JP4762098B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
図1はこの発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Wの表面Wfに付着している不要物を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。より具体的には、基板表面Wfに対してフッ酸などの薬液による薬液処理および純水やDIW(deionized water)などのリンス液によるリンス処理を施した後、リンス液で濡れた基板表面Wfを乾燥させる装置である。なお、この実施形態では、基板表面Wfとはpoly−Si等からなるデバイスパターンが形成されたパターン形成面をいう。
基板回転数:1500rpm
基板表面の状態:表面中央部が疎水面
また、回転軸Jから混合液吐出口97a(吐出口中心)までの距離の上限値についても、基板回転数を1500rpmに設定する限り、上記した回転軸Jからリンス液吐出口96a(吐出口中心)までの距離Lの上限値(20mm)と基本的に同じである。
図10はこの発明の第2実施形態にかかる基板処理装置の動作を示すタイミングチャートである。また、図11はこの発明の第2実施形態にかかる基板処理装置の動作を示す模式図である。この第2実施形態にかかる基板処理装置が第1実施形態と大きく相違する点は、リンス工程後でかつ置換工程前に基板表面Wf上に付着するリンス液の一部を残して大部分を基板表面Wfから振り切って除去している点である。なお、その他の構成および動作は第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図12はこの発明にかかる基板処理装置の第3実施形態を示す図である。この第3実施形態にかかる基板処理装置が第1および第2実施形態と大きく相違する点は、第1および第2実施形態では、基板Wの回転とともに遮断部材9の板状部材90を回転させていたのに対し、この第3実施形態では、遮断部材を回転させることなく静止させた状態で基板表面Wfに対向しながら離間配置している点である。なお、その他の構成および動作は上記第1および第2実施形態と同様であるため、説明を省略する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、リンス液吐出口を本発明の「処理液吐出口」としてリンス液吐出口からリンス液のみを吐出させているが、リンス液と薬液とを同一の吐出口から吐出させるように構成してもよい。この構成によれば、遮断部材に設けられた処理液吐出口から吐出される薬液およびリンス液を用いてそれぞれ薬液処理およびリンス処理が実行される一方、溶剤吐出口から吐出される混合液を用いて置換処理が実行される。この場合、薬液およびリンス液が本発明の「処理液」に、薬液処理およびリンス処理が本発明の「所定の湿式処理」に相当する。
13…チャック回転機構(基板回転手段)
17…チャックピン(基板保持手段)
18…ガス供給ユニット(ガス供給手段)
41…溶剤層
42…ホール
90a,101a…(板状部材の)下面(基板対向面)
93…遮断部材回転機構(遮断部材回転手段)
96a,103a…リンス液吐出口(処理液吐出口)
97a,104a…混合液吐出口(溶剤吐出口)
98a,105a…ガス吐出口
99a…外側ガス吐出口
J…回転軸
SP…間隙空間
W…基板
Wf…基板表面
Claims (14)
- 基板表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施した後、前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を前記基板表面に供給してから該低表面張力溶剤を前記基板表面から除去することによって前記基板表面を乾燥させる基板処理装置において、
基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を所定の回転軸回りに回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の表面中央部へ前記処理液を吐出する処理液吐出口を有する処理液供給路および前記基板保持手段に保持された前記基板の表面中央部へ前記低表面張力溶剤を吐出する溶剤吐出口を有する溶剤供給路が配設されるとともに、前記基板表面に対向しながら前記基板表面から離間配置された遮断部材と、
前記遮断部材と前記基板表面との間に形成される間隙空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と
を備え、
前記溶剤吐出口の口径が前記処理液吐出口の口径よりも小さく、
前記ガス供給手段から不活性ガスを前記間隙空間に供給しつつ前記処理液吐出口から処理液を吐出させて前記湿式処理を実行するとともに、前記ガス供給手段から不活性ガスを前記間隙空間に供給しつつ前記溶剤吐出口から前記低表面張力溶剤を吐出させて前記基板表面に付着している処理液を前記低表面張力溶剤に置換させることを特徴とする基板処理装置。 - 前記ガス供給手段から不活性ガスを前記間隙空間に供給しつつ前記基板回転手段が前記基板を回転させて前記基板表面に付着している前記低表面張力溶剤を前記基板表面から振り切って前記基板表面を乾燥させる請求項1記載の基板処理装置。
- 前記遮断部材は前記ガス供給手段からの不活性ガスを前記基板表面の中央部に向けて吐出するガス吐出口をさらに有する請求項1または2記載の基板処理装置。
- 基板表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施した後、前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を前記基板表面に供給してから該低表面張力溶剤を前記基板表面から除去することによって前記基板表面を乾燥させる基板処理装置において、
基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を所定の回転軸回りに回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の表面中央部へ前記処理液を吐出する処理液吐出口を有する処理液供給路および前記基板保持手段に保持された前記基板の表面中央部へ前記低表面張力溶剤を吐出する溶剤吐出口を有する溶剤供給路が配設されるとともに、前記基板表面に対向しながら前記基板表面から離間配置された遮断部材と、
前記遮断部材と前記基板表面との間に形成される間隙空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と
を備え、
前記遮断部材は、前記基板保持手段に保持された前記基板の表面に対向する対向面を有する板状部材と、該板状部材に設けられた開口部に挿通されて、前記処理液吐出口、前記溶剤吐出口および前記ガス供給手段からの不活性ガスを吐出するガス吐出口が下端に形成された内挿軸とを備えるとともに、該内挿軸の下端が前記板状部材の下面より上方に退避しており、
前記ガス供給手段から前記ガス吐出口を介して不活性ガスを前記間隙空間に供給しつつ前記処理液吐出口から処理液を吐出させて前記湿式処理を実行するとともに、前記ガス供給手段から不活性ガスを前記間隙空間に供給しつつ前記溶剤吐出口から前記低表面張力溶剤を吐出させて前記基板表面に付着している処理液を前記低表面張力溶剤に置換させることを特徴とする基板処理装置。 - 前記低表面張力溶剤による置換後であって前記基板表面の乾燥前に、前記溶剤吐出口から前記低表面張力溶剤を吐出させて前記基板表面全体にパドル状の前記低表面張力溶剤による溶剤層を形成し、さらに前記ガス吐出口から前記基板の表面中央部に不活性ガスを吐出させて前記溶剤層の中央部にホールを形成するとともに前記ホールを前記基板の端縁方向に拡大させる請求項3または4記載の基板処理装置。
- 前記遮断部材は、前記ガス供給手段からの不活性ガスを前記間隙空間に供給する外側ガス吐出口をさらに備え、
前記外側ガス吐出口は、前記処理液吐出口、前記溶剤吐出口および前記ガス吐出口に対して径方向外側に、しかも前記処理液吐出口、前記溶剤吐出口および前記ガス吐出口を取り囲むように環状に形成される請求項3ないし5のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記処理液による前記湿式処理後であって前記低表面張力溶剤による前記置換前に、前記ガス供給手段から不活性ガスを前記間隙空間に供給しつつ前記基板回転手段が前記基板を回転させながら前記基板表面に付着している処理液の一部を残して大部分を前記基板表面から振り切って除去する請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記遮断部材は前記基板表面と対向する基板対向面を有し、前記基板対向面を前記基板の回転軸回りに回転させる遮断部材回転手段をさらに備える請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 略水平姿勢で保持された基板の表面中央部へ処理液を吐出する処理液吐出口を有する処理液供給路と、前記基板の表面中央部へ前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を吐出する溶剤吐出口を有する溶剤供給路とが配設された遮断部材を前記基板表面に対向しながら前記基板表面から離間配置させる遮断部材配置工程と、
前記基板を回転させながら前記基板表面に前記処理液吐出口から処理液を吐出させて前記基板表面に対して所定の湿式処理を施す湿式処理工程と、
前記基板を回転させながら前記処理液で濡れた基板表面に前記溶剤吐出口から前記低表面張力溶剤を吐出させて前記基板表面に付着している処理液を前記低表面張力溶剤に置換させる置換工程と、
前記置換工程後に前記低表面張力溶剤を前記基板表面から除去して該基板表面を乾燥させる乾燥工程と
を備え、
前記溶剤吐出口の口径が前記処理液吐出口の口径よりも小さく、
前記湿式処理工程および前記置換工程では、前記遮断部材配置工程で配置された前記遮断部材と前記基板表面との間に形成される間隙空間に不活性ガスを供給することを特徴とする基板処理方法。 - 前記乾燥工程では、前記間隙空間に不活性ガスを供給しつつ前記基板を回転させて前記基板表面に付着している前記低表面張力溶剤を前記基板表面から振り切って前記基板表面を乾燥させる請求項9記載の基板処理方法。
- 前記湿式処理工程後でかつ前記置換工程前に、前記基板表面に付着している処理液の一部を残して大部分を前記基板表面から除去する液除去工程をさらに備え、
前記液除去工程では、前記間隙空間に不活性ガスを供給する請求項9または10記載の基板処理方法。 - 前記置換工程では、前記処理液と同一組成の液体または前記処理液と主成分が同一である液体と、該液体に溶解して表面張力を低下させる有機溶剤成分とが混合された混合液を前記低表面張力溶剤として前記溶剤吐出口から吐出させる請求項9ないし11のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記混合液中の前記有機溶媒成分の体積百分率が50%以下である請求項12記載の基板処理方法。
- 前記混合液中の前記有機溶媒成分の体積百分率が5%以上かつ10%以下である請求項13記載の基板処理方法。
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