JP2017045850A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】パターンの倒壊や変形を抑制する基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】本実施形態による基板処理方法は、基板を乾燥させる基板処理方法である。基板処理方法は、洗浄した基板の表面に、第1溶媒に昇華性物質を溶解した溶液を供給することを含む。基板処理方法は、昇華性物質の少なくとも一部の会合状態を解消させることを含む。基板処理方法は、基板の表面に昇華性物質を析出させることを含む。基板処理方法は、析出した昇華性物質を昇華により除去することを含む。
【選択図】図2
Description
先ず、第1の実施形態として、半導体基板の回転加速度を変化させることで昇華性物質含有液中での昇華性物質の会合状態を解消させる実施形態について説明する。ここで、昇華性物質の会合状態とは、昇華性物質の分子やイオンが分子間力などによって集合体すなわちミセルを形成した状態をいう。
との間を移動する。
次に、第1の実施形態の第1の変形例として、基板6の表面に塗布された昇華性物質含有液中の昇華性物質の会合状態を解消した状態を昇華性物質が析出するまでの間維持する例について説明する。第1の変形例において、図1の基板処理装置1に対応する構成部については、同一の符号を付して重複した説明は省略する。
次に、第1の実施形態の第2の変形例として、不活性ガスの流速を制御する例について説明する。第2の変形例において、図1の基板処理装置1に対応する構成部については、同一の符号を付して重複した説明は省略する。
次に、第2の実施形態として、第1溶媒と異なる第2溶媒を昇華性物質含有液に添加する実施形態について説明する。第2実施形態の説明にあたり、図1の基板処理装置1に対応する構成部については、同一の符号を付して重複した説明は省略する。
次に、第3の実施形態として、第2溶媒の蒸気を昇華性物質含有液に接触させる実施形態について説明する。第3実施形態において、図1の基板処理装置1に対応する構成部については、同一の符号を付して重複した説明は省略する。
200 回転機構
304 第4ノズル
4 第1制御部
6 半導体基板
Claims (7)
- 基板を乾燥させる基板処理方法であって、
洗浄した基板の表面に、第1溶媒に昇華性物質を溶解した溶液を供給し、
前記昇華性物質の少なくとも一部の会合状態を解消させ、
前記基板の表面に前記昇華性物質を析出させ、
析出した昇華性物質を昇華により除去することを含む基板処理方法。 - 前記溶液の供給は、前記基板を回転させながら行い、
前記会合状態を解消させることは、前記基板の回転加速度を加えることで前記溶液にせん断力を加えることを含む請求項1または2に記載の基板処理方法。 - 前記会合状態を解消させることは、前記第1溶媒と異なる第2溶媒を前記溶液に添加することを含む請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記会合状態を解消させることは、前記第1溶媒と異なる第2溶媒の蒸気を前記溶液に接触させることを含む請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記昇華性物質を溶解可能な第3溶媒の蒸気を前記溶液に接触させることで、前記会合状態が解消した状態を維持する請求項1〜4のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記基板の表面上に不活性ガスを供給することを更に含み、
前記不活性ガスの供給は、前記基板の表面上の前記第1溶媒の蒸気濃度を所定濃度未満に抑える流速で行う請求項1〜5のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 洗浄した基板の表面に、第1溶媒に昇華性物質を溶解した溶液を供給する第1供給部と、
前記昇華性物質の少なくとも一部の会合状態を解消させる会合解消部と、
前記基板の表面に前記昇華性物質を析出させる析出部と、を備える基板処理装置。
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