JP7100564B2 - 基板乾燥方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
そこで、本発明の目的の一つは、昇華乾燥で基板を乾燥させたときに発生するパターンの倒壊を減らすことができる基板乾燥方法および基板処理装置を提供することである。
請求項4に記載の発明は、溶質に相当する昇華性物質と前記昇華性物質が溶解した溶媒とを含む溶液である乾燥前処理液を、パターンが形成された基板の上面に供給して、前記乾燥前処理液の液膜を前記基板の前記上面に形成する乾燥前処理液供給工程と、前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液中に析出させる第1析出工程と、前記昇華性物質の固体の少なくとも一部を前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液に溶解させる第1溶解工程と、前記昇華性物質の固体が溶解した前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上に析出させる最終析出工程と、前記昇華性物質の固体を昇華させることにより、前記基板の前記上面から前記昇華性物質の固体を除去する昇華工程とを含み、前記第1析出工程は、前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液を室温以下の温度に維持しながら、前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液中に析出させる室温析出工程を含む、基板乾燥方法である。
この方法によれば、請求項1に記載の発明に係る効果に加えて、次の効果を奏することができる。具体的には、乾燥前処理液の加熱によって乾燥前処理液から溶媒を蒸発させるのではなく、乾燥前処理液を室温以下の温度に維持しながら、乾燥前処理液から溶媒を蒸発させる。この場合、乾燥前処理液の表面で昇華性物質の濃度が局所的に上昇し、乾燥前処理液の表面またはその近傍で昇華性物質の固体が析出する。それと同時に、乾燥前処理液が昇華性物質の固体とパターンの上面との間に残る。昇華性物質の固体は、この乾燥前処理液に溶解する。
この方法によれば、請求項1に記載の発明に係る効果と加熱工程に関する効果に加えて、次の効果を奏することができる。具体的には、昇華性物質の固体および乾燥前処理液を、基板の上方から直接的に加熱するのではなく、基板を介して間接的に加熱する。基板の上方から昇華性物質の固体および乾燥前処理液を加熱すると、乾燥前処理液の表面にある昇華性物質の固体の一部が昇華してしまう場合がある。この場合、昇華性物質の一部が無駄になる上に、最終的な昇華性物質の固体の厚みが意図する値よりも小さくなる。基板を介して昇華性物質の固体および乾燥前処理液を加熱すれば、このような昇華性物質の消失を減らすことができる。
この方法によれば、請求項1に記載の発明に係る効果と加熱工程に関する効果に加えて、次の効果を奏することができる。具体的には、基板上に昇華性物質の固体を析出させるために、乾燥前処理液を加熱しながら、乾燥前処理液から溶媒を蒸発させる。これにより、高温の乾燥前処理液から昇華性物質の固体が析出する。乾燥前処理液における昇華性物質の飽和濃度は、乾燥前処理液の温度上昇に伴って上昇する。昇華性物質の固体に含まれる溶媒の割合は、昇華性物質の飽和濃度の上昇に伴って減少する。昇華性物質の固体を昇華させるとき、昇華性物質の固体に含まれる溶媒は、パターンを倒壊させる倒壊力を発生させ得る。したがって、溶媒の含有量を減らすことで、パターンの倒壊率をさらに低下させることができる。
請求項9に記載の発明は、前記第1溶解手段は、前記第1析出手段で析出させた前記昇華性物質の固体の少なくとも一部を溶解させる、請求項8に記載の基板処理装置である。請求項10に記載の発明は、前記第1溶解手段は、前記第1析出手段によって前記乾燥前処理液の表面側で前記乾燥前処理液から前記昇華性物質の固体に変化した前記昇華性物質の固体を前記乾燥前処理液に溶解させる、請求項8または9に記載の基板処理装置である。
以下の説明において、基板処理装置1内の気圧は、特に断りがない限り、基板処理装置1が設置されるクリーンルーム内の気圧(たとえば1気圧またはその近傍の値)に維持されているものとする。
図1Aは、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1を上から見た模式図である。図1Bは、基板処理装置1を側方から見た模式図である。
処理ユニット2は、基板Wに処理液を供給するウェット処理ユニット2wである。処理ユニット2は、内部空間を有する箱型のチャンバー4と、チャンバー4内で1枚の基板Wを水平に保持しながら基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線A1まわりに回転させるスピンチャック10と、回転軸線A1まわりにスピンチャック10を取り囲む筒状の処理カップ21とを含む。
乾燥前処理液の凝固点(1気圧での凝固点。以下同様。)は、室温(たとえば、23℃またはその近傍の値)よりも低い。基板処理装置1は、室温に維持されたクリーンルーム内に配置されている。したがって、乾燥前処理液を加熱しなくても、乾燥前処理液を液体に維持できる。昇華性物質の凝固点は、乾燥前処理液の凝固点よりも高い。昇華性物質の凝固点は、室温よりも高い。室温では、昇華性物質は固体である。昇華性物質の凝固点は、溶媒の沸点より高くてもよい。溶媒の蒸気圧は、昇華性物質の蒸気圧よりも高い。
以下では、昇華性物質が樟脳であり、溶媒がIPAまたはメタノールである例について説明する。
図3は、膜厚測定ユニット91、スピンチャック10、遮断部材51を水平に見た模式図である。図4は、膜厚測定ユニット91およびスピンチャック10を上から見た模式図である。図5は、発光素子92を収容するハウジング93の内部を示す断面図である。図6は、図5に示すVI-VI線に沿う断面を示す断面図である。
次に、乾燥前処理液供給ユニット101について説明する。
基板処理装置1は、乾燥前処理液配管40を介して乾燥前処理液ノズル39に乾燥前処理液を供給する乾燥前処理液供給ユニット101を備えている。乾燥前処理液供給ユニット101は、乾燥前処理液の原液を貯留する原液タンクにする第1タンク102Aと、乾燥前処理液の溶媒を貯留する溶媒タンクに相当する第2タンク102Bとを含む。
乾燥前処理液供給ユニット101は、第1タンク102A内の原液を循環させる第1循環配管103Aと、第1タンク102A内の原液を第1循環配管103Aに送る第1ポンプ104Aと、第1循環配管103A内の原液を乾燥前処理液配管40に案内する第1個別配管105Aとを含む。乾燥前処理液供給ユニット101は、さらに、第1個別配管105Aの内部を開閉する第1開閉バルブ106Aと、第1個別配管105Aから乾燥前処理液配管40に供給される乾燥前処理液の流量を変更する第1流量調整バルブ107Aとを含む。
制御装置3は、コンピュータ本体3aと、コンピュータ本体3aに接続された周辺装置3dとを含む、コンピュータである。コンピュータ本体3aは、各種の命令を実行するCPU3b(central processing unit:中央処理装置)と、情報を記憶する主記憶装置3cとを含む。周辺装置3dは、プログラムP等の情報を記憶する補助記憶装置3eと、リムーバブルメディアRMから情報を読み取る読取装置3fと、ホストコンピュータ等の他の装置と通信する通信装置3gとを含む。
処理される基板Wは、たとえば、シリコンウエハなどの半導体ウエハである。基板Wの表面は、トランジスタやキャパシタ等のデバイスが形成されるデバイス形成面に相当する。基板Wは、デバイス形成面である基板Wの表面にパターンPA(図10A参照)が形成された基板Wであってもよいし、基板Wの表面にパターンPAが形成されていない基板Wであってもよい。後者の場合、後述する薬液供給工程でパターンPAが形成されてもよい。
最初に、乾燥前処理液が樟脳およびIPAの溶液であるときの基板Wの処理の一例(第1処理例)について説明する。
図9は、基板処理装置1によって行われる基板Wの処理について説明するための工程図である。図10A~図10Fは、樟脳およびIPAの溶液を用いたときの基板Wの状態を示す模式図である。図11は、樟脳およびIPAの平衡状態図である。図11中のRTは、室温を意味している。以下では、図2および図9を参照する。図10A~図10Fおよび図11については適宜参照する。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、全てのガード24が下位置に位置しており、全てのスキャンノズルが待機位置に位置している状態で、センターロボットCR(図1参照)が、基板WをハンドH1で支持しながら、ハンドH1をチャンバー4内に進入させる。そして、センターロボットCRは、基板Wの表面が上に向けられた状態でハンドH1上の基板Wを複数のチャックピン11の上に置く。その後、複数のチャックピン11が基板Wの外周面に押し付けられ、基板Wが把持される。センターロボットCRは、基板Wをスピンチャック10の上に置いた後、ハンドH1をチャンバー4の内部から退避させる。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット34が薬液ノズル31を待機位置から処理位置に移動させる。その後、薬液バルブ33が開かれ、薬液ノズル31が薬液の吐出を開始する。薬液バルブ33が開かれてから所定時間が経過すると、薬液バルブ33が閉じられ、薬液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット34が、薬液ノズル31を待機位置に移動させる。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット38がリンス液ノズル35を待機位置から処理位置に移動させる。その後、リンス液バルブ37が開かれ、リンス液ノズル35がリンス液の吐出を開始する。純水の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット27は、基板Wから排出された液体を受け止めるガード24を切り替えるために、少なくとも一つのガード24を鉛直に移動させてもよい。リンス液バルブ37が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ37が閉じられ、リンス液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット38が、リンス液ノズル35を待機位置に移動させる。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット46が置換液ノズル43を待機位置から処理位置に移動させる。その後、置換液バルブ45が開かれ、置換液ノズル43が置換液の吐出を開始する。置換液の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット27は、基板Wから排出された液体を受け止めるガード24を切り替えるために、少なくとも一つのガード24を鉛直に移動させてもよい。置換液バルブ45が開かれてから所定時間が経過すると、置換液バルブ45が閉じられ、置換液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット46が、置換液ノズル43を待機位置に移動させる。
具体的には、遮断部材51が上位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、ノズル移動ユニット42が乾燥前処理液ノズル39を待機位置から処理位置に移動させる。その後、乾燥前処理液バルブ41が開かれ、乾燥前処理液ノズル39が乾燥前処理液の吐出を開始する。乾燥前処理液の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット27は、基板Wから排出された液体を受け止めるガード24を切り替えるために、少なくとも一つのガード24を鉛直に移動させてもよい。乾燥前処理液バルブ41が開かれてから所定時間が経過すると、乾燥前処理液バルブ41が閉じられ、乾燥前処理液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット42が、乾燥前処理液ノズル39を待機位置に移動させる。
具体的には、遮断部材昇降ユニット54が遮断部材51を上位置から下位置に移動させる。そして、遮断部材51が下位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、スピンモータ14が基板Wの回転速度を膜厚減少速度に維持する。膜厚減少速度は、液体供給速度と等しくてもよいし、異なっていてもよい。基板W上の乾燥前処理液は、乾燥前処理液の吐出が停止された後も、遠心力によって基板Wから外方に排出される。そのため、基板W上の乾燥前処理液の膜厚が減少する。基板W上の乾燥前処理液がある程度排出されると、単位時間当たりの基板Wからの乾燥前処理液の排出量が零または概ね零に減少する。これにより、基板W上の乾燥前処理液の膜厚が基板Wの回転速度に応じた値で安定する。
具体的には、遮断部材51が下位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、スピンモータ14が基板Wの回転速度を第1析出速度に維持する。第1析出速度は、液体供給速度と等しくてもよいし、異なっていてもよい。溶媒の蒸気圧が昇華性物質の蒸気圧よりも高いので、基板Wが第1析出速度で回転している間、溶媒は、昇華性物質の蒸発速度よりも大きい蒸発速度で乾燥前処理液の表面から蒸発する。図10Aは、乾燥前処理液の表面から溶媒が蒸発している状態を示している。
具体的には、遮断部材51が下位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、スピンモータ14が基板Wの回転速度を第1溶解速度に維持する。第1溶解速度は、液体供給速度と等しくてもよいし、異なっていてもよい。さらに、加熱流体バルブ73が開かれ、下面ノズル71が温水(室温よりも高温の純水)の吐出を開始する。温水の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット27は、基板Wから排出された液体を受け止めるガード24を切り替えるために、少なくとも一つのガード24を鉛直に移動させてもよい。
具体的には、遮断部材51が下位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、スピンモータ14が基板Wの回転速度を最終析出速度に維持する。最終析出速度は、液体供給速度と等しくてもよいし、異なっていてもよい。下面ノズル71からの温水の吐出は、第1溶解工程(図9のステップS9)から継続されている。したがって、基板W上の乾燥前処理液は、基板Wが最終析出速度で回転している間も、室温よりも高い温度に維持されている。
具体的には、遮断部材51が下位置に位置している状態で、スピンモータ14が基板Wの回転速度を昇華速度に維持する。昇華速度は、液体供給速度と等しくてもよいし、異なっていてもよい。さらに、上気体バルブ57が開かれ、中心ノズル55が窒素ガスの吐出を開始する。上気体バルブ57を開くことに加えてまたは代えて、流量調整バルブ65の開度を変更して、遮断部材51の上中央開口61から吐出される窒素ガスの流量を増加させてもよい。
具体的には、遮断部材昇降ユニット54が遮断部材51を上位置まで上昇させ、ガード昇降ユニット27が全てのガード24を下位置まで下降させる。さらに、上気体バルブ64および下気体バルブ84が閉じられ、遮断部材51の上中央開口61とスピンベース12の下中央開口81とが窒素ガスの吐出を停止する。その後、センターロボットCRが、ハンドH1をチャンバー4内に進入させる。センターロボットCRは、複数のチャックピン11が基板Wの把持を解除した後、スピンチャック10上の基板WをハンドH1で支持する。その後、センターロボットCRは、基板WをハンドH1で支持しながら、ハンドH1をチャンバー4の内部から退避させる。これにより、処理済みの基板Wがチャンバー4から搬出される。
次に、乾燥前処理液が樟脳およびメタノールの溶液であるときの基板Wの処理の一例(第2処理例)について説明する。
第2処理例の大まかな流れは、第1処理例と同様であり、図9に示す通りである。第2処理例は、第1溶解工程(図9のステップS9)から最終析出工程(図9のステップS11)までの工程が第1処理例とは異なっており、それ以外の工程は第1処理例と同様である。したがって、以下では、第2処理例における第1溶解工程から最終析出工程までの工程について説明する。
第1析出工程(図9のステップS8)で昇華性物質の固体121が析出した後は、昇華性物質の固体121を基板W上の乾燥前処理液に溶解させる第1溶解工程(図9のステップS9)が行われる。
具体的には、遮断部材51が下位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、スピンモータ14が基板Wの回転速度を最終析出速度に維持する。最終析出速度は、液体供給速度と等しくてもよいし、異なっていてもよい。基板Wが最終析出速度で回転している間、溶媒は、乾燥前処理液の表面から蒸発する。乾燥前処理液における昇華性物質の濃度が、乾燥前処理液における昇華性物質の飽和濃度に達すると、昇華性物質の固体121が基板Wの上面に析出し、全てまたは殆ど全ての乾燥前処理液が基板Wから無くなる(図10E参照)。その後は、基板W上の昇華性物質の固体121を昇華させる昇華工程(図9のステップS12)が行われる。
「倒壊率A」は、昇華性物質の固体121を1回析出させ、その後、昇華性物質の固体121を昇華させたときの値である。「倒壊率B」は、昇華性物質の固体121を2回析出させ、その後、昇華性物質の固体121を昇華させたときの値である。「倒壊率C」は、昇華性物質の固体121を2回以上析出させ、その後、昇華性物質の固体121を昇華させたときの値である。乾燥前処理液の組成と昇華性物質の固体121を析出させる回数とを除き、倒壊率A~倒壊率Cにおける基板Wの処理条件は同一である。
図14は、乾燥前処理液から昇華性物質の固体121が析出するまでの基板Wの上面上の乾燥前処理液の液膜の厚みの時間的変化を示すグラフである。図14中の差し込み図は、図14中のその他の部分と縦横比が異なる。
図14中の複数の曲線(実線の曲線、一点鎖線の曲線、破線の曲線)は、昇華性物質の濃度が異なる複数の乾燥前処理液を用いたときの測定値を示す膜厚曲線である。昇華性物質の濃度を除き、各測定の条件は同一である。図14に示すように、昇華性物質の濃度がいずれの値であっても、乾燥前処理液から昇華性物質の固体121を析出させるときは、乾燥前処理液の膜厚が時間の経過に伴って減少している。
なお、乾燥前処理液が樟脳およびIPAの溶液である場合、乾燥前処理液の膜厚の測定は、昇華性物質の固体121を析出させるたびに行われてもよいし、昇華性物質の固体121を最初に析出させるときだけに行われてもよい。つまり、第1析出工程(図9のステップS8)および最終析出工程(図9のステップS11)の少なくとも一方と並行して、乾燥前処理液の膜厚を測定すればよい。乾燥前処理液が樟脳およびメタノールの溶液である場合、乾燥前処理液の膜厚の測定は、昇華性物質の固体121を最初に析出させるときだけに行われてもよい。
前述のように、制御装置3は、基板W上の乾燥前処理液に含まれる昇華性物質の実際の濃度が適切であるか否かを判断するために、乾燥前処理液の膜厚の減少速度を監視する(図15のステップS23)。これは、昇華性物質の実際の濃度に異常が生じていると、最終析出工程(図9のステップS11)で析出する昇華性物質の固体121の厚みが、意図する値よりも大きくまたは小さくなるからである。昇華させる直前の昇華性物質の固体121の厚みが、意図する値よりも大きいまたは小さいと、パターンPAの倒壊率が悪化し得る。
たとえば、昇華性物質の実際の濃度が基準濃度範囲の上限値以上であると想定される場合、制御装置3は、乾燥前処理液における昇華性物質の濃度が基準濃度範囲の下限値以下となるように、第1流量調整バルブ107Aおよび第2流量調整バルブ107Bの少なくとも一方の開度を変更してもよい。昇華性物質の実際の濃度が基準濃度範囲の下限値以下であると想定される場合、制御装置3は、乾燥前処理液における昇華性物質の濃度が基準濃度範囲の上限値以上となるように、第1流量調整バルブ107Aおよび第2流量調整バルブ107Bの少なくとも一方の開度を変更してもよい。
図16Aは、置換液ノズル43が置換液に相当する溶媒を基板Wの上面に向けて吐出している状態を示している。図16Aは、乾燥前処理液が樟脳およびIPAの溶液であり、溶媒がIPAである例を示している。乾燥前処理液が樟脳およびメタノールの溶液である場合は、IPAに代えてメタノールが置換液ノズル43から吐出される。
基板Wの回転速度を上昇させる場合、制御装置3は、スピンモータ14(図2参照)の回転速度を上昇させればよい。ガスを基板Wの上面に向けて吐出する場合、制御装置3は、中心ノズル55に窒素ガスを吐出させてもよいし、遮断部材51の上中央開口61(図2参照)に窒素ガスを吐出させてもよい。中心ノズル55および遮断部材51の上中央開口61の少なくとも一方が既に窒素ガスを吐出している場合、制御装置3は、流量調整バルブ58(図2参照)および流量調整バルブ65(図2参照)の少なくとも一方の開度を増加させてもよい。
膜厚減少工程(図9のステップS7)で乾燥前処理液の膜厚を減少させた後、制御装置3は、膜厚測定ユニット91に乾燥前処理液の膜厚の測定を開始させる(図17のステップS31)。さらに、遮断部材51が下位置に位置しており、少なくとも一つのガード24が上位置に位置している状態で、スピンモータ14が基板Wの回転速度を第1析出速度に維持する。基板Wが第1析出速度で回転している間、溶媒は乾燥前処理液の表面から蒸発する。これにより、基板W上の乾燥前処理液の膜厚が徐々に減少し(図17のステップS32)、乾燥前処理液における昇華性物質の濃度が上昇する。
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
たとえば、昇華性物質の固体121を最初に析出させる第1析出工程(図9のステップS8)において、基板W上の乾燥前処理液を室温以下の温度に維持するのではなく、室温よりも高い加熱温度で加熱しながら、基板W上の乾燥前処理液から溶媒を蒸発させてもよい。
昇華性物質の固体121を乾燥前処理液に溶解させるときに、室温よりも高温の加熱液の一例である温水を基板Wの下面に供給するのではなく、室温よりも高温の加熱ガスを基板Wの上面または下面に向けて吐出してもよい。たとえば、室温よりも高温の窒素ガスを、中心ノズル55およびスピンベース12の下中央開口81の少なくとも一方に吐出させてもよい。通電によりジュール熱を発生する発熱体や、基板Wに向けて光を発するランプを、基板Wの上方および下方に少なくとも一方に配置してもよい。たとえば、発熱体をスピンベース12および遮断部材51の少なくとも一方に内蔵してもよい。
遮断部材51は、円板部52に加えて、円板部52の外周部から下方に延びる筒状部を含んでいてもよい。この場合、遮断部材51が下位置に配置されると、スピンチャック10に保持されている基板Wは、円筒部25に取り囲まれる。
遮断部材51が省略されてもよい。ただし、基板Wの下面に純水などの液体を供給する場合は、遮断部材51が設けられていることが好ましい。基板Wの外周面を伝って基板Wの下面から基板Wの上面の方に回り込んだ液滴や、処理カップ21から内側に跳ね返った液滴を遮断部材51で遮断でき、基板W上の乾燥前処理液に混入する液体を減らすことができるからである。
発光素子92の光を基板Wの上面に概ね垂直に入射させる場合、膜厚測定ユニット91のハウジング93は、発光素子92に加え、受光素子97を収容していてもよい。この場合、基板Wの上面で反射した発光素子92の光(反射光)は、透明な板94で塞がれたハウジング93の開口部を通過し、ハウジング93内の受光素子97に受けられる。
乾燥前処理液が樟脳およびメタノールの溶液である場合、基板処理装置1内の温度、より具体的には、チャンバー4内の温度が、昇華性物質が析出したときの乾燥前処理液の表面の温度(以下、「析出時表面温度」)よりも高ければ、乾燥前処理液を基板Wの上面に放置するだけで、昇華性物質の固体121と乾燥前処理液との界面の温度が上昇し、昇華性物質の固体121が乾燥前処理液に溶解する。これにより、昇華性物質の析出および溶解が自然に繰り返される。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
3 :制御装置(第1析出手段、第1溶解手段、最終析出手段)
10 :スピンチャック
14 :スピンモータ(昇華手段)
39 :乾燥前処理液ノズル(乾燥前処理液供給手段)
55 :中心ノズル(昇華手段)
61 :遮断部材の上中央開口(昇華手段)
71 :下面ノズル(第1溶解手段)
75 :ヒータ(第1溶解手段)
91 :膜厚測定ユニット
92 :発光素子
96 :電動モータ
97 :受光素子
101 :乾燥前処理液供給ユニット(乾燥前処理液供給手段)
121 :昇華性物質の固体
PA :パターン
W :基板
Claims (10)
- 溶質に相当する昇華性物質と前記昇華性物質が溶解した溶媒とを含む溶液である乾燥前処理液を、パターンが形成された基板の上面に供給して、前記乾燥前処理液の液膜を前記基板の前記上面に形成する乾燥前処理液供給工程と、
前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液中に析出させる第1析出工程と、
前記液膜を形成するときに前記基板の前記上面に供給した前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液に前記昇華性物質の固体の少なくとも一部を溶解させる第1溶解工程と、
前記昇華性物質の固体が溶解した前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上に析出させる最終析出工程と、
前記昇華性物質の固体を昇華させることにより、前記基板の前記上面から前記昇華性物質の固体を除去する昇華工程とを含む、基板乾燥方法。 - 前記第1溶解工程は、前記第1析出工程で析出させた前記昇華性物質の固体の少なくとも一部を溶解させる、請求項1に記載の基板乾燥方法。
- 前記第1溶解工程は、前記第1析出工程において前記乾燥前処理液の表面側で前記乾燥前処理液から前記昇華性物質の固体に変化した前記昇華性物質の固体を前記乾燥前処理液に溶解させる、請求項1または2に記載の基板乾燥方法。
- 溶質に相当する昇華性物質と前記昇華性物質が溶解した溶媒とを含む溶液である乾燥前処理液を、パターンが形成された基板の上面に供給して、前記乾燥前処理液の液膜を前記基板の前記上面に形成する乾燥前処理液供給工程と、
前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液中に析出させる第1析出工程と、
前記昇華性物質の固体の少なくとも一部を前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液に溶解させる第1溶解工程と、
前記昇華性物質の固体が溶解した前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上に析出させる最終析出工程と、
前記昇華性物質の固体を昇華させることにより、前記基板の前記上面から前記昇華性物質の固体を除去する昇華工程とを含み、
前記第1析出工程は、前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液を室温以下の温度に維持しながら、前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液中に析出させる室温析出工程を含む、基板乾燥方法。 - 溶質に相当する昇華性物質と前記昇華性物質が溶解した溶媒とを含む溶液である乾燥前処理液を、パターンが形成された基板の上面に供給して、前記乾燥前処理液の液膜を前記基板の前記上面に形成する乾燥前処理液供給工程と、
前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液中に析出させる第1析出工程と、
前記昇華性物質の固体の少なくとも一部を前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液に溶解させる第1溶解工程と、
前記昇華性物質の固体が溶解した前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上に析出させる最終析出工程と、
前記昇華性物質の固体を昇華させることにより、前記基板の前記上面から前記昇華性物質の固体を除去する昇華工程とを含み、
前記第1溶解工程は、前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液を室温よりも高い加熱温度で加熱する加熱工程を含み、
前記加熱工程は、前記基板の下方から前記基板を加熱することにより、前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液を前記加熱温度で加熱する間接加熱工程を含む、基板乾燥方法。 - 溶質に相当する昇華性物質と前記昇華性物質が溶解した溶媒とを含む溶液である乾燥前処理液を、パターンが形成された基板の上面に供給して、前記乾燥前処理液の液膜を前記基板の前記上面に形成する乾燥前処理液供給工程と、
前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液中に析出させる第1析出工程と、
前記昇華性物質の固体の少なくとも一部を前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液に溶解させる第1溶解工程と、
前記昇華性物質の固体が溶解した前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上に析出させる最終析出工程と、
前記昇華性物質の固体を昇華させることにより、前記基板の前記上面から前記昇華性物質の固体を除去する昇華工程とを含み、
前記第1溶解工程は、前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液を室温よりも高い加熱温度で加熱する加熱工程を含み、
前記最終析出工程は、前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液を前記加熱温度で加熱しながら前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上に析出させる工程を含む、基板乾燥方法。 - 溶質に相当する昇華性物質と前記昇華性物質が溶解した溶媒とを含む溶液である乾燥前処理液を、パターンが形成された基板の上面に供給して、前記乾燥前処理液の液膜を前記基板の前記上面に形成する乾燥前処理液供給工程と、
前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液中に析出させる第1析出工程と、
前記昇華性物質の固体の少なくとも一部を前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液に溶解させる第1溶解工程と、
前記昇華性物質の固体が溶解した前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上に析出させる最終析出工程と、
前記昇華性物質の固体を昇華させることにより、前記基板の前記上面から前記昇華性物質の固体を除去する昇華工程とを含み、
前記第1析出工程は、前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液の表面に析出させる液面析出工程を含み、
前記第1溶解工程は、前記昇華性物質の固体に接する雰囲気の熱で前記乾燥前処理液の温度が上昇する、または、前記乾燥前処理液の温度を上昇させることにより、前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液に前記昇華性物質の固体の少なくとも一部が溶解する、または、前記昇華性物質の固体の少なくとも一部を溶解させる自然溶解工程を含む、基板乾燥方法。 - 溶質に相当する昇華性物質と前記昇華性物質が溶解した溶媒とを含む溶液である乾燥前処理液を、パターンが形成された基板の上面に供給して、前記乾燥前処理液の液膜を前記基板の前記上面に形成する乾燥前処理液供給手段と、
前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液中に析出させる第1析出手段と、
前記液膜を形成するときに前記基板の前記上面に供給した前記基板の前記上面上の前記乾燥前処理液に前記昇華性物質の固体の少なくとも一部を溶解させる第1溶解手段と、
前記昇華性物質の固体が溶解した前記乾燥前処理液から前記溶媒を蒸発させることにより、前記昇華性物質の固体を前記基板の前記上面上に析出させる最終析出手段と、
前記昇華性物質の固体を昇華させることにより、前記基板の前記上面から前記昇華性物質の固体を除去する昇華手段とを含む、基板処理装置。 - 前記第1溶解手段は、前記第1析出手段で析出させた前記昇華性物質の固体の少なくとも一部を溶解させる、請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記第1溶解手段は、前記第1析出手段によって前記乾燥前処理液の表面側で前記乾燥前処理液から前記昇華性物質の固体に変化した前記昇華性物質の固体を前記乾燥前処理液に溶解させる、請求項8または9に記載の基板処理装置。
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