wの回転速度を膜厚減少速度に維持する。膜厚減少速度は、液体供給速度と等しくてもよいし、異なっていてもよい。基板W上の乾燥前処理液は、乾燥前処理液の吐出が停止された後も、遠心力によって基板Wから外方に排出される。そのため、基板W上の乾燥前処理液の液膜の厚みが減少する。基板W上の乾燥前処理液がある程度排出されると、単位時間当たりの基板Wからの乾燥前処理液の排出量が零または概ね零に減少する。これにより、基板W上の乾燥前処理液の液膜の厚みが基板Wの回転速度に応じた値で安定する。
具体的には、遮断部材51が下位置に位置している状態で、スピンモータ14が基板Wの回転速度を凝固体形成速度に維持する。凝固体形成速度は、液体供給速度と等しくてもよいし、異なっていてもよい。さらに、上気体バルブ57を開いて、中心ノズル55に窒素ガスの吐出を開始させる。上気体バルブ57を開くことに加えてまたは代えて、流量調整バルブ65の開度を変更して、遮断部材51の上中央開口61から吐出される窒素ガスの流量を増加させてもよい。
具体的には、遮断部材51が下位置に位置している状態で、スピンモータ14が基板Wの回転速度を昇華速度に維持する。昇華速度は、液体供給速度と等しくてもよいし、異なっていてもよい。さらに、上気体バルブ57が閉じられている場合は、上気体バルブ57を開いて、中心ノズル55に窒素ガスの吐出を開始させる。上気体バルブ57を開くことに加えてまたは代えて、流量調整バルブ65の開度を変更して、遮断部材51の上中央開口61から吐出される窒素ガスの流量を増加させてもよい。昇華速度での基板Wの回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ14が止まり、基板Wの回転が停止される(図5のステップS10)。
具体的には、遮断部材昇降ユニット54が遮断部材51を上位置まで上昇させ、ガード昇降ユニット27が全てのガード24を下位置まで下降させる。さらに、上気体バルブ64および下気体バルブ84が閉じられ、遮断部材51の上中央開口61とスピンベース12の下中央開口81とが窒素ガスの吐出を停止する。その後、センターロボットCRが、ハンドH1をチャンバー4内に進入させる。センターロボットCRは、複数のチャックピン11が基板Wの把持を解除した後、スピンチャック10上の基板WをハンドH1で支持する。その後、センターロボットCRは、基板WをハンドH1で支持しながら、ハンドH1をチャンバー4の内部から退避させる。これにより、処理済みの基板Wがチャンバー4から搬出される。
図7では、昇華性物質の初期濃度が基準濃度のときの液膜の厚みを実線で示しており、昇華性物質の初期濃度が低濃度のときの液膜の厚みを一点鎖線で示しており、昇華性物質の初期濃度が高濃度のときの液膜の厚みを二点鎖線で示している。基準濃度は、低濃度よりも高く、高濃度よりも低い濃度である。昇華性物質の初期濃度は、基板Wに供給される前の乾燥前処理液における昇華性物質の濃度を意味する。
図9および図10は、昇華性物質が樟脳であり、溶媒がIPAであるときのパターンP1の倒壊率を示している。図9および図10に示す測定条件1−1〜測定条件1−13において、樟脳の初期濃度以外の条件は同じである。図9中のwt%は、質量パーセント濃度を示している。これは図14などの他の図でも同様である。
図9の測定条件1−2に示すように、樟脳の初期濃度が0.62wt%のとき、パターンP1の倒壊率は、83.1%であった。
図9の測定条件1−3に示すように、樟脳の初期濃度が0.69wt%のとき、パターンP1の倒壊率は、76.2%であった。
図9の測定条件1−13に示すように、樟脳の初期濃度が7.76wt%のとき、パターンP1の倒壊率は、91.0%であった。
図9の測定条件1−12に示すように、樟脳の初期濃度が4.03wt%のとき、パターンP1の倒壊率は、91.7%であった。
図9の測定条件1−10に示すように、樟脳の初期濃度が1.55wt%のとき、パターンP1の倒壊率は、46.8%であった。
図9および図10を見ると分かるように、樟脳の初期濃度が0.62wt%から0.69wt%に増加すると、パターンP1の倒壊率が減少している(測定条件1−2→測定条件1−3)。加えて、樟脳の初期濃度が0.69wt%から0.78wt%に増加すると、パターンP1の倒壊率が急激に減少している(測定条件1−3→測定条件1−4)。
したがって、樟脳の初期濃度は、0.62wt%を超え、2.06wt%未満であることが好ましく、0.78wt%以上、2.06wt%未満であることがさらに好ましい。
樟脳の初期濃度が0.62wt%を超え、2.06wt%未満の範囲では、パターンP1の倒壊率は、87.0%未満である。
樟脳の初期濃度が0.89wt%以上、1.24wt%以下の範囲では、パターンP1の倒壊率は、17.6%以下である。パターンP1の倒壊率は、樟脳の初期濃度が0.89wt%のときに最も低く、8.32%であった。
図11は、図9における埋め込み率とパターンP1の倒壊率との関係を示す折れ線グラフである。
図9の測定条件1−1に示すように、埋め込み率が65%のとき、パターンP1の倒壊率は、83.5%であった。
図9の測定条件1−3に示すように、埋め込み率が83%のとき、パターンP1の倒壊率は、76.2%であった。
図9の測定条件1−4に示すように、埋め込み率が91%のとき、パターンP1の倒壊率は、36.1%であった。
図9の測定条件1−12に示すように、埋め込み率が418%のとき、パターンP1の倒壊率は、91.7%であった。
図9の測定条件1−11に示すように、埋め込み率が219%のとき、パターンP1の倒壊率は、87.0%であった。
図9および図11を見ると分かるように、埋め込み率が76%から83%に増加すると、パターンP1の倒壊率が減少している(測定条件1−2→測定条件1−3)。加えて、埋め込み率が83%から91%に増加すると、パターンP1の倒壊率が急激に減少している(測定条件1−3→測定条件1−4)。
したがって、埋め込み率は、76%を超え、219%未満であることが好ましく、83%以上、219%未満であることがさらに好ましい。
埋め込み率が76%を超え、219%未満の範囲では、パターンP1の倒壊率は、87.0%未満である。
埋め込み率が102%以上、138%以下の範囲では、パターンP1の倒壊率は、17.6%以下である。パターンP1の倒壊率は、埋め込み率が102%のときに最も低く、8.32%であった。
前述のように、樟脳の初期濃度は、0.62wt%を超え、2.06wt%未満であることが好ましい。図9に示すように、樟脳の初期濃度が0.62wt%のとき、埋め込み率は、76%である。樟脳の初期濃度が2.06wt%のとき、埋め込み率は、219%である。したがって、この例では、樟脳の初期濃度を好ましい範囲内の値に設定すると、埋め込み率も自動的に好ましい範囲内の値に設定される。
図11に示すように、凝固体101が厚すぎると(埋め込み率が高すぎると)、パターンP1の倒壊率が高くなる。また、凝固体101の厚みT1がパターンP1の高さHpより小さくてもパターンP1の倒壊率が低い場合があるが、凝固体101が薄すぎると(埋め込み率が低すぎると)、パターンP1の倒壊率が高くなる。以下では、これらの現象に対して想定されるメカニズムについて説明する。
乾燥前処理液に含まれるIPAの蒸発が進むと、乾燥前処理液における樟脳の濃度が徐々に高まり、乾燥前処理液の凝固点が徐々に上昇する。乾燥前処理液の凝固点が乾燥前処理液の温度に達すると、乾燥前処理液の凝固が始まり、樟脳を含む凝固体101が基板W上に形成される。
凝固体101が形成されるときは、IPAの蒸発が進むにしたがって乾燥前処理液の上面(液面)が徐々にパターンP1の下端に近づく。凝固体101の厚みT1がパターンP1の高さHpよりも大幅に小さい場合は、図13(a)に示すように、乾燥前処理液の全体が凝固する前に、乾燥前処理液の上面が隣接する2つの凸状パターンP1の間に移動する。つまり、気体と液体(乾燥前処理液)との界面がパターンP1の間に移動する。そのため、乾燥前処理液の表面張力に起因する力がパターンP1に加わり、パターンP1が倒壊すると考えられる。そして、図13(b)に示すように、パターンP1が倒壊した状態で凝固体101が形成されると考えられる。
図14〜図16は、形状および強度が同様のパターンP1が形成された複数のサンプルを樟脳の初期濃度を変えながら処理したときに得られたパターンP1の倒壊率の一例を示す表である。
図14は、昇華性物質が樟脳であり、溶媒がIPAであるときのパターンP1の倒壊率を示しており、図15は、昇華性物質が樟脳であり、溶媒がアセトンであるときのパターンP1の倒壊率を示しており、図16は、昇華性物質が樟脳であり、溶媒がPGEEであるときのパターンP1の倒壊率を示している。
図14〜図16の測定では、同様のサンプルを用いた。図14〜図16の測定に用いられたサンプルのパターンP1の強度は、図9の測定に用いられたサンプルのパターンP1の強度とは異なる。したがって、図9および図14は、いずれも、昇華性物質が樟脳であり、溶媒がIPAであるときのパターンP1の倒壊率を示しているが、測定に用いられたパターンP1の強度が異なるので、図9および図14に示す倒壊率を単純に比較することはできない。
最初に、図14および図17を参照して、溶媒がIPAであるときの樟脳の初期濃度とパターンP1の倒壊率との関係の一例について説明する。
図14の測定条件2−2に示すように、樟脳の初期濃度が0.96wt%のとき、パターンP1の倒壊率は、58.4%であった。
図14の測定条件2−3に示すように、樟脳の初期濃度が1.13wt%のとき、パターンP1の倒壊率は、37.3であった。
図14の測定条件2−5に示すように、樟脳の初期濃度が1.55wt%のとき、パターンP1の倒壊率は、95.3%であった。
図14および図17を見ると分かるように、樟脳の初期濃度が0.89wt%から0.96wt%に増加すると、パターンP1の倒壊率が急激に減少している(測定条件2−1→測定条件2−2)。樟脳の初期濃度が1.55wt%から1.38wt%に減少したときも、パターンP1の倒壊率が急激に減少している(測定条件2−5→測定条件2−4)。
次に、図15および図18を参照して、溶媒がアセトンであるときの樟脳の初期濃度とパターンP1の倒壊率との関係の一例について説明する。
図15の測定条件3−4に示すように、樟脳の初期濃度が0.69wt%のとき、パターンP1の倒壊率は、60.2%であった。
図15の測定条件3−9に示すように、樟脳の初期濃度が1.04wt%のとき、パターンP1の倒壊率は、99.7%であった。
図15の測定条件3−7に示すように、樟脳の初期濃度が0.89wt%のとき、パターンP1の倒壊率は、76.4%であった。
図15および図18を見ると分かるように、樟脳の初期濃度が0.62wt%から0.69wt%に増加すると、パターンP1の倒壊率が急激に減少している(測定条件3−3→測定条件3−4)。樟脳の初期濃度が1.04wt%から0.96wt%に減少したときも、パターンP1の倒壊率が急激に減少している(測定条件3−9→測定条件3−8)。
図16の測定条件4−3に示すように、樟脳の初期濃度が3.06wt%のとき、パターンP1の倒壊率は、98.9%であった。
図16の測定条件4−4に示すように、樟脳の初期濃度が3.55wt%のとき、パターンP1の倒壊率は、88.3%であった。
図16の測定条件4−8に示すように、樟脳の初期濃度が9.95wt%のとき、パターンP1の倒壊率は、99.5%であった。
図16の測定条件4−7に示すように、樟脳の初期濃度が6.86wt%のとき、パターンP1の倒壊率は、62.1%であった。
図15および図18を見ると分かるように、樟脳の初期濃度が3.06wt%から3.55wt%に増加すると(測定条件4−3→測定条件4−4)、パターンP1の倒壊率が急激に減少しているものの、この範囲では、パターンP1の倒壊率があまり低くない。樟脳の初期濃度が3.55wt%から4.23wt%に増加すると(測定条件4−4→測定条件4−5)、パターンP1の倒壊率が急激に減少している上に、パターンP1の倒壊率が比較的低い。
図20は、図17〜図19の折れ線を重ね合わせたグラフである。図20では、図17の折れ線(IPA)を実線で示し、図18の折れ線(アセトン)を破線で示し、図19の折れ線(PGEE)を一点鎖線で示している。
溶媒がアセトンである場合、樟脳の初期濃度が0.78wt%のときに、パターンP1の倒壊率が最も低く、57.6%であった(測定条件3−5)。
溶媒がPGEEである場合、樟脳の初期濃度が5.23wt%のときに、パターンP1の倒壊率が最も低く、57.5%であった(測定条件4−6)。
前述のように、図9の測定結果によると、樟脳の初期濃度を好ましい範囲内の値に設定すると、埋め込み率も自動的に好ましい範囲内の値に設定される。したがって、図14〜図16の測定でも、樟脳の初期濃度を好ましい範囲内の値に設定すると、埋め込み率も自動的に好ましい範囲内の値に設定されると考えられる。これにより、パターンP1の倒壊率が低下したと考えられる。
第1実施形態に対する第2実施形態の主な相違点は、昇華性物質および溶媒に加えて、吸着物質が乾燥前処理液に含まれていることである。
以下の図21〜図23Fにおいて、図1〜図20に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
処理ユニット2の複数のノズルは、第1薬液ノズルに相当する薬液ノズル31から吐出される薬液とは種類が異なる薬液を基板Wの上面に向けて吐出する第2薬液ノズル31Bをさらに備えている。第2薬液ノズル31Bは、チャンバー4内で水平に移動可能なスキャンノズルであってもよいし、チャンバー4の隔壁5に対して固定された固定ノズルであってもよい。図21は、第2薬液ノズル31Bがスキャンノズルである例を示している。
図22は、第2実施形態に係る基板Wの処理の一例について説明するための工程図である。以下では、図21および図22を参照する。
第2実施形態に係る基板Wの処理の一例では、図5に示すステップS3〜ステップS4に代えて、図22に示すステップS3−1〜ステップS4−2が行われる。これら以外のステップは、図5に示すステップS1〜ステップS2およびステップS5〜ステップS11と同様である。したがって、以下では、ステップS3−1〜ステップS4−2について説明する。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット34が薬液ノズル31を待機位置から処理位置に移動させる。その後、薬液バルブ33が開かれ、薬液ノズル31がフッ酸の吐出を開始する。薬液バルブ33が開かれてから所定時間が経過すると、薬液バルブ33が閉じられ、フッ酸の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット34が、薬液ノズル31を待機位置に移動させる。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット38がリンス液ノズル35を待機位置から処理位置に移動させる。その後、リンス液バルブ37が開かれ、リンス液ノズル35がリンス液の吐出を開始する。純水の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット27は、基板Wから排出された液体を受け止めるガード24を切り替えるために、少なくとも一つのガード24を鉛直に移動させてもよい。リンス液バルブ37が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ37が閉じられ、リンス液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット38が、リンス液ノズル35を待機位置に移動させる。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット34Bが第2薬液ノズル31Bを待機位置から処理位置に移動させる。その後、第2薬液バルブ33Bが開かれ、第2薬液ノズル31BがSC1の吐出を開始する。第2薬液バルブ33Bが開かれてから所定時間が経過すると、第2薬液バルブ33Bが閉じられ、SC1の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット34Bが、第2薬液ノズル31Bを待機位置に移動させる。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット38がリンス液ノズル35を待機位置から処理位置に移動させる。その後、リンス液バルブ37が開かれ、リンス液ノズル35がリンス液の吐出を開始する。純水の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット27は、基板Wから排出された液体を受け止めるガード24を切り替えるために、少なくとも一つのガード24を鉛直に移動させてもよい。リンス液バルブ37が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ37が閉じられ、リンス液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット38が、リンス液ノズル35を待機位置に移動させる。
図23A〜図23Fは、同現象について説明するための基板Wの断面図である。図23A〜図23Eでは、ターシャリーブチルアルコールをTBAと表している。図23A〜図23Cでは、ターシャリーブチルアルコール分子の親水基を太い直線で表しており、ターシャリーブチルアルコール分子の疎水基を黒丸で表している。
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
たとえば、凝固体101の厚みT1を変更するために、乾燥前処理液の濃度以外の条件を変更してもよい。たとえば、乾燥前処理液の濃度に加えてまたは代えて、乾燥前処理液の温度を変更してもよい。
第1および第2実施形態に係る基板Wの処理の一例において、基板W上の乾燥前処理液を液体に維持するために、乾燥前処理液の凝固点よりも高く、乾燥前処理液の沸点よりも低い液体維持温度に、基板W上の乾燥前処理液を維持する温度保持工程を行ってもよい。
第2実施形態に係る基板Wの処理の一例において、パターンP1の表面は、初めから、つまり、基板処理装置1に搬入される前から親水性であってもよい。この場合、第2薬液供給工程(図22のステップS3−2)および第2リンス液供給工程(図22のステップS4−2)を省略してもよい。さらに、第1薬液供給工程(図22のステップS3−1)で基板Wに供給される薬液は、フッ酸以外の薬液であってもよい。
第2実施形態において、昇華性物質の初期濃度(基板Wに供給される前の乾燥前処理液における昇華性物質の濃度)を変更しないのであれば、図3に示す第1タンク87Aおよび第2タンク87Bの一方を省略してもよい。
遮断部材51は、スピンチャック10とともに回転軸線A1まわりに回転してもよい。たとえば、遮断部材51が基板Wに接触しないようにスピンベース12上に置かれてもよい。この場合、遮断部材51がスピンベース12に連結されるので、遮断部材51は、スピンベース12と同じ方向に同じ速度で回転する。
基板処理装置1は、枚葉式の装置に限らず、複数枚の基板Wを一括して処理するバッチ式の装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
3 :制御装置
10 :スピンチャック
14 :スピンモータ
39 :乾燥前処理液ノズル
55 :中心ノズル
101 :凝固体
Hp :パターンの高さ
P1 :パターン
T1 :凝固体の厚み
W :基板
Claims (12)
- 液体を経ずに気体に変化する昇華性物質と前記昇華性物質と溶け合う溶媒とを含む溶液である乾燥前処理液をパターンが形成された基板の表面に供給する乾燥前処理液供給工程と、
前記基板の表面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質を含む凝固体を前記基板の表面上に形成する凝固体形成工程と、
前記凝固体を昇華させることにより前記基板の表面から除去する昇華工程とを含み、
前記パターンの高さに対する前記凝固体の厚みの割合を百倍した値は、76を超え、219未満である、基板処理方法。 - 前記昇華性物質は、樟脳およびナフタレンの少なくとも一つを含む、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記溶媒は、IPA(イソプロピルアルコール)、アセトン、およびPGEE(プロピレングリコールモノエチルエーテル)の少なくとも一つを含む、請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記溶媒は、IPAであり、
前記乾燥前処理液における前記昇華性物質の質量パーセント濃度は、0.62を超え、2.06未満である、請求項3に記載の基板処理方法。 - 前記溶媒は、アセトンであり、
前記乾燥前処理液における前記昇華性物質の質量パーセント濃度は、0.62を超え、0.96以下である、請求項3に記載の基板処理方法。 - 前記溶媒は、PGEEであり、
前記乾燥前処理液における前記昇華性物質の質量パーセント濃度は、3.55を超え、6.86以下である、請求項3に記載の基板処理方法。 - 前記乾燥前処理液供給工程で前記基板の表面に供給される前記乾燥前処理液は、疎水基を含む前記昇華性物質と、前記溶媒と、疎水基と親水基とを含み、前記昇華性物質よりも親水性が高い吸着物質と、を含む溶液である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記吸着物質は、昇華性を有する物質である、請求項7に記載の基板処理方法。
- 前記乾燥前処理液における前記吸着物質の濃度は、前記乾燥前処理液における前記溶媒の濃度よりも低い、請求項7または8に記載の基板処理方法。
- 前記昇華性物質は、前記吸着物質よりも疎水性が高い、請求項7〜9のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 液体を経ずに気体に変化する昇華性物質と前記昇華性物質と溶け合う溶媒とを含む溶液である乾燥前処理液をパターンが形成された基板の表面に供給する乾燥前処理液供給手段と、
前記基板の表面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質を含む凝固体を前記基板の表面上に形成する凝固体形成手段と、
前記凝固体を昇華させることにより前記基板の表面から除去する昇華手段とを含み、
前記パターンの高さに対する前記凝固体の厚みの割合を百倍した値は、76を超え、219未満である、基板処理装置。 - パターンが形成された基板の表面を乾燥させる前に前記基板の表面に供給される乾燥前処理液であって、
液体を経ずに気体に変化する昇華性物質と、
前記昇華性物質と溶け合う溶媒とを含み、
前記基板の表面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質を含む凝固体を前記基板の表面上に形成すると、前記パターンの高さに対する前記凝固体の厚みの割合を百倍した値が、76を超え、219未満であるように、前記昇華性物質の濃度が調整された、乾燥前処理液。
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KR1020220118300A KR102641776B1 (ko) | 2018-06-22 | 2022-09-20 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 건조 전처리액 |
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020194907A (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | 株式会社Screenホールディングス | 昇華性物質含有液の製造方法、基板乾燥方法、および基板処理装置 |
WO2021241124A1 (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法、学習用データの生成方法、学習方法、学習装置、学習済モデルの生成方法、および、学習済モデル |
WO2022190451A1 (ja) * | 2021-03-11 | 2022-09-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、および、基板処理装置 |
WO2022201807A1 (ja) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および処理液 |
WO2023008529A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及び基板処理装置 |
WO2023068133A1 (ja) * | 2021-10-22 | 2023-04-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法と基板処理装置 |
CN116656166A (zh) * | 2022-02-25 | 2023-08-29 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理液、基板处理方法以及基板处理装置 |
KR20240007244A (ko) | 2021-09-24 | 2024-01-16 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법과 기판 처리 장치와 처리액 |
KR20240022651A (ko) | 2021-09-24 | 2024-02-20 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 연마 헤드 및 그것을 구비한 연마 장치 그리고 기판 처리 장치 |
JP7446181B2 (ja) | 2020-08-20 | 2024-03-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012243869A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
JP2013016699A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Toshiba Corp | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2014011426A (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
JP2015185713A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 株式会社東芝 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2018030516A1 (ja) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP2018056176A (ja) * | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6216188B2 (ja) * | 2013-09-04 | 2017-10-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 |
JP6076887B2 (ja) | 2013-11-29 | 2017-02-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP6275578B2 (ja) * | 2014-07-30 | 2018-02-07 | 株式会社東芝 | 処理装置、処理方法、および電子デバイスの製造方法 |
JP2015092619A (ja) * | 2015-01-08 | 2015-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
JP6356207B2 (ja) * | 2016-12-15 | 2018-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
-
2019
- 2019-03-18 JP JP2019050214A patent/JP7286359B2/ja active Active
- 2019-06-18 TW TW108121000A patent/TWI742387B/zh active
- 2019-06-19 KR KR1020190072842A patent/KR20200000354A/ko not_active IP Right Cessation
- 2019-06-21 CN CN202310947663.3A patent/CN116741674A/zh active Pending
-
2021
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-
2022
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-
2023
- 2023-04-06 JP JP2023061903A patent/JP2023076662A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012243869A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
JP2013016699A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Toshiba Corp | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2014011426A (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
JP2015185713A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 株式会社東芝 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2018030516A1 (ja) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP2018056176A (ja) * | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020241022A1 (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | 株式会社Screenホールディングス | 昇華性物質含有液の製造方法、基板乾燥方法、および基板処理装置 |
JP7163248B2 (ja) | 2019-05-29 | 2022-10-31 | 株式会社Screenホールディングス | 昇華性物質含有液の製造方法、基板乾燥方法、および基板処理装置 |
JP2020194907A (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | 株式会社Screenホールディングス | 昇華性物質含有液の製造方法、基板乾燥方法、および基板処理装置 |
JP7419163B2 (ja) | 2020-05-29 | 2024-01-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法、学習用データの生成方法、学習方法、学習装置、学習済モデルの生成方法、および、学習済モデル |
WO2021241124A1 (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法、学習用データの生成方法、学習方法、学習装置、学習済モデルの生成方法、および、学習済モデル |
JP7446181B2 (ja) | 2020-08-20 | 2024-03-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
WO2022190451A1 (ja) * | 2021-03-11 | 2022-09-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、および、基板処理装置 |
WO2022201807A1 (ja) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および処理液 |
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WO2023008529A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及び基板処理装置 |
KR20240007244A (ko) | 2021-09-24 | 2024-01-16 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법과 기판 처리 장치와 처리액 |
KR20240022651A (ko) | 2021-09-24 | 2024-02-20 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 연마 헤드 및 그것을 구비한 연마 장치 그리고 기판 처리 장치 |
WO2023068133A1 (ja) * | 2021-10-22 | 2023-04-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法と基板処理装置 |
CN116656166A (zh) * | 2022-02-25 | 2023-08-29 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理液、基板处理方法以及基板处理装置 |
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