JP5297056B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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また、この発明にかかる基板処理装置の第2態様は、基板表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施した後、処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を基板表面に供給してから該低表面張力溶剤を基板表面から除去することによって基板表面を乾燥させる基板処理装置において、基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板を所定の回転軸回りに回転させる基板回転手段と、基板保持手段に保持された基板の表面中央部へ低表面張力溶剤を吐出する溶剤吐出口を有し、基板表面に対向しながら基板表面から離間配置された遮断部材と、遮断部材と基板表面との間に形成される間隙空間に低露点空気を供給する低露点空気供給手段と、間隙空間に不活性ガスを供給するガス供給手段とを備え、遮断部材は、低露点空気供給手段からの低露点空気を間隙空間に供給するとともに、溶剤吐出口に対して径方向外側に、しかも溶剤吐出口を取り囲むように環状に形成された環状気体吐出口をさらに有しており、環状気体吐出口は、低露点空気供給手段からの低露点空気またはガス供給手段からの不活性ガスを選択的に吐出可能であり、溶剤吐出口から低表面張力溶剤が吐出される間、環状気体吐出口から間隙空間に低露点空気が供給され、基板表面を乾燥させる際には、ガス供給手段からの不活性ガスを環状気体吐出口から間隙空間に供給しつつ、基板回転手段により基板を回転させて基板表面に付着している低表面張力溶剤を基板表面から振り切って基板表面を乾燥させることを特徴としている。
基板回転数:1500rpm
基板表面の状態:表面中央部が疎水面
また、回転軸JからIPA液吐出口97a(吐出口中心)までの距離の上限値についても、基板回転数を1500rpmに設定する限り、上記した回転軸Jからリンス液吐出口96a(吐出口中心)までの距離Lの上限値(20mm)と基本的に同じである。
9…遮断部材
13…チャック回転機構(基板回転手段)
17…チャックピン(基板保持手段)
41…IPA液膜(溶剤層)
42…ホール
93…遮断部材回転機構(遮断部材回転手段)
97a…IPA液吐出口(溶剤吐出口)
98a…中央気体吐出口
99a…環状気体吐出口
SP…間隙空間
W…基板
Wf…基板表面
Claims (12)
- 基板表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施した後、前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を前記基板表面に供給してから該低表面張力溶剤を前記基板表面から除去することによって前記基板表面を乾燥させる基板処理装置において、
基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を所定の回転軸回りに回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の表面中央部へ前記低表面張力溶剤を吐出する溶剤吐出口を有し、前記基板表面に対向しながら前記基板表面から離間配置された遮断部材と、
前記遮断部材と前記基板表面との間に形成される間隙空間に低露点空気を供給する低露点空気供給手段とを備え、
前記遮断部材は、前記低露点空気供給手段からの前記低露点空気を前記基板表面の中央部に向けて吐出する中央気体吐出口と、前記基板保持手段に保持された前記基板の表面中央部へ前記処理液を吐出する処理液吐出口と、前記低露点空気供給手段からの前記低露点空気を前記間隙空間に供給するとともに、前記溶剤吐出口、前記中央気体吐出口および前記処理液吐出口に対して径方向外側に、しかも前記溶剤吐出口、前記中央気体吐出口および前記処理液吐出口を取り囲むように環状に形成された環状気体吐出口をさらに有しており、
前記溶剤吐出口から前記低表面張力溶剤が吐出される間、前記環状気体吐出口から前記間隙空間に前記低露点空気が供給されることを特徴とする基板処理装置。 - 前記低露点空気供給手段から前記低露点空気を前記間隙空間に供給しつつ、前記基板回転手段により前記基板を回転させて前記基板表面に付着している前記低表面張力溶剤を前記基板表面から振り切って前記基板表面を乾燥させる請求項1記載の基板処理装置。
- 前記環状気体吐出口の開口面積は前記中央気体吐出口の開口面積よりも大きい請求項1または2記載の基板処理装置。
- 前記基板表面の乾燥前に前記溶剤吐出口から前記低表面張力溶剤を吐出させて前記基板表面全体にパドル状の前記低表面張力溶剤による溶剤層を形成した後に、前記中央気体吐出口から前記基板の表面中央部に前記低露点空気を吐出させて前記溶剤層の中央部にホールを形成するとともに前記ホールを前記基板の端縁方向に拡大させて前記基板表面を乾燥させる請求項1ないし3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記溶剤吐出口の口径は、前記処理液吐出口の口径より小さい請求項1ないし4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記湿式処理の開始に伴って前記環状気体吐出口から前記低露点空気の吐出を開始し、前記基板回転手段により前記基板を回転させて前記基板表面に付着している前記低表面張力溶剤を前記基板表面から振り切って前記基板表面を乾燥させる際には、前記環状気体吐出口に加えて前記中央気体吐出口からも前記低露点空気を吐出する請求項1ないし5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施した後、前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を前記基板表面に供給してから該低表面張力溶剤を前記基板表面から除去することによって前記基板表面を乾燥させる基板処理装置において、
基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を所定の回転軸回りに回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の表面中央部へ前記低表面張力溶剤を吐出する溶剤吐出口を有し、前記基板表面に対向しながら前記基板表面から離間配置された遮断部材と、
前記遮断部材と前記基板表面との間に形成される間隙空間に低露点空気を供給する低露点空気供給手段と、
前記間隙空間に不活性ガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記遮断部材は、前記低露点空気供給手段からの前記低露点空気を前記間隙空間に供給するとともに、前記溶剤吐出口に対して径方向外側に、しかも前記溶剤吐出口を取り囲むように環状に形成された環状気体吐出口をさらに有しており、
前記環状気体吐出口は、前記低露点空気供給手段からの前記低露点空気または前記ガス供給手段からの前記不活性ガスを選択的に吐出可能であり、
前記溶剤吐出口から前記低表面張力溶剤が吐出される間、前記環状気体吐出口から前記間隙空間に前記低露点空気が供給され、
前記基板表面を乾燥させる際には、前記ガス供給手段からの前記不活性ガスを前記環状気体吐出口から前記間隙空間に供給しつつ、前記基板回転手段により前記基板を回転させて前記基板表面に付着している前記低表面張力溶剤を前記基板表面から振り切って前記基板表面を乾燥させることを特徴とする基板処理装置。 - 前記遮断部材を前記基板の回転軸回りに回転させる遮断部材回転手段をさらに備える請求項1ないし7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記溶剤吐出口から前記低表面張力溶剤が吐出されている間に、前記基板回転手段は前記基板の回転速度を加速する請求項1ないし8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記遮断部材は、板状部材と、前記板状部材を支持し、内部が中空に仕上げられた支軸と、前記支軸の中空部に挿通された内挿軸とを有しており、
前記環状気体吐出口は前記支軸の内壁面と前記内挿軸の外壁面との間に形成される請求項1ないし9のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 略水平姿勢で保持された基板を回転させながら前記基板の表面に処理液を供給して前記基板表面に対して所定の湿式処理を施す湿式処理工程と、
前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を前記基板の表面中央部に吐出する溶剤吐出口を有する、遮断部材を前記処理液で濡れた前記基板表面に対向しながら前記基板表面から離間配置させた状態で前記基板表面に前記溶剤吐出口から前記低表面張力溶剤を吐出させて前記基板表面に付着している処理液を前記低表面張力溶剤に置換させる置換工程と、
前記置換工程後に前記低表面張力溶剤を前記基板表面から除去して該基板表面を乾燥させる乾燥工程とを備え、
前記遮断部材は、低露点空気または不活性ガスを選択的に前記遮断部材と前記基板表面との間に形成される間隙空間に供給するとともに、前記溶剤吐出口に対して径方向外側に、しかも前記溶剤吐出口を取り囲むように環状に形成された環状気体吐出口をさらに有しており、
前記置換工程において、前記環状気体吐出口から前記間隙空間に前記低露点空気を供給し、
前記乾燥工程において、前記環状気体吐出口から前記不活性ガスを前記間隙空間に供給しつつ、前記基板を回転させて前記基板表面に付着している前記低表面張力溶剤を前記基板表面から振り切って前記基板表面を乾燥させることを特徴とする基板処理方法。 - 前記湿式処理工程において前記間隙空間に前記低露点空気を供給する請求項11記載の基板処理方法。
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