JP6934732B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
基板処理装置は、例えば、半導体などの製造工程において、ウェーハや液晶パネル等の基板に回路パターンを形成する成膜プロセスやフォトプロセスを行う。これらのプロセスにおいて、主に処理液を使用するウェットプロセスでは、枚葉式の基板処理装置が用いられ、薬液処理や洗浄処理、乾燥処理等が基板に対して行われている。枚葉式の基板処理装置では、基板の外周面を把持し、基板の表面に直交する軸を回転軸として基板を回転させ、その回転する基板の表面に処理液（例えば、エッチング液や洗浄液、純水）を供給する。
基板処理装置では、基板の表面に処理液を供給した後、基板の回転と共に気体を基板の表面に供給しながら乾燥処理が行われる。この乾燥処理では、基板に対向配置されて基板全面を覆うことができる大きさの遮蔽板を基板の表面に近づけ、基板と遮蔽板との間に形成される空間に気体を供給することが行われる。
特開２０００−１３３６２５号公報
このような装置では、基板の表面に処理液を供給して処理しているときから、遮蔽板を基板に接近した位置に位置付けるようにしている。
ところで、基板の表面に供給された処理液が、基板の表面上で液跳ねが起きることがある。この現象が生じると、基板に接近している遮蔽板の基板と対向している面に、液跳ねした処理液が付着してしまう。この処理液が付着したまま遮蔽板を乾燥処理で使用すると、遮蔽板に付着していた処理液が基板の表面に落下し、ウォーターマークが発生してしまう原因になる。先に述べた特許文献１には、この課題認識がない。
本発明は、処理液を用いた基板に対する処理を、良好に行なえることを目的とする。
実施形態に係る基板処理装置は、基板を回転させて洗浄処理する基板処理装置において、
処理室と、
前記処理室は、
基板を保持するスピン保持機構と、
前記スピン保持機構に保持される前記基板に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記スピン保持機構に保持された前記基板に対向して配置され、前記基板に対して接離方向に移動する遮蔽板と、
を有し、
前記遮蔽板を回転させる遮蔽板回転機構と、
前記遮蔽板を昇降させる遮蔽板昇降機構と、
制御装置と、
を有し、
前記制御装置は、
前記スピン保持機構に前記基板が保持される位置より上方であって、前記処理室に前記基板が搬入される際に前記基板の搬入を妨げることのない待機位置に、前記処理液が供給されていないときに前記遮蔽板を位置づけ、前記処理液供給ノズルによる前記処理液の供給中は、前記遮蔽板を前記待機位置から移動させずに前記遮蔽板を回転させるように前記遮蔽板回転機構を制御し、
前記基板が前記処理室から搬出された後に、前記処理液供給ノズルによって、前記遮蔽板の周縁に向けて前記処理液を供給するように制御する
ことを特徴とする基板処理装置。
実施形態に係る基板処理装置は、基板を回転させて洗浄処理する基板処理装置において、処理室と、前記処理室は、基板を保持するスピン保持機構と、前記基板に処理液を供給する処理液供給ノズルと、前記スピン保持機構に保持された前記基板に対向して配置され、前記基板に対して接離方向に移動する遮蔽板と、前記基板の裏面に前記処理液と気体をそれぞれ供給する裏面ノズルヘッドと、を有し、前記遮蔽板を回転させる遮蔽板回転機構と、前記遮蔽板を昇降させる遮蔽板昇降機構と、制御装置と、を有し、前記制御装置は、 前記スピン保持機構に前記基板が保持される位置より上方であって、前記処理室に前記基板が搬入される際に前記基板の搬入を妨げることのない待機位置に、前記処理液が供給されていないときに前記遮蔽板を位置づけるとともに、前記基板の処理枚数が予め設定した第１の設定枚数に達するごとに、前記処理液供給ノズルによる前記処理液の供給中に前記遮蔽板を前記待機位置から移動させずに前記遮蔽板を回転させるように前記遮蔽板回転機構を制御し、前記基板の処理枚数が予め設定した第２の設定枚数に達するごとに、前記基板が前記処理室から搬出された後に、前記裏面ノズルヘッドにより前記遮蔽板に前記処理液と前記気体がそれぞれ供給するように制御し、前記基板の処理枚数が予め設定した第３の設定枚数に達するごとに、前記基板が前記処理室から搬出された後に、前記処理液供給ノズルによって、前記遮蔽板の周縁に向けて前記処理液を供給するように制御する。
実施形態に係る基板処理方法は、処理室内で基板を回転させて洗浄処理する基板処理方法において、
前記基板を前記処理室に搬入、搬出する工程と、
前記処理室に搬入された前記基板をスピン保持機構に保持させる基板保持工程と、
前記保持された前記基板に処理液供給ノズルから処理液を供給する処理液供給工程と、
を有し、
前記処理液が供給されてないときに、前記スピン保持機構に前記基板が保持される位置より上方であって、前記処理室に前記基板を搬入する際に前記基板の搬入を妨げることのない待機位置に遮蔽板を位置づけ、前記処理液供給ノズルによる前記処理液の供給中は、前記遮蔽板を前記待機位置から移動させずに前記遮蔽板を回転させる遮蔽板回転工程と、
前記基板が前記処理室から搬出された後、前記遮蔽板に向けて、前記処理液と気体をそれぞれ供給する遮蔽板洗浄工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
本発明の実施形態によれば、処理液を用いた基板に対する処理を、良好に行なうことが可能となる。
第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 第１の実施形態に係る処理室の概略構成を示す図である。 第１の実施形態に係る遮蔽板の構成を示す断面図である。 第１の実施形態に係る一連の処理動作を示す図である。 第２の実施形態に係る処理動作を示す図である。 第３の実施形態に係る処理動作を示す図である。
［第１の実施形態］
第１の実施形態について図１から図４を参照して説明する。
図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１は、基板収納ケース２と、載置台３と、搬送ロボット４と、搬送ガイドレール５と、バッファ台６と、搬送ロボット７と、搬送ガイドレール８と、処理室９と、付帯ユニット１０とを備えている。
基板収納ケース２は、基板Ｗ（例えば、半導体ウェーハ）を収納する容器である。この基板収納ケース２には、基板Ｗが所定間隔で１枚ずつ積層されて収納されている。
載置台３は、基板収納ケース２を置くための台である。図１のように、複数個の基板収納ケース２を所定間隔で一列に置くことが出来る。
搬送ロボット４は、複数個の基板収納ケース２が並ぶ第１の搬送方向（図１に示す矢印Ａ方向）に沿って移動するように、基板収納ケース２の列の隣に設けられている。この搬送ロボット４は、基板収納ケース２に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。そして、搬送ロボット４は、必要に応じて矢印Ａ方向に移動してバッファ台６の付近で停止し、停止場所で旋回して、基板Ｗをバッファ台６に搬送する。また、搬送ロボット４は、バッファ台６から処理済みの基板Ｗを取り出し、必要に応じて矢印Ａ方向に移動して所望の基板収納ケース２に搬送する。なお、搬送ロボット４は、旋回だけ行い、未処理の基板Ｗをバッファ台６に、あるいは、処理済みの基板Ｗを所望の基板収納ケース２に搬送するように構成する場合もある。搬送ロボットとしては、例えば、ロボットアームやロボットハンド、移動機構などを有する、公知のロボットを用いることが可能である。
搬送ガイドレール５は、搬送ロボット４を矢印Ａ方向に移動させる機構である。これにより、搬送ロボット４を移動させ、各基板収納ケース２とバッファ台６との間で基板Ｗを搬送することが出来る。この搬送ガイドレール５は、例えば、ＬＭガイド（Linear Motion Guide）である。
バッファ台６は、搬送ロボット４が移動する搬送ガイドレール５の中央付近で、かつ載置台３とは反対側に設けられている。このバッファ台６は、搬送ロボット４と搬送ロボット７の間で基板Ｗの持ち替えをするための載置台である。
搬送ロボット７は、バッファ台６から、搬送ロボット４の搬送方向（矢印Ａ方向）に対して直交する第２の搬送方向（図１に示す矢印Ｂ方向）に移動するように設けられている。この搬送ロボット７は、バッファ台６に置かれた基板Ｗを取り出し、必要に応じて矢印Ｂ方向に移動して所望の処理室９の付近で停止し、停止場所で旋回して基板Ｗを所望の処理室９に搬送する。また、搬送ロボット７は、処理室９から処理済みの基板Ｗを取り出し、必要に応じて矢印Ｂ方向に移動してバッファ台６付近で停止し、停止場所で旋回して処理済みの基板Ｗをバッファ台６へ搬送する。この搬送ロボット７としては、例えば、ロボットアームやロボットハンド、移動機構などを有する、公知のロボットを用いることが可能である。
搬送ガイドレール８は、搬送ロボット７を矢印Ｂ方向に移動させる機構である。この機構により、搬送ロボット７を移動させ、各処理室９とバッファ台６との間で基板Ｗを搬送することが出来る。この搬送ガイドレール８は、例えば、ＬＭガイド（Linear Motion Guide）である。
処理室９は、搬送ロボット７が移動する搬送ガイドレール８の両側に、例えば、二つずつ設けられている。本実施形態において、この処理室９は、搬送ロボット７によって搬送された基板Ｗに対して、処理液を供給して基板Ｗを洗浄処理する。また、洗浄処理が完了した基板Ｗを乾燥させる乾燥処理を行う。詳しくは、後述する。
付帯ユニット１０は、搬送ガイドレール８の一端で、バッファ台６の反対側、つまり基板処理装置１の端に設けられている。この付帯ユニット１０は、気液供給ユニット１０ａと制御ユニット（制御装置）１０ｂを格納している。この気液供給ユニット１０ａは、各処理室９に各種の処理液（例えば、純水やＡＰＭ：アンモニア水と過酸化水素水の混合液、ＩＰＡ：イソプロピルアルコール）や気体（例えば、窒素ガス）を供給する。制御ユニット１０ｂは、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部（いずれも図示せず）を具備する。この制御ユニット１０ｂは、基板処理情報や各種プログラムに基づき、搬送ロボット４、搬送ロボット７、各処理室９等の各部を制御する。
次に処理室９内の構成について、図２及び図３を参照して説明する。
図２に示すように、処理室９は、スピン保持機構２１と、カップ体３０と、裏面ノズルヘッド４０と、第１のノズル５２と、第１のノズル移動機構５３と、第２のノズル５４と、第２のノズル移動機構５５と、遮蔽機構６０とを有する。スピン保持機構２１、カップ体３０、裏面ノズルヘッド４０、第１のノズル５２、第１のノズル移動機構５３、第２のノズル５４、第２のノズル移動機構５５、遮蔽機構６０は、処理室９内に設けられている。
処理室９は、例えば直方体形状に形成され、シャッタ（図示せず）を有する。このシャッタは、処理室９における搬送ガイドレール８側の壁面に開閉可能に形成されている。シャッタは、基板Ｗを処理室９内に搬入、若しくは処理室９から搬出する時に開閉される。なお、処理室９内には、ダウンフロー（垂直層流）によって清浄に保たれている。
スピン保持機構２１は、基板Ｗを水平状態に保持し、基板Ｗの被処理面に垂直な中心軸Ｒを回転中心として、基板Ｗを回転させる機構である。スピン保持機構２１には、ベースとなる回転体２２を有している。この回転体２２の周方向には、所定間隔、例えば、６０度間隔で６つの支持ピン２３が形成される。この支持ピン２３は、基板Ｗの端面に当接して、基板Ｗをカップ体３０内で水平状態に保持する。スピン保持機構２１は、回転体２２の下部に、回転軸やモータ等を有する回転機構２４を有する。この回転機構２４により、スピン保持機構２１は、基板Ｗを水平状態で保持したまま回転させることができる。なお、スピン保持機構２１は、制御ユニット１０ｂに電気的に接続される。制御ユニット１０ｂにより、スピン保持機構２１による基板Ｗの保持や回転が制御される。
カップ体３０は、３つの上カップ３０ａ、３０ｂ、３０ｃと、３つの下カップ３１ａ、３１ｂ、３１ｃと、底部３３とを有する。この上カップ３０ａ〜３０ｃと、下カップ３１ａ〜３１ｃは、スピン保持機構２１により保持された基板Ｗを周囲から囲むように円筒形状に形成されている。カップ体３０の上部、つまり、この上カップ３０ａ〜３０ｃは、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの表面（上面）全体が露出するように開口されており、その各上部の周壁は径方向の内側に向かって傾斜している。
上カップ３０ａと下カップ３１ａは、スピン保持機構２１の外周に配置されている。上カップ３０ｂと下カップ３１ｂは、上カップ３０ａと下カップ３１ａの外周に配置されている。上カップ３０ｃと下カップ３１ｃは、上カップ３０ｂと下カップ３１ｂの外周に配置されている。
下カップ３１ａ〜３１ｃは、底部３３に対して垂直に固定して形成され、それぞれ対応する上カップ３０ａ〜３０ｃの下部に形成された二重構造の周壁間にスライド自在に挿入されて、ラビリンス構造を成している。上カップ３０ａ〜３０ｃは、不図示の上下移動機構によって個別に上下駆動自在になっている。また、底部３３において、下カップ３１ａによって囲まれた領域には、排出口３２ａが形成され、下カップ３１ａと下カップ３１ｂによって囲まれた領域には、排出口３２ｂが形成され、下カップ３１ｂと下カップ３１ｃによって囲まれた領域には、排出口３２ｃが形成されている。各排出口３２ａ〜３２ｃは、それぞれ排出管と排液タンク、気液分離器を介して排気ポンプ（いずれも図示せず）に接続されている。それによって、基板Ｗから飛散した処理液を、各排出口３２ａ〜３２ｃを通じて分離回収することができる。なお、上下駆動機構は、制御ユニット１０ｂに電気的に接続される。制御ユニット１０ｂにより、上カップ３０ａ〜３０ｃの上下駆動を制御する。
裏面ノズルヘッド４０は、固定軸４１の上端に固定状態で支持される。固定軸４１は、回転機構２４を非接触で貫通して処理室９内の底部３３に固定される。固定軸４１の上端に支持される裏面ノズルヘッド４０は、回転体２２との間に隙間を有している。これにより、裏面ノズルヘッド４０は固定された状態であって、回転体２２と共には回転しない構成になっている。この裏面ノズルヘッド４０は、回転体２２の上面側に突出しており、回転体２２の上面における、裏面ノズルヘッド４０の外周部に対応する位置には、上方に向けて環状壁４２が形成されている。一方、裏面ノズルヘッド４０の外周部には、環状壁４２を内部に収容する環状溝４３が下面に開放されて形成されている。つまり、環状壁４２と環状溝４３は、ラビリンス構造を形成し、回転体２２の上面側で飛散する処理液が、固定軸４１に沿ってカップ体３０の外部に流出することを阻止できる。
裏面ノズルヘッド４０は、図２に示すように、上面を開放した凹部４４が形成されている。この凹部４４は、上部から下部にいくにつれて小径となる円錐形状に形成されている。裏面ノズルヘッド４０における上面の凹部４４の周辺部は、径方向外方に向かって低く傾斜した傾斜面４５が形成されている。
凹部４４の底部には、排液部を形成する排液口４６の一端が開口している。この排液口４６は、基板Ｗの裏面に噴射された処理液が基板Ｗで反射して、凹部４４内面に滴下した処理液を排出するためのものである。排液口４６の他端には、排液管４７の一端が接続されている。排液管４７の他端は、図示しないが、各排出口３２ａ〜３２ｃと同様に、気液分離器を介して排気ポンプに接続されている。
凹部４４の面には、下部処理液ノズル４８と、下部気体用ノズル５０とが形成されている。下部処理液ノズル４８は、処理液供給管４９の一端に接続され、下部気体用ノズル５０は、気体供給管５１の一端に接続されている。処理液供給管４９と気体供給管５１の他端は、それぞれ、気液供給ユニット１０ａに接続されている。なお、凹部４４の面に、下部処理液ノズル４８と下部気体用ノズル５０が、それぞれ複数個、所定間隔で設置されても良い。本実施形態では、２つの下部処理液ノズル４８と、２つの下部気体用ノズル５０とが、凹部４４の周方向にほぼ９０度間隔で形成されている。
下部処理液ノズル４８からは、処理液供給管４９を通じて供給される処理液Ｓ（例えば、ＡＰＭ）や処理液Ｌ（例えば、純水）が、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの裏面に向けて噴射される。下部気体用ノズル５０からは、気体供給管５１を通じて供給される気体Ｇ（例えば、窒素）が、基板の裏面に向けて噴射されるようになっている。
下部処理液ノズル４８と下部気体用ノズル５０の噴射方向は、中心軸Ｒに対して所定の角度傾斜していて、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの略回転中心に向けて、処理液Ｓ、Ｌ、気体Ｇを噴射するようになっている。
回転する基板Ｗに供給された処理液Ｓ、Ｌは、遠心力によって基板Ｗの裏面のほぼ全体に分散するとともに、基板Ｗで跳ね返った処理液のほとんどが凹部４４内に滴下するようになっている。また、気体Ｇも処理液Ｓ、Ｌと同様に、基板Ｗの裏面ほぼ全体に作用するようになっている。
処理液Ｓ、Ｌを基板Ｗの回転中心からずれた位置に向けて噴射するようにしてもよい。同様に、気体Ｇも基板Ｗの回転中心からずれた位置に向けて噴射するようにしてもよい。処理液Ｓ、Ｌや気体Ｇの供給は、制御ユニット１０ｂによって制御される。
第１のノズル５２は、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの表面に処理液Ｌ（例えば、純水）を供給する。この第１のノズル５２は、第１のノズル移動機構５３により、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの表面に沿って揺動可能に構成されている。第１のノズル５２には、処理液Ｌが気液供給ユニット１０ａから配管（図示せず）を介して供給される。
第１のノズル移動機構５３は、回転軸やモータなどにより構成されている。例えば、第１のノズル移動機構５３は、第１のノズル５２を液供給位置と、退避位置とに移動させる。液供給位置は、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの表面の中央付近に対向する位置であり、退避位置は、液供給位置から退避させて基板Ｗの搬入や搬出、基板Ｗに対する乾燥処理を可能とする位置である。
第２のノズル５４は、スプレーノズルである。第２のノズル５４は、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの表面にミスト状の処理液Ｓを供給する。この第２のノズル５４は、第２のノズル移動機構５５により、スピン保持機構２１に保持された基板Ｗの表面に沿って揺動可能に構成されている。第２のノズル５４には、処理液Ｓが気液供給ユニット１０ａから配管（図示せず）を介して供給される。
第２のノズル移動機構５５は、第１のノズル移動機構５３と同様に、回転軸やモータなどにより構成されている。例えば、第２のノズル移動機構５５は、第２のノズル５４を液供給位置と、退避位置とに移動させる。第１のノズル移動機構５３と第２のノズル移動機構５５は、制御ユニット１０ｂと電気的に接続される。制御ユニット１０ｂにより、各ノズルの移動や処理液の供給動作が制御される。
遮蔽機構６０は、図２及び図３に示すように、遮蔽板昇降機構６１と、アーム６２と、遮蔽板６３と、遮蔽板回転機構６４と、遮蔽板保持機構６５とを有して構成されている。
遮蔽板昇降機構６１は、中心軸Ｒに対して直交する方向（紙面に直交する方向）を軸とする回動部材６１ａを有する。アーム６２の一端は、回動部材６１ａに固定されている。遮蔽板昇降機構６１が回動部材６１ａを所定の角度の範囲で回動させると、アーム６２は回動部材６１ａを軸にして円弧運動する。この遮蔽板昇降機構６１は、後述するように、アーム６２を円弧運動させることで、遮蔽板６３を接離方向（上下方向）に移動させることができる。
アーム６２の他端は、接続ピン６５ａを介して遮蔽板保持機構６５に接続されている。接続ピン６５ａは、上述した回動部材６１ａと同様に、中心軸Ｒに対して直交する方向に設けられている。なお、接続ピン６５ａとアーム６２との接続部、接続ピン６５ａと遮蔽板保持機構６５との接続部には、それぞれ、回転軸受け（図示せず）が介在されていて、遮蔽板昇降機構６１の作動により、アーム６２が揺動するとき、遮蔽板６３は水平状態を維持して上下動出来るようになっている。
図３に示すように、遮蔽板６３は、中央に中心軸Ｑを軸とする円形のノズル開口６３ａを有する円盤状の部材である。この遮蔽板６３の直径は、例えば、基板Ｗとほぼ同径の大きさとなっている。なお、基板Ｗの大きさよりやや大きくしても良いが、本実施形態において、遮蔽板６３の直径は、基板Ｗの直径よりやや小さくしている。これは、遮蔽板６３と基板Ｗとの距離を狭めたときに、遮蔽板６３が支持ピン２３に干渉するのを防止するためである。遮蔽板６３は、遮蔽板回転機構６４の下端部にある接続プレート６４ｄにネジ（図示せず）によって固定されている。
遮蔽板回転機構６４は、回転体６４ａと、本体６４ｂと、モータ部６４ｃと、接続プレート６４ｄを有して構成されている。回転体６４ａと本体６４ｂに内部には、中心軸Ｑを中心に、断面円形の気体供給ノズル７３が形成されている。この気体供給ノズル７３の一端は、ノズル開口６３ａに連通されている。本体６４ｂの側壁側には、気体供給口７０が設けられ、気体導入路７１の一端に接続される。気体導入路７１の他端は、気体供給ノズル７３に接続され、気体供給口７０から気体Ｇが供給されると、その気体Ｇは、ノズル開口６３ａから基板Ｗに向けて供給される。また、気体供給ノズル７３の内部には、処理液Ｐ（例えば、ＩＰＡ：イソプロピルアルコール）を基板Ｗの表面に噴射する処理液供給ノズル６７が、中心軸Ｑに沿って形成されている。この処理液供給ノズル６７の一端は、遮蔽板保持機構６５を貫通し、処理液導入部６６に接続される。処理液供給ノズル６７の他端は、ノズル吐出口６８を形成する。このノズル吐出口６８は、ノズル開口６３ａの中央に位置している。また、処理液供給ノズル６７は、気体供給ノズル７３とノズル開口６３ａと同様に、中心軸Ｑを軸として断面は円形状に形成されている。回転体６４ａは、上部が凸状の形状になっており、中央には、開口部６４ｆが設けられている。この凸状の形状に対応するように、本体６４ｂの下部は凹状に形成されていて、凸状部分と凹状部分の対向面間には、隙間が形成されるようになっている。本体６４ｂの中央部は、気体供給ノズル７３を囲むように形成された突出部６４ｇが設けられている。この突出部６４ｇは、開口部６４ｆに挿入される。開口部６４ｆの内周面と突出部６４ｇの外周面との間には、隙間が形成されるようになっている。この隙間には、軸受け６４ｅが設けられ、回転体６４ａは、本体６４ｂによって非接触に支持されている。この軸受け６４ｅは、例えば、回転軸受けである。
開口部６４ｆの内周面と突出部６４ｇの外周面との間に形成される隙間には、モータ部６４ｃが設置されている。例えば、突出部６４ｇの外周面には、モータ部６４ｃのステータに相当する複数のコイル６４ｈが固定して設けられ、開口部６４ｆの内周面には、モータ部６４ｃの回転子に相当する永久磁石６４ｉが固定して設けられる。永久磁石６４ｉは、所定角度毎に極性が反転するようにリング状を成し、しかもコイル６４ｈに対向して配置される。したがって、コイル６４ｈに電流を流すと、永久磁石６４ｉと一体に回転体６４ａ及び遮蔽板６３が中心軸Ｑを軸に回転する。
遮蔽板保持機構６５は、アーム６２と本体６４ｂを繋ぐ部材であり、本体６４ｂの上部に固定して設けられている。この遮蔽板保持機構６５の中央には、接続ピン６５ａが挿入できる孔（図示せず）が設けられている。
遮蔽板保持機構６５の上部には、処理液導入部６６が設けられている。この処理液導入部６６の一端は、遮蔽板保持機構６５の内部を貫通する処理液供給ノズル６７に接続されている。また、処理液導入部６６の他端には、気液供給ユニット１０ａから処理液Ｐを供給する供給管（図示せず）が接続されている。遮蔽板昇降機構６１と遮蔽板回転機構６４は、制御ユニット１０ｂに電気的に接続されている。制御ユニット１０ｂにより、遮蔽板６３の昇降及び回転が制御される。
次に、基板処理動作を説明する。まず、基板Ｗが基板収納ケース２から搬送ロボット４により取り出される。搬送ロボット４は、必要に応じて搬送ガイドレール５に沿って移動し、停止場所で旋回して基板Ｗをバッファ台６に搬入する。あるいは、搬送ロボット４は、搬送ガイドレール５に沿って移動せずに旋回だけして基板Ｗをバッファ台６に搬入する。その後、バッファ台６に搬入された基板Ｗは、搬送ロボット７により取り出される。搬送ロボット７は、必要に応じて所望の処理室９の付近まで、搬送ガイドレール８に沿って移動し、停止場所で旋回して基板Ｗを所望の処理室９に搬入する。あるいは、搬送ロボット７は、搬送ガイドレール８に沿って移動せずに旋回だけして所望の処理室９に搬入する。このとき、処理室９のシャッタは開けられている。
処理室９に搬入された基板Ｗは、スピン保持機構２１により保持される。このとき、図４の（ａ）に示すように、上カップ３０ａ〜３０ｃは、下降された状態となっている。また、遮蔽機構６０の遮蔽板６３は、待機位置（図４中に符号Ｔ１で示す位置）に位置づけられる。この待機位置は、図４の（ａ）に示されるように、スピン保持機構２１の上方であって、搬送ロボット７により処理室９に基板Ｗを搬入する際、基板Ｗの搬入を妨げることがない位置のことである。その後、搬送ロボット７は、処理室９から退避し、シャッタが閉じられる。
次に、図４の（ｂ）に示すように、上カップ３０ｂと上カップ３０ｃは、上下駆動機構により上昇する。スピン保持機構２１により保持された基板Ｗは、回転機構２４により低速（例えば、５００ｒｐｍ）に回転する。基板Ｗの回転と同時に、第１のノズル移動機構５３より第１のノズル５２が、基板Ｗの中央まで移動する。
気体供給口７０から気体Ｇが供給され、気体供給ノズル７３から気体Ｇが噴射される。この気体Ｇは、後述するように、基板Ｗの表面に供給される処理液Ｌや処理液Ｓが、基板Ｗの表面にて液跳ねすることによって、ノズル開口６３ａやノズル吐出口６８に入り込むのを阻止するために実行される。なお、気体の噴射量としては、例えば、毎分５０リットル程度である。また後述するように、この状態での気体供給ノズル７３からの気体Ｇの供給は、図４の（ｇ）の直前、つまり、遮蔽板６３が乾燥処理位置Ｔ３に位置付けられる直前まで継続される。
次に、第１のノズル５２から、基板Ｗの表面の中央に処理液Ｌが供給される。これにより、基板Ｗの表面に付着したパーティクルが除去される。この処理液Ｌは、回転する基板Ｗの遠心力によって基板Ｗの外周に向かって広がり、基板Ｗの外周から飛散する。基板Ｗから飛散した処理液Ｌは、上昇した上カップ３０ｂの内周面に衝突し、この内周面に沿って排出口３２ｂに向かって流れ落ちる。流れ落ちた処理液Ｌは、排出口３２ｂに接続された排出管を通じて回収される。
また、基板Ｗに表面に処理液Ｌが供給されているとき、遮蔽機構６０の遮蔽板６３は、待機位置Ｔ１に位置づけられたままで、遮蔽板回転機構６４により遮蔽板６３が回転する。遮蔽板６３の回転数は、固定された回転数（例えば、５００ｒｐｍ）である。回転方向は、基板Ｗと同じ方向で回転する。この遮蔽板６３の回転により、基板Ｗの表面における処理液Ｌの液跳ねによって、遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面に付着した処理液Ｌの液滴を、遠心力によって振り切って除去する。遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面に付着した処理液Ｌの液滴を除去することで、遮蔽板６３から基板Ｗの表面に処理液Ｌの液滴が落下することを抑制できる。また、遮蔽板６３の基板Ｗに対する面に付着した処理液Ｌの液滴をそのままにしておくと、固化してパーティクルの原因となり得るが、これも阻止できる。
また、第１のノズル５２から基板Ｗの表面に処理液Ｌが供給されると同時に、基板Ｗの裏面に向けて、下部処理液ノズル４８から処理液Ｌが供給される。これにより、基板Ｗの裏面に付着したパーティクルが除去される。基板Ｗの裏面に供給された処理液Ｌは、基板Ｗの外周に広がり、基板Ｗの裏面の外周から飛散する。この基板Ｗの裏面の外周から飛散した処理液Ｌは、上昇した上カップ３０ｂの内周面に衝突し、この内周面に沿って排出口３２ｂに向かって流れ落ちる。滴下された処理液Ｌは、排出口３２ｂに接続された排出管を通じて回収される。なお、処理液Ｌの供給時間は、予め設定された時間であって、本実施形態では、例えば、１０秒である。
予め設置された時間が経過すると、第１のノズル５２及び下部処理液ノズル４８からの処理液Ｌの供給が停止される。第１のノズル移動機構５３により、第１のノズル５２を退避位置に移動させる。
次に、図４の（ｃ）に示すように、上カップ３０ｃが上昇したまま、上カップ３０ｂが上下駆動機構により下降される。第２のノズル移動機構５５により、第２のノズル５４が基板Ｗの中央付近まで移動される。そして、第２のノズル５４からミスト状の処理液Ｓが基板Ｗの表面に供給されると同時に、第２のノズル移動機構５５によって、第２のノズル５４が基板Ｗの中心と基板Ｗの外周の間を往復しながら揺動する。また、基板Ｗの表面にミスト状の処理液Ｓが供給されると同時に、下部処理液ノズル４８から処理液Ｓが基板Ｗの裏面に向けて供給される。なお、下部処理液ノズル４８からは、液状の処理液Ｓが供給される。この処理液Ｓによって、基板Ｗに付着する酸化物を含むパーティクルが除去される。なお、ここでの処理液Ｓの供給は、予め設定された時間であって、本実施形態では、例えば、３０秒である。
また、基板Ｗの表面に処理液Ｓが供給されている時も、遮蔽板６３は、待機位置Ｔ１で回転している。これにより、基板Ｗの表面に供給された処理液Ｓの液跳ねによって、遮蔽板６３の基板Ｗに対向した面に付着した処理液Ｓの液滴を、遠心力によって振り切って、除去することができる。これにより、処理液Ｓの液滴が、遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面から基板Ｗの表面に落下するのを阻止することが出来る。また、遮蔽板６３の基板Ｗに対する面に付着した処理液Ｓの液滴をそのままにしておくと、固化してパーティクルの原因となり得るが、これも阻止できる。
基板Ｗに供給されたミスト状の処理液Ｓは、基板Ｗの回転により基板Ｗの外周から飛散する。飛散したミスト状の処理液Ｓは、上昇した上カップ３０ｃの内周面に衝突し、この内周面に沿って排出口３２ｃに向かって滴下される。滴下されたミスト状の処理液Ｓは、排出口３２ｃを通じて回収される。また、基板Ｗの裏面に供給された処理液Ｓも、基板Ｗの裏面の外周から飛散して、上昇した上カップ３０ｃに回収される。
予め設定された時間が経過すると、第２のノズル５４からのミスト状の処理液Ｓの供給と下部処理液ノズル４８からの処理液Ｓの供給が停止される。そして、第２のノズル５４は、第２のノズル移動機構５５により退避位置に移動される。
図４の（ｄ）に示すように、上カップ３０ｂと上カップ３０ｃは、図４の（ｃ）での処理と同様に下降し、上カップ３０ｃが上昇した状態である。第１のノズル移動機構５３により、退避位置から第１のノズル５２が基板Ｗの中央に移動される。さらに、基板Ｗの回転速度が高速（例えば、１０００ｒｐｍ）に回転する。そして、第１のノズル５２から基板Ｗの表面の中央に処理液Ｌが供給されると同時に、下部処理液ノズル４８から基板Ｗの裏面に向けて処理液Ｌが供給される。これにより、前工程で処理された基板Ｗの表面に付着したミスト状の処理液Ｓと基板Ｗの裏面に付着した処理液Ｓが、処理液Ｌによって洗い流される。また、基板Ｗの回転速度が高速になることで、処理液Ｓの排出を向上させることができる。
この処理液Ｌは、基板Ｗの表面の外周及び基板Ｗの裏面の外周から飛散して、上カップ３０ｃの内周面に衝突し、その内周面に沿って、排出口３２ｃに向かって滴下される。そして、排出管を通じて回収される。
また、遮蔽板６３の回転も待機位置Ｔ１で継続されており、基板Ｗの表面に供給されている処理液Ｌの液跳ねによって、遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面に付着した処理液Ｌを、除去することができる。これにより、遮蔽板６３から基板Ｗの表面に処理液Ｌの液滴が落下することを抑制できる。また、遮蔽板６３の基板Ｗに対する面に付着した処理液Ｌの液滴をそのままにしておくと、固化してパーティクルの原因となり得るが、これも阻止できる。
なお、この処理液Ｌの供給時間は、予め設定された時間であって、本実施形態では、１０秒である。
次に、予め設定された時間が経過すると、第１のノズル５２及び下部処理液ノズル４８からの処理液Ｌの供給が停止される。そして、第１のノズル移動機構５３により、第１のノズル５２が退避位置に移動される。
図４の（ｅ）に示すように、上カップ３０ａ〜３０ｂが上下駆動機構により上昇し、基板Ｗの回転速度が低速（例えば、１０ｒｐｍ）に回転する。そして、遮蔽板６３が遮蔽板昇降機構６１によって処理液供給位置（図４の（ｆ）中に符号Ｔ２で示す位置）まで下降し、基板Ｗに近接する。この下降とともに、処理液供給ノズル６７から処理液Ｐが基板Ｗの表面に供給される。処理液Ｐの供給は、図４の（ｆ）に示されるように、遮蔽板６３の下降開始と同時に開始しても良いし、下降の途中段階から始めるようにしても良い。
次に、遮蔽機構６０の下降が終了（図４の（ｆ））する。なお、遮蔽機構６０が処理液供給位置Ｔ２に位置づけられた後も、処理液Ｐの供給は、予め設定した時間内（例えば、３秒）で継続される。処理液供給位置Ｔ２は、基板Ｗの表面から遮蔽板６３までの距離が、処理液供給ノズル６７から供給される処理液Ｐが基板Ｗの表面で跳ね返っても、カップ体３０を超えて飛散しない程度の距離となる位置である。なお、処理液Ｐを供給している間も気体供給ノズル７３から気体Ｇの供給が継続される。
基板Ｗに供給された処理液Ｐは、前工程で基板Ｗの表面に供給された処理液Ｌを押し流す。そして、基板Ｗの表面は、処理液Ｌから処理液Ｐに置換される。このとき、押し流された処理液Ｌとともに、供給された処理液Ｐは、回転する基板Ｗの遠心力により、基板Ｗの表面の外周から飛散し、上カップ３０ａの内周面に衝突し、上カップ３０ａの内周面に沿って、排出口３２ａに向けて滴下される。そして、排出管を通じて回収される。
処理液供給位置Ｔ２においての処理液Ｐの供給が終了すると、図４の（ｇ）に示すように、遮蔽板６３は、乾燥処理位置（図４中に符号Ｔ３で示す位置）まで下降し、さらに基板Ｗに近接する。遮蔽板６３が乾燥処理位置Ｔ３に位置づけられると、気体供給ノズル７３から吐出される気体Ｇの流量が増量（例えば、毎分２５０リットル）し、遮蔽板６３と基板Ｗとの間の空間を気体Ｇで満たす。これにより、基板Ｗの表面付近の空気を少なくすることができるので、基板Ｗの表面付近におけるウォータマークの発生の原因となる酸素を遮断することができる。このときの基板Ｗの回転は、高速（例えば、１０００ｒｐｍ）で回転する。これによって、基板Ｗの表面に存在する処理液Ｐが、高速回転により基板Ｗにかかる遠心力で振り切られる。このように基板Ｗの乾燥処理が実行される。基板Ｗの周辺から上カップ３０ａの内周面へ飛散した処理液Ｐは、上カップ３０ａの内周面に沿って、排出口３２ａに向けて滴下される。そして、排気管を通じて回収される。また、基板Ｗの表面に気体Ｇが供給されると同時に、基板Ｗの裏面に向けて、下部気体用ノズル５０から気体Ｇが供給される。乾燥処理は、予め設定された時間内で行われ、例えば、１０秒である。
次に、設定された乾燥処理の時間が経過すると、基板Ｗの回転及び遮蔽板６３の回転が停止され、気体Ｇの供給も停止される。そして、図４の（ｈ）に示すように、上カップ３０ａ〜３０ｃが上下駆動機構により下降し、遮蔽板６３が遮蔽板昇降機構６１により、待機位置Ｔ１まで上昇する。
次に、図４の（ｉ）に示すように、基板Ｗが支持ピン２３による保持が開放され、搬送ロボット７によって、処理室９から搬出される。
以上説明したように、第１の実施形態によれば、基板Ｗの表面に処理液Ｌ及び処理液Ｓを供給しているとき、待機位置Ｔ１において、遮蔽機構６０の遮蔽板６３を回転させるようにした。これにより、基板Ｗの表面に供給された処理液Ｌ及び処理液Ｓが、基板Ｗの表面上での液跳ねにより液滴となって遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面に付着しても、遮蔽板６３の回転による遠心力によって、遮蔽板６３が処理液供給位置Ｔ２に下降する前段階で、吹き飛ばして除去することができる。したがって、乾燥処理のために遮蔽板６３を基板Ｗに近接する時、遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面から基板Ｗの表面に処理液Ｌや処理液Ｓの液滴が落下して付着することを抑制できるので、基板Ｗの品質不良を抑えることが出来る。特に、基板Ｗの被処理面におけるウォーターマークの発生を防止することが出来る。これにより、処理液を用いた基板に対する処理を、良好に行なえることができる。
また、遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面に処理液ＬやＳが付着していない状態で、処理液供給ノズル６７から処理液Ｐ（ＩＰＡ等）が供給される。従って、基板Ｗ上の処理液Ｌを効率よくＩＰＡ等の処理液Ｐに置換処理することができる。
なお、乾燥処理のために遮蔽板６３を基板Ｗに接近させる時、遮蔽板６３の回転を停止しても良い。
［第２の実施形態］
第２の実施形態について図５を参照して説明する。
図５の（ａ）〜（ｅ）に示すのは、遮蔽板６３を洗浄する遮蔽板洗浄工程である。この工程は、基板Ｗの処理が完了し、処理室９から基板Ｗが搬出された後であって、未処理の基板Ｗが処理室９に搬入される前までに行われる。この洗浄板洗浄工程を実施する装置としては、第１の実施形態と同じものを使用することができる。
図５の（ａ）に示すのは、基板Ｗの処理が完了し、上カップ３０ａ〜３０ｃが下降し、遮蔽板６３が待機位置Ｔ１まで上昇し、基板Ｗが搬出される様子である（図４の（ｉ）に示した状態と同じ状態）。
基板Ｗが搬出された後、図５の（ｂ）に示すように、遮蔽板６３が乾燥処理位置Ｔ３まで下降される。その後、図５の（ｃ）に示すように、遮蔽板６３とスピン保持機構２１が回転する。ここで、上カップ３０ａ〜３０ｃが上下動機構に上昇する。下部処理液ノズル４８から、遮蔽板６３の基板Ｗに対向する面（下面）に向けて処理液Ｌが供給される。遮蔽板６３に供給された処理液Ｌは、遮蔽板６３の回転による遠心力により、遮蔽板６３の外周から上カップ３０ａの内周面に飛散し、回収される。
下部処理液ノズル４８からの処理液Ｌの供給が終了すると、図５の（ｄ）に示すように、下部気体用ノズル５０から気体Ｇが遮蔽板６３の下面に向けて供給される。そして、遮蔽板６３の下面に付着した処理液Ｌが、遮蔽板６３の回転と気体Ｇの供給により除去される。これにより、遮蔽板６３の下面を乾燥することが出来る。
下部気体用ノズル５０からの気体Ｇの供給が終了すると、図５の（ｅ）に示すように、遮蔽板６３及びスピン保持機構２１の回転が停止する。さらに、遮蔽板６３が待機位置Ｔ１まで上昇し、上カップ３０ａ〜３０ｃが下降する。
以上説明したように、基板Ｗが処理室９から搬出された後、遮蔽板６３の下面が洗浄、乾燥される。これにより、第１の実施形態と同様な効果を有する。さらに、基板Ｗを処理している間に遮蔽板６３の下面に付着した各処理液の液滴を、洗浄して除去するようにしたので、遮蔽板６３の洗浄度を向上させることができ、処理液を用いた基板に対する処理を、さらに良好に行なえる。
また、本実施形態において、遮蔽板６３の下面の洗浄処理と乾燥処理では、基板Ｗの裏面処理に用いられる、下部処理液ノズル４８と下部気体用ノズル５０を兼用している。これにより、遮蔽板６３の洗浄や乾燥のために専用装置を設ける必要がないから、基板処理装置１の大型化を防止できる。
なお、遮蔽板６３を洗浄する工程は、基板Ｗの搬出ごとに実行するのではなく、所定枚数の基板を処理した後に実行しても良い。
［第３の実施形態］
第３の実施形態について、図６を参照して説明する。なお、第３の実施形態は、第２の実施形態との相違点について説明し、その他の説明を省略する。
図６の（ａ）〜（ｅ）は、第２の実施形態で説明した、遮蔽板６３を洗浄する工程に相当する。なお、第２の実施形態との違いは、図６の（ｃ）における工程において、遮蔽板６３の周縁における側面部の洗浄処理を追加していることである。
図６の（ｃ）に示すように、遮蔽板６３の基板に対向する面（下面）に下部処理液ノズル４８から処理液Ｌが供給される際、制御ユニットは１０ｂは、第１のノズル５２が第１のノズル移動機構５３により、遮蔽板６３の周縁の上方に位置されるように制御する。そして、第１のノズル５２から処理液Ｌが、遮蔽板６３の周縁に向けて供給され、遮蔽板６３の周縁部分にあたる側面部が処理液Ｌにより洗浄される。
以上説明したように、第３の実施形態によれば、第２の実施形態と同様な効果を有する。さらに、処理液Ｌにより、遮蔽板６３の下面だけでなく、側面部も洗浄するようにしている。各処理液の液滴を遮蔽板６３に付着したままにすると、付着した各処理液の液滴の堆積物が析出して、基板Ｗの表面に落下することもある。本実施形態において、遮蔽板６３の側面部を洗浄することで、処理液やＩＰＡ等の堆積物の生成を抑制することができるので、基板Ｗの汚染等による製品不良の発生を抑えることができる。
また、本実施形態において、遮蔽板６３の側面部の洗浄処理では、基板Ｗの表面処理に用いられる第１のノズル５２を兼用している。これにより、遮蔽板６３の側面部の洗浄を行なう場合でも、基板理装置１の大型化を防止できる。
なお、第３の実施形態は、所定枚数の基板を処理した後に実行される。また、第１のノズル５２が遮蔽板６３の周縁の上方に位置して処理液Ｌを供給するだけでなく、第１のノズル５２を揺動させて、遮蔽板６３の上面を洗浄することも可能である。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない程度で、様々な省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
例えば、第１の実施形態と第２の実施形態と第３の実施形態３とを組み合わせるようにしても良い。この場合、複数枚の基板Ｗの処理を継続的に行なう場合において、第１の実施形態、第２の実施形態、第３の実施形態のそれぞれを実行する基板Ｗの処理枚数（設定枚数）を、制御ユニット１０ｂの記憶部に予め設定しておく。そして、制御ユニット１０ｂは、基板Ｗの処理枚数がその設定された枚数に達したことを条件に、各実施形態の動作を実行させる。具体的には、１枚の基板Ｗの処理を行なうたびに第１の実施形態を実施し、第２の実施形態は１０枚ごと、第３の実施形態は１ロット毎に行なうといった態様である。３つの実施形態をすべて組み合わせるのでなく、第１の実施形態と第２の実施形態との組み合わせ、第１の実施形態と第３の実施形態との組み合わせとしても良い。また、設定枚数がゼロとは、実施しないことを意味する。
１…基板処理装置、２１…スピン保持機構、３０…カップ体、４０…裏面ノズルヘッド、５２…第１のノズル、５４…第２のノズル、６０…遮蔽機構、６１…遮蔽板昇降機構、６２…アーム、６３…遮蔽板、６３ａ…ノズル開口、６４…遮蔽板回転機構、６５…遮蔽板保持機構、Ｌ…処理液、Ｐ…処理液、Ｓ…処理液、Ｗ…基板。

Claims (8)

  1. 基板を回転させて洗浄処理する基板処理装置において、
    処理室と、
    前記処理室は、
    基板を保持するスピン保持機構と、
    前記スピン保持機構に保持される前記基板に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
    前記スピン保持機構に保持された前記基板に対向して配置され、前記基板に対して接離方向に移動する遮蔽板と、
    を有し、
    前記遮蔽板を回転させる遮蔽板回転機構と、
    前記遮蔽板を昇降させる遮蔽板昇降機構と、
    制御装置と、
    を有し、
    前記制御装置は、
    前記スピン保持機構に前記基板が保持される位置より上方であって、前記処理室に前記基板が搬入される際に前記基板の搬入を妨げることのない待機位置に、前記処理液が供給されていないときに前記遮蔽板を位置づけ、前記処理液供給ノズルによる前記処理液の供給中は、前記遮蔽板を前記待機位置から移動させずに前記遮蔽板を回転させるように前記遮蔽板回転機構を制御し、
    前記基板が前記処理室から搬出された後に、前記処理液供給ノズルによって、前記遮蔽板の周縁に向けて前記処理液を供給するように制御する
    ことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記遮蔽板は、前記基板に気体を供給する気体供給ノズルを有し、
    さらに前記制御装置は、前記処理液による前記基板の処理が行われている間、前記気体を前記気体供給ノズルから吐出させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. さらに前記制御装置は、前記基板を乾燥させる際に、前記待機位置より下方であって、前記スピン保持機構に前記基板が保持される位置に近接した乾燥処理位置に前記遮蔽板を位置づけて、
    前記気体供給ノズルから吐出させる前記気体の流量は、前記遮蔽板を前記待機位置に位置づけて前記気体供給ノズルから吐出させる前記気体の流量より前記乾燥処理位置の方を増量させることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記基板の裏面に前記処理液と気体をそれぞれ供給する裏面ノズルヘッドが設けられ、前記基板が前記処理室から搬出された後に、前記裏面ノズルヘッドにより前記遮蔽板に前記処理液と前記気体がそれぞれ供給されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 基板を回転させて洗浄処理する基板処理装置において
    処理室と、
    前記処理室は、
    基板を保持するスピン保持機構と、
    前記基板に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
    前記スピン保持機構に保持された前記基板に対向して配置され、前記基板に対して接離方向に移動する遮蔽板と、
    前記基板の裏面に前記処理液と気体をそれぞれ供給する裏面ノズルヘッドと、
    を有し、
    前記遮蔽板を回転させる遮蔽板回転機構と、
    前記遮蔽板を昇降させる遮蔽板昇降機構と、
    制御装置と、
    を有し、
    前記制御装置は、
    前記スピン保持機構に前記基板が保持される位置より上方であって、前記処理室に前記基板が搬入される際に前記基板の搬入を妨げることのない待機位置に、前記処理液が供給されていないときに前記遮蔽板を位置づけるとともに、前記基板の処理枚数が予め設定した第１の設定枚数に達するごとに、前記処理液供給ノズルによる前記処理液の供給中に前記遮蔽板を前記待機位置から移動させずに前記遮蔽板を回転させるように前記遮蔽板回転機構を制御し、
    前記基板の処理枚数が予め設定した第２の設定枚数に達するごとに、前記基板が前記処理室から搬出された後に、前記裏面ノズルヘッドにより前記遮蔽板に前記処理液と前記気体がそれぞれ供給するように制御し、
    前記基板の処理枚数が予め設定した第３の設定枚数に達するごとに、前記基板が前記処理室から搬出された後に、前記処理液供給ノズルによって、前記遮蔽板の周縁に向けて前記処理液を供給するように制御することを特徴とする基板処理装置。
  6. 処理室内で基板を回転させて洗浄処理する基板処理方法において、
    前記基板を前記処理室に搬入、搬出する工程と、
    前記処理室に搬入された前記基板をスピン保持機構に保持させる基板保持工程と、
    前記保持された前記基板に処理液供給ノズルから処理液を供給する処理液供給工程と、
    を有し、
    前記処理液が供給されてないときに、前記スピン保持機構に前記基板が保持される位置より上方であって、前記処理室に前記基板を搬入する際に前記基板の搬入を妨げることのない待機位置に遮蔽板を位置づけ、前記処理液供給ノズルによる前記処理液の供給中は、前記遮蔽板を前記待機位置から移動させずに前記遮蔽板を回転させる遮蔽板回転工程と、
    前記基板が前記処理室から搬出された後、前記遮蔽板に向けて、前記処理液と気体をそれぞれ供給する遮蔽板洗浄工程と、
    を有することを特徴とする基板処理方法。
  7. 前記処理液供給工程において、前記遮蔽板から前記基板に向かって気体を供給することを特徴とする請求項６に記載の基板処理方法。
  8. 前記遮蔽板洗浄工程は、前記遮蔽板の周縁に向けて前記処理液が供給されることを備えることを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
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