TWI647754B - 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題，係防止由基板往固定杯體外飛散之處理液附著於腔室內壁。解決該課題之手段係提供一種基板處理裝置，其具備固定杯體(51)、水霧防護罩(80)以及昇降機構(84)；固定杯體相對於處理容器為固定，且圍繞基板固持部(31)而承接供給至基板的處理液或者處理液的水霧；昇降機構使水霧防護罩昇降。水霧防護罩，以包圍固定杯體的方式設於固定杯體之外側，以隔斷越過固定杯體之上方而往外方飛散的液體。水霧防護罩具有筒狀的筒部(81)以及伸出部(82)，伸出部由筒部之上端朝向固定杯體側伸出。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
本發明係關於藉由對旋轉之基板供給處理液而對基板施行液體處理的技術。
半導體裝置製程，包含化學藥液洗淨處理或濕蝕刻處理等的液體處理。已知有一種作為對半導體晶圓等基板施行此種液體處理的液體處理裝置，其具備：在稱為腔室之處理容器內將基板加以固持的固持部、使半導體晶圓等基板旋轉的旋轉機構、對旋轉之基板供給處理液的噴嘴、以及承接甩出之處理液的杯體。
對基板供給之處理液大多會由杯體回收，但水霧化之處理液會有部分飛散至杯體外側。若此飛散之處理液附著於腔室的內壁，則會在基板周圍形成處理液──特別是化學藥液──所造成的環境氣體，而此環境氣體中之化學藥液成分有時會附著在液體處理中之基板，而導致對基板的污染。再者，若腔室的內 壁有水分附著，則會使基板周圍的濕度上昇，而有可能對基板的乾燥處理造成不良影響。
因此，理想上要儘量防止由基板往杯體外飛散之處理液附著於腔室內壁。
〔習知技術文獻〕
〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2008-53690號公報
本發明係提供一種技術，可以防止由基板往杯體外飛散之處理液附著於腔室內壁。
依本發明之一實施形態，提供一種基板處理裝置，包括：基板固持部，固持基板；至少1個處理液噴嘴，對該基板固持部所固持之基板噴吐出處理液；處理容器，收納該基板固持部與該處理液噴嘴；固定杯體，相對於該處理容器固定，而配置於該基板固持部之周圍，且承接供給至基板的至少是處理液或處理液的水霧；水霧防護罩，以包圍該固定杯體的方式設於該固定杯體之外側，以隔斷越過該固定杯體之上方而往外方飛散的液體；以及昇降機構，使該水霧防護罩昇降至第1高度、及低於該第1高度的第2高度；該水霧防護罩具有筒狀的筒部以及伸出部，該伸出部由該筒部之上部朝向該筒部之內側、而往該固定杯體上方伸出。
依本發明之另一實施形態，提供一種基板處理方法，其所使用之基板處理裝置包括基板固持部，固持基板；至少1個處理液噴嘴，對該基板固持部所固持之基板的頂面噴吐出處理液；處理容器，收納該基板固持部與該處理液噴嘴；固定杯體，相對於該處理容器為固定，且承接供給至配置於該基板固持部之周圍之基板的處理液或處理液的水霧；水霧防護罩，以包圍該固定杯體的方式設於該固定杯體之外側，以隔斷越過該固定杯體之上方而往外方飛散的液體；以及昇降機構，使該水霧防護罩昇降；該水霧防護罩具有筒狀的筒部以及伸出部，該伸出部由該筒部之上端朝向該固定杯體側伸出；該基板處理方法包括以下步驟：在使該水霧防護罩位於第1高度的狀態下，由該噴嘴對該基板固持部所固持之基板供給處理液的步驟；以及在使該水霧防護罩位於低於該第1高度之第2高度的狀態下，乾燥該基板的步驟。
依本發明又一實施形態，提供一種儲存媒體，儲存有電腦程式；在以構成基板處理裝置之控制裝置的電腦執行該電腦程式時，該電腦控制該基板處理裝置的動作，以執行上述基板處理方法。
若依上述之本發明之實施形態，藉由設置具有伸出部的水霧防護罩，可以防止飛越杯體並飛散之處理液附著在處理容器之內壁。
圖1為表示依本實施態樣之基板處理系統的概略構成之圖式。以下，為了使位置關係明確，規定互相垂直的X軸，Y軸及Z軸，並將Z軸正方向定為鉛直向上的方向。
如圖1所示，基板處理系統1包含「搬入出站2」及「處理站3」。搬入出站2與處理站3係鄰接設置。
搬入出站2包含「載體載置部11」及「搬送部12」。在載體載置部11載置複數之載體C，該複數之載體C以水平狀態收納複數片晶圓W。
搬送部12鄰接載體載置部11而設置，於其內部具備「基板搬送裝置13」及「傳遞部14」。基板搬送裝置13具備基板固持機構，用以固持晶圓W。又，基板搬送裝置13能向水平方向及鉛直方向移動，並能以鉛直軸為中心迴旋；使用基板固持機構，在載體C與傳遞部14之間搬送晶圓W。
處理站3係鄰接搬送部12而設置。處理站3包含「搬送部15」及「複數之處理單元16」。複數之處理單元16，係於搬送部15的兩側並列而設置。
於搬送部15的內部，具備「基板搬送裝置17」。基板搬送裝置17具備基板固持機構，用以固持晶圓W。又，基板搬送裝置17能向水平方向及鉛直方向移動，並能以鉛直軸為中心迴旋；使用基板固持機構，在傳遞部14與處理單元16之間搬送晶圓W。
處理單元16，對於由基板搬送裝置17搬送之晶圓W，進行既定的基板處理。
又，基板處理系統1包含「控制裝置4」。控制裝置4例如為電腦，其包含「控制部18」及「儲存部19」。在儲存部19儲存「控制於基板處理系統1中執行的各種處理之程式」。控制部18，藉由讀取並執行儲存於儲存部19的程式，以控制基板處理系統1的動作。
又，關聯的程式，係記錄於可由電腦讀取的儲存媒體，亦可自儲存媒體安裝至控制裝置4之儲存部19。作為可由電腦讀取的儲存媒體，例如包含硬碟（HD）、軟性磁碟（FD）、光碟（CD）、磁光碟（MO）及記憶卡等。
如上述構成之基板處理系統1中，首先，搬入出站2之基板搬送裝置13，從載置於載體載置部11之載體C，將晶圓W取出，並將取出之晶圓W載置於傳遞部14。載置於傳遞部14之晶圓W，係藉由處理站3之基板搬送裝置17，從傳遞部14取出，並向處理單元16搬入。
向處理單元16搬入之晶圓W，在利用處理單元16處理後，藉由基板搬送裝置17從處理單元16搬出，並載置於傳遞部14。然後，載置於傳遞部14之處理完畢的晶圓W，藉由基板搬送裝置13，返回載體載置部11之載體C。
接著，就處理單元16之構成，參照圖2說明。圖2為表示處理單元16的概略構成之圖式。如圖2所示，處理單元16具備：腔室20、基板固持機構30、處理流體供給部40及杯體50。處理流體供給部40對晶圓W供給處理流體。
腔室20，係用以收納：基板固持機構30、處理流體供給部40及杯體50。在腔室20的頂棚部，設有「風機過濾機組（Fan Filter Unit，FFU）21」。風機過濾機組21，於腔室20內形成降流。風機過濾機組21之吹出口的正下方設有整流板22，其形成有許多孔穴（未圖示），而使得在腔室20內的空間流動的降流氣體之分布最佳化。
基板固持機構30包含：固持部31、旋轉軸32及驅動部33。固持部31可以將晶圓W水平固持。驅動部33透過旋轉軸32而使固持部31旋轉，藉此而使固持部31所固持之晶圓W，繞鉛直方向軸線旋轉。
固持部31具有：圓盤狀的基盤31a、設於基盤31a並固持晶圓W之複數的固持要件31b、以及對處理單元16進行晶圓W之搬出入時對離開固持要件31b之晶圓W的底面加以支持的頂針31c。固持要件31b可以由安裝於（可固持／放開晶圓W周緣部的）基盤31a之可動的固持爪、或是固定於基盤31a之固持銷等所構成。
頂針31c係固定於環狀的針板31d，該針板31d係容納在基盤31a之頂面所形成的凹處。針板31d可以藉由未圖示之昇降機構上昇，而舉起晶圓W。可以在已進入腔室20內之基板搬送裝置17的臂體、以及已上昇之針板31d之間，進行晶圓W的傳遞。
以下就杯體（杯形組裝體）50進行詳述。杯體50具備以下功能：回收由晶圓W飛散之處理液，同時控制晶圓W周圍之氣流。杯體50係配置成包圍固持部31，（就幾何學之意義上）大致具有旋轉體之形狀。杯體50係由複數的構成要素所構成。杯體50具有：在最外側之不動的（固定的）排氣杯51、以及在其內側引導處理液用的排液杯52。
再者，第1旋轉杯53及第2旋轉杯54，係安裝於固持部31的基盤31a，而與基盤31a一同旋轉。第1旋轉杯53及第2旋轉杯54承接供給至晶圓W表面（頂面）後而由晶圓W向外方飛散的液體，並引導至斜下方（半徑方向朝外及下方）。第2旋轉杯54還具有引導對晶圓W背面（底面）供給後由而晶圓W向外方飛散的液體之功能。再者，第1旋轉杯53及第2旋轉杯54也具有控制晶圓W周圍之氣流的功能。
排液杯52具有：排液杯本體521、第1可動杯體要件522、以及第2可動杯體要件523。排液杯本體521具有：往大致鉛直方向延伸之外周筒部521a、伸出部521b、底部521c、以及內周部521d。伸出部521b係由外周筒部521a的上端部，朝向晶圓W側延伸。而由底部521c，有2個凸部521e、521f往上方延伸。
在外周筒部521a與凸部521e之間、凸部521e與凸部521f之間、以及凸部521f與內周部521d之間，分別區劃出各自用以承接酸性液、鹼性液、有機液的儲液區522a、522b、522c。儲液區522a、522b、522c各自透過所連接之排液管路523a、523b、523c，而分別連接酸性液用（DR1）、鹼性液用（DR2）、有機液用（DR3的工廠廢液系統。
於凸部521e、521f分別以可上下移動的方式嵌合有第1可動杯體要件522、第2可動杯體要件523。第1可動杯體要件522及第2可動杯體要件523藉由未圖示之昇降機構而昇降。藉由變更第1可動杯體要件522及第2可動杯體要件523的位置，而可以使由晶圓W向外方飛散後受第1旋轉杯53及第2旋轉杯54引導的處理液，分別導向對應之儲液區（522a、522b、522c中之任一個）。
排氣杯51具有：外周筒部511、伸出部512、底部513、以及內周部514。在排氣杯51與排液杯本體521彼此相向的表面之間，形成有排氣通路551。在排氣杯51的底部513設有排氣口552，於此排氣口552連接有排氣導風管（排氣路）553。排氣導風管553連接至減壓環境之工廠排氣系統的工廠排氣導風管（未圖示）（C－EXH）。排氣導風管553途中設有蝴蝶閥或風門等的流量控制閥554。藉由調節流量控制閥554的開度，而可以調節透過排氣通路551而受到抽吸之氣體的流量。又，亦可於排氣導風管553途中設置排射器（ejector）或排氣泵等促進排氣的機器。
接著，就處理流體供給部40進行說明。處理流體供給部40具有供給處理流體（液體或者氣體）之複數的噴嘴。如圖3所示，這些複數的噴嘴包含：噴吐出SC1（Standard Clean 1；標準清潔液1）液的SC1噴嘴411、噴吐出包含去離子水（純水）之液滴與氮氣之雙流體的AS噴嘴412、噴吐出DHF（稀釋氫氟酸）的DHF噴嘴413、噴吐出純水（去離子水）的第1去離子水噴嘴414、噴吐出加溫的IPA（異丙醇）的IPA噴嘴415、朝鉛直方向下方噴吐出氮氣的第1氮氣噴嘴416、朝斜下方噴吐出氮氣的第2氮氣噴嘴417、噴吐出SC2（Standard Clean 2；標準清潔液2）液的SC2噴嘴418、以及噴吐出純水（去離子水）的第2去離子水噴嘴419。
AS噴嘴412係藉由使去離子水匯流至氮氣之氣流以使去離子水「霧化」，並噴吐出包含此霧化之去離子水與氮氣的雙流體。藉由不對AS噴嘴412供給氮氣、而僅供給去離子水，可以僅從AS噴嘴412噴吐出未霧化的去離子水。由IPA噴嘴415，亦可以噴吐出與去離子水具有相溶性、揮發性較去離子水高、並且表面張力比去離子水低的去離子水以外之溶劑。
SC1噴嘴411及AS噴嘴412，係由第1噴嘴臂體421所固持。DHF噴嘴413、第1去離子水噴嘴414及IPA噴嘴415，係由第2噴嘴臂體422所固持。第1氮氣噴嘴416及第2氮氣噴嘴417，係由第3噴嘴臂體423所固持。第1～第3噴嘴臂體421、422、423藉由各自具備的臂體驅動機構431、432、433，而可以繞鉛直軸線迴旋，並且在鉛直方向上昇。各臂體驅動機構431、432、433例如可以具備旋轉馬達（未圖示）作為用以實現上述迴旋功能的迴旋驅動機構、具備氣缸作為用以實現上述昇降功能的昇降機構。
藉由以臂體驅動機構431使第1噴嘴臂體421迴旋，而可以使SC1噴嘴411及AS噴嘴412位於杯體50外方的待機場所441、與晶圓W之中心部Wc正上方之位置之間的任意位置（參照圖3的箭頭M1）。藉由以臂體驅動機構432使第2噴嘴臂體422迴旋，而可以使DHF噴嘴413、第1去離子水噴嘴414及IPA噴嘴415位於杯體50外方的待機場所442、與晶圓W之中心部Wc正上方之位置之間的任意位置（參照圖3的箭頭M2）。藉由以臂體驅動機構433使第3噴嘴臂體423迴旋，而可以使第1氮氣噴嘴416及第2氮氣噴嘴417位於杯體50外方的原位待機場所443、與晶圓W之中心部Wc正上方之位置之間的任意位置（參照圖3的箭頭M3）。
於本說明書，為了便於說明，待機場所（441、442、443）的正上方，亦會稱作對應之噴嘴（411～417）的起始位置；對應之噴嘴（411～417）位於起始位置時，對應之噴嘴臂體（421、422、423）的位置，亦會稱作該噴嘴臂體的起始位置。
藉由臂體驅動機構431所具備之昇降機構，可以使各噴嘴臂體（421、422、423）在低位置LN與高位置HN之間移動（參照圖4）；隨此，可以使以該噴嘴臂體所撐持之噴嘴，在靠近晶圓W之「靠近位置」、以及比靠近位置更遠離晶圓W的「遠離位置」之間移動。
SC2噴嘴418及第2去離子水噴嘴419係固定的固定噴嘴，固定於後述之底板96上。SC2噴嘴418及第2去離子水噴嘴419設置成藉由以預先訂定之流量噴吐出液體，這些噴嘴418、419所噴吐出之液體就會以拋物線軌跡噴出，並落在晶圓W的中心部Wc。
圓筒體450在旋轉軸32之內部，沿著上下方向延伸。圓筒體450設置成即使旋轉軸32旋轉，圓筒體450也不會旋轉。於圓筒體450的內部，有1個或者複數的處理流體供給路451（於圖2中僅繪示1個）沿著上下方向延伸。處理流體供給路451之上端開口，構成用以供給處理流體的底面噴嘴452。由此底面噴嘴452，可以對晶圓W之背面（底面），供給例如作為沖洗液或者吹洗液的去離子水、乾燥氣體、或者作為吹洗氣體的氮氣。於下文的說明中，不會針對此底面噴嘴452進行敍述。
對於各噴嘴（411～419、452），係由對應之處理流體供給源（例如貯存SC1、DHF等化學藥液的供給槽、提供作為工廠資源之純水．氮氣等的供給源等各種供給部的任何一種（未圖示）），透過對應之處理流體供給機構（未圖示），而供給上述處理流體中的任一種。處理流體供給機構，可以由連接各噴嘴（411～419、422）及對應之處理流體供給源的供給管路，以及於此供給管路途中設置之開閉閥、流量控制閥等的流量控制機器等所構成。
由處理液噴嘴（SC1噴嘴411、AS噴嘴412、DHF噴嘴413、第1去離子水噴嘴414、SC2噴嘴418、第2去離子水噴嘴419等）對旋轉之晶圓W所供給的處理液，藉由處理液對晶圓W表面衝撞（若從2個以上的噴嘴同時對晶圓W表面供給液體之情況，則同時也藉由液體彼此之衝撞）、或著藉由以離心力而從晶圓甩出，而成為微小之液滴並飛散。此飛散之液滴若附著在腔室20的內壁面、或腔室20內的裝置構成零件，就會產生於［先前技術］之處所述的問題。
為了防止或是至少大幅抑制飛散之處理液到達腔室20的內壁面，在杯體50的更外側，設有水霧防護罩80。
水霧防護罩80具有：外周筒部81及伸出部82，該伸出部82係由該外周筒部81之上端部朝向外周筒部81之（半徑方向）內側延伸，並朝向排氣杯51之上方伸出。伸出部82的前端部之底面，設有朝下方突出之突起83。
水霧防護罩80係藉由昇降機構84（參照圖3）昇降，可以採取三個不同的高度位置，亦即高位置HG（於圖2係以一點鏈線繪示）、低位置LG（於圖2係以實線繪示）及中間位置MG（於圖2係以二點鏈線繪示）（同時參照圖4）。昇降機構84，如圖3之概略繪示，可以係由例如三個位置的氣缸84a所構成。水霧防護罩80具有從外周筒部81朝外側伸出的凸緣部85，此凸緣部85連接位於其下方之氣缸84a的桿體84b，而水霧防護罩80就隨著桿體84b之進退而昇降。昇降機構84亦可係藉由以旋轉馬達驅動之直接傳動機構、或是線性馬達所構成。在此情況，水霧防護罩80可以固定在任意之高度位置。
圖5繪示在高位置之水霧防護罩80。水霧防護罩80在位於高位置HG時，係能最有效防止噴嘴（SC1噴嘴411、AS噴嘴412、DHF噴嘴413、第1去離子水噴嘴414、SC2噴嘴418、第2去離子水噴嘴419等）對旋轉之晶圓W供給後而由晶圓W飛散之處理液（於圖5係以虛線箭頭表示）到達腔室20內壁的位置。水霧防護罩80之高位置HG的理想高度，由於隨晶圓W之轉速、對晶圓W表面上供給處理液之條件（流量等）而異，因此係經實驗而定為佳。作為一例，位於高位置HG之水霧防護罩80的最上部高度，較晶圓W的表面高度高出60mm。在水霧防護罩80位於高位置HG時，如圖4（a）所示，其所在位置，會使前述靠近位置之噴嘴（對應噴嘴411～417中之任一個。於圖4標記參照符號N。）之噴吐口（於圖4標記參照符號NP）低於水霧防護罩80之伸出部82的內周端緣，且對應該噴嘴N之噴嘴臂體（對應421、422、423中之任一個。於圖4標記參照符號A。）會較伸出部82位於更上方。又，水霧防護罩80之高位置HG的適當高度，由於隨晶圓W之轉速、對晶圓W表面上供給處理液之條件（流量等）而異，因此係因應該等條件以決定高位置HG的高度為佳。
於圖6，繪示位在低位置LG之水霧防護罩80。低位置LG係水霧防護罩80所能採取的下限位置，此時水霧防護罩80之伸出部82的突起83，會與排氣杯51之伸出部512的頂面相接。也就是說，水霧防護罩80與排氣杯51彼此相向之表面之間的空間，係與晶圓W附近之「晶圓W上方空間」隔離。再者，在水霧防護罩80位於低位置LG時，從晶圓W上方空間朝向位於腔室20之周緣部的排氣口（後述之狹縫狀開口97）之氣流（於圖5係以實線箭頭繪示），就不會受到水霧防護罩80阻礙。
水霧防護罩80之中間位置MG，係在前述高位置HG與低位置LG間之中間高度。於圖5，以鏈線繪示位在中間位置MG之水霧防護罩80。水霧防護罩80位於中間位置MG時，水霧防護罩80的伸出部82係偏往上方地離開排氣杯51之伸出部512，（雖程度不若位於高位置HG時那般）可以一定程度抑制從晶圓W飛散之處理液到達腔室20的內壁。再者，在水霧防護罩80位於中間位置MG時，如圖4（b）所示，噴嘴N（位於前述離開位置）的噴吐口NP位在高於水霧防護罩80之伸出部82的內周端緣的位置，噴嘴N可以在不干涉水霧防護罩80的情況下，越過水霧防護罩80上方，而在位於晶圓W面內上方的位置、以及上述待機位置之間，移動自如。
如前文所述，由於各臂體驅動機構（431、432、433）包含昇降機構，所以在使水霧防護罩80位於中間位置MG時，使噴嘴臂體（421、422、423）上昇到高位置HN，而可以使對應之噴嘴，能在水霧防護罩80上方保持充份之淨空間隙（沒有干渉之虞）地通過。也就是說，藉由在臂體驅動機構設置昇降機構，而可以使水霧防護罩80的中間位置MG設定得較高，可以抑制在水霧防護罩80位於中間位置MG時，對晶圓W供給之處理液越過水霧防護罩80而飛散的情形。再者，可以在水霧防護罩80位於高位置HG而由噴嘴對晶圓W供給處理液時，使噴嘴之噴吐口充分地靠近晶圓W的表面，而可以降低處理液在晶圓W表面上之濺起。
又，使水霧防護罩80位於中間位置MG時，如上所述，較佳係使噴嘴臂體（421、422、423）上昇至高位置HN，但即使繼續維持在低位置LN亦無妨。
如圖7所示，於水霧防護罩80之外周筒部81，形成有通液開口86；該通液開口86之位置係：當水霧防護罩80位於高位置時，SC2噴嘴418及第2去離子水噴嘴419所噴吐出之液體的軌跡所通過之位置上。
如圖2所示，在排氣杯51之外周筒部511的外側，設有收納水霧防護罩80之外周筒部81的圓筒狀之防護凹穴90（guard pocket；水霧防護罩收納部）。防護凹穴90係由排氣杯51之外周筒部511的外周面、與外周筒部511相向之圓筒狀的鉛直壁（縱壁）91、以及底壁92所區劃出。於底壁92，係在圓周方向上等間隔地形成複數之排出口93（於圖3僅繪示1個）。於排出口93，連接著排出管94（排出管路）。
由構成防護凹穴90之鉛直壁91，朝向大致水平方向外側，設有底板96；其區劃出形成在腔室20內之處理空間的下限。底板96環繞水霧防護罩80的整圈。也就是說，底板96設有直徑稍微大於水霧防護罩80之外周筒部81的外形之開口（對應鉛直壁91），而水霧防護罩80及杯體50就收納在此開口內。底板96係由上述開口，延伸直到腔室20的側壁20a。
底板96之局部，係在接近腔室20之側壁20a處終結，藉此而在底板96的外側端96a與腔室20的側壁20a之間形成狹縫狀開口97。於底板96下方，形成排氣空間98，用以排出腔室20內之空間（處理空間）的環境氣體。排氣空間98係由底板96、腔室20之側壁20a、底壁20b等的壁體、以及鉛直壁91所區劃出。
如圖3所示，腔室20具有4個側壁20a；沿著其中的3個，分別各設有1個狹縫狀開口97。這3個狹縫狀開口97，連接共通的1個排氣空間98。剩下的1個側壁20a，由於設有具備用以對腔室20內搬出入晶圓W的閘門25之搬出入口24，因此在此不設置狹縫狀開口97。
如圖2所示，於腔室20中之面向排氣空間98的底壁20b，設有排氣口99。於排氣口99，連接排氣管100（排氣管路）。排出管94會匯流至排氣管100。在合流點之下游側，於排氣管100途中設置水霧捕集器（氣液分離部）101及流量控制閥102，該流量控制閥102係蝴蝶閥或者風門等。於排氣管100的下游端，連接係減壓環境的工廠排氣系統之導風管（未圖示）。藉由調節流量控制閥102的開度，可以調整排氣空間98及防護凹穴90內的減壓程度，其結果，可以調節從腔室20內的空間引進到排氣空間98內之氣體的流量，並且可以調節從晶圓W上方空間引進到防護凹穴90內之氣體的流量。
底板96的頂面和緩地傾斜成：越接近腔室20之側壁20a，高度越變低。底板96的頂面係平滑且平坦。如前文所述，於底板96的頂面，除了設有SC2噴嘴418及第2去離子水噴嘴419之部分、以及設有必需之感測器類及輔助機構類的部分以外，實質上並無凹凸，而使氣體能在底板96附近，順利地流向狹縫狀開口97。又，維修時在洗淨腔室20內部時，洗淨液會透過狹縫狀開口97而順利地流入排氣空間98。
位於高位置之水霧防護罩80的外周筒部81下端，如圖5所示，係比起防護凹穴90的上端，稍微位於上方。依據發明者的實驗，在水霧防護罩80位於高位置HG時，處理液之液滴幾乎不會衝撞外周筒部81之下端附近，而大多數的液滴是衝撞到水霧防護罩80的較高位置。因此，若使外周筒部81的下端低於防護凹穴90的上端，則幾乎沒有任何益處。不如使外周筒部81的下端高於防護凹穴90的上端，還能得到以下益處：水霧防護罩80之伸出部82與排氣杯51之伸出部512之間的空間內的環境氣體（氣體、水霧等），會順利地流入狹縫狀開口97或者防護凹穴90內，而可以更確實地防止源自化學藥液的環境氣體或高濕度環境氣體（包含水霧）滯留在晶圓W上方的空間。
如圖8所示，在排氣杯51之伸出部512的頂面，於伸出部512之圓周方向上，等間隔地配置複數（例如4個）之「洗淨液噴吐噴嘴110」，其噴吐出用以洗淨水霧防護罩80之內面的洗淨液，例如去離子水。於圖8繪示4個洗淨液噴吐噴嘴110之中的一個。
在水霧防護罩80位於係下限位置之低位置LG時，由洗淨液供給部所供給之洗淨液，會由洗淨液噴吐噴嘴110朝向水霧防護罩80之伸出部82的底面噴射。由於伸出部82的底面，傾斜成隨著往水霧防護罩80之半徑方向內側深入而變高，因此噴射出之洗淨液會沿著伸出部82的底面而朝斜上方前進。此時，由於突起83與排氣杯51之伸出部512的頂面相接，因此洗淨液不會前進到比突起83更深入的地方。因此，由洗淨液噴吐噴嘴110所噴射之洗淨液，會填滿排氣杯51與水霧防護罩80之彼此相向之表面之間的空間。一旦停止從洗淨液噴吐噴嘴110噴吐出洗淨液，則由於伸出部512的頂面516係傾斜成隨著朝半徑方向內側深入而變高，因此洗淨液會朝向防護凹穴90往下流。藉由上述之洗淨液的水流，而洗淨排氣杯51與水霧防護罩80彼此相向之表面。洗淨液會透過排出管94而由防護凹穴90排出，並流入水霧捕集器101，而透過與水霧捕集器101連接之排水管，流出至工廠廢液系統。
除了上述洗淨液噴吐噴嘴110以外，也可以設置用以自動洗淨杯體50內部及附近構件之洗淨液噴嘴，不過在本說明書不針對該等噴嘴加以敍述。
接著，就上述處理單元16之運轉時序之一例，進行說明。下文中之運轉時序係藉由儲存在控制裝置4之儲存部19的製程配方及控制程式，而在控制裝置4的控制下，自動執行。
首先，基板搬送裝置17之臂體經過搬出入口24，而將晶圓W搬入腔室20內，就由基板固持機構30之固持部31固持晶圓W。待基板搬送裝置17之臂體由腔室退出後，關閉閘門25。於搬入晶圓W時，水霧防護罩80係位於低位置。之後，就對此晶圓W進行一連串處理。在此，針對對於晶圓W依序進行DHF洗淨步驟、去離子水沖洗步驟、SC1洗淨步驟、去離子水沖洗步驟、IPA置換步驟、乾燥步驟之情形，進行說明。
［DHF洗淨步驟］ 首先，第2噴嘴臂體422迴旋（參照圖3的箭頭M2），DHF噴嘴413、第1去離子水噴嘴414及IPA噴嘴415，越過位於低位置LG之水霧防護罩80（參照圖4（c））上方，而移位至晶圓W之中心部的正上方（參照圖9（a））。接著，水霧防護罩80上昇，而移位至高位置HG（參照圖4（a）、圖5）。接著，晶圓W開始旋轉。晶圓W之旋轉，係持續到對晶圓W所進行之一連串處理完成為止。對於旋轉之晶圓W之中心部，由DHF噴嘴413供給DHF。DHF會由於離心力，而在晶圓W表面上，朝向晶圓W周緣流動，並以DHF之液膜覆蓋晶圓W之整個表面，使晶圓W之表面受到DHF處理。
由晶圓W飛散之處理液（在此係DHF），其絶大部分係通過第1、第2旋轉杯53、54之間，而往斜下方流動。其後，處理液會依處理液之種類（酸性、鹼性、有機），而對應預先訂定之第1及第2可動杯體要件522、523的位置，而流入液體通路525a、525b、525c中之任一條（入口開啟者），接著再流入儲液區522a、522b、522c中之任一處，並透過排液管路523a、523b、523c中之任一條，而廢棄至工廠廢液系統。又，關於上述之處理液水流，由於在對晶圓W表面供給處理液之步驟，係全部共通，因此就省略此後之步驟中的重複說明。
由晶圓W飛散之處理液，會有一部分越過排氣杯51之伸出部512的上方，而欲朝向腔室20之側壁20a。此種處理液之液滴的絶大多數，會衝撞到位於高位置水霧防護罩80之內面而受到捕捉。因此，使處理液的液滴附著在腔室20之側壁20a的情形，受到防止、或抑制在最小限。由水霧防護罩80所捕捉之液體，會附著在水霧防護罩80的內面上、或是因重力而沿著水霧防護罩80的內面朝下方流走。
至遲會在開始對晶圓W供給最初之處理液（在此係DHF）時（通常在基板處理系統1進行一般運轉時係一直），由風機過濾機組21對腔室20之內部空間——亦即處理空間——內，朝下吹出清淨空氣。此清淨空氣之氣流係由整流板22加以整流，並朝向晶圓W。
至遲會在開始對晶圓W供給最初之處理液時，透過排氣導風管553而使排氣通路551內的氣體排出；因此會從排氣杯51之伸出部512的前端、與排液杯52之伸出部521b的前端之間的間隙，抽吸靠近晶圓W之晶圓W上方空間的環境氣體（參照圖5的實線箭頭）。經過排氣導風管553的排氣流量，在晶圓W搬入腔室20內後、到搬出為止，會一直維持在固定。因此，一方面對晶圓W上方之空間供給風機過濾機組21所供給之清淨空氣，另一方面將晶圓W上方之空間內的環境氣體引入排氣通路551內。藉此而使靠近晶圓W之晶圓W上方空間的環境氣體，維持清淨。
於本實施形態，不會使液體通路525a、525b、525c進行排氣（抽吸）。也就是說，由靠近晶圓W之晶圓W上方空間流入杯體50內的氣體，不會流入液體通路525a、525b、525c，而會全部流入排氣通路551。液體通路525a、525b、525c之剖面形狀不可能彼此相同，液體通路525a、525b、525c之流路阻抗會彼此不同。在抽吸液體通路525a、525b、525c的情況下，會由於此流路阻抗之相異，而對應開放中之液體通路，使得由靠近晶圓W之晶圓W上方空間流入杯體50內之氣體流量不同。於本實施形態並不會發生此種問題，在靠近晶圓W之晶圓W上方空間的氣體流動，不論使用於處理之處理液種類為何，皆維持固定。此有助於提昇處理的平均性。
至遲會在開始對晶圓W供給最初之處理液時，透過排出管94及排氣管100而使防護凹穴90的內部空間及排氣空間98受到抽吸（排氣）。此排氣係由晶圓W搬入腔室20內、一直維持到搬出為止。藉由此排氣，而使存在於比底板96更為上方之水霧防護罩80與腔室20之側壁20a之間的空間、以及存在於水霧防護罩80之伸出部82與排氣杯51之伸出部512之間的空間之環境氣體（氣體、水霧等），吸入防護凹穴90內，或是透過狹縫狀開口97而吸入排氣空間98內（參照圖5及圖6的實線箭頭）。藉此而可以防止具污染性或者高濕度之環境氣體滯留在上述之空間。
由於重力而沿著水霧防護罩80之內面流往下方的液滴，會滴落到防護凹穴90內，並流經排出管94及排氣管100，而由水霧捕集器101的排洩口103，排出至未圖示之工廠廢液系統。
［去離子水沖洗步驟（第1回）］ 待DHF洗淨步驟結束後，會在使水霧防護罩80維持在高位置HG的狀態下，開始從第1去離子水噴嘴414噴吐出去離子水，同時在其後馬上停止從DHF噴嘴413噴吐出DHF。藉由此去離子水，會洗去殘留在晶圓W上的DHF與反應生成物。
［SC1洗淨步驟］ 由去離子水沖洗步驟移轉至SC1洗淨步驟之際，首先於一開始進行噴嘴臂體的更換（參照圖9（a）～（c））。在第1去離子水噴嘴414持續噴吐出去離子水的狀態下（亦可在不發生晶圓W表面的去離子水液膜切斷的範圍內，減少噴吐流量），下降水霧防護罩80，使其位於中間位置MG；更進一步地，上昇噴嘴臂體421、422，使其位於高位置HN（參照圖4（b））。接著，使第1噴嘴臂體421迴旋，使AS噴嘴412移位至晶圓W之中心部的正上方。此時，使位在第1噴嘴臂體421前端部的噴嘴、與位在第2噴嘴臂體422前端部的噴嘴彼此不衝撞的狀態下，而在SC1噴嘴411就要到達晶圓W之中心部的正上方之際，開始在使第2噴嘴臂體422的第1去離子水噴嘴414持續噴吐出去離子水的狀態下，使第2噴嘴臂體422進行退避迴旋，亦即朝向第2噴嘴臂體422之起始位置移動（參照圖9（b））。再者，在AS噴嘴412到達晶圓W之中心部的正上方的稍微之前的時間點，開始由AS噴嘴412噴吐出去離子水。又，此時係在不使用AS噴嘴412的雙流體產生功能的情況下（亦即不對AS噴嘴412供給氮氣），而從AS噴嘴412進行未霧化之去離子水的噴吐出。在AS噴嘴412開始對晶圓W之中心部供給去離子水後，停止從第1去離子水噴嘴414噴吐出去離子水。待AS噴嘴412位於晶圓W之中心部的正上方、第1去離子水噴嘴414回到起始位置後（參照圖9（c）），就上昇水霧防護罩80而使其位於高位置HG；更進一步地，使第1噴嘴臂體421位於低位置LN（參照圖4（a））。
如此這般，藉由使在AS噴嘴412對晶圓W中心部附近供給去離子水的期間、與第1去離子水噴嘴414對晶圓W中心部附近供給去離子水的期間重複，而可以防止由於去離子水的液膜有部分從晶圓W表面消失，導致晶圓W表面之局部曝露在大氣下的情形（此係造成水漬、微粒的原因）。只要能達成此效果，則可於任意時間點開始由AS噴嘴412噴吐出去離子水、及停止由第1去離子水噴嘴414噴吐出去離子水。
又，水霧防護罩80位於中間位置MG時，相較於位於高位置HG時，水霧防護罩80之液滴飛散阻斷機能較為低落。因此，為了減少液滴從晶圓W飛散的量、飛散的高度等，較佳係採取如下對策：減少晶圓W的旋轉速度、及／或減少來自AS噴嘴412及第1去離子水噴嘴414的去離子水噴吐流量（在不使晶圓W的表面露出之範圍內）、儘量縮短AS噴嘴412與第1去離子水噴嘴414同時噴吐出去離子水的時間（因為不同噴嘴所噴吐出之液體在晶圓W上衝撞，則容易導致噴濺）等。
接著，開始由SC1噴嘴411對晶圓W中心部供給SC1，緊接在這之後就停止從AS噴嘴412噴吐出去離子水。藉由以預先訂定之時間的長度對晶圓W供給SC1，以對晶圓W施行SC1洗淨。此時由晶圓W飛散之處理液的液滴，亦由水霧防護罩80所捕捉。由於實施SC1洗淨步驟時的排氣動作，與實施DHF洗淨步驟時相同，故省略重複說明。
［去離子水沖洗步驟（第2回）］ 待SC1洗淨步驟結束，就使水霧防護罩80維持在高位置HG，而開始由AS噴嘴412噴吐出去離子水，同時緊接在這之後停止由SC1噴嘴411噴吐出SC1。藉由此去離子水，而洗去殘留在晶圓W的SC1與反應生成物。
［IPA置換步驟］ 由去離子水沖洗步驟（第2回）移轉至IPA置換步驟之際，首先於一開始進行噴嘴臂體的更換。在AS噴嘴412持續噴吐出去離子水的狀態下（亦可在不發生晶圓W表面的去離子水液膜切斷的範圍內，減少噴吐流量），下降水霧防護罩80，使其位於中間位置MG；更進一步地，上昇噴嘴臂體421、422，使其位於高位置HN（參照圖4（b））。接著，使第2噴嘴臂體422迴旋，使第1去離子水噴嘴414移位至晶圓W之中心部的正上方。此時，使位在第1噴嘴臂體421前端部的噴嘴、與位在第2噴嘴臂體422前端部的噴嘴彼此不衝撞的狀態下，而在第1去離子水噴嘴414就要到達晶圓W之中心部的正上方之際，開始在使第1噴嘴臂體421的AS噴嘴412持續噴吐出去離子水的狀態下，使第1噴嘴臂體421進行退避迴旋，亦即朝第1噴嘴臂體421之起始位置移動（參照圖9（d））。再者，在第1去離子水噴嘴414到達晶圓W之中心部的正上方的稍微之前的時間點，開始由第1去離子水噴嘴414噴吐出去離子水。又，此時係在第1去離子水噴嘴414開始對晶圓W之中心部供給去離子水後，停止從AS噴嘴412噴吐出去離子水。
接著，在圖9（d）的狀態下，開始由IPA噴嘴415噴吐出IPA，同時緊接在這之後，停止由第1去離子水噴嘴414噴吐出去離子水。在IPA之開始噴吐之同時、或是在其稍後，下降水霧防護罩80並使其位於低位置LG。藉由所供給之IPA而置換掉晶圓W表面上的去離子水，使晶圓W表面由IPA液膜所覆蓋。
［乾燥步驟］ 待第1噴嘴臂體421回到起始位置後，使第3噴嘴臂體423迴旋，而使第1氮氣噴嘴416移位至晶圓W之中心部的正上方。待第1氮氣噴嘴416靠近晶圓W之中心部的正上方，就在繼續由IPA噴嘴415噴吐出IPA的狀態下，同時使第2噴嘴臂體422開始朝向起始位置（朝向晶圓W的周緣部）移動。當第1氮氣噴嘴416移位到達晶圓W之中心部的正上方時，就開始從第1氮氣噴嘴416噴吐出氮氣。接著，開始從第2氮氣噴嘴417噴吐出氮氣，並使第3噴嘴臂體423朝向起始位置（朝向晶圓W的周緣部）開始移動（參照圖9（f））。
控制第1噴嘴臂體421及第3噴嘴臂體423的迴旋運動，以使從IPA噴嘴415噴吐出之IPA在晶圓W表面上的衝撞位置，維持在比第2氮氣噴嘴417噴吐出之氮氣在晶圓W表面上的衝撞位置，還要更偏向晶圓W之半徑方向外側。藉此，由第2氮氣噴嘴417噴吐出之氮氣，會將IPA液膜推向晶圓周緣方向，而在晶圓W表面形成之圓形的乾燥領域，就會由中心部朝向周緣部逐漸地擴大。在IPA噴嘴415通過晶圓W周緣後，於第2氮氣噴嘴417通過晶圓W周緣的時間點，晶圓W的整個表面就會乾燥。至此，就結束乾燥步驟。噴嘴臂體421、423會各自回到起始位置，在該處待機。
於此乾燥步驟，水霧防護罩80係位於低位置LG。因此，從晶圓W上方的空間朝向狹縫狀開口97之氣流，不會受到水霧防護罩80干擾。藉此以防止或減緩前一步驟飛散之去離子水的水霧或蒸氣，滯留在晶圓W上方空間的情形。因此可以使晶圓W上方空間維持在低濕度，而可以提昇乾燥效率。又，即使IPA飛散而附著在腔室20之側壁20a，由於高揮發性之IPA會在短時間內蒸發而作為氣體排出至腔室20外部，因此不會對腔室20內的環境氣體造成不良影響。
又，在實施乾燥步驟的期間，藉由先前參照圖8所說明過的程序，而對位於低位置LG之水霧防護罩80進行洗淨處理，以去除附著在水霧防護罩80表面（晶圓W側之面）的化學藥液成分。
乾燥步驟結束後，藉由與搬入時相反的程序，將處理完畢的晶圓W搬出至腔室20外部。
又，雖不含在上述運轉時序中，但如圖7所示，亦可在運轉時序包含以下步驟：在使水霧防護罩80位於高位置HG之狀態下，由SC2噴嘴418對晶圓W之中心部供給SC2液以進行SC2洗淨，之後從第2去離子水噴嘴419對晶圓W之中心部供給去離子水，以進行沖洗處理。
依據上述實施形態，藉由設置可昇降之水霧防護罩80，而藉著以上昇之水霧防護罩80隔斷飛散之化學藥液成分或水分，可以有效地防止化學藥液成分或水分附著在腔室20的內壁面、或腔室內機器。再者，由於水霧防護罩80具有伸出部82，因此可以更為提昇上述隔斷效果。再者，藉由預先使水霧防護罩80下降，而使例如乾燥時晶圓W上方之環境氣體的排氣不會受到水霧防護罩80干擾，因此可以提昇乾燥效率。
於上述實施形態中，位於高位置HG之水霧防護罩80的外周筒部81下端部係在防護凹穴90外，但亦可係在內。在此情況，如圖10所示，可以在外周筒部81下端部設置通氣開口87。較佳係於水霧防護罩80的圓周方向上，隔著間隔設置複數個沿著水霧防護罩80的圓周方向延伸之通氣開口87。藉由設置通氣開口87，可以使氣體由水霧防護罩80之晶圓側的空間，通到腔室20之側壁20a，而流入狹縫狀開口97。
於上述實施形態中，排氣杯51係構成杯體50之最外周的不動的杯形構成要素，但並不限定於此。亦可由杯體50去除排氣杯51，而使排液杯52成為構成杯體50之最外周的不動的杯形構成要素。在此情況，水霧防護罩80係設置成鄰接排液杯52的外側。在此情況之排液杯52與水霧防護罩80間的位置關係，可將圖4中之排氣杯51視作排液杯（52）來理解。又，在此情況，例如構成排液管路523a、523b、523c的配管，亦具備作為排氣管路而連接工廠排氣系統（或抽吸泵、抑或是抽射器等的抽吸裝置）的功能。在此情況，於排氣管路設置水霧捕集器等的氣液分離裝置，而水霧捕集器所分離出之液體就廢棄至例如工廠廢液系統。
參照圖11，針對水霧防護罩80的洗淨處理，就其他實施形態進行說明。於圖11中，對於與已參照圖1～圖10說明過的構件相同之構件，標註同一符號，並省略重複說明。
圖11所示之水霧防護罩80A，相對於圖8所示之水霧防護罩80，係在伸出部82底面設置環狀（圓環狀）之間隙形成部823（往下方突出之部分）這一點有所不同。間隙形成部823係由水霧防護罩80A之外周筒部81的內周面，朝向半徑方向內側延伸。藉由設置此間隙形成部823，間隙形成部823之底面、以及與此相向之排氣杯51之伸出部512的頂面之間的間隙G1，會比水霧防護罩80A之未設有間隙形成部823的部分（較間隙G1更靠近半徑方向內側）、以及與此相向之排氣杯51之伸出部512的頂面之間的間隙G2，還要來得窄。
間隙G1之大小，較佳係使其數值設成：再大也要係可以使後述洗淨液在間隙G1之全體區域擴散之程度，然而再小也要係洗使淨液不易從間隙G1流出之程度，例如0.1～0.5mm左右。
間隙形成部823，係橫亙於水霧防護罩80A之伸出部82的整圈，而在圓周方向上連續性地延伸。在間隙形成部823之底面，形成有複數的徑向溝824，用以將「洗淨液噴吐噴嘴110」所供給之洗淨液，引導至間隙G2。徑向溝824之溝底面（溝的上端面）及與此相向之排氣杯51之伸出部512的頂面之間的間隙，較間隙G1寬。徑向溝824係朝向半徑方向內側延伸，而與間隙G2連通。徑向溝824設置成與洗淨液噴嘴110相同數量。洗淨液噴嘴110係在與徑向溝824相向之位置上，設於伸出部512，並朝向徑向溝824供給洗淨液。徑向溝824並不需要嚴密地朝徑向延伸，即使相對於徑向係構成角度而延伸亦無妨。
在環狀之間隙形成部823的底面，形成有圓周溝825，其係在圓周方向上，橫亙水霧防護罩80A之整圈而延伸。此圓周溝825與所有的徑向溝824交叉，並與所有的徑向溝824連通。圓周溝825之半徑方向位置，比洗淨液噴吐噴嘴110更為靠近半徑方向內側。
就設置間隙形成部823、徑向溝824、圓周溝825之效果，於下文進行說明。
如圖11所示，使水霧防護罩80A位於前述之低位置LG，並由洗淨液噴吐噴嘴110噴吐出作為洗淨液的去離子水。由各洗淨液噴吐噴嘴110噴吐出之洗淨液，通過對應之徑向溝824，而流入間隙G2內。
此時，使洗淨液噴吐噴嘴110所噴吐出之洗淨液的流量，多於通過間隙G1而流出至防護凹穴90內的洗淨液的流量。因此，能以洗淨液填滿間隙G2整圈。此時，由於位在水霧防護罩80A之伸出部82的內周端緣之突起83的底面，係與排氣杯51之伸出部512的頂面相接，因此洗淨液幾乎不會從突起83的底面與伸出部512的頂面之間漏出。因此，可以平均地以洗淨液填滿間隙G2內的圓周方向全體區域。
突起83的底面，亦可不與伸出部512的頂面相接。在此情況下，只要使洗淨液噴嘴110所噴吐出之洗淨液的流量，多於通過間隙G1而流出至防護凹穴90內的洗淨液的流量、以及從突起83與伸出部512的頂面之間的間隙流出之洗淨液的流量之合計即可。
在徑向溝824內流動之洗淨液，也會流入圓周溝825，而在圓周方向擴散開來。一旦間隙G2、徑向溝824及圓周溝825填滿了洗淨液，則洗淨液也會朝狹窄的間隙G1內進一步擴散。水霧防護罩80A之伸出部82的底面與排氣杯51之伸出部512的頂面之間的空間的全體區域（亦即間隙G1＋G2），會填滿洗淨液。而原本附著在伸出部82的底面及伸出部512的頂面之化學藥液及反應生成物等附著物，就會溶入該洗淨液。溶入洗淨液的附著物，會與洗淨液一同排出至防護凹穴90內。如此一來，就可以洗淨水霧防護罩80A的表面（晶圓W側之面）。
其後，一使水霧防護罩80A上昇，則存在於水霧防護罩80A之伸出部82的底面與排氣杯51之伸出部512的頂面之間的空間的洗淨液，會沿著係傾斜面之伸出部512的頂面，而流入防護凹穴90內。至此即完成洗淨。亦可反覆上述之洗淨操作。
依據圖11之實施形態之中的上述構成，能毫不遺漏地以洗淨液填滿水霧防護罩80A之伸出部82的底面與排氣杯51之伸出部512的頂面之間的空間，而可以毫無不均地洗淨伸出部82的底面及伸出部512的頂面之洗淨對象面的全體區域。
於上述實施形態中，係於間隙形成部823形成徑向溝824，但亦可無徑向溝824。在此情況，如圖12所示，洗淨液噴吐噴嘴110B係在比水霧防護罩80B之間隙形成部823B更靠近半徑方向內側之位置，設於排氣杯51之伸出部512。藉由洗淨液噴吐噴嘴110B所供給之洗淨液，能以洗淨液填滿間隙G2之整圈。再者，也能以洗淨液填滿間隙形成部823的底面與伸出部512的頂面之間的間隙G1之整圈。溶入洗淨液之附著物，就會與洗淨液一同排出至防護凹穴90B內。如此一來，就可以洗淨水霧防護罩80B的表面（晶圓W側之面）。
於圖11所示之SC2噴嘴418，亦即固定噴嘴之周圍，設有外罩60。外罩60係固定於底板96。外罩60之朝向水霧防護罩80A那一邊的正面61，形成有開口62。透過此開口62，可以從外罩60所覆蓋之SC2噴嘴418，對晶圓W噴吐出SC2液（處理液）。
水霧防護罩80A之外周筒部的最上部，亦即伸出部82的頂面之最外周部，設有隔斷構件88。隔斷構件88可以係與水霧防護罩80A一體不可分的構件，亦可係與水霧防護罩80A分別製造後再固定於水霧防護罩80A的構件。當水霧防護罩80A位於低位置LG時，隔斷構件88與外罩60之正面61之中，未形成開口62的部分，係隔著狹窄的（例如1～2mm左右的）間隙63而相向。
氣體不易流進狹窄的間隙63。因此，可以防止當SC2噴嘴418停止噴吐出SC2液時，滯留在SC2噴嘴418之噴吐口附近的SC2液（處理液）之蒸氣擴散至腔室20內的情形、以及從SC2噴嘴418進行模擬釋液時（由於係固定噴嘴，因此模擬釋液時的噴吐流量非常少），SC2液（處理液）之蒸氣朝腔室20內擴散的情形。
亦可使外罩60與隔斷構件88一體化。在此情況，外罩60及隔斷構件88係與水霧防護罩80A連動而昇降。又，在此情況，在水霧防護罩80A昇降時用以防止外罩60與隔斷構件88發生干擾的間隙63，就不需要設置了。因此，可以更確實地防止SC2液（處理液）之蒸氣擴散至腔室20內的情形。
於SC2噴嘴418之噴吐口下方，設有邊溝64（液體引導構件）。由SC2噴嘴418之噴吐口滴落的SC2液，會透過邊溝64而流入防護凹穴90內。因此，可以防止由SC2噴嘴418滴落的SC2液造成底板96污染、或是滴落至底板96的SC2蒸發而擴散至腔室20內的情形。
於上述各實施形態中，處理對象之基板係半導體晶圓，但並不限定於此，亦可係其他基板，例如液晶顯示器用的玻璃基板、陶瓷基板等。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧搬入出站
3‧‧‧處理站
4‧‧‧控制裝置
11‧‧‧載體載置部
12‧‧‧搬送部
13‧‧‧基板搬送裝置
14‧‧‧傳遞部
15‧‧‧搬送部
16‧‧‧複數之處理單元
17‧‧‧基板搬送裝置
18‧‧‧控制部
19‧‧‧儲存部
20‧‧‧處理容器（腔室）
20a‧‧‧處理容器之側壁
20b‧‧‧底壁
21‧‧‧風機過濾機組
22‧‧‧整流板
24‧‧‧搬出入口
25‧‧‧閘門
30‧‧‧基板固持機構
31‧‧‧基板固持部
31a‧‧‧基盤
31b‧‧‧固持要件
31c‧‧‧頂針
31d‧‧‧針板
32‧‧‧旋轉軸
33‧‧‧驅動部
40‧‧‧處理流體供給部
411‧‧‧SC1噴嘴（處理液噴嘴）
412‧‧‧AS噴嘴（處理液噴嘴）
413‧‧‧DHF噴嘴（處理液噴嘴）
414‧‧‧第1去離子水噴嘴（處理液噴嘴）
415‧‧‧IPA噴嘴（處理液噴嘴）
416‧‧‧第1氮氣噴嘴
417‧‧‧第2氮氣噴嘴
418‧‧‧SC2噴嘴（固定噴嘴）
419‧‧‧第2去離子水噴嘴（固定噴嘴）
421‧‧‧第1噴嘴臂體
422‧‧‧第2噴嘴臂體
423‧‧‧第3噴嘴臂體
431、432、433‧‧‧臂體驅動機構
441、442、443‧‧‧待機場所
443‧‧‧原位待機場所
450‧‧‧圓筒體
451‧‧‧處理流體供給路
452‧‧‧底面噴嘴
50‧‧‧杯體
51‧‧‧固定杯體（排氣杯）
511‧‧‧外周筒部
512‧‧‧固定杯體之伸出部
513‧‧‧底部
514‧‧‧內周部
516‧‧‧固定杯體之傾斜頂面
52‧‧‧排液杯
521‧‧‧排液杯本體
521a‧‧‧外周筒部
521b‧‧‧伸出部
521c‧‧‧底部
521d‧‧‧內周部
521e、521f‧‧‧凸部
522‧‧‧第1可動杯體要件
522a、522b、522c‧‧‧儲液區
523‧‧‧第2可動杯體要件
523a、523b、523c‧‧‧排液管路
525a、525b、525c‧‧‧液體通路
53‧‧‧第1旋轉杯
54‧‧‧第2旋轉杯
551‧‧‧排氣通路
552‧‧‧排氣口
553‧‧‧排氣導風管（排氣路）
554‧‧‧流量控制閥
60‧‧‧外罩
61‧‧‧正面
62‧‧‧開口
63‧‧‧間隙
64‧‧‧邊溝
80、80A、80B‧‧‧水霧防護罩
81‧‧‧水霧防護罩之筒部（外周筒部）
82‧‧‧水霧防護罩之伸出部
823‧‧‧間隙形成部
823B‧‧‧間隙形成部
824‧‧‧徑向溝
825‧‧‧圓周溝
83‧‧‧突起
84‧‧‧水霧防護罩之昇降機構（氣缸）
84a‧‧‧氣缸
84b‧‧‧桿體
85‧‧‧凸緣部
86‧‧‧水霧防護罩之通液開口
87‧‧‧通氣開口
88‧‧‧隔斷構件
90、90B‧‧‧水霧防護罩收納部（防護凹穴）
91‧‧‧鉛直壁（縱壁）
92‧‧‧底壁
93、94‧‧‧水霧防護罩收納部之排出部（排出口及排出管）
96‧‧‧底板
96a‧‧‧外側端
97‧‧‧間隙（狹縫狀開口）
98‧‧‧排氣空間
99‧‧‧排氣口
100‧‧‧排氣管（排氣管路）
101‧‧‧水霧捕集器（氣液分離部）
102‧‧‧流量控制閥
103‧‧‧排洩口
110‧‧‧水霧防護罩之洗淨機構（洗淨液噴吐噴嘴）
110B‧‧‧洗淨液噴吐噴嘴
C‧‧‧載體
W‧‧‧晶圓
Wc‧‧‧晶圓W之中心部
A‧‧‧參照符號
M1、M2、M3‧‧‧箭頭
HN‧‧‧（噴嘴臂體之）高位置
LN‧‧‧（噴嘴臂體之）低位置
HG‧‧‧水霧防護罩之第1高度（高位置）
LG‧‧‧水霧防護罩之第2高度（低位置）
MG‧‧‧水霧防護罩之中間高度（中間位置）
N‧‧‧噴嘴
NP‧‧‧噴吐口
G1、G2‧‧‧間隙
DR1‧‧‧酸性液用的工廠廢液系統
DR2‧‧‧鹼性液用的工廠廢液系統
DR3‧‧‧有機液用的工廠廢液系統
【圖1】表示依本實施態樣之基板處理系統之概略構成的俯視圖。 【圖2】表示處理單元之構成的縱剖面圖。 【圖3】表示處理單元之構成的俯視圖。 【圖4】（a）～（c）用以說明水霧防護罩與噴嘴臂體之動作的概略圖。 【圖5】用以說明水霧防護罩位於高位置及中間位置時的氣體及液滴動作的說明圖。 【圖6】用以說明水霧防護罩位於低位置時的氣體及液滴動作的說明圖。 【圖7】針對設於水霧防護罩之通液開口進行說明的概略縱剖面圖。 【圖8】針對水霧防護罩的洗淨機構進行說的部分縱剖面圖。 【圖9】（a）～（f）用以說明噴嘴臂體之動作的俯視圖。 【圖10】針對設於水霧防護罩的通氣開口進行說明的概略縱剖面圖。 【圖11】表示具備固定噴嘴外罩及水霧防護罩之變形例之實施形態的概略縱剖面圖。 【圖12】表示具備水霧防護罩之其他變形例之實施形態的概略縱剖面圖。

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，包括：基板固持部，固持基板；至少1個處理液噴嘴，對該基板固持部所固持之基板噴吐出處理液；處理容器，收納該基板固持部與該處理液噴嘴；固定杯體，相對於該處理容器固定，而配置於該基板固持部之周圍，且承接供給至基板的至少是處理液或處理液的水霧；水霧防護罩，以包圍該固定杯體的方式設於該固定杯體之外側，以隔斷越過該固定杯體之上方而往外方飛散的液體；昇降機構，使該水霧防護罩昇降至第1高度、及低於該第1高度的第2高度；以及控制部，控制該昇降機構，在由該處理液噴嘴對該基板固持部所固持之基板供給處理液時，使該水霧防護罩位於該第1高度；而在乾燥該基板時，使該水霧防護罩位於該第2高度；該水霧防護罩具有筒狀的筒部以及伸出部，該伸出部由該筒部之上部朝向該筒部之內側、而往該固定杯體上方伸出，其中，於該水霧防護罩位於該第1高度時，在該水霧防護罩與該固定杯體之間形成氣流；而在該水霧防護罩位於該第2高度時，在該水霧防護罩上方形成氣流。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，在該水霧防護罩之外側，具備底板與排氣口，該底板區劃出該處理容器內之處理空間的底部，該排氣口使該處理空間內的環境氣體朝該處理空間之外側排出。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，該底板延伸至該處理容器之側壁；而該底板的頂面，係以越接近該側壁高度越低之方式傾斜。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，作為該處理液噴嘴，設有第1處理液噴嘴與第2處理液噴嘴，而該基板處理裝置，更包括：第1噴嘴臂體，固持該第1處理液噴嘴，而使該第1處理液噴嘴移動；第2噴嘴臂體，固持該第2處理液噴嘴，而使該第2處理液噴嘴移動；該控制部，於進行一噴嘴更換操作時，使該水霧防護罩位於該第1高度與該第2高度之中間的第3高度；而該噴嘴更換操作，係驅動該第2噴嘴臂體而使該第2處理液噴嘴從該基板固持部所固持之基板之外方的位置進入到該基板之上方的位置，同時驅動該第1噴嘴臂體而使該第1處理液噴嘴從該基板之上方的位置退避到該基板之外方的位置。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，更包括：第1噴嘴昇降機構，使該第1噴嘴臂體，在第1噴嘴高度、和低於該第1噴嘴高度的第2噴嘴高度之間昇降；以及第2噴嘴昇降機構，使該第2噴嘴臂體，在第3噴嘴高度、和低於該第3高度之第4高度之間昇降；該控制部在進行該噴嘴更換操作時，控制該第1噴嘴昇降機構，而使該第1噴嘴臂體位於該第1高度，並控制該第2噴嘴昇降機構，而使該第2噴嘴臂體位於該第4高度。
  6. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，更包括：旋轉機構，使該基板固持部所固持之基板旋轉；該控制部在進行該噴嘴更換操作時，控制該旋轉機構，而在進行該噴嘴更換操作前，使基板之轉速，較該第1處理液噴嘴對基板噴吐出處理液時更為降低。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更包括：固定噴嘴，從該水霧防護罩之外側，對該基板固持部所固持之基板供給處理液；在該水霧防護罩形成有通液開口，俾於該水霧防護罩位於該第1高度時，容許由該固定噴嘴所噴吐出之處理液通過該水霧防護罩而到達基板。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更包括：水霧防護罩收納部，收納該水霧防護罩之該筒部；以及排出部，使流入該水霧防護罩收納部之內部的液體或氣體排出。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更包括：洗淨機構，洗淨該水霧防護罩朝向該固定杯體的面。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該固定杯體，具有朝向該基板固持部所固持之基板之中心部側延伸的傾斜頂面，此傾斜頂面係傾斜成越靠近該基板之中心部高度越高；而該傾斜頂面與位於該第2高度之該水霧防護罩的該伸出部之前端部分接觸，藉此而使得面向「該水霧防護罩的面對該固定杯體側之面」的空間，自該基板固持部所固持之基板之上方的空間隔離。
  11. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，在該水霧防護罩位於該第2高度時，該洗淨機構藉由供給洗淨液以進行該水霧防護罩之洗淨。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，該固定杯體，具有筒狀的筒部以及伸出部，該伸出部由該筒部之上部朝向該筒部之內側而伸出；在該水霧防護罩之該伸出部的底面，形成間隙形成部；該間隙形成部在該間隙形成部之底面、與該固定杯體之該伸出部的頂面之間，形成第1間隙；而在該水霧防護罩之並無該間隙形成部之部分、與該固定杯體之該伸出部的頂面之間，形成第2間隙；該洗淨機構，具有對該第2間隙供給洗淨液的洗淨液噴嘴。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，該間隙形成部，係延伸達於該水霧防護罩之該伸出部的全周；於該間隙形成部之底面，形成有在半徑方向上延伸之徑向溝、以及與該徑向溝交叉而在圓周方向上延伸之圓周溝；該洗淨噴嘴，係設在與該徑向溝相向之該固定杯體；該圓周溝，係設於該洗淨噴嘴之半徑方向內側。
  14. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該固定杯體，在該固定杯體之徑向外側，具有相對於該固定杯體為固定之杯體構成要素；而對於該固定杯體與該杯體構成要素之間的空間，會進行排氣。
  15. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，當該水霧防護罩位於該第1高度時，該水霧防護罩之該筒部的下端，係位於高於該底板的頂面之位置。
  16. 一種基板處理方法，其使用一基板處理裝置，該基板處理裝置包括：基板固持部，固持基板；至少1個處理液噴嘴，對該基板固持部所固持之基板的頂面噴吐出處理液；處理容器，收納該基板固持部與該處理液噴嘴；固定杯體，相對於該處理容器固定，而配置於該基板固持部之周圍，且承接供給至基板的處理液或處理液的水霧；水霧防護罩，以包圍該固定杯體的方式設於該固定杯體之外側，以隔斷越過該固定杯體之上方而往外方飛散的液體；以及昇降機構，使該水霧防護罩昇降；該水霧防護罩具有筒狀的筒部以及伸出部，該伸出部由該筒部之上端朝向該固定杯體側伸出；該基板處理方法包括以下步驟：在使該水霧防護罩位於第1高度的狀態下，由該噴嘴對該基板固持部所固持之基板供給處理液的步驟；以及在使該水霧防護罩位於低於該第1高度之第2高度的狀態下，乾燥該基板的步驟，其中，於該水霧防護罩位於該第1高度時，在該水霧防護罩與該固定杯體之間形成氣流；而在該水霧防護罩位於該第2高度時，在該水霧防護罩上方形成氣流。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板處理方法，其中，該處理液噴嘴包含第1處理液噴嘴與第2處理液噴嘴，而該基板處理裝置更包括：第1噴嘴臂體，固持該第1處理液噴嘴並使該第1處理液噴嘴移動；及第2噴嘴臂體，固持該第2處理液噴嘴並使該第2處理液噴嘴移動；該基板處理方法中的對該基板供給處理液之步驟，包含以下步驟：在使該第2處理液噴嘴從該基板之上方退避之狀態下，由位於該基板之上方的該第1處理液噴嘴對該基板供給處理液之步驟；以及在使該第1處理液噴嘴從該基板之上方退避之狀態下，由位於該基板之上方的該第2處理液噴嘴對該基板供給處理液之步驟；在進行一噴嘴更換操作時，使該水霧防護罩位於該第1高度與該第2高度之中間的第3高度；該噴嘴更換操作，係使該第2處理液噴嘴從該基板固持部所固持之基板之外方的位置進入到該基板之上方的位置，同時使該第1處理液噴嘴從該基板之上方的位置退避到該基板之外方的位置。
  18. 一種儲存媒體，儲存有電腦程式；在以構成基板處理裝置之控制裝置的電腦執行該電腦程式時，該電腦控制該基板處理裝置的動作，以執行申請專利範圍第16或17項之基板處理方法。
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