TWI768370B - 基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係有關於一種基板處理裝置以及基板處理方法。基板處理裝置1係具備處理單元14以及控制部18。處理單元14係具備基板保持部31、旋轉驅動部35、處理液供給部41、液體回收部50以及防護罩驅動部60。基板保持部31係以水平姿勢保持基板W。旋轉驅動部35係旋轉基板保持部31。液體回收部50係包含第一防護罩51、第二防護罩52以及液體導入口58。第一防護罩51以及第二防護罩52係以圍繞基板保持部31的側方之方式配置。液體導入口58係被防護罩區劃。液體導入口58係對被基板保持部31保持之基板W開放。防護罩驅動部60係將第二防護罩52朝鉛直方向移動。控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀控制防護罩驅動部60，藉此改變液體導入口58的上端58T的高度位置。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法
本發明係有關於一種用以對基板進行處理之基板處理裝置以及基板處理方法。基板係例如為半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機EL(electroluminescence；電致發光)用基板、FPD(flat panel display；平面顯示器)用基板、光學顯示器用基板、磁碟用基板、光碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、太陽電池用基板。
專利文獻1係揭示一種基板處理裝置。以下以括弧註記專利文獻1所記載的元件符號。基板處理裝置係具備自轉夾具(spin chuck)(41)、第一罩(cup)(10)、第二罩(20)以及第三罩(30)。自轉夾具(41)係保持半導體晶圓(100)。自轉夾具(41)係可旋轉。第一罩(10)、第二罩(20)以及第三罩(30)係分別接住從半導體晶圓(100)飛散的處理液。第一罩(10)、第二罩(20)以及第三罩(30)係分別可朝鉛直方向移動。
基板處理裝置係具備頭部(60)、噴嘴(82)以及噴嘴(84)。頭部(60)係將硫酸與過氧化氫水的混合溶液(亦即SPM(sulfuric acid hydrogen peroxide mixture；硫酸過氧化氫混合液))供給至半導體晶圓(100)。噴嘴(82)係將純水供給至半導體晶圓(100)。噴嘴(84)係將包含氨水與過氧化氫水之處理液供給至半導體晶圓(100)。以下將硫酸與過氧化氫水的混合溶液稱為「SPM」。將包含氨水與過氧化氫水之處理液稱為「SC1(Standard clean-1；第一標準清洗液，亦即氨水過氧化氫混和液(ammonia-hydrogen peroxide))」。
基板處理裝置係具備處理腔室(processing chamber)(50)。處理腔室(50)係收容自轉夾具(41)、第一罩(10)、第二罩(20)、第三罩(30)、頭部(60)、噴嘴(82)以及噴嘴(84)。
在頭部(60)對半導體晶圓(100)供給SPM時，在第一罩(10)與第二罩(20)之間接住SPM。第一罩(10)係配置於比第二罩(20)還高的位置。具體而言，第一罩(10)係配置於第一位置。在第一罩(10)位於第一位置時，第一罩(10)的上端係與處理腔室(50)的上壁接觸。第二罩(20)係配置於比被自轉夾具(41)保持之半導體晶圓(100)還低的位置。
在噴嘴(84)對半導體晶圓(100)供給SC1時，在第一罩(10)與第二罩(20)之間接住SC1。第一罩(10)係配置於比第二罩(20)還高的位置。具體而言，第一罩(10)係配置於比第一位置還低的第二位置。在第一罩(10)位於第二位置時，第一罩(10)的上端係不與處理腔室(50)的上壁接觸。
在噴嘴(82)對半導體晶圓(100)供給純水時，在第二罩(20)與第三罩(30)之間接住純水。第二罩(20)係配置於比第三罩(30)還高的位置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-177014號公報。
[發明所欲解決之課題]
近年來，基板係逐漸薄型化以及大口徑化。當基板的厚度變薄且基板的直徑變大時，基板的翹曲量顯著地變大。因此，以往的基板處理裝置會有難以適當地回收處理液之情形。
本發明有鑑於此種問題而研創，目的在於提供一種能適當地處理基板之基板處理裝置以及基板處理方法。 [用以解決課題之手段]
為了達成此種目的，本發明係採用下述構成。亦即，本發明的基板處理裝置係具備：處理單元，係處理基板；以及控制部，係控制前述處理單元；前述處理單元係具備：基板保持部，係以水平姿勢保持前述基板；旋轉驅動部，係旋轉前述基板保持部；處理液供給部，係對被前述基板保持部保持之前述基板供給處理液；液體回收部，係包含：兩個以上的防護罩(guard)，係以圍繞前述基板保持部的側方之方式配置；以及液體導入口，係被前述防護罩區劃，並對被前述基板保持部保持之前述基板開放；以及防護罩驅動部，係將至少一個以上的前述防護罩朝鉛直方向移動；前述控制部係因應被前述基板保持部保持之前述基板的形狀控制前述防護罩驅動部，藉此改變前述液體導入口的上端的高度位置以及前述液體導入口的下端的高度位置的至少某一個。
處理單元係具備基板保持部、旋轉驅動部、處理液供給部、液體回收部以及防護罩驅動部。基板保持部係保持基板。旋轉驅動部係旋轉基板保持部。藉此，被基板保持部保持之基板係旋轉。處理液供給部係對被基板保持部保持之基板供給處理液。處理液係從基板飛散。液體回收部係回收從基板飛散的處理液。液體回收部係包含兩個以上的防護罩。各個防護罩係以圍繞基板保持部的側方之方式配置。液體回收部係進一步包含液體導入口。液體導入口係被防護罩區劃。液體導入口係對被基板保持部保持之基板開放。液體導入口係將從基板飛散的處理液導入至液體回收部。防護罩驅動部係將至少一個以上的防護罩朝鉛直方向移動。至少一個以上的防護罩係朝鉛直方向移動，藉此能改變液體導入口的上端的高度位置以及液體導入口的下端的高度位置。
控制部係控制處理單元。控制部係因應被基板保持部保持之基板的形狀控制防護罩驅動部。藉此，控制部係改變液體導入口的上端的高度位置以及液體導入口的下端的高度位置的至少某一個。因此，能因應基板保持部所保持之基板的形狀將液體導入口調整至適當的高度位置。因此，與被基板保持部保持之基板的形狀無關地，液體回收部係能適當地回收從基板飛散的處理液。因此，處理單元係能適當地處理基板。
如上所述，本發明的基板處理裝置係能適當地處理基板。
在前述基板處理裝置中，較佳為前述控制部係因應位於前述基板的周緣部的內側之前述基板的主部的厚度來改變前述液體導入口的前述上端的前述高度位置。 藉此，與基板的主部的厚度無關地，液體回收部係能適當地回收從基板飛散的處理液。因此，與基板的主部的厚度無關地，處理單元係能適當地處理基板。
較佳為在前述基板處理裝置中，被前述基板保持部保持之前述基板的前述主部具有第一厚度時之前述液體導入口的前述上端係比被前述基板保持部保持之前述基板具有比前述第一厚度還大的第二厚度時之前述液體導入口的前述上端還高。 在主部具有第一厚度之情形中，基板係較薄。在較薄的基板被基板保持部保持時，液體導入口的上端係配置於較高的位置。因此，液體回收部係能適當地回收從基板飛散的處理液。在主部具有第二厚度之情形中，基板係較厚。在較厚的基板被基板保持部保持時，液體導入口的上端係配置於較低的位置。因此，液體回收部係能適當地回收從基板飛散的處理液。因此，處理單元係能適當地處理較薄的基板以及較厚的基板雙方。
較佳為在前述基板處理裝置中，前述基板係包含：第一基板，係具有凹部，前述凹部係藉由位於前述基板的周緣部的內側之前述基板的主部比前述基板的前述周緣部還凹陷而形成；以及第二基板，係未具有前述凹部；前述控制部係根據被前述基板保持部保持之前述基板為前述第一基板以及前述第二基板的哪一個來改變前述液體導入口的前述上端的前述高度位置。 不論基板為第一基板以及第二基板的哪一個，液體回收部皆能適當地回收從基板飛散的處理液。因此，處理單元係能適當地處理第一基板以及第二基板雙方。
較佳為在前述基板處理裝置中，前述第一基板被前述基板保持部保持時之前述液體導入口的前述上端係比前述第二基板被前述基板保持部保持時之前述液體導入口的前述上端還高。 在第一基板被基板保持部保持之情形中，液體導入口的上端係配置於較高的位置。因此，液體回收部係能適當地回收從第一基板飛散的處理液。在第二基板被基板保持部保持之情形中，液體導入口的上端係配置於較低的位置。因此，液體回收部係能適當地回收從第二基板飛散的處理液。
較佳為在前述基板處理裝置中，前述控制部係根據下述情況來改變前述液體導入口的前述上端的前述高度位置：被前述基板保持部保持之前述基板是否具有上凹部，前述上凹部係藉由位於前述基板的周緣部的內側之前述基板的主部比前述基板的前述周緣部還凹陷而形成於前述基板的上表面；以及前述處理液供給部是否對被前述基板保持部保持之前述基板的前述上表面供給處理液。 被基板保持部保持之基板是否具有上凹部為對從基板飛散的處理液的方向造成影響之事項。處理液供給部是否對被基板保持部保持之基板的上表面供給處理液亦為對從基板飛散的處理液的方向造成影響之事項。控制部係考慮雙方的事項來改變液體導入口的上端的高度位置。因此，能將液體導入口的上端調整至適當的高度位置。因此，液體回收部係能適當地回收從基板飛散的處理液。
在此，上表面為基板被基板保持部保持時朝向上方之基板的面。上凹部為形成於基板的上表面之凹部。凹部係藉由基板的主部比基板的周緣部還凹陷而形成。
較佳為在前述基板處理裝置中，被前述基板保持部保持之前述基板具有前述上凹部且前述處理液供給部對被前述基板保持部保持之前述基板的前述上表面供給處理液時之前述液體導入口的前述上端係比被前述基板保持部保持之前述基板未具有前述上凹部時之前述液體導入口的前述上端還高。 被前述基板保持部保持之前述基板具有前述上凹部且前述處理液供給部對前述基板的前述上表面供給處理液時之前述液體導入口的前述上端係比前述處理液供給部未對被前述基板保持部保持之前述基板的前述上表面供給處理液時之前述液體導入口的前述上端還高。
在被基板保持部保持之基板具有上凹部時，基板的周緣部中的上表面係配置於比基板的主部中的上表面還高的位置。在被基板保持部保持之基板未具有上凹部時，基板的上表面為略平坦。更詳細而言，基板的周緣部的上表面係配置於與基板的主部中的上表面略相同的高度位置。在處理液供給部對被基板保持部保持之基板的上表面供給處理液時，處理液係沿著基板的上表面流動。在處理液供給部未對被基板保持部保持之基板的上表面供給處理液時，處理液係不會沿著基板的上表面流動。
將被基板保持部保持之基板具有上凹部且處理液供給部對被基板保持部保持之基板的上表面供給處理液之情況簡稱為「第一上處理條件」。在第一上處理條件中，處理液係沿著基板的上表面從主部朝周緣部往上方流動。因此，在第一上處理條件中，處理液係容易從基板朝上方飛散。在第一上處理條件中，液體導入口的上端係配置於較高的位置。因此，即使是第一上處理條件，液體回收部係能適當地回收從基板飛散的處理液。
在基板未具有上凹部時，與第一上處理條件相比，處理液難以從基板朝上方飛散。在基板未具有上凹部時，與第一上處理條件相比，液體導入口的上端係配置於低的位置。因此，即使在被基板保持部保持之基板未具有上凹部時，液體回收部亦能適當地回收從基板飛散的處理液。
在處理液供給部未對基板的上表面供給處理液時，與第一上處理條件相比，處理液係難以從基板朝上方飛散。在處理液供給部未對基板的上表面供給處理液時，與第一上處理條件相比，液體導入口的上端係配置於低的位置。因此，即使在處理液供給部未對被基板保持部保持之基板的上表面供給處理液時，液體回收部亦能適當地回收從基板飛散的處理液。
較佳為在前述基板處理裝置中，前述處理液供給部未對被前述基板保持部保持之前述基板的前述上表面供給處理液時之前述液體導入口的前述上端係比前述處理液供給部對被前述基板保持部保持之前述基板的前述上表面供給處理液時之前述液體導入口的前述上端還低。 與處理液供給部對基板的上表面供給處理液時相比，在處理液供給部未對基板的上表面供給處理液時處理液係難以從基板朝上方飛散。與處理液供給部對基板的上表面供給處理液時相比，在處理液供給部未對基板的上表面供給處理液時液體導入口的上端係配置於低的位置。因此，在處理液供給部未對被基板保持部保持之基板的上表面供給處理液時，液體回收部係能更適當地回收從基板飛散的處理液。
較佳為在前述基板處理裝置中，前述控制部係根據下述情況來改變前述液體導入口的前述下端的前述高度位置：被前述基板保持部保持之前述基板是否具有下凹部，前述下凹部係藉由位於前述基板的周緣部的內側之前述基板的主部比前述基板的前述周緣部還凹陷而形成於前述基板的下表面；以及前述處理液供給部是否對被前述基板保持部保持之前述基板的前述下表面供給處理液。 被基板保持部保持之基板是否具有下凹部為對從基板飛散的處理液的方向造成大的影響之事項。處理液供給部是否對被基板保持部保持之基板的下表面供給處理液亦為對從基板飛散的處理液的方向造成大的影響之事項。控制部係考慮雙方的事項來改變液體導入口的下端的高度位置。因此，能將液體導入口的下端調整至適當的高度位置。因此，液體回收部係能適當地回收從基板飛散的處理液。
在此，下表面為基板被基板保持部保持時朝向下方之基板的面。下凹部為形成於基板的下表面之凹部。凹部係藉由基板的主部比基板的周緣部還凹陷而形成。
較佳為在前述基板處理裝置中，被前述基板保持部保持之前述基板具有前述下凹部且前述處理液供給部對被前述基板保持部保持之前述基板的前述下表面供給處理液時之前述液體導入口的前述下端係比被前述基板保持部保持之前述基板未具有前述下凹部時之前述液體導入口的前述下端還低；被前述基板保持部保持之前述基板具有前述下凹部且前述處理液供給部對被前述基板保持部保持之前述基板的前述下表面供給處理液時之前述液體導入口的前述下端係比前述處理液供給部未對被前述基板保持部保持之前述基板的前述下表面供給處理液時之前述液體導入口的前述下端還低。
在被基板保持部保持之基板具有下凹部時，基板的周緣部中的下表面係配置於比基板的主部中的下表面還低的位置。在被基板保持部保持之基板未具有下凹部時，基板的下表面為略平坦。更詳細而言，基板的周緣部的下表面係配置於與基板的主部中的下表面略相同的高度位置。在處理液供給部對被基板保持部保持之基板的下表面供給處理液時，處理液係沿著基板的下表面流動。在處理液供給部未對被基板保持部保持之基板的下表面供給處理液時，處理液係不會沿著基板的下表面流動。
將被基板保持部保持之基板具有下凹部且處理液供給部對被基板保持部保持之基板的下表面供給處理液之情況簡稱為「第一下處理條件」。在第一下處理條件中，處理液係沿著基板的下表面從主部朝周緣部往下方流動。因此，在第一下處理條件中，處理液係容易從基板朝下方飛散。在第一下處理條件中，液體導入口的下端係配置於較低的位置。因此，即使是第一下處理條件，液體回收部亦能適當地回收從基板飛散的處理液。
在基板未具有下凹部時，與第一下處理條件相比，處理液係難以從基板朝下方飛散。在基板未具有下凹部時，與第一下處理條件相比，液體導入口的下端係配置於高的位置。因此，即使在被基板保持部保持之基板未具有下凹部時，液體回收部亦能適當地回收從基板飛散的處理液。
在處理液供給部未對基板的下表面供給處理液時，與第一下處理條件相比，處理液係難以從基板朝下方飛散。在處理液供給部未對基板的下表面供給處理液時，與第一下處理條件相比，液體導入口的下端係配置於高的位置。因此，即使在處理液供給部未對被基板保持部保持之基板的下表面供給處理液時，液體回收部亦能適當地回收從基板飛散的處理液。
較佳為在下述基板處理裝置中，前述基板係包含：凹部，係藉由位於基板的周緣部的內側之前述基板的主部比前述基板的前述周緣部還凹陷而形成；前述控制部係因應前述基板的前述主部相對於前述基板的前述周緣部之深度來改變前述液體導入口的前述上端的前述高度位置以及前述液體導入口的前述下端的前述高度位置的至少某一個。 藉此，與基板的主部相對於基板的周緣部之深度無關地，液體回收部係能適當地回收從基板飛散的處理液。因此，與基板的主部相對於基板的周緣部之深度無關地，處理單元係能適當地處理基板。
較佳為在前述基板處理裝置中，前述基板係包含：凹部，係藉由位於前述基板的周緣部的內側之前述基板的主部比前述基板的前述周緣部還凹陷而形成；以及壁部，係形成於前述基板的前述周緣部與前述基板的前述主部之間；前述控制部係因應前述壁部的角度來改變前述液體導入口的前述上端的前述高度位置以及前述液體導入口的前述下端的前述高度位置的至少某一個。 藉此，與壁部的角度無關地，液體回收部係能適當地回收從基板飛散的處理液。因此，與壁部的角度無關地，處理單元係能適當地處理基板。
較佳為在前述基板處理裝置中，前述基板保持部係具備：板(plate)；支撐部，係從前述板的上表面朝上方突出，與前述基板的下表面接觸並在比前述板的前述上表面還高的位置支撐前述基板；以及氣體吹出口，係形成於前述板的前述上表面，對前述板的前述上表面與被前述支撐部支撐之前述基板的前述下表面之間噴出氣體，並將前述基板朝下方吸引。 基板保持部係具備板、支撐部以及氣體吹出口。藉此，基板保持部係能適當地保持基板。
較佳為在前述基板處理裝置中，前述控制部係具備：記憶部，係記憶前述液體導入口的前述上端的前述高度位置以及前述液體導入口的前述下端的前述高度位置的至少某一個有關之複數個設定值；以及設定部，係因應被前述基板保持部保持之前述基板的形狀在前述記憶部所記憶的複數個前述設定值之間切換。 控制部係具備記憶部以及設定部。藉此，控制部係能適當地決定液體導入口的上端的高度位置以及液體導入口的下端的高度位置的至少某一個。
本發明為一種基板處理方法，係具備下述工序：藉由基板保持部以水平姿勢保持基板；以圍繞前述基板保持部的側方之方式配置的防護罩因應被前述基板保持部保持之前述基板的形狀朝鉛直方向移動，藉此改變液體導入口的上端的高度位置以及前述液體導入口的下端的高度位置的至少某一個，前述液體導入口係被前述防護罩區劃且對被前述基板保持部保持之前述基板開放；以及旋轉前述基板保持部，對被前述基板保持部保持之前述基板供給處理液且藉由前述防護罩接住通過前述液體導入口的處理液。
在基板處理方法中，防護罩係因應被基板保持部保持之基板的形狀朝鉛直方向移動。藉此，因應被基板保持部保持之基板的形狀來改變液體導入口的上端的高度位置以及液體導入口的下端的高度位置的至少某一個。在此，液體導入口係被防護罩區劃。液體導入口係對被基板保持部保持之基板開放。因此，能因應被基板保持部保持之基板的形狀將液體導入口調整至適當的高度位置。具體而言，與被基板保持部保持之基板的形狀無關地，能將液體導入口配置於適當的高度位置以使從基板飛散的處理液通過液體導入口。因此，與被基板保持部保持之基板的形狀無關地，能藉由防護罩接住從基板飛散的處理液。因此，能適當地處理基板。
如上所述，本發明的基板處理方法能適當地處理基板。 [發明功效]
依據本發明的基板處理裝置以及基板處理方法，能適當地處理基板。
以下參照圖式說明本發明的基板處理裝置。
[第一實施形態] [基板處理裝置的概要] 圖1為第一實施形態的基板處理裝置的俯視圖。基板處理裝置1係對基板(例如半導體晶圓)W進行處理。
基板W係例如為半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機EL用基板、FPD用基板、光學顯示器用基板、磁碟用基板、光碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板或者太陽電池用基板。
基板處理裝置1係具備索引(indexer)部2。索引部2係具備複數個(例如四個)承載器(carrier)載置部3。各個承載器載置部3係分別載置一個承載器C。承載器C係收容複數片基板W。承載器C係例如為FOUP(front opening unified pod；前開式晶圓傳送盒)。
承載器C係具有條碼(bar-code)(未圖示)。條碼係例如為用以識別承載器C之識別符號(identifier)。條碼係例如為用以識別承載器C內的基板W之識別符號。條碼係例如附加於承載器C的外表面。
索引部2係具備條碼讀取器(bar-code reader)4。條碼讀取器4係讀取附加於被載置於承載器載置部3之承載器C的條碼。條碼讀取器4係例如安裝於承載器載置部3。
索引部2係具備搬運機構5。搬運機構5係可對被載置於各個承載器載置部3的承載器C進行存取(access)。搬運機構5係將基板W搬運至被載置於承載器載置部3的承載器C。搬運機構5係具備手部(hand)5a以及手部驅動部5b。手部5a係以水平姿勢支撐一片基板W。手部驅動部5b係連結於手部5a。手部驅動部5b係移動手部5a。例如，手部驅動部5b係將手部5a朝水平方向水平移動。例如，手部驅動部5b係將手部5a朝鉛直方向水平移動。例如，手部驅動部5b係將手部5a繞著旋轉軸線旋轉移動。手部5a的旋轉軸線係例如與鉛直方向平行。
索引部2係具備是否存在檢測部6。是否存在檢測部6係檢測手部5a是否正在支撐基板W。亦即，是否存在檢測部6係檢測搬運機構5是否正在搬運基板W。是否存在檢測部6係例如安裝於手部5a。
基板處理裝置1係具備處理區塊11。處理區塊11係連接於索引部2。
處理區塊11係具備載置部12。載置部12係載置複數片基板W。
處理區塊11係具備形狀檢測部13。形狀檢測部13係檢測被載置於載置部12之基板W的形狀。形狀檢測部13係例如為用以拍攝基板W之成像感測器(imaging sensor)。成像感測器係例如為一維成像感測器或者二維成像感測器。形狀檢測部13係例如安裝於載置部12。
處理區塊11係具備複數個處理單元14。各個處理單元14係處理一片基板W。
處理區塊11係具備搬運機構15。搬運機構15係可對載置部12以及全部的處理單元14進行存取。搬運機構15係將基板W搬運至載置部12以及處理單元14。搬運機構15係具備手部15a以及手部驅動部15b。手部15a係以水平姿勢支撐一片基板W。手部驅動部15b係連結於手部15a。手部驅動部15b係將手部15a移動。例如，手部驅動部15b係將手部15a朝水平方向平行移動。例如，手部驅動部15b係將手部15a朝鉛直方向平行移動。例如，手部驅動部15b係將手部15a繞著旋轉軸線旋轉移動。手部15a的旋轉軸線係例如與鉛直方向平行。
處理區塊11係具備是否存在檢測部16。是否存在檢測部16係檢測手部15a是否正在支撐基板W。亦即，是否存在檢測部16係檢測搬運機構15是否正在搬運基板W。是否存在檢測部16係例如安裝於手部15a。
載置部12係配置於搬運機構5與搬運機構15之間。搬運機構5亦可對載置部12進行存取。搬運機構5係將基板W搬運至載置部12。載置部12係載置在搬運機構5與搬運機構15之間被搬運的基板W。
基板處理裝置1係具備輸入部17。使用者係能將資訊輸入至輸入部17。輸入部17係例如安裝於索引部2的外面。
基板處理裝置1係具備控制部18。控制部18係取得條碼讀取器4、是否存在檢測部6、16以及形狀檢測部13的檢測結果。控制部18係取得輸入部17所輸入的資訊。控制部18係控制搬運機構5、15以及處理單元14。
圖2為基板處理裝置1的控制方塊圖。控制部18係與條碼讀取器4、是否存在檢測部6、16、形狀檢測部13、輸入部17、搬運機構5、15以及處理單元14可通訊地連接。控制部18係具備記憶部18a、設定部18b以及驅動電路18c。記憶部18a係預先儲存各種資訊。記憶於記憶部18a之資訊係例如為與搬運機構5、15以及處理單元14的動作條件有關之設定值。記憶於記憶部18a之資訊係例如為用以處理基板W之處理處方(processing recipe)(處理程式)。記憶於記憶部18a之資訊係例如為用以識別各個基板W之資訊。設定部18b係依據從條碼讀取器4、是否存在檢測部6、16、形狀檢測部13以及輸入部17所取得的資訊以及預先記憶於記憶部18a的資訊，設定搬運機構5、15以及處理單元14的動作條件。驅動電路18c係依據藉由設定部18b所設定的動作條件將驅動命令輸出至搬運機構5、15以及處理單元14。
控制部18係例如藉由用以執行各種處理之中央運算處理裝置(CPU(Central Processing Unit；中央處理單元))、成為運算處理的作業區域之RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體)、固定硬碟等記憶媒體等所實現。
說明基板處理裝置1的動作例子。搬運機構5係從承載器載置部3上的承載器C將基板W搬運至載置部12。搬運機構15係從載置部12將基板W搬運至處理單元14。處理單元14係處理基板W。搬運機構15係從處理單元14將基板W搬運至載置部12。搬運機構5係從載置部12將基板W搬運至承載器載置部3上的承載器C。
[基板W的形狀] 圖3為基板W的俯視圖。說明基板W的基本的形狀。基板W係具有薄的平板形狀。俯視觀看時，基板W係具有略圓形狀。基板W係具有周緣部22以及主部23。主部23為位於周緣部22的內側之基板W的部分。半導體器件(semiconductor device)係形成於主部23。圖3係以虛線簡單地顯示周緣部22與主部23之間的交界。
基板處理裝置1係可處理不同形狀的基板W。以下例示形狀不同的三種類的基板W。為了簡便，將形狀不同的三種類的基板W分別稱為A型基板WA、B型基板WB以及C型基板WC。
圖4中的(a)為A型基板WA的剖視圖。A型基板WA為包含凹部24且未包含玻璃製的保護板之基板W，該凹部24係主部23比周緣部22還凹陷而形成。凹部24係例如藉由研削處理(研磨(grinding)處理)而形成。A型基板WA亦可僅由基板本體21所構成。或者，A型基板WA係除了包含基板本體21之外亦可進一步包含樹脂被膜、樹脂帶、樹脂片以及樹脂膜的至少任一種。
圖4中的(b)為B型基板WB的剖視圖。B型基板WB為包含凹部24且未包含玻璃製的保護板25之基板W。具體而言，B型基板WB係包含基板本體21以及保護板25。保護板25係例如貼附於基板本體21。B型基板WB亦可進一步包含樹脂被膜、樹脂帶、樹脂片以及樹脂膜的至少任一種。
圖4中的(c)為C型基板WC的剖視圖。C型基板WC為未包含凹部24之基板W。C型基板WC係遍及周緣部22以及主部23皆平坦。C型基板WC亦可僅由基板本體21所構成。或者，C型基板WC係除了包含基板本體21之外亦可進一步包含樹脂被膜、樹脂帶、樹脂片以及樹脂膜以及保護板25的至少任一種。
A型基板WA的主部23係比B型基板WB的主部23還薄。A型基板WA的主部23係比C型基板WC的主部23還薄。A型基板WA的剛性係比B型基板WB以及C型基板WC的剛性還低。A型基板WA係比B型基板WB以及C型基板WC還容易翹曲。
具體而言，A型基板WA的主部23係具有厚度TA1。B型基板WB的主部23係具有厚度TB1。C型基板WC的主部23係具有厚度TC1。厚度TA1係比厚度TB1還小。厚度TA1係比厚度TC1還小。厚度TA1係例如為10µm以上至200µm以下。厚度TB1係例如為800µm以上至1200µm以下。厚度TC1係例如為600µm以上至1000µm以下。
A型基板WA的周緣部22係具有厚度TA2。B型基板WB的周緣部22係具有厚度TB2。C型基板WC的周緣部22係具有厚度TC2。厚度TA2係比厚度TB2還小。厚度TA2係例如與厚度TC2相同。厚度TA2係例如為600µm以上至1000µm以下。厚度TB2係例如為1400µm以上至2200µm以下。厚度TC2係例如為600µm以上至1000µm以下。
A型基板WA以及B型基板WB為本發明中的第一基板的例子。C型基板WC為本發明中的第二基板的例子。以下將A型基板WA以及B型基板WB適當地總稱為「第一基板W1」。將C型基板WC適當地稱為「第二基板W2」。
A型基板WA為本發明中的薄基板的例子。B型基板WB以及C型基板WC為本發明中的厚基板的例子。以下將A型基板WA適當地稱為「薄基板Wp」。將B型基板WB以及C型基板WC適當地稱為「厚基板Wq」。
[處理單元的構成] 圖5為示意性地顯示處理單元14的構成之圖。處理單元14係具備基板保持部31、旋轉驅動部35、處理液供給部41以及液體回收部50。基板保持部31係保持一片基板W。基板保持部31係以水平姿勢保持基板W。旋轉驅動部35係旋轉基板保持部31。處理液供給部41係對被基板保持部31保持之基板W供給處理液。液體回收部50係回收從基板W飛散的處理液。
基板保持部31係具備板32。板32係具有略圓盤形狀。板32係具有上表面32a。上表面32a為略水平。上表面32a為略平坦。
旋轉驅動部35係連結於板32的下部。旋轉驅動部35係將板32繞著旋轉軸線A旋轉。旋轉軸線A係與鉛直方向平行。旋轉軸線A係通過板32的中心。更具體而言，旋轉驅動部35係具備旋轉軸35a。旋轉軸35a係朝鉛直方向延伸。旋轉軸35a係配置於旋轉軸線A上。旋轉軸35a係連接於板32的下部。旋轉驅動部35係進一步具備未圖示的馬達。馬達係連結於旋轉軸35a。馬達係將旋轉軸35a繞著旋轉軸線A旋轉。
基板保持部31係進一步具備複數個端緣接觸銷33。端緣接觸銷33亦稱為機械夾具(mechanical chuck)。端緣接觸銷33係安裝於板32。端緣接觸銷33係從板32的上表面32a朝上方突出。各個端緣接觸銷33亦可相對於板32旋轉。各個端緣接觸銷33亦可具有可相對於板32移動之可動部。各個端緣接觸銷33係與基板W的端緣接觸。在端緣接觸銷33與基板W的端緣接觸時，各個端緣接觸銷33亦可進一步地將基板W的端緣朝基板W的中心按壓。端緣接觸銷33係在比板32的上表面32a還高的位置保持基板W。在端緣接觸銷33保持基板W時，基板W的中心係位於旋轉軸線A上。在旋轉驅動部35旋轉板32時，端緣接觸銷33係與板32一體性地旋轉。在旋轉驅動部35旋轉基板保持部31時，端緣接觸銷33係不會相對於與端緣接觸銷33接觸的基板W滑動。在旋轉驅動部35旋轉基板保持部31時，被基板保持部31保持之基板W亦與板32一體性地旋轉。
處理液供給部41係具備第一噴嘴42。第一噴嘴42係噴出處理液。第一噴嘴42係朝下方噴出處理液。第一噴嘴42係配置於比基板保持部31保持之基板W還高的位置。第一噴嘴42係對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液。
處理單元14係具備未圖示的噴嘴移動機構。噴嘴移動機構係將第一噴嘴42移動至處理位置與退避位置。圖4係以虛線顯示位於處理位置的第一噴嘴42。圖4係以實線顯示位於退避位置的第一噴嘴42。處理位置為被基板保持部31保持之基板W的上方的位置。在第一噴嘴42位於處理位置時，俯視觀看時第一噴嘴42係與被基板保持部31保持之基板W重疊。在第一噴嘴42位於退避位置時，俯視觀看時第一噴嘴42係不與被基板保持部31保持之基板W重疊。
處理液供給部41係具備第一配管43。第一配管43係對第一噴嘴42供給處理液。第一配管43係具有第一端以及第二端。第一配管43的第一端係連接於處理液供給源44。第一配管43的第二端係連接於第一噴嘴42。
處理液供給部41係具備第二噴嘴45。第二噴嘴45係噴出處理液。第二噴嘴45係將處理液朝上方噴出。第二噴嘴45係配置於比被基板保持部31保持之基板W還低的位置。第二噴嘴45係對被基板保持部31保持之基板W的下表面供給處理液。
例如，第二噴嘴45係形成於板32。第二噴嘴45係形成於板32的上表面32a。第二噴嘴45係配置於板32的上表面32a的中央部。第二噴嘴45係配置於旋轉軸線A上。俯視觀看時，第二噴嘴45係與被基板保持部31保持之基板W重疊。
處理液供給部41係具備第二配管46。第二配管46係對第二噴嘴45供給處理液。第二配管46的一部分亦可形成於板32的內部。第二配管46的一部分亦可配置於旋轉軸35a的內部。第二配管46係具有第一端以及第二端。第二配管46的第一端係連接於處理液供給源47。第二配管46的第二端係連接於第二噴嘴45。
第二噴嘴45所噴出的處理液亦可與第一噴嘴42所噴出的處理液相同。第二噴嘴45所噴出的處理液亦可與第一噴嘴42所噴出的處理液不同。
處理單元14係具備流量調整部48。流量調整部48係調整處理液供給部41對基板W供給之處理液的流量。流量調整部48係具備第一流量調整部48a以及第二流量調整部48b。第一流量調整部48a係設置於第一配管43。第一流量調整部48a係調整第一噴嘴42所噴出之處理液的流量。第二流量調整部48b係設置於第二配管46。第二流量調整部48b係調整第二噴嘴45所噴出之處理液的流量。第一流量調整部48a與第二流量調整部48b係分別包含例如流量調節閥。第一流量調整部48a與第二流量調整部48b係分別包含例如開閉閥。
液體回收部50係具備第一防護罩51以及第二防護罩52。第一防護罩51以及第二防護罩52係分別接住處理液。第一防護罩51以及第二防護罩52係分別以圍繞基板保持部31的側方之方式配置。第一防護罩51係具有以旋轉軸線A作為中心(母線)之略圓筒形狀。第二防護罩52亦具有以旋轉軸線A作為中心之略圓筒形狀。第二防護罩52係配置於第一防護罩51的外側方向。第一防護罩51係配置於第二防護罩52的內側方向。
「內側方向」為朝向旋轉軸線A之方向。「內側方向」為接近旋轉軸線A之方向。「外側方向」為與內側方向相反之方向。
第一防護罩51係固定地設置。第二防護罩52係設置成可朝鉛直方向移動。第二防護罩52係可相對於基板保持部31朝鉛直方向移動。
第一防護罩51係具備鉛直部53。鉛直部53為以旋轉軸線A作為中心之環狀的周壁。鉛直部53係朝鉛直方向延伸。鉛直部53的內徑係遍及鉛直方向略固定。
第一防護罩51係具備傾斜部54。傾斜部54為以旋轉軸線A作為中心之環狀的周壁。傾斜部54係連接於鉛直部53。傾斜部54係從鉛直部53朝上方及內側方向延伸。傾斜部54的內徑係朝上方減少。
傾斜部54係具有上緣54A。上緣54A係具有以旋轉軸線A作為中心之環形狀。上緣54A係配置於比板32的上表面32a還低的位置。上緣54A係配置於接近板32的位置。
第二防護罩52係具備鉛直部55。鉛直部55為以旋轉軸線A作為中心之環狀的周壁。鉛直部55係配置於鉛直部53的外側方向。鉛直部55係朝鉛直方向延伸。鉛直部55的內徑係遍及鉛直方向略固定。鉛直部55的內徑係比鉛直部53的內徑還大。
第二防護罩52係具備傾斜部56。傾斜部56為以旋轉軸線A作為中心之環狀的周壁。傾斜部56係配置於傾斜部54的上方。傾斜部56係連接於鉛直部55。傾斜部56係從鉛直部55朝上方及內側方向延伸。傾斜部56的內徑係朝上方減少。
傾斜部56係具有上緣56A。上緣56A係配置於上緣54A的上方。上緣56A係具有以旋轉軸線A作為中心之環形狀。上緣56A的內側方向係呈開放。
第一防護罩51以及第二防護罩52係分別為本發明的防護罩的一例。
液體回收部50係具備回收空間57。回收空間57係被第一防護罩51以及第二防護罩52區劃。回收空間57為形成於第一防護罩51與第二防護罩52之間的空間。回收空間57係包含傾斜部54的上方以及傾斜部56的下方的空間。回收空間57係包含鉛直部53的外側方向以及鉛直部55的內側方向的空間。回收空間57係具有以旋轉軸線A作為中心之環形狀。回收空間57係以圍繞被基板保持部31保持之基板W的側方之方式配置。回收空間57係配置於被基板保持部31保持之基板W的外側方向。
液體回收部50係具備液體導入口58。圖5係以虛線顯示液體導入口58。液體導入口58為用以使處理液進入至回收空間57之開口。液體導入口58係相對於被基板保持部31保持之基板W呈開放。換言之，液體導入口58係將回收空間57朝基板W開放。從基板W飛散的處理液係通過液體導入口58進入至回收空間57。
液體導入口58係被第一防護罩51以及第二防護罩52區劃。更詳細而言，液體導入口58係被傾斜部54的上緣54A以及傾斜部56的上緣56A區劃。液體導入口58係配置於傾斜部54的上緣54A的上方以及傾斜部56的上緣56A的下方。液體導入口58為曲面，連結傾斜部54的上緣54A以及傾斜部56的上緣56A。液體導入口58係具有以旋轉軸線A作為中心之環形狀。液體導入口58係以圍繞被基板保持部31保持之基板W的側方之方式配置。液體導入口58係配置於被基板保持部31保持之基板W的外側方向。
液體導入口58係具有上端58T以及下端58B。第二防護罩52係規定上端58T。第二防護罩52的上緣56A係相當於上端58T。第一防護罩51係規定下端58B。第一防護罩51的上緣54A係相當於下端58B。
液體回收部50係具備罩59。罩59係配置於第一防護罩51以及第二防護罩52的下方。第一防護罩51以及第二防護罩52所接住的處理液係流落至罩59。罩59係具有溝部59a。溝部59a係朝上方呈開放。溝部59a係環狀地連繫。第一防護罩51的鉛直部53係插入至溝部59a。第二防護罩52的鉛直部55亦插入至溝部59a。
處理單元14係具備未圖示的排出管。排出管係連接於罩59。更具體而言，排出管係連接於溝部59a的底部。排出管係排出罩59內的處理液。
處理單元14係具備防護罩驅動部60。防護罩驅動部60係具備防護罩驅動機構62。防護罩驅動機構62係將第二防護罩52朝鉛直方向移動。防護罩驅動部60係不移動第一防護罩51。防護罩驅動機構62係包含例如電動馬達。
上緣56A(亦即上端58T)係可藉由防護罩驅動部60從比板32的上表面32a還低的位置移動至比被基板保持部31保持之基板W還高的位置移動。
處理單元14係具備形狀檢測部67。形狀檢測部67係檢測被載置於基板保持部31之基板W的形狀。形狀檢測部67係例如為用以拍攝基板W之成像感測器。成像感測器係例如為一維成像感測器或者二維成像感測器。形狀檢測部67係例如配置於基板保持部31的上方。
參照圖2。控制部18係進一步與形狀檢測部67、旋轉驅動部35、流量調整部48以及防護罩驅動部60可通訊地連接。控制部18係取得形狀檢測部67的檢測結果。控制部18係控制旋轉驅動部35、流量調整部48(48a、48b)以及防護罩驅動部60(防護罩驅動機構62)。
具體而言，設定部18b係在設定動作條件時進一步考慮從形狀檢測部67所取得的資訊。驅動電路18c係對旋轉驅動部35、流量調整部48(48a、48b)以及防護罩驅動部60(防護罩驅動機構62)輸出驅動命令。
[第一實施形態的處理單元14的動作例子] 在第一實施形態的處理單元14的動作例子中，控制部18係因應基板W的主部23的厚度來改變液體導入口58的上端58T的高度位置。
圖6係顯示控制部18的控制以及處理單元14的動作的順序之流程圖。
[步驟S1] 條碼讀取器4係讀取附加於承載器C的條碼。條碼讀取器4係將條碼讀取器4的檢測結果輸出至控制部18。形狀檢測部13係檢測載置於載置部12之基板W的形狀。形狀檢測部67係檢測被基板保持部31保持之基板W的形狀。形狀檢測部13、67係將形狀檢測部13、67的檢測結果輸出至控制部18。
[步驟S2] 控制部18係取得條碼讀取器4以及形狀檢測部13、67的檢測結果。控制部18係依據條碼讀取器4以及形狀檢測部13、67的檢測結果判定被基板保持部31保持之基板W的形狀。具體而言，設定部18b係特定基板W的主部23的厚度。
此外，即使從承載器C搬出基板W後，控制部18亦將基板W的位置與基板W的形狀賦予關聯並進行管理。具體而言，控制部18係管理搬運機構5、15在各個時刻中所搬運之基板W的形狀。控制部18係管理在各個時刻中載置於載置部12之基板W的形狀。控制部18係管理在各個時刻中被基板保持部31保持之基板W的形狀。控制部18為了管理基板W的位置以及基板W的形狀，控制部18亦可適當地參照形狀檢測部13、67的檢測結果以及是否存在檢測部6、16的檢測結果。
[步驟S3] 控制部18(具體而言為設定部18b)係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀決定液體導入口58的上端58T的高度位置。以下將液體導入口58的上端58T的高度位置簡稱為「上高度位置HT」。
例如，記憶部18a係預先記憶第一上設定值VTa以及第二上設定值VTb。第一上設定值VTa以及第二上設定值VTb係分別為與上高度位置HT有關之設定值。設定部18b係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀而在第一上設定值VTa以及第二上設定值VTb之間切換。設定部18b係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀選擇第一上設定值VTa以及第二上設定值VTb的某一個。
第一上設定值VTa以及第二上設定值VTb係分別規定上高度位置HT。將藉由第一上設定值VTa所規定的上高度位置HT稱為第一上高度位置HTa，將藉由第二上設定值VTb所規定的上高度位置HT稱為第二上高度位置HTb。第一上高度位置HTa係比第二上高度位置HTb還高。因此，設定部18b選擇第一上設定值VTa之情況係相當於控制部18將上高度位置HT的目標決定成第一上高度位置HTa之情況。設定部18b選擇第二上設定值VTb之情況係相當於控制部18將上高度位置HT的目標決定成第二上高度位置HTb之情況。
第一上設定值VTa以及第二上設定值VTb為本發明的設定值的例子。
為了改變上高度位置HT，控制部18係考慮被基板保持部31保持之基板W的形狀。控制部18所考慮的基板W的形狀係例如為被基板保持部31保持之基板W的主部23的厚度。
例如，被基板保持部31保持之基板W的主部23具有第一厚度時，控制部18係決定成第一上設定值VTa。例如，被基板保持部31保持之基板W的主部23具有比第一厚度還大的第二厚度時，控制部18係決定成第二上設定值VTb。
例如，被基板保持部31保持之基板W的主部23具有比基準值RV還小的厚度時，控制部18係決定成第一上設定值VTa。被基板保持部31保持之基板W的主部23具有比基準值RV還大的厚度時，控制部18係決定成第二上設定值VTb。
基準值RV係預先記憶至記憶部18a。設定部18b係比較被基板保持部31保持之基板W的主部23的厚度與基準值RV。藉此，設定部18a係選擇第一上設定值VTa以及第二上設定值VTb的某一個。
較佳為，基準值RV係比A型基板WA的主部23的厚度TA1還大且比B型基板WB的主部23的厚度TB1以及C型基板WC的主部23的厚度TC1還小。較佳為，例如基準值RV係比例如200µm還大且比600µm還小。藉此，當基板W為A型基板WA時，控制部18係能決定成第一上設定值VTa。換言之，基板W為薄基板Wp時，控制部18係能決定成第一上設定值VTa。基板W為B型基板WB或者C型基板WC時，控制部18係能決定成第二上設定值VTb。換言之，基板W為厚基板Wq時，控制部18係能決定成第二上設定值VTb。
控制部18所考慮的基板W的形狀係例如被基板保持部31保持之基板W是屬於薄基板Wp以及厚基板Wq的哪一個。
例如，被基板保持部31保持之基板W為薄基板Wp時，控制部18係選擇第一上設定值VTa。例如，被基板保持部31保持之基板W為厚基板Wq時，控制部18係選擇第二上設定值VTb。
控制部18所考慮的基板W的形狀係例如被基板保持部31保持之基板W是屬於A型基板WA、B型基板WB以及C型基板WC的哪一個。
例如，被基板保持部31保持之基板W為A型基板WA時，控制部18係選擇第一上設定值VTa。例如，被基板保持部31保持之基板W為B型基板WB或者C型基板WC時，控制部18係選擇第二上設定值VTb。
[步驟S4] 控制部18係控制處理單元14。控制部18係依據所決定的上高度位置HT控制防護罩驅動部60。具體而言，驅動電路18c係依據所切換的設定值驅動防護罩驅動部60。例如，在設定部18b已選擇第一上設定值VTa之情形中，驅動電路18c係依據第一上設定值VTa對防護罩驅動機構62發出驅動命令。例如，在設定部18b已選擇第二上設定值VTb之情形中，驅動電路18c係依據第二上設定值VTb對防護罩驅動機構62發出驅動命令。
[步驟S5] 處理單元14係依循控制部18的控制對基板W進行處理。具體而言，基板保持部31係保持基板W。防護罩驅動部60係使第二防護罩52朝鉛直方向移動。藉此，液體導入口58的上端58T係配置於所決定的上高度位置HT。
更具體而言，在設定部18b已選擇第一上設定值VTa之情形中，液體導入口58的上端58T係配置於第一上高度位置HTa。在設定部18b已選擇第二上設定值VTb之情形中，液體導入口58的上端58T係配置於第二上高度位置HTb。如此，控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀來改變上高度位置HT。例如，控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W的主部23的厚度來改變上高度位置HT。例如，控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W是薄基板Wp以及厚基板Wq的任一者來改變上高度位置HT。例如，控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W為A型基板WA、B型基板WB以及C型基板WC的哪一個來改變上高度位置HT。
圖7中的(a)以及圖7中的(b)係示意性地顯示處理單元14之圖。在圖7的(a)中，A型基板WA係保持於基板保持部31。在圖7的(b)中，B型基板WB或者C型基板WC係保持於基板保持部31。
參照圖7中的(a)。例如，被基板保持部31保持之基板W為A型基板WA時，液體導入口58的上端58T係配置於第一上高度位置HTa(亦即藉由第一上設定值VTa所規定的上高度位置HT)。例如，被基板保持部31保持之基板W為薄基板Wp時，液體導入口58的上端58T係配置於第一上高度位置HTa。
參照圖7中的(b)。例如被基板保持部31保持之基板W為B型基板WB或者C型基板WC時，液體導入口58的上端58T係配置於第二上高度位置HTb(亦即藉由第二上設定值VTb所規定的上高度位置HT)。例如被基板保持部31保持之基板W為厚基板Wq時，液體導入口58的上端58T係配置於第二上高度位置HTb。
如圖所示，第二上高度位置HTb係比第一上高度位置HTa還低。如此，第二防護罩52係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀朝鉛直方向移動。藉由第二防護罩52的移動改變上高度位置HT。
接著，旋轉驅動部35係旋轉基板保持部31，流量調整部48打開。藉此，一邊旋轉被基板保持部31保持之基板W，一邊藉由處理液供給部41對被基板保持部31保持之基板W供給處理液。具體而言，第一噴嘴42以及第二噴嘴45的至少某一個對基板W噴出處理液。處理液係從被基板保持部31保持之基板W朝外側方向飛散。飛散的處理液係被液體回收部50回收。具體而言，處理液係通過液體導入口58進入至回收空間57。第一防護罩51以及第二防護罩52係接住進入至回收空間57的處理液並將處理液導引至罩59。
參照圖7中的(b)。與A型基板WA相比，B型基板WB以及C型基板WC係具有高的剛性。與A型基板WA相比，B型基板WB以及C型基板WC係難以翹曲。B型基板WB以及C型基板WC的任一者被保持於基板保持部31時，B型基板WB以及C型基板WC係略水平。因此，處理液係容易從B型基板WB以及C型基板WC水平地飛散。亦即，處理液係難以從B型基板WB以及C型基板WC朝上方飛散。
如上所述，第二上高度位置HTb係比第一上高度位置HTa還低。相對於處理液所飛散的範圍，液體導入口58的上端58T係不會無意義地過高。因此，暫時被導入至回收空間57的處理液係難以通過液體導入口58返回至回收空間57的外部。更詳細而言，處理液係難以從回收空間57通過液體導入口58返回至被基板保持部31保持之基板W。從B型基板WB以及C型基板WC飛散的處理液係難以再次地附著於B型基板WB以及C型基板WC。如此，B型基板WB或者C型基板WC被保持於基板保持部31時，液體回收部50係能適當地回收處理液。因此，處理單元14係能對B型基板WB以及C型基板WC品質佳地進行處理。
參照圖7中的(a)。A型基板WA被保持於基板保持部31時，A型基板WA係比B型基板WB以及C型基板WC還大幅翹曲。具體而言，A型基板WA係朝下方凸狀地彎曲。A型基板WA的周緣部22係朝外側方向以及上方傾斜。因此，處理液係容易從A型基板WA飛散至上方。處理液係容易從A型基板WA飛散至較高的位置。
如上所述，第一上高度位置HTa係比第二上高度位置HTb還高。因此，即使在處理液已從A型基板WA飛散至較高的位置之情形中，液體導入口58亦能將處理液確實地導入至回收空間57。如此，即使A型基板WA被保持於基板保持部31，液體回收部50亦能適當地回收處理液。因此，處理單元14係能對A型基板WA品質佳地進行處理。
[第一實施形態的功效] 旋轉驅動部35係旋轉基板保持部31，藉此被基板保持部31保持之基板W係旋轉。處理液供給部41係對被基板保持部31保持之基板W供給處理液。處理液係從被基板保持部31保持之基板W飛散。液體回收部50係回收從基板W飛散的處理液。液體回收部50係包含第一防護罩51以及第二防護罩52。第一防護罩51以及第二防護罩52係以圍繞基板保持部31的側方之方式配置。液體回收部50係進一步包含液體導入口58。液體導入口58係被第一防護罩51以及第二防護罩52區劃。液體導入口58係相對於被基板保持部31保持之基板W呈開放。液體導入口58係將從基板W飛散的處理液導入至液體回收部50。防護罩驅動部60係使第二防護罩52朝鉛直方向移動。第二防護罩52係朝鉛直方向移動，藉此能改變上高度位置HT。
控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀來控制防護罩驅動部60。藉此，控制部18係改變上高度位置HT。因此，能因應被基板保持部31保持之基板W的形狀將液體導入口58調整至適當的高度位置。因此，與被基板保持部31保持之基板W的形狀無關地，液體回收部50係能適當地回收從基板W飛散的處理液。因此，處理單元14係能適當地處理基板W。
如上所述，本發明的基板處理裝置1係能適當地處理基板W。
控制部18係具備記憶部18a以及設定部18b。記憶部18a係記憶第一上設定值VTa以及第二上設定值VTb。設定部18b係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀而在第一上設定值VTa與第二上設定值VTb之間切換。因此，控制部18係能因應被基板保持部31保持之基板W的形狀適當地決定上高度位置HT。控制部18係能因應被基板保持部31保持之基板W的形狀適當地改變上高度位置HT。
處理單元14係對基板W進行處理(步驟S5)。處理單元14所進行的基板W的處理方法係具備三個步驟。在第一步驟中，藉由基板保持部31以水平姿勢保持基板W。在第二步驟中，第二防護罩52係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀朝鉛直方向移動，藉此改變上高度位置HT。在第三步驟中，旋轉基板保持部31，對被基板保持部31保持之基板W供給處理液，且藉由第一防護罩51以及第二防護罩52接住通過液體導入口58的處理液。因此，處理單元14係能適當地處理基板W。
控制部18係因應基板W的主部23的厚度改變上高度位置HT。因此，與基板W的主部23的厚度無關地，液體回收部50係能適當地回收從基板W飛散的處理液。因此，與基板W的主部23的厚度無關地，處理單元14係能適當地處理基板W。
被基板保持部31保持之基板W的主部23具有第一厚度時，液體導入口58的上端58T係配置於第一上高度位置HTa。被基板保持部31保持之基板W具有比第一厚度還大的第二厚度時，液體導入口58的上端58T係配置於比第一上高度位置HTa還低的第二上高度位置HTb。如此，在主部23具有第一厚度的基板W被保持於基板保持部31之情形中，液體導入口58的上端58T係配置於較高的位置。因此，液體回收部50係能適當地回收從基板W飛散的處理液。再者，在主部23具有第二厚度之基板W被保持於基板保持部31之情形中，液體導入口58的上端58T係配置於較低的位置。因此，液體回收部50係能適當地回收從基板W飛散的處理液。如此，即使在基板W較薄之情形中以及基板W較厚之情形中的任一個情形中，液體回收部50皆能適當地回收從基板W飛散的處理液。因此，處理單元14係能適當地處理主部23具有第一厚度的基板W以及主部23具有第二厚度的基板W雙方。
處理單元14係具備形狀檢測部67。形狀檢測部67係檢測基板W的形狀。控制部18係取得形狀檢測部67的檢測結果。控制部18係依據形狀檢測部67的檢測結果來判定被基板保持部31保持之基板W的形狀。因此，控制部18係能適當地特定被基板保持部31保持之基板W的形狀。例如，控制部18係能適當地特定基板W的主部23的厚度。
基板處理裝置1係具備條碼讀取器4。條碼讀取器4係讀取附加於承載器C的條碼。控制部18係取得條碼讀取器4的檢測結果。控制部18係依據條碼讀取器4的檢測結果來判定基板W的形狀。因此，控制部18係能適當地特定基板W的形狀。
基板處理裝置1係具備形狀檢測部13。形狀檢測部13係檢測基板W的形狀。控制部18係取得形狀檢測部13的檢測結果。控制部18係依據形狀檢測部13的檢測結果來判定基板W的形狀。因此，控制部18係能適當地特定基板W的形狀。
[第二實施形態] 參照圖式說明第二實施形態的基板處理裝置1。此外，針對與第一實施形態相同的構成附上相同的元件符號並省略詳細的說明。
第二實施形態的基板處理裝置1係具有與第一實施形態的基板處理裝置1略相同的構成。第二實施形態的處理單元14係執行與第一實施形態的處理單元14不同的動作。以下例示第二實施形態的處理單元14的動作。
[第二實施形態的處理單元14的動作例子] 在第二實施形態的處理單元14的動作例子中，控制部18係因應基板W是否具有凹部24來改變上高度位置HT。亦即，控制部18係因應基板W為第一基板W1以及第二基板W的哪一個來改變上高度位置HT。
圖8係顯示控制部18的控制以及處理單元14的動作的順序之流程圖。
[步驟S11] 步驟S11係與第一實施形態的步驟S1略相同。亦即，條碼讀取器4係讀取附加於承載器C的條碼。形狀檢測部13、67係分別檢測基板W的形狀。條碼讀取器4以及形狀檢測部13、67係將條碼讀取器4以及形狀檢測部13、67的檢測結果輸出至控制部18。
[步驟S12] 控制部18係取得條碼讀取器4以及形狀檢測部13、67的檢測結果。控制部18係依據條碼讀取器4以及形狀檢測部13、67的檢測結果來判定被基板保持部31保持之基板W的形狀。具體而言，設定部18b係特定基板W是否具有凹部24。設定部18b係特定基板W為第一基板W1以及第二基板W2的哪一個。
[步驟S13] 控制部18(具體而言為設定部18b)係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀來決定上高度位置HT。
例如，記憶部18a係預先記憶第一上設定值VTc以及第二上設定值VTd。第一上設定值VTc以及第二上設定值VTd係分別為與上高度位置HT有關之設定值。設定部18b係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀在第一上設定值VTc以及第二上設定值VTd之間切換。設定部18b係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀來選擇第一上設定值VTc以及第二上設定值VTd的某一個。
第一上設定值VTc以及第二上設定值VTd係分別規定上高度位置HT。將藉由第一上設定值VTc所規定的上高度位置HT稱為第一上高度位置HTc。將藉由第二上設定值VTd所規定的上高度位置HT稱為第二上高度位置HTd。第一上高度位置HTc係比第二上高度位置HTd還高。因此，設定部18b選擇第一上設定值VTc之情況係相當於控制部18將上高度位置HT的目標決定成第一上高度位置HTc之情況。設定部18b選擇第二上設定值VTd之情況係相當於控制部18將上高度位置HT的目標決定成第二上高度位置HTd之情況。
第一上設定值VTc以及第二上設定值VTd為本發明的設定值的例子。
為了改變上高度位置HT，控制部18係考慮被基板保持部31保持之基板W的形狀。控制部18所考慮的基板W的形狀係例如為被基板保持部31保持之基板W是否具有凹部24。
例如，被基板保持部31保持之基板W具有凹部24時，控制部18係決定成第一上設定值VTc。被基板保持部31保持之基板W未具有凹部24時，控制部18係決定成第二上設定值VTd。
控制部18所考慮的基板W的形狀係例如被基板保持部31保持之基板W是屬於第一基板W1以及第二基板W2的哪一個。
例如，被基板保持部31保持之基板W為第一基板W1時，控制部18係決定成第一上設定值VTc。被基板保持部31保持之基板W為第二基板W2時，控制部18係決定成第二上設定值VTd。
控制部18所考慮的基板W的形狀係例如被基板保持部31保持之基板W是屬於A型基板WA、B型基板WB以及C型基板WC的哪一個。
例如，被基板保持部31保持之基板W為A型基板WA或者B型基板WB時，控制部18係決定成第一上設定值VTc。被基板保持部31保持之基板W為C型基板WC時，控制部18係決定成第二上設定值VTd。
[步驟S14] 控制部18係控制處理單元14。控制部18係依據所決定的上高度位置HT控制防護罩驅動部60。具體而言，驅動電路18c係依據所切換的設定值驅動防護罩驅動部60。例如，在設定部18b已選擇第一上設定值VTc之情形中，驅動電路18c係依據第一上設定值VTc對防護罩驅動機構62發出驅動命令。例如，在設定部18b已選擇第二上設定值VTd之情形中，驅動電路18c係依據第二上設定值VTd對防護罩驅動機構62發出驅動命令。
[步驟S15] 處理單元14係依循控制部18的控制對基板W進行處理。具體而言，基板保持部31係保持基板W。防護罩驅動部60係使第二防護罩52朝鉛直方向移動。藉此，液體導入口58的上端58T係配置於所決定的上高度位置HT。
更具體而言，在設定部18b已選擇第一上設定值VTc之情形中，液體導入口58的上端58T係配置於第一上高度位置HTc。在設定部18b已選擇第二上設定值VTd之情形中，液體導入口58的上端58T係配置於第二上高度位置HTd。如此，控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀來改變上高度位置HT。例如，控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W是否具有凹部24來改變上高度位置HT。例如，控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W為第一基板W1以及第二基板W2的哪一個來改變上高度位置HT。例如，控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W為A型基板WA、B型基板WB以及C型基板WC的哪一個來改變上高度位置HT。
被基板保持部31保持之基板W具有凹部24時，液體導入口58的上端58T係配置於第一上高度位置HTc(亦即藉由第一上設定值VTc所規定的上高度位置HT)。被基板保持部31保持之基板W為第一基板W1時，液體導入口58的上端58T係被調整至第一上高度位置HTc。被基板保持部31保持之基板W為A型基板WA或者B型基板WB時，液體導入口58的上端58T係被調整至第一上高度位置HTc。
被基板保持部31保持之基板W未具有凹部24時，液體導入口58的上端58T係配置於第二上高度位置HTd(亦即藉由第二上設定值VTd所規定的上高度位置HT)。被基板保持部31保持之基板W為第二基板W2時，液體導入口58的上端58T係被調整至第二上高度位置HTd。被基板保持部31保持之基板W為C型基板WC時，液體導入口58的上端58T係被調整至第二上高度位置HTd。
接著，一邊藉由旋轉驅動部35旋轉基板保持部31，一邊藉由處理液供給部41對被基板保持部31保持之基板W供給處理液。液體回收部50係回收從基板W飛散的處理液。
第一基板W1係具有凹部24。第二基板W2係未具有凹部24。因此，會有處理液從第一基板W1飛散之範圍變得比處理液從第二基板W2飛散之範圍還大之虞。會有處理液從第一基板W飛散之範圍變得比處理液從第二基板W2飛散之範圍還高之虞。
如上所述，第一上高度位置HTc係比第二上高度位置HTd還高。因此，不論被基板保持部31保持之基板W為第一基板W1以及第二基板W2的哪一個，液體導入口58皆能將從基板W飛散的處理液確實地導入至回收空間57。
[第二實施形態的功效] 與第一實施形態同樣地，在第二實施形態中，控制部18亦因應被基板保持部31保持之基板W的形狀來控制防護罩驅動部60，藉此改變上高度位置HT。因此，能因應被基板保持部31保持之基板W的形狀將液體導入口58調整至適當的高度位置。因此，與被基板保持部31保持之基板W的形狀無關地，液體回收部50係能適當地回收從基板W飛散的處理液。因此，處理單元14係能適當地處理基板W。亦即，基板處理裝置1係能適當地處理基板W。
在第二實施形態中，控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W為第一基板W1以及第二基板W2的哪一個來改變上高度位置HT。因此，不論基板W為第一基板W1以及第二基板W2的哪一個，液體回收部50皆能適當地回收從基板W飛散的處理液。因此，處理單元14係能適當地處理第一基板W1以及第二基板W2雙方。
第一基板W1被保持於基板保持部31時，液體導入口58的上端58T係配置於第一上高度位置HTc。第二基板W2被保持於基板保持部31時，液體導入口58的上端58T係配置於比第一上高度位置HTc還低的第二上高度位置HTd。如此，在第一基板W1被保持於基板保持部31之情形中，液體導入口58的上端58T係配置於較高的位置。因此，液體回收部50係能適當地回收從第一基板W1飛散的處理液。在第二基板W2被保持於基板保持部31之情形中，液體導入口58的上端58T係配置於較低的位置。因此，液體回收部50係能適當地回收從第二基板W2飛散的處理液。
記憶部18a係記憶第一上設定值VTc以及第二上設定值VTd。設定部18b係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀在第一上設定值VTc與第二上設定值VTd之間切換。因此，控制部18係能因應被基板保持部31保持之基板W的形狀適當地改變上高度位置HT。
[第三實施形態] 參照圖式說明第三實施形態的基板處理裝置1。此外，針對與第一實施形態相同的構成附上相同的元件符號並省略詳細的說明。
第三實施形態的處理單元14係與第一實施形態的處理單元14不同。具體而言，在第三實施形態的處理單元14中，可調整液體導入口58的下端58B的高度位置。以下例示第三實施形態的處理單元14的構成以及動作。
[第三實施形態的處理單元14的構成] 圖9係示意性地顯示處理單元14的構成之圖。第一防護罩51係設置成可朝鉛直方向移動。第一防護罩51係可相對於基板保持部31朝鉛直方向移動。防護罩區動部60係將第一防護罩51以及第二防護罩52雙方朝鉛直方向移動。
防護罩驅動部60除了具備防護罩驅動機構62之外還進一步具備防護罩驅動機構61。以下為了方便，將防護罩驅動機構61稱為第一防護罩驅動機構61，將防護罩驅動機構62稱為第二防護罩驅動機構62。第一防護罩驅動機構61係將第一防護罩51朝鉛直方向移動。第二防護罩驅動機構62係將第二防護罩52朝鉛直方向移動。第一防護罩驅動機構61以及第二防護罩驅動機構62係可彼此獨立地動作。第一防護罩驅動機構61係例如包含電動馬達。第二防護罩驅動機構62係例如包含電動馬達。
第一防護罩51以及第二防護罩52係可彼此獨立地朝鉛直方向移動。然而，第一防護罩51的傾斜部54的上緣54A係常態地比第二防護罩52的傾斜部56的上緣56A還低。
控制部18係控制防護罩驅動部60。具體而言，控制部18係控制第一防護罩驅動機構61以及第二防護罩驅動機構62。
[第三實施形態的處理單元14的動作例子] 在第三實施形態的處理單元14的動作例子中，控制部18係因應配置有凹部24之基板W的部位以及被供給處理液之基板W的部位來決定液體導入口58的高度位置。控制部18係除了決定上高度位置HT之外還進一步決定液體導入口58的下端58B的高度位置。
圖10係顯示控制部18的控制以及處理單元14的動作的順序之流程圖。
[步驟S21] 步驟S21係與第一實施形態的步驟S1略相同。亦即，條碼讀取器4係讀取附加於承載器C的條碼。形狀檢測部13、67係分別檢測基板W的形狀。條碼讀取器4以及形狀檢測部13、67係將條碼讀取器4以及形狀檢測部13、67的檢測結果輸出至控制部18。
[步驟S22] 控制部18係取得條碼讀取器4以及形狀檢測部13、67的檢測結果。控制部18係依據條碼讀取器4以及形狀檢測部13、67的檢測結果來判定被基板保持部31保持之基板W的形狀。具體而言，設定部18b係特定被基板保持部31保持之基板W是否於基板W的上表面具有凹部24。設定部18b係特定被基板保持部31保持之基板W是否於基板W的下表面具有凹部24。
以下，將形成於基板W的上表面之凹部24特別稱為「上凹部24A」。將形成於基板W的下表面之凹部24特別稱為「下凹部24B」。上凹部24A係朝向上方。上凹部24A係朝上方呈開放。下凹部24B係朝向下方。下凹部24B係朝下方呈開放。
再者，控制部18係特定處理液供給部41是否對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液。控制部18係特定處理液供給部41是否對被基板保持部31保持之基板W的下表面供給處理液。
[步驟S23] 控制部18(具體而言為設定部18b)係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀來決定上高度位置HT。
例如，記憶部18a係預先記憶第一上設定值VTe、第二上設定值VTf以及第三上設定值VTg。第一上設定值VTe、第二上設定值VTf以及第三上設定值VTg係分別為與上高度位置HT有關之設定值。設定部18b係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀在第一上設定值VTe、第二上設定值VTf以及第三上設定值VTg之間切換。設定部18b係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀來選擇第一上設定值VTe、第二上設定值VTf以及第三上設定值VTg的某一個。
第一上設定值VTe、第二上設定值VTf以及第三上設定值VTg係分別規定上高度位置HT。將藉由第一上設定值VTe所規定的上高度位置HT稱為第一上高度位置HTe。將藉由第二上設定值VTf所規定的上高度位置HT稱為第二上高度位置HTf。將藉由第三上設定值VTg所規定的上高度位置HT稱為第三上高度位置HTg。第一上高度位置HTe係比第二上高度位置HTf還高。第二上高度位置HTf係比第三上高度位置HTg還高。因此，設定部18b選擇第一上設定值VTe之情況係相當於控制部18將上高度位置HT的目標決定成第一上高度位置HTe之情況。設定部18b選擇第二上設定值VTf之情況係相當於控制部18將上高度位置HT的目標決定成第二上高度位置HTf之情況。設定部18b選擇第三上設定值VTg之情況係相當於控制部18將上高度位置HT的目標決定成第三上高度位置HTg之情況。
第一上設定值VTe、第二上設定值VTf以及第三上設定值VTg為本發明的設定值的例子。
為了改變上高度位置HT，控制部18係考慮被基板保持部31保持之基板W的形狀。控制部18所考慮的基板W的形狀係例如為被基板保持部31保持之基板W是否具有上凹部24A。再者，控制部18係考慮處理液供給部41是否對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液。
例如，被基板保持部31保持之基板W具有上凹部24A且處理液供給部41對基板W的上表面供給處理液時，控制部18係決定成第一上設定值VTe。被基板保持部31保持之基板W未具有上凹部24A且處理液供給部41對基板W的上表面供給處理液時，控制部18係決定成第二上設定值VTf。處理液供給部41未對基板W的上表面供給處理液時，控制部18係決定成第三上設定值VTg。
再者，控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀來決定液體導入口58的下端58B的高度位置。以下將液體導入口58的下端58B的高度位置簡稱為「下高度位置HB」。
例如，記憶部18a係預先記憶第一下設定值VBa以及第二下設定值VBb。第一下設定值VBa以及第二下設定值VBb係分別為與下高度位置HB有關之設定值。設定部18b係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀而在第一下設定值VBa以及第二下設定值VBb之間切換。設定部18b係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀選擇第一下設定值VBa以及第二下設定值VBb的某一個。
第一下設定值VBa以及第二下設定值VBb係分別規定下高度位置HB。將藉由第一下設定值VBa所規定的下高度位置HB稱為第一下高度位置HBa。將藉由第二下設定值VBb所規定的下高度位置HB稱為第二下高度位置HBb。第一下高度位置HBa係比第二下高度位置HBb還低。因此，設定部18b選擇第一下設定值VBa之情況係相當於控制部18將下高度位置HB的目標決定成第一下高度位置HBa之情況。設定部18b選擇第二下設定值VBb之情況係相當於控制部18將下高度位置HB的目標決定成第二下高度位置HBb之情況。
第一下設定值VBa以及第二下設定值VBb為本發明的設定值的例子。
為了改變下高度位置HB，控制部18係考慮被基板保持部31保持之基板W的形狀。控制部18所考慮的基板W的形狀係例如為被基板保持部31保持之基板W是否具有下凹部28B。再者，控制部18係考慮處理液供給部41是否對被基板保持部31保持之基板W的下表面供給處理液。
例如，被基板保持部31保持之基板W具有下凹部24B且處理液供給部41對基板W的下表面供給處理液時，控制部18係決定成第一下設定值VBa。被基板保持部31保持之基板W未具有下凹部24B時，控制部18係決定成第二下設定值VBb。處理液供給部41未對基板W的下表面供給處理液時，控制部18亦決定成第二下設定值VBb。
[步驟S24] 控制部18係控制處理單元14。控制部18係依據所決定的上高度位置HT以及下高度位置HB控制防護罩驅動部60。更詳細而言，控制部18係依據所決定的上高度位置HT控制第二防護罩驅動機構62。控制部18係依據所決定的下高度位置HB控制第一防護罩驅動機構61。
具體而言，驅動電路18c係依據所切換的設定值來驅動防護罩驅動部60。例如，在設定部18b已選擇第一上設定值VTe之情形中，驅動電路18c係依據第一上設定值VTe對第二防護罩驅動機構62發出驅動命令。例如，在設定部18b已選擇第二上設定值VTf之情形中，驅動電路18c係依據第二上設定值VTf對第二防護罩驅動機構62發出驅動命令。例如，在設定部18b已選擇第三上設定值VTg之情形中，驅動電路18c係依據第三上設定值VTg對第二防護罩驅動機構62發出驅動命令。例如，在設定部18b已選擇第一下設定值VBa之情形中，驅動電路18c係依據第一下設定值VBa對第一防護罩驅動機構61發出驅動命令。例如，在設定部18b已選擇第二下設定值VBb之情形中，驅動電路18c係依據第二下設定值VBb對第一防護罩驅動機構61發出驅動命令。
[步驟S25] 處理單元14係依循控制部18的控制對基板W進行處理。具體而言，基板保持部31係保持基板W。第二防護罩驅動機構62係使第二防護罩52朝鉛直方向移動。藉此，液體導入口58的上端58T係配置於所決定的第一上高度位置HTe、第二上高度位置HTf以及第三上高度位置HTg的某一個位置。第一防護罩驅動機構61係使第一防護罩51朝鉛直方向移動。藉此，液體導入口58的下端58B係配置於第一下高度位置HBa或者第二下高度位置HBb。
更具體而言，在設定部18b已選擇第一上設定值VTe之情形中，液體導入口58的上端58T係配置於第一上高度位置HTe。在設定部18b已選擇第二上設定值VTf之情形中，液體導入口58的上端58T係配置於第二上高度位置HTf。在設定部18b已選擇第三上設定值VTg之情形中，液體導入口58的上端58T係配置於第三上高度位置HTg。在設定部18b已選擇第一下設定值VBa之情形中，液體導入口58的下端58B係配置於第一下高度位置HBa。在設定部18b已選擇第二下設定值VBb之情形中，液體導入口58的下端58B係配置於第二下高度位置HBb。如此，控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀來改變上高度位置HT以及下高度位置HB。例如，控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W是否具有上凹部24A以及處理液供給部41是否對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液來改變上高度位置HT。例如，控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W是否具有下凹部24B以及處理液供給部41是否對被基板保持部31保持之基板W的下表面供給處理液來改變下高度位置HB。
圖11中的(a)至圖11中的(f)係示意性地顯示用以處理基板W之處理單元14。在圖11中的(a)至圖11中的(f)中，第一噴嘴42未噴出處理液時，省略第一噴嘴42的圖示。因此，在圖11中的(c)以及圖11中的(f)中，第一噴嘴42未噴出處理液。在圖11中的(a)至圖11中的(f)中，第二噴嘴45未噴出處理液時，省略第二噴嘴45的圖示。因此，在圖11中的(a)以及圖11中的(d)中，第二噴嘴45未噴出處理液。
參照圖11中的(a)以及圖11中的(b)。被基板保持部31保持之基板W具有上凹部24A且處理液供給部41對基板W的上表面供給處理液時，液體導入口58的上端58T係配置於第一上高度位置HTe(亦即藉由第一上設定值VTe所規定的上高度位置HT)。
參照圖11中的(d)以及圖11中的(e)。被基板保持部31保持之基板W未具有上凹部24A且處理液供給部41對基板W的上表面供給處理液時，液體導入口58的上端58T係配置於第二上高度位置HTf(亦即藉由第二上設定值VTf所規定的上高度位置HT)。
參照圖11中的(c)以及圖11中的(f)。處理液供給部41未對基板W的上表面供給處理液時，液體導入口58的上端58T係配置於第三上高度位置HTg(亦即藉由第三上設定值VTg所規定的上高度位置HT)。
參照圖11中的(e)以及圖11中的(f)。被基板保持部31保持之基板W具有下凹部24B且處理液供給部41對基板W的下表面供給處理液時，液體導入口58的下端58B係配置於第一下高度位置HBa(亦即藉由第一下設定值VBa所規定的下高度位置HB)。
參照圖11中的(a)、圖11中的(b)以及圖11中的(c)。被基板保持部31保持之基板W未具有下凹部24B時，液體導入口58的下端58B係配置於第二下高度位置HBb(亦即藉由第二下設定值VBb所規定的下高度位置HB)。
參照圖11中的(a)以及圖11中的(d)。處理液供給部41未對基板W的下表面供給處理液時，液體導入口58的下端58B係配置於第二下高度位置HBb。
如圖所示，第一上高度位置HTe係比第二上高度位置HTf還高。第二上高度位置HTf係比第三上高度位置HTg還高。第一下高度位置HBa係比第二下高度位置HBb還低。
接著，一邊藉由旋轉驅動部35旋轉基板保持部31，一邊藉由處理液供給部41對被基板保持部31保持之基板W供給處理液。液體回收部50係回收從基板W飛散的處理液。
參照圖11中的(a)至圖11中的(c)。被基板保持部31保持之基板W具有上凹部24A時，基板W的周緣部22的上表面係配置於比基板W的主部23的上表面還高的位置。
參照圖11中的(d)至圖11中的(f)。被基板保持部31保持之基板W未具有上凹部24A時，基板W的上表面為略平坦。更詳細而言，基板W的周緣部22的上表面係配置於與基板W的主部23的上表面略相同的高度位置。
參照圖11中的(a)、圖11中的(b)、圖11中的(d)以及圖11中的(e)。處理液供給部41對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液時，處理液係沿著基板W的上表面從主部23朝周緣部22流動。
參照圖11中的(a)以及圖11中的(b)。被基板保持部31保持之基板W具有上凹部24A且處理液供給部41對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液時，處理液係沿著基板W的上表面從主部23朝周緣部22朝上流動。因此，處理液容易從基板W朝上方飛散。處理液係容易從基板W朝高的位置飛散。液體導入口58的上端58T係配置於第一上高度位置HTe。第一上高度位置HTe係較高。因此，液體導入口58係能將處理液適當地導引至回收空間57。
參照圖11中的(d)以及圖11中的(e)。被基板保持部31保持之基板W未具有上凹部24A且處理液供給部41對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液時，處理液係沿著基板W的上表面從主部23朝周緣部22略水平地流動。因此，處理液係難以從基板W朝上方飛散。處理液係難以從基板W朝高的位置飛散。液體導入口58的上端58T係配置於第二上高度位置HTf。第二上高度位置HTf係比第一上高度位置HTe還低。因此，液體導入口58係能將處理液適當地導引至回收空間57。
參照圖11中的(c)以及圖11中的(f)。處理液供給部41未對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液時，處理液係不會沿著基板W的上表面流動。因此，處理液係難以從基板W朝上方進一步地飛散。處理液係難以從基板W朝高的位置進一步地飛散。液體導入口58的上端58T係配置於第三上高度位置HTg。第三上高度位置HTg係比第一上高度位置HTe還低。再者，第三上高度位置HTg係比第二上高度位置HTf還低。因此，液體導入口58係能將處理液適當地導引至回收空間57。
參照圖11中的(d)至圖11中的(f)。被基板保持部31保持之基板W具有下凹部24B時，基板W的周緣部22的下表面係配置於比基板W的主部23的下表面還低的位置。
參照圖11中的(a)至圖11中的(c)。被基板保持部31保持之基板W未具有下凹部24B時，基板W的下表面為略平坦。更詳細而言，基板W的周緣部22的下表面係配置於與基板W的主部23的下表面略相同的高度位置。
參照圖11中的(b)、圖11中的(c)、圖11中的(e)以及圖11中的(f)。處理液供給部41對被基板保持部31保持之基板W的下表面供給處理液時，處理液係沿著基板W的下表面從主部23朝周緣部22流動。
參照圖11中的(e)以及圖11中的(f)。被基板保持部31保持之基板W具有下凹部24B且處理液供給部41對被基板保持部31保持之基板W的下表面供給處理液時，處理液係沿著基板W的下表面從主部23朝周緣部22朝下流動。因此，處理液容易從基板W朝下方飛散。處理液係容易從基板W朝低的位置飛散。液體導入口58的下端58B係配置於第一下高度位置HBa。第一下高度位置HBa係較低。因此，液體導入口58係能將處理液適當地導入至回收空間57。
參照圖11中的(b)以及圖11中的(c)。被基板保持部31保持之基板W未具有下凹部24B且處理液供給部41對被基板保持部31保持之基板W的下表面供給處理液時，處理液係沿著基板W的下表面從主部23朝周緣部22略水平地流動。因此，處理液係難以從基板W朝下方飛散。處理液係難以從基板W朝低的位置飛散。液體導入口58的下端58B係配置於第二下高度位置HBb。第二下高度位置HBb係比第一下高度位置HBa還高。因此，液體導入口58係能將處理液適當地導入至回收空間57。
參照圖11中的(a)以及圖11中的(d)。處理液供給部41未對被基板保持部31保持之基板W的下表面供給處理液時，處理液係不會沿著基板W的下表面流動。因此，處理液係難以從基板W朝下方進一步地飛散。處理液係難以從基板W朝低的位置進一步地飛散。液體導入口58的下端58B係配置於第二下高度位置HBb。第二下高度位置HBb係比第一下高度位置HBa還高。因此，液體導入口58係能將處理液適當地導入至回收空間57。
[第三實施形態的功效] 與第一實施形態同樣地，在第三實施形態中，控制部18亦因應被基板保持部31保持之基板W的形狀來控制防護罩驅動部60，藉此改變上高度位置HT。再者，在第三實施形態中，控制部18係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀來控制防護罩驅動部60，藉此改變下高度位置HB。因此，能因應被基板保持部31保持之基板W的形狀將液體導入口58調整至更適當的高度位置。因此，與被基板保持部31保持之基板W的形狀無關地，液體回收部50係能更適當地回收從基板W飛散的處理液。因此，處理單元14係能更適當地處理基板W。亦即，基板處理裝置1係能更適當地處理基板W。
記憶部18a係記憶第一上設定值VTe、第二上設定值VTf以及第三上設定值VTg。設定部18b係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀在第一上設定值VTe、第二上設定值VTf以及第三上設定值VTg之間切換。記憶部18a係記憶第一下設定值VBa以及第二下設定值VBb。設定部18b係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀在第一下設定值VBa以及第二下設定值VBb之間切換。因此，控制部18係能適當地決定上高度位置HT以及下高度位置HB雙方。因此，控制部18係能因應被基板保持部31保持之基板W的形狀適當地改變上高度位置HT以及下高度位置HB。
處理單元14係對基板W進行處理(步驟S25)。處理單元14所進行的基板W的處理方法係具備三個步驟。在第一步驟中，藉由基板保持部31以水平姿勢保持基板W。在第二步驟中，第一防護罩51以及第二防護罩52係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀朝鉛直方向移動，藉此改變上高度位置HT以及下高度位置HB。在第三步驟中，旋轉基板保持部31，對被基板保持部31保持之基板W供給處理液，且藉由第一防護罩51以及第二防護罩52接住通過液體導入口58的處理液。因此，處理單元14係能更適當地處理基板W。
被基板保持部31保持之基板W是否具有上凹部24A為對從基板W飛散的處理液的方向造成影響之事項。處理液供給部41是否對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液亦為對從基板W飛散的處理液的方向造成影響之事項。控制部18係考慮雙方的事項來改變上高度位置HT。因此，控制部18係能將液體導入口58的上端58T調整至適當的高度位置。因此，液體回收部50係能適當地回收從基板W飛散的處理液。
被基板保持部31保持之基板W具有上凹部24A且處理液供給部41對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液時，液體導入口58的上端58T係配置於第一上高度位置HTe。被基板保持部31保持之基板W未具有上凹部24A時，液體導入口58的上端58T係配置於第二上高度位置HTf或者第三上高度位置gH THTHTg。處理液供給部41未對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液時，液體導入口58的上端58T係配置於第三上高度位置HTg。第一上高度位置HTe係比第二上高度位置HTf以及第三上高度位置HTg還高。因此，被基板保持部31保持之基板W具有上凹部24A且處理液供給部41對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液時，液體回收部50係能適當地回收從基板W飛散的處理液。被基板保持部31保持之基板W未具有上凹部24A時，液體回收部50亦能適當地回收從基板W飛散的處理液。處理液供給部41未對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液時，液體回收部50亦能適當地回收從基板W飛散的處理液。
處理液供給部41未對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液時，液體導入口58的上端58T係配置於第三上高度位置HTg。處理液供給部41對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液時，液體導入口58的上端58T係配置於第一上高度位置HTe或者第二上高度位置HTf。第三上高度位置HTg係比第一上高度位置HTe以及第二上高度位置HTf還低。因此，處理液供給部41未對被基板保持部31保持之基板W的上表面供給處理液時，液體回收部50係能更適當地回收從基板W飛散的處理液。
被基板保持部31保持之基板W是否具有下凹部24B為對從基板W飛散的處理液的方向造成大的影響之事項。處理液供給部41是否對被基板保持部31保持之基板W的下表面供給處理液亦為對從基板W飛散的處理液的方向造成大的影響之事項。控制部18係考慮雙方的事項來改變下高度位置HB。因此，控制部18係能將液體導入口58的下端58B調整至適當的高度位置。因此，液體回收部50係能適當地回收從基板W飛散的處理液。
被基板保持部31保持之基板W具有下凹部24B且處理液供給部41對被基板保持部31保持之基板W的下表面供給處理液時，液體導入口58的下端58B係配置於第一下高度位置HBa。被基板保持部31保持之基板W未具有下凹部24B時，液體導入口58的下端58B係配置於第二下高度位置HBb。處理液供給部41未對被基板保持部31保持之基板W的下表面供給處理液時，液體導入口58的下端58B係配置於第二下高度位置HBb。第一下高度位置HBa係比第二下高度位置HBb還低。因此，被基板保持部31保持之基板W具有下凹部24B且處理液供給部41對被基板保持部31保持之基板W的下表面供給處理液時，液體回收部50係能適當地回收從基板W飛散的處理液。被基板保持部31保持之基板W未具有下凹部24B時，液體回收部50亦能適當地回收從基板W飛散的處理液。處理液供給部41未對被基板保持部31保持之基板W的下表面供給處理液時，液體回收部50亦能適當地回收從基板W飛散的處理液。
本發明並未限定於第一實施形態、第二實施形態以及第三實施形態，能以下述方式進行變化來實施。
在第一實施形態以及第二實施形態中，控制部18係改變上高度位置HT。在第三實施形態中，控制部18係改變上高度位置HT以及下高度位置HB。然而，並未限定於此。控制部18亦可改變上高度位置HT以及下高度位置HB的至少某一個。
在第一實施形態、第二實施形態以及第三實施形態中，作為改變液體導入口58的高度位置之因素，例示主部23的厚度、有無凹部24、配置有凹部24之基板W的部位、被供給處理液之基板W的部位。然而，並未限定於此。例如，作為改變液體導入口58的高度位置之因素亦可為凹部24的尺寸以及／或者凹部24的形狀。例如，為了改變上高度位置HT以及下高度位置HB的至少某一個，控制部18所考慮的基板W的形狀亦可為凹部24的尺寸以及／或者凹部24的形狀。例如，控制部18係因應凹部24的尺寸以及／或者凹部24的形狀來改變液體導入口58的高度位置。
圖12為基板W的剖視圖。控制部18亦可因應深度D來改變上高度位置HT以及下高度位置HB的至少某一個。在此，深度D為主部23相對於周緣部22之深度。更詳細而言，深度D係相當於周緣部22的高度位置與主部23的高度位置的差。深度D亦能稱為「凹部24的深度」。深度D為對從基板W飛散的處理液的方向造成影響之事項。例如，被基板保持部31保持之基板W具有第一深度時之液體導入口58的上端58T亦可比被基板保持部31保持之基板W具有比第一深度還小的第二深度時之液體導入口58的上端58T還高。例如，上高度位置HT亦可隨著深度D變大而變高。依據本變化實施形態，與凹部24的深度D無關地，液體回收部50係能適當地回收從基板W飛散的處理液。
參照圖12。基板W係具備凹部24以及壁部26。壁部26係形成於周緣部22與主部23之間。更詳細而言，壁部26係從周緣部22的內緣延伸至主部23的外緣。在基板W未翹曲的狀態下，周緣部22以及主部23為水平，壁部26不是水平。控制部18亦可因應壁部26的角度θ來改變上高度位置HT以及下高度位置HB的至少某一個。在此，壁部26的角度θ係例如為壁部26相對於水平線之角度。壁部26的角度為對從基板W飛散的處理液的方向造成影響之事項。例如，被基板保持部31保持之基板W的壁部26以第一角度傾斜時之液體導入口58的上端58T亦可比被基板保持部31保持之基板W的壁部26以比第一角度還小的第二角度傾斜時之液體導入口58的上端58T還高。例如，上高度位置HT亦可隨著壁部26的角度變大而變高。依據本變化實施形態，與壁部26的角度θ無關地，液體回收部50係能適當地回收從基板W飛散的處理液。
在第一實施形態以及第二實施形態中，防護罩驅動部60係僅使第二防護罩52移動。然而，並未限定於此。防護罩驅動部60亦可使第一防護罩51以及第二防護罩52的至少某一個移動。例如，防護罩驅動部60亦可使第一防護罩51移動。藉此，控制部18係能改變下高度位置HB。
在第一實施形態、第二實施形態以及第三實施形態中，液體回收部50所具有的防護罩的數量為兩個。然而，並未限定於此。液體回收部50亦可具備三個以上的防護罩。
圖13為示意性地顯示變化實施形態的處理單元14之圖。此外，針對與實施形態相同的構成附上相同的元件符號並省略詳細的說明。
在變化實施形態的處理單元14中，液體回收部50係除了具備第一防護罩51以及第二防護罩52之外進一步還具備第三防護罩81以及第四防護罩82。第三防護罩81以及第四防護罩82係分別接住處理液。第三防護罩81及第四防護罩82係分別以圍繞基板保持部31的側方之方式配置。第三防護罩81及第四防護罩82係具有以旋轉軸線A作為中心之略圓筒形狀。第三防護罩81係配置於第二防護罩52的外側方向。第四防護罩82係配置於第三防護罩81的外側方向。
第三防護罩81以及第四防護罩82係具有與第一防護罩51以及第二防護罩52略相同的構造。亦即，第三防護罩81係具備鉛直部83以及傾斜部84。鉛直部83係配置於鉛直部55的外側方向。傾斜部84係配置於傾斜部56的上方。傾斜部84係具有上緣84A。第四防護罩82係具備鉛直部85以及傾斜部86。鉛直部85係配置於鉛直部83的外側方向。傾斜部86係配置於傾斜部84的上方。傾斜部86係具有上緣86A。
第一防護罩51、第二防護罩52、第三防護罩81以及第四防護罩82係分別為本發明的防護罩的例子。
防護罩驅動部60係除了具備第一防護罩驅動機構61以及第二防護罩驅動機構62之外還具備第三防護罩驅動機構63以及第四防護罩驅動機構64。第三防護罩驅動機構63係將第三防護罩31朝鉛直方向移動。第四防護罩驅動機構64係將第四防護罩82朝鉛直方向移動。第一防護罩51、第二防護罩52、第三防護罩81以及第四防護罩82係彼此獨立且可朝鉛直方向移動。然而，第一防護罩51的傾斜部54的上緣54A係常態性地比第二防護罩52的傾斜部56的上緣56A還低。第二防護罩52的傾斜部56的上緣56A係常態性地比第三防護罩81的傾斜部84的上緣84A還低。第三防護罩81的傾斜部84的上緣84A係常態性地比第四防護罩82的傾斜部86的上緣86A還低。
圖14中的(a)至(d)係分別顯示防護罩的配置例子之圖。圖14中的(a)至(d)係省略處理液供給部41以及防護罩驅動部60等圖示。
參照圖14中的(a)。上緣86A係配置於比被基板保持部31保持之基板W還高的位置。上緣84A、56A、54A係配置於比板32的上表面32a還低的位置。第三防護罩81以及第四防護罩82係區劃回收空間57a以及液體導入口58a。第四防護罩82係規定液體導入口58a的上端58Ta。第四防護罩82的上緣86A係相當於液體導入口58a的上端58Ta。第三防護罩81係規定液體導入口58a的下端58Ba。第三防護罩81的上緣84A係相當於液體導入口58a的下端58Ba。
參照圖14中的(b)。上緣86A、84A係配置於比被基板保持部31保持之基板W還高的位置。上緣56A、54A係配置於比板32的上表面32a還低的位置。第二防護罩52以及第三防護罩81係區劃回收空間57b以及液體導入口58b。第三防護罩81係規定液體導入口58b的上端58Tb。第三防護罩81的上緣84A係相當於液體導入口58b的上端58Tb。第二防護罩52係規定液體導入口58b的下端58Bb。第二防護罩52的上緣56A係相當於液體導入口58b的下端58Bb。
參照圖14中的(c)。上緣86A、84A、56A係配置於比被基板保持部31保持之基板W還高的位置。上緣54A係配置於比板32的上表面32a還低的位置。第一防護罩51以及第二防護罩52係區劃回收空間57c以及液體導入口58c。第二防護罩52係規定液體導入口58c的上端58Tc。第二防護罩52的上緣56A係相當於液體導入口58c的上端58Tc。第一防護罩51係規定液體導入口58c的下端58Bc。第一防護罩51的上緣54A係相當於液體導入口58c的下端58Bc。
參照圖14中的(d)。上緣86A、84A、56A、54A係配置於比被基板保持部31保持之基板W還高的位置。第一防護罩51係區劃回收空間57d以及液體導入口58d。回收空間57d係配置於第一防護罩51的傾斜部54的下方以及第一防護罩51的鉛直部53的內側方向。第一防護罩51係規定液體導入口58d的上端58Td。第一防護罩51的上緣54A係相當於液體導入口58d的上端58Td。然而，第一防護罩51、第二防護罩52、第三防護罩81以及第四防護罩82皆未規定液體導入口58d的下端58Bd。
將液體導入口58a、58b、58c、58d適當地總稱為液體導入口58。將上端58Ta、58Tb、58Tc、58Td適當地總稱為上端58T。將下端58Ba、58Bb、58Bc、58Bd適當地總稱為下端58B。
如上所述，用以規定液體導入口58的上端58T之防護罩亦可在第一防護罩51、第二防護罩52、第三防護罩81以及第四防護罩82之間切換。用以規定液體導入口58的下端58B之防護罩亦可在第一防護罩51、第二防護罩52以及第三防護罩81之間切換。液體導入口58的下端58B亦可不被防護罩規定。
依據本變化實施形態，液體導入口58係在液體導入口58a、58b、58c、58d之間切換。因此，能使用從複數個液體導入口58a、58b、58c、58d中選擇的一個液體導入口來回收從基板W飛散的處理液。回收空間57係在回收空間57a、57b、57c、57d之間切換。因此，能使用從複數個回收空間57a、57b、57c、57d中選擇的一個回收空間來回收從基板W飛散的處理液。因此，處理液供給部41使用複數種類的處理液時，液體回收部50係能分離回收複數種類的處理液。
在上述第一實施形態中，上高度位置HT係從兩個高度位置(具體而言為第一上高度位置HTa以及第二上高度位置HTb)中選擇。換言之，在上述第一實施形態中，上高度位置HT係兩階段地變化。然而，並未限定於此。上高度位置HT亦可從三個以上的高度位置中選擇。換言之，上高度位置HT亦可三階段以上地變化。或者，亦可無階段地調整上高度位置HT。例如，上高度位置HT亦可隨著主部23的厚度變小而變高。下高度位置HB的決定以及調整亦可同樣地變更。
在上述第一實施形態、第二實施形態以及第三實施形態中，基板保持部31係具備端緣接觸銷33。然而，並未限定於此。例如，亦可從基板保持部31省略端緣接觸銷33。例如，基板保持部31亦可藉由所謂的伯努利夾具(Bernoulli chuck)或者伯努利夾持器(Bernoulli  gripper)來保持基板W。
圖15為示意性地顯示變化實施形態的處理單元14之圖。此外，針對與第一實施形態相同的構成附上相同的元件符號並省略詳細的說明。
基板保持部31係具備複數個固定銷91。固定銷91係支撐基板W。各個固定銷91係固定於板32。各個固定銷91係無法相對於板32移動。各個固定銷91係無法相對於板32旋轉。各個固定銷91係未具有可相對於板32移動的可動部。
固定銷91係從板32的上表面32a朝上方突出。固定銷91 係與基板W的下表面接觸。更詳細而言，固定銷91係與基板W的周緣部22的下表面接觸。藉此，固定銷91係在比板32的上表面32a還高的位置支撐基板W。被固定銷91支撐之基板W係配置於比上表面32a還高的位置。
固定銷91係未與基板W的上表面接觸。固定銷91係容許基板W相對於固定銷91朝上方移動。固定銷91係未與基板W的端緣接觸。固定銷91自身係容許基板W相對於固定銷91滑動。如此，固定銷91自身係未保持基板W。
基板保持部31係具備氣體吹出口93。氣體吹出口93係形成於板32的上表面32a。俯視觀看時，氣體吹出口93係配置於與被固定銷91支撐的基板W重疊之位置。氣體吹出口93係朝上方吹出氣體。氣體吹出口93係對板32的上表面32a與被固定銷91支撐的基板W的下表面之間吹出氣體。氣體吹出口93係從被固定銷91支撐的基板W的下方的位置對基板W吹出氣體。氣體係被供給至板32的上表面32a與被固定銷91支撐的基板W的下表面之間。氣體係沿著被固定銷91支撐的基板W的下表面流動。藉此，氣體吹出口93係吸引基板W。具體而言，氣體係沿著基板W的下表面流動，藉此形成負壓。亦即，基板W的下表面所承受的氣壓係比基板W的上表面所承受的氣壓還小。藉由伯努利的原理，朝下的力量係作用於基板W。亦即，基板W朝下方被吸引。基板W係朝氣體吹出口93以及板32被吸引。作用於基板W之吸引力係隨著氣體吹出口93所吹出的氣體的流量變大而變大。然而，氣體吹出口93係未與基板W接觸。板32亦未與基板W接觸。
氣體吹出口93係將基板W朝下方吸引且固定銷91係與基板W的下表面接觸，藉此基板W係被支撐且被保持於預定的位置。藉由作用於基板W的吸引力，基板W係不會相對於固定銷91朝水平方向滑動。如此，基板保持部31係保持基板W。
氣體吹出口93係例如具備複數個第一吹出口94。第一吹出口94係配置於第二噴嘴45的外側方向。第一吹出口94係配置於比固定銷91還位於旋轉軸線A的內側方向。俯視觀看時，第一吹出口94係排列於繞著旋轉軸線A的圓周上。
固定銷91為本發明的支撐部的例子。
處理單元14係具備第一氣體供給路徑96。第一氣體供給路徑96係對第一吹出口94供給氣體。第一氣體供給路徑96的一部分係形成於板32的內部。第一氣體供給路徑96係具有第一端以及第二端。第一氣體供給路徑96的第一端係連接於氣體供給源98。第一氣體供給路徑96的第二端係連接於第一吹出口94。被供給至第一吹出口94的氣體係例如為氮氣或空氣。被供給至第一吹出口94的氣體係例如為高壓氣體或者壓縮氣體。
處理單元14係具備吹出調整部101。吹出調整部101係調整氣體吹出口93所吹出的氣體的流量。具體而言，吹出調整部101係設置於第一氣體供給路徑96。吹出調整部101係調整被供給至第一吹出口94的氣體的流量。
在本變化實施形態中，氣體吹出口93亦可進一步具備：第二吹出口，係配置於板32的上表面32a的中央部。吹出調整部101亦可個別地調整第一吹出口94所吹出的氣體的流量以及第二吹出口所吹出的氣體的流量。
在本變化實施形態中，氣體吹出口93亦可進一步地通過第二噴嘴45將氣體朝上方吹出。吹出調整部101亦可個別地調整第一吹出口94所吹出的氣體的流量以及通過第二噴嘴45所吹出的氣體的流量。
在第一實施形態、第二實施形態以及第三實施形態中，處理液供給部41係對基板W的上表面供給處理液。然而，並未限定於此。處理液供給部41亦可不對基板W的上表面供給處理液。處理液供給部41亦可僅對基板W的下表面供給處理液。在本變化實施形態中，控制部18亦可不改變上高度位置HT而僅改變下高度位置HB。
在第一實施形態、第二實施形態以及第三實施形態中，處理液供給部41係對基板W的下表面供給處理液。然而，並未限定於此。處理液供給部41亦可不對基板W的下表面供給處理液。處理液供給部41亦可僅對基板W的上表面供給處理液。在本變化實施形態中，控制部18亦可不改變下高度位置HB而僅改變上高度位置HT。
在上述第一實施形態中，控制部18係選擇第一上設定值VTa以及第二上設定值VTb的任一者。然而，並未限定於此。例如，記憶部18a亦可記憶包含第一上設定值VTa之第一處理處方以及包含第二上設定值VTb之第二處理處方。在本變化實施形態中，控制部18亦可選擇第一處理處方以及第二處理處方的任一者。在本變化實施形態中，控制部18亦能適當地決定上高度位置HT。同樣地，在第二實施形態以及第三實施形態中，控制部18亦可從記憶於記憶部18a的複數個處理處方中選擇一個處理處方。
在第一實施形態、第二實施形態以及第三實施形態中，控制部18係依據條碼讀取器4以及形狀檢測部13、67的檢測結果來判定基板W的形狀。然而，並未限定於此。例如，控制部18亦可依據條碼讀取器4以及形狀檢測部13、67的某一個的檢測結果來判定基板W的形狀。
在第一實施形態、第二實施形態以及第三實施形態中，控制部18係依據條碼讀取器4以及形狀檢測部13、67的檢測結果來判定基板W的形狀。然而，並未限定於此。
例如，基板處理裝置1亦可具備：基板資訊檢測部(未圖示)，係讀取附加於基板W的基板資訊。在本變化實施形態中，控制部18亦可依據基板資訊檢測部的檢測結果來判定基板W的形狀。在此，附加於基板W的基板資訊係例如為印刷於基板W的識別碼。基板資訊檢測部係例如為讀取器。
在第一實施形態、第二實施形態以及第三實施形態中，控制部18亦可進一步從基板處理裝置1的外部機器取得資訊。基板處理裝置1的外部機器係例如為主機電腦(host computer)。在本變化實施形態中，在控制部18從外部機器取得資訊之前，控制部18亦可例如將條碼讀取器4的檢測結果發送至外部機器。在本變化實施形態中，在控制部18從外部機器取得資訊之前，控制部18亦可例如將形狀檢測部13、67的檢測結果以及是否存在檢測部6、16的檢測結果發送至外部機器。
以下例示控制部18從外部機器所取得之資訊。
例如，控制部18亦可從基板處理裝置1的外部機器取得與基板W的形狀有關之資訊(以下稱為基板形狀資訊)。控制部18亦可依據從外部機器所取得的基板形狀資訊來特定基板W的形狀。
基板形狀資訊亦可例如為用以直接地顯示基板W的形狀之資訊。用以直接地顯示基板W的形狀之資訊係例如為基板W的主部23的厚度、基板W的凹部24的深度D以及基板W的壁部26的角度θ的至少某一個之資訊。例如，用以直接地顯示基板W的形狀之資訊亦可包含用以直接地顯示基板W是否具有凹部24之資訊。例如，用以直接地顯示基板W的形狀之資訊亦可包含用以直接地顯示是否於基板W的上表面形成有凹部24之資訊。例如，用以直接地顯示基板W的形狀之資訊亦可包含用以直接地顯示是否於基板W的下表面形成有凹部24之資訊。在控制部18已取得用以直接地顯示基板W的形狀之資訊之情形中，控制部18係不進行用以判定基板W的形狀之步驟(例如步驟S2、S12、S22)。
基板形狀資訊亦可為用以間接地顯示基板W的形狀之資訊。在控制部18已取得用以間接地顯示基板W的形狀之資訊之情形中，控制部18係進行用以依據用以間接地顯示基板W的形狀之資訊來判定基板W的形狀之步驟(例如步驟S2、S12、S22)。
例如，控制部18亦可從基板處理裝置1的外部機器取得與上高度位置HT以及下高度位置HB的至少某一個相關之資訊(以下稱為液體回收條件資訊)。在此，液體回收條件資訊係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀而設定。控制部18亦可依據從外部機器所取得的液體回收條件資訊來決定上高度位置HT以及下高度位置HB的至少某一個。藉由本變化實施形態，控制部18亦能因應被基板保持部31保持之基板W的形狀來改變上高度位置HT以及下高度位置HB的至少某一個。在本變化實施形態中，控制部18亦可不進行用以判定基板W的形狀之步驟(例如步驟S2、S12、S22)。
液體回收條件資訊亦可為用以直接地指定上高度位置HT以及下高度位置HB的至少某一個之資訊。
用以直接地指定上高度位置HT之資訊亦可例如包含上設定值。在液體回收條件資訊包含上設定值之情形中，控制部18係決定成液體回收條件資訊所含有的上設定值。在液體回收條件資訊包含上設定值之情形中，控制部18係依據液體回收條件資訊所含有的上設定值來改變上高度位置HT。
用以直接地指定下高度位置HB之資訊亦可例如包含下設定值。在液體回收條件資訊包含下設定值之情形中，控制部18係決定成液體回收條件資訊所含有的下設定值。在液體回收條件資訊包含下設定值之情形中，控制部18係依據液體回收條件資訊所含有的下設定值來改變下高度位置HB。
液體回收條件資訊亦可為用以間接地指定上高度位置HT以及下高度位置HB的至少某一個之資訊。
用以間接地指定上高度位置HT之資訊亦可例如包含用以識別上設定值之上設定值識別資訊。在本變化實施形態中，記憶部18a係記憶複數個上設定值。而且，控制部18係從記憶於記憶部18a的複數個上設定值中特定藉由上設定值識別資訊所指定的上設定值。而且，控制部18係決定成所特定的上設定值。控制部18係依據所特定的上設定值來改變上高度位置HT。
用以間接地指定上高度位置HT之資訊亦可例如包含用以識別處理處方之處方識別資訊。在本變化實施形態中，記憶部18a係記憶複數個處理處方。而且，控制部18係從記憶於記憶部18a的複數個處理處方中特定藉由處方識別資訊所指定的處理處方。而且，控制部18係決定成所特定的處理處方所含有的上設定值。控制部18係依據所決定的上設定值來改變上高度位置HT。
用以間接地指定下高度位置HB之資訊亦可例如包含用以識別下設定值之下設定值識別資訊。在本變化實施形態中，記憶部18a係記憶複數個下設定值。而且，控制部18係從記憶於記憶部18a的複數個下設定值中特定藉由下設定值識別資訊所指定的下設定值。而且，控制部18係決定成所特定的下設定值。控制部18係依據所決定的下設定值來改變下高度位置HB。
用以間接地指定下高度位置HB之資訊亦可例如包含用以識別處理處方之處方識別資訊。在本變化實施形態中，記憶部18a係記憶複數個處理處方。而且，控制部18係從記憶於記憶部18a的複數個處理處方中特定藉由處方識別資訊所指定的處理處方。而且，控制部18係決定成所特定的處理處方所含有的下設定值。控制部18係依據所決定的下設定值來改變下高度位置HB。
在上述第一實施形態、第二實施形態以及第三實施形態中，控制部18亦可進一步從輸入部17取得資訊。例如，使用者亦可對輸入部17輸入基板形狀資訊。控制部18係依據被輸入至輸入部17的基板形狀資訊來特定基板W的形狀。被輸入至輸入部17的基板形狀資訊亦可例如為用以直接地顯示基板W的形狀之資訊。被輸入至輸入部17的基板形狀資訊亦可例如為用以間接地顯示基板W的形狀之資訊。
例如，使用者亦可對輸入部17輸入液體回收條件資訊。在此，被輸入至輸入部17的液體回收條件資訊係因應被基板保持部31保持之基板W的形狀而設定。控制部18亦可依據被輸入至輸入部17的液體回收條件資訊來決定上高度位置HT以及下高度位置HB的至少某一個。被輸入至輸入部17的液體回收條件資訊亦可例如為用以直接地指定上高度位置HT以及下高度位置HB的至少某一個之資訊。被輸入至輸入部17的液體回收條件資訊亦可例如為用以間接地指定上高度位置HT以及下高度位置HB的至少某一個之資訊。在本變化實施形態中，控制部18亦能因應被基板保持部31保持之基板W的形狀來改變上高度位置HT以及下高度位置HB的至少某一個。在本變化實施形態中，控制部18亦可不進行用以判定基板W的形狀之步驟(例如步驟S2、S12、S22)。
在第一實施形態、第二實施形態以及第三實施形態中，處理液供給部41所具備的第一噴嘴42的數量為一個。然而，並未限定於此。處理液供給部41所具備的第一噴嘴42的數量亦可為複數個。
在第一實施形態、第二實施形態以及第三實施形態中，處理液供給部41所具備的第二噴嘴45的數量為一個。然而，並未限定於此。處理液供給部41所具備的第二噴嘴45的數量亦可為複數個。
在第一實施形態以及第二實施形態中，第一防護罩51以及第二防護罩52係未連接於罩59。然而，並未限定於此。第一防護罩51以及第二防護罩52的某一個亦可連接於罩59。第一防護罩51以及第二防護罩52的某一個亦可與罩59一體地形成。第一防護罩51以及第二防護罩52的某一個亦可無法與罩59分離。
在上述實施形態中，設置於處理區塊11的搬運機構15的數量為一個。然而，並未限定於此。設置於處理區塊11的搬運機構15的數量亦可為兩個以上。亦可因應處理區塊11中的搬運機構15的數量增加處理單元14的個數。
亦可針對上述實施形態以及各個變化實施形態適當地變更，例如進一步地將各個構成置換成其他的變化實施形態的構成或者將各個構成組合至其他的變化實施形態的構成等。
1:基板處理裝置 2:索引部 3:承載器載置部 4:條碼讀取器 5,15:搬運機構 5a,15a:手部 5b,15b:手部驅動部 6,16:是否存在檢測部 11:處理區塊 12:載置部 13,67:形狀檢測部 14:處理單元 17:輸入部 18:控制部 18a:記憶部 18b:設定部 18c:驅動電路 21:基板本體 22:周緣部 23:主部 24:凹部 24A:上凹部 24B:下凹部 25:保護板 26:壁部 31:基板保持部 32:板 32a:上表面 33:端緣接觸銷 35:旋轉驅動部 35a:旋轉軸 41:處理液供給部 42:第一噴嘴 43:第一配管 44:處理液供給源 45:第二噴嘴 46:第二配管 47:處理液供給源 48:流量調整部 48a:第一流量調整部 48b:第二流量調整部 50:液體回收部 51:第一防護罩(防護罩) 52:第二防護罩(防護罩) 53,55,83,85:鉛直部 54,56,84,86:傾斜部 54A,56A,84A,86A:上緣 57,57a,57b,57c,57d:回收空間 58,58a,58b,58c,58d:液體導入口 58B,58Ba,58Bb,58Bc,58Bd:下端 58T,58Ta,58Tb,58Tc,58Td:上端 59:罩 59a:溝部 60:防護罩驅動部 61:防護罩驅動機構(第一防護罩驅動部) 62:防護罩驅動機構(第二防護罩驅動部) 63:第三防護罩驅動機構 64:第四防護罩驅動機構 67:形狀檢測部 81:第三防護罩(防護罩) 82:第四防護罩(防護罩) 91:固定銷(支撐部) 93:氣體吹出口 94:第一吹出口 96:第一氣體供給路徑 98:氣體供給源 101:吹出調整部 A:旋轉軸線 C:承載器 D:主部相對於周緣部之深度(凹部的深度) HB:下高度位置(液體導入口的下端的高度位置) HBa:第一下高度位置 HBb:第二下高度位置 HT:上高度位置(液體導入口的上端的高度位置) HTa,HTc,HTe:第一上高度位置 HTb,HTd,HTf:第二上高度位置 HTg:第三上高度位置 TA1:A型基板的主部的厚度 TA2,TB2,TC2:厚度 TB1:B型基板的主部的厚度 TC1:C型基板的主部的厚度 VTa,VTc,VTe:第一上設定值(設定值) VTb,VTd,VTf:第二上設定值(設定值) VTg:第三上設定值(設定值) VBa:第一下設定值(設定值) VBb:第二下設定值(設定值) W:基板 W1:第一基板 W2:第二基板 WA:A型基板 WB:B型基板 WC:C型基板 Wp:薄基板 Wq:厚基板 θ:壁部的角度
[圖1]為第一實施形態的基板處理裝置的俯視圖。 [圖2]為基板處理裝置的控制方塊圖。 [圖3]為基板的俯視圖。 [圖4]中，(a)為A型基板的剖視圖，(b)為B型基板的剖視圖，(c)為C型基板的剖視圖。 [圖5]為示意性地顯示處理單元的構成之圖。 [圖6]為顯示控制部的控制以及處理單元的動作的順序之流程圖。 [圖7]中，(a)以及(b)分別為示意性地顯示處理單元之圖。 [圖8]為顯示第二實施形態的控制部的控制以及處理單元的動作的順序之流程圖。 [圖9]為示意性地顯示第三實施形態的處理單元的構成之圖。 [圖10]為顯示第三實施形態的控制部的控制以及處理單元的動作的順序之流程圖。 [圖11]中，(a)至(f)分別為示意性地顯示處理單元之圖。 [圖12]為基板的剖視圖。 [圖13]為示意性地顯示變化實施形態的處理單元之圖。 [圖14]中，(a)至(d)分別為顯示防護罩的配置例子之圖。 [圖15]為示意性地顯示變化實施形態的處理單元之圖。
31:基板保持部
32:板
32a:上表面
33:端緣接觸銷
35:旋轉驅動部
35a:旋轉軸
41:處理液供給部
42:第一噴嘴
43:第一配管
44:處理液供給源
45:第二噴嘴
46:第二配管
47:處理液供給源
48:流量調整部
48a:第一流量調整部
48b:第二流量調整部
50:液體回收部
51:第一防護罩(防護罩)
52:第二防護罩(防護罩)
53,55:鉛直部
54,56:傾斜部
54A,56A:上緣
57:回收空間
58:液體導入口
58T:上端
58B:下端
59:罩
59a:溝部
60:防護罩驅動部
62:防護罩驅動機構(第二防護罩驅動部)
67:形狀檢測部
A:旋轉軸線
W:基板

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，係具備： 處理單元，係處理基板；以及 控制部，係控制前述處理單元； 前述處理單元係具備： 基板保持部，係以水平姿勢保持前述基板； 旋轉驅動部，係旋轉前述基板保持部； 處理液供給部，係對被前述基板保持部保持之前述基板供給處理液； 液體回收部，係包含：兩個以上的防護罩，係以圍繞前述基板保持部的側方之方式配置；以及液體導入口，係被前述防護罩區劃，並對被前述基板保持部保持之前述基板開放；以及 防護罩驅動部，係將至少一個以上的前述防護罩朝鉛直方向移動； 前述控制部係因應被前述基板保持部保持之前述基板的形狀控制前述防護罩驅動部，藉此改變前述液體導入口的上端的高度位置以及前述液體導入口的下端的高度位置的至少某一個。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係因應位於前述基板的周緣部的內側之前述基板的主部的厚度來改變前述液體導入口的前述上端的前述高度位置。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中被前述基板保持部保持之前述基板的前述主部具有第一厚度時之前述液體導入口的前述上端係比被前述基板保持部保持之前述基板具有比前述第一厚度還大的第二厚度時之前述液體導入口的前述上端還高。
  4. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述基板係包含： 第一基板，係具有凹部，前述凹部係藉由位於前述基板的周緣部的內側之前述基板的主部比前述基板的前述周緣部還凹陷而形成；以及 第二基板，係未具有前述凹部； 前述控制部係根據被前述基板保持部保持之前述基板為前述第一基板以及前述第二基板的哪一個來改變前述液體導入口的前述上端的前述高度位置。
  5. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中前述第一基板被前述基板保持部保持時之前述液體導入口的前述上端係比前述第二基板被前述基板保持部保持時之前述液體導入口的前述上端還高。
  6. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係根據下述情況來改變前述液體導入口的前述上端的前述高度位置： 被前述基板保持部保持之前述基板是否具有上凹部，前述上凹部係藉由位於前述基板的周緣部的內側之前述基板的主部比前述基板的前述周緣部還凹陷而形成於前述基板的上表面；以及 前述處理液供給部是否對被前述基板保持部保持之前述基板的前述上表面供給處理液。
  7. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中被前述基板保持部保持之前述基板具有前述上凹部且前述處理液供給部對被前述基板保持部保持之前述基板的前述上表面供給處理液時之前述液體導入口的前述上端係比被前述基板保持部保持之前述基板未具有前述上凹部時之前述液體導入口的前述上端還高； 被前述基板保持部保持之前述基板具有前述上凹部且前述處理液供給部對前述基板的前述上表面供給處理液時之前述液體導入口的前述上端係比前述處理液供給部未對被前述基板保持部保持之前述基板的前述上表面供給處理液時之前述液體導入口的前述上端還高。
  8. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述處理液供給部未對被前述基板保持部保持之前述基板的前述上表面供給處理液時之前述液體導入口的前述上端係比前述處理液供給部對被前述基板保持部保持之前述基板的前述上表面供給處理液時之前述液體導入口的前述上端還低。
  9. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係根據下述情況來改變前述液體導入口的前述下端的前述高度位置： 被前述基板保持部保持之前述基板是否具有下凹部，前述下凹部係藉由位於前述基板的周緣部的內側之前述基板的主部比前述基板的前述周緣部還凹陷而形成於前述基板的下表面；以及 前述處理液供給部是否對被前述基板保持部保持之前述基板的前述下表面供給處理液。
  10. 如請求項9所記載之基板處理裝置，其中被前述基板保持部保持之前述基板具有前述下凹部且前述處理液供給部對被前述基板保持部保持之前述基板的前述下表面供給處理液時之前述液體導入口的前述下端係比被前述基板保持部保持之前述基板未具有前述下凹部時之前述液體導入口的前述下端還低； 被前述基板保持部保持之前述基板具有前述下凹部且前述處理液供給部對被前述基板保持部保持之前述基板的前述下表面供給處理液時之前述液體導入口的前述下端係比前述處理液供給部未對被前述基板保持部保持之前述基板的前述下表面供給處理液時之前述液體導入口的前述下端還低。
  11. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述基板係包含：凹部，係藉由位於前述基板的周緣部的內側之前述基板的主部比前述基板的前述周緣部還凹陷而形成； 前述控制部係因應前述基板的前述主部相對於前述基板的前述周緣部之深度來改變前述液體導入口的前述上端的前述高度位置以及前述液體導入口的前述下端的前述高度位置的至少某一個。
  12. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述基板係包含： 凹部，係藉由位於前述基板的周緣部的內側之前述基板的主部比前述基板的前述周緣部還凹陷而形成；以及 壁部，係形成於前述基板的前述周緣部與前述基板的前述主部之間； 前述控制部係因應前述壁部的角度來改變前述液體導入口的前述上端的前述高度位置以及前述液體導入口的前述下端的前述高度位置的至少某一個。
  13. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述基板保持部係具備： 板； 支撐部，係從前述板的上表面朝上方突出，與前述基板的下表面接觸並在比前述板的前述上表面還高的位置支撐前述基板；以及 氣體吹出口，係形成於前述板的前述上表面，對前述板的前述上表面與被前述支撐部支撐之前述基板的前述下表面之間噴出氣體，並將前述基板朝下方吸引。
  14. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係具備： 記憶部，係記憶與前述液體導入口的前述上端的前述高度位置以及前述液體導入口的前述下端的前述高度位置的至少某一個有關之複數個設定值；以及 設定部，係因應被前述基板保持部保持之前述基板的形狀在前述記憶部所記憶的複數個前述設定值之間切換。
  15. 一種基板處理方法，係具備下述工序： 藉由基板保持部以水平姿勢保持基板； 以圍繞前述基板保持部的側方之方式配置的防護罩因應被前述基板保持部保持之前述基板的形狀朝鉛直方向移動，藉此改變液體導入口的上端的高度位置以及前述液體導入口的下端的高度位置的至少某一個，前述液體導入口係被前述防護罩區劃且對被前述基板保持部保持之前述基板開放；以及 旋轉前述基板保持部，對被前述基板保持部保持之前述基板供給處理液且藉由前述防護罩接住通過前述液體導入口的處理液。
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