TWI641035B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI641035B TW105135323A TW105135323A TWI641035B TW I641035 B TWI641035 B TW I641035B TW 105135323 A TW105135323 A TW 105135323A TW 105135323 A TW105135323 A TW 105135323A TW I641035 B TWI641035 B TW I641035B
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Abstract

本案發明之基板處理裝置，其包含：腔室，係形成使複數種藥品依序供給至基板的內部空間；個別排氣流徑，係經由排氣入口將腔室內之環境氣體排出；與排氣洗淨裝置，係藉由將使由腔室所排出之環境氣體含有之藥品從該環境氣體去除之去除液吐出至空中，而於排氣入口之上游位置及個別排氣流徑內之位置之至少一者，形成分散有去除液的分散區域。

Description

基板處理裝置
本發明係關於對基板進行處理之基板處理裝置。成為處理對象之基板的例子係包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(FED，Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
日本專利特開2010-226043號公報揭示依單片處理基板之單片式基板處理裝置。上述基板處理裝置係具備：進行基板處理之處理室；與將處理室內之環境氣體排出至處理室外的集合管。處理室中，係進行將氟化氫供給至基板的氟化氫處理、將SCI供給至基板之SC1處理、與將基板上之純水置換為IPA(異丙醇)的置換處理。
上述基板處理裝置係將氟化氫、SC1及IPA於處理室內依序供給至基板，故含有氟化氫之環境氣體與含有SC1之環境氣體與含有IPA之環境氣體依序通過集合管。含有氟化氫等藥品之環境氣體(以下稱為「藥品環境氣體」)通過集合管時，有藥品環境氣體所含之藥品附著於集合管內周面的情形。
若含有與附著於集合管內周面之藥品種類相異之藥品的環境氣體通過集合管，則有複數種藥品於集合管內接觸，而產 生顆粒的情形。例如，若酸性藥品接觸鹼性藥品，則有產生鹽之情形；若有機藥品(以有機化合物為主成分之藥品)接觸其他種藥品，有產生碳化物之情形。若集合管內之顆粒因排氣壓之變動等而逆流至處理室內並附著於基板，將污染基板。
本發明之一實施形態在於提供一種基板處理裝置，其包含：腔室，係形成使複數種藥品依序供給至基板的內部空間；個別排氣流徑，係包含供上述腔室內之環境氣體流入的排氣入口，經由上述排氣入口將上述腔室內之環境氣體排出；與排氣洗淨裝置，係藉由將使由上述腔室所排出之環境氣體含有之藥品從該環境氣體去除之去除液吐出至空中，而於上述排氣入口之上游位置及上述個別排氣流徑內之位置之至少一者，形成分散有去除液的分散區域。
藉由此構成，使複數種藥品於腔室內依序供給至基板。於腔室內所產生之藥品環境氣體(含藥品之環境氣體)係經由排氣入口而由腔室排出至個別排氣流徑。分散有去除液之分散區域係形成於排氣入口之上游位置及個別排氣流徑內之位置的至少一者。從而，藥品環境氣體係於腔室內或個別排氣流徑內接觸去除液。
藥品環境氣體所含之藥品若於腔室內或個別排氣流徑內接觸去除液，則藥品環境氣體中之藥品含量減少。從而，附著於個別排氣流徑之內面的藥品量可減低。因此，即使在含有與之前之藥品環境氣體所含藥品種類相異之藥品的環境氣體通過個別排氣流徑的情況，仍可減少在個別排氣流徑內所產生之顆粒數。藉此，可減少由個別排氣流徑逆流至腔室的顆粒數，可提高基板之清潔度。
藥品可為液體(藥液)，亦可為氣體(藥品氣體)。藥品氣體可為藥品之蒸氣、亦可為含有藥品霧氣之氣體。藥品之具體例有如酸性藥品、鹼性藥品及有機藥品(以醇等有機化合物為主成分的藥品)。在藥品為水溶性的情況，去除液較佳係以純水等之水為主成分的水含有液。
排氣洗淨裝置亦可具備吐出去除液之去除液噴嘴。去除液噴嘴可朝上方或下方吐出去除液，亦可朝水平吐出去除液。在去除液噴嘴吐出去除液時，形成帶狀或圓錐狀之分散區域。
去除液噴嘴可為由複數之圓形吐出口依線狀吐出去除液的淋浴噴嘴，亦可為藉由對去除液進行噴霧而形成去除液霧的噴霧噴嘴，亦可為由狹隙狀吐出口吐出去除液而形成帶狀液膜的狹隙噴嘴。
上述實施形態中，亦可於上述基板處理裝置中加入以下特徵之至少一者。
上述排氣洗淨裝置係於與上述排氣入口之至少一部分相同之高度，形成上述分散區域。
根據此構成，分散有去除液之分散區域形成於與排氣入口之至少一部分相同之高度。在排氣入口與分散區域之高度相異的情況，自排氣入口至分散區域的距離變長。此意味著藥品成分被去除前之藥品環境氣體所通過之路徑變長。從而，藉由將分散區域配置於與排氣入口之至少一部分相同之高度，可減小複數種藥品可接觸的區域。藉此，可減少在個別排氣流徑內產生之顆粒數。
排氣洗淨裝置亦可具備朝與排氣入口之至少一部分相同之高度(鉛垂方向上之位置)吐出去除液的去除液噴嘴。
上述排氣洗淨裝置係包含複數之去除液噴嘴，此等去除液噴嘴係在供上述腔室所排出之環境氣體流動之方向的排出方向上，在相異之複數位置分別形成複數之分散區域。
藉由此構成，由於在由腔室所排出之環境氣體所流動之方向上排列著複數之分散區域，故藥品環境氣體依序通過複數之分散區域。藉此，藥品環境氣體與去除液之接觸次數及接觸時間增加，故可使藥品環境氣體中之藥品含量更加減少。藉此，可使個別排氣流徑內所產生之顆粒數更加減少。
複數之分散區域可形成於排氣入口之上游位置與個別排氣流徑內之1個以上之位置，亦可形成於個別排氣流徑內之複數位置。
在與上述排出方向交叉之交叉方向上排列的複數之去除液吐出口，係設置於上述複數之去除液噴嘴之各者，在上述排出方向上相鄰接之2個上述去除液噴嘴中，設置在其中一個上述去除液噴嘴之上述複數之去除液吐出口，係相對於設置在另一個上述去除液噴嘴之上述複數之去除液吐出口，於上述交叉方向上呈偏離。
藉由此構成，從排列於交叉方向之複數之去除液吐出口吐出去除液。藉此，形成去除液之帶狀淋幕，去除液分散為帶狀之分散區域。由於上游側之複數之去除液吐出口相對於下游側之複數之去除液吐出口於交叉方向上呈偏離，故即使藥品環境氣體未抵接上游側之去除液淋幕而通過，此藥品環境氣體仍接觸至下游側之去除液淋幕。因此，可使藥品環境氣體所含之藥品確實接觸至去除液，可使藥品環境氣體中之藥品含量減少。
交叉方向可為與排出方向正交之方向，亦可為相對於排出方向呈傾斜的方向。亦即，交叉方向若未與排出方向平行即可。
上述排氣洗淨裝置係進一步包含複數之去除液閥，此等去除液閥係分別對應於上述複數之去除液噴嘴，個別地切換對上述複數之去除液噴嘴之去除液供給與對上述複數之去除液噴嘴之去除液之供給停止。
根據此構成，去除液之吐出及吐出停止係藉由複數之去除液閥之開關而於各個去除液噴嘴進行切換。去除液係由與開放狀態之去除液閥相同數量之去除液噴嘴吐出。分散於分散區域之去除液由於對由腔室排出之環境氣體施加阻力，故在去除液噴嘴吐出去除液時，由腔室排出之環境氣體之流量(排氣流量)產生變化。例如，在所有去除液噴嘴均吐出去除液時的排氣流量，係小於在僅一部分去除液噴嘴吐出去除液時之排氣流量。從而，藉由個別地切換複數之去除液噴嘴的去除液吐出，可調節排氣流量。
去除液閥係包含：形成流徑之閥體；配置於流徑內之閥盤；與使閥盤移動之致動器。致動器可為空壓致動器或電動致動器，亦可為此等以外之致動器。基板處理裝置係藉由控制致動器，使去除液閥進行開關。
上述基板處理裝置係進一步包含：基板保持單元，係於上述腔室內水平保持基板；基板旋轉單元，係使由上述基板保持單元所保持之基板旋轉；處理液供給單元，係對由上述基板保持單元所保持之基板供給處理液；與控制裝置，係控制上述排氣洗淨裝置與上述基板旋轉單元與上述處理液供給單元。上述排氣洗淨裝置係包含去除液閥，該去除液閥係藉由切換去除液之供給與去除液之 供給停止，而變更吐出去除液之上述去除液噴嘴的根數。
上述控制裝置係實行：對上述腔室內之基板供給處理液之處理液供給步驟；將在上述處理液供給步驟供給至基板之處理液藉由上述基板之旋轉而去除，藉此使上述基板乾燥的乾燥步驟；與上述處理液供給步驟並行，使1個以上且未滿全數之第1根數之上述去除液噴嘴吐出去除液的第1排氣洗淨步驟；及與上述乾燥步驟並行，使大於上述第1根數之第2根數之上述去除液噴嘴吐出去除液的第2排氣洗淨步驟。
藉由此構成，在對基板供給處理液之處理液供給步驟後，實行將在處理液供給步驟所供給之處理液由基板去除的乾燥步驟。基板的熱係在基板上之處理液蒸發時被處理液奪取。因此，基板溫度係在實行乾燥步驟時降低。又，若由腔室排出之環境氣體之流量較大，由於在基板附近形成較強氣流，故促進處理液蒸發，同時藉氣流使基板冷卻。若基板溫度急遽下降，則有因基板上之結露而形成水痕等之虞。
去除液係在對基板供給處理液之期間與使基板乾燥之期間吐出。在實行乾燥步驟時吐出去除液之去除液噴嘴之根數(第2根數)，係多於在進行處理液供給步驟時吐出去除液之去除液噴嘴之根數(第1根數)。若增加吐出去除液之去除液噴嘴之根數，由於分散區域之數量增加，故對由腔室排出之環境氣體施加的阻力增加。從而，可使乾燥步驟中基板附近之氣流減弱。藉此，可減輕乾燥步驟中基板溫度降低的情形。
控制裝置係包含處理器與記憶體的電腦。控制裝置係藉由表示基板之處理條件及處理程序的配方控制基板處理裝置，而 使基板處理裝置實行處理液供給步驟等。處理液可為以純水等之水為主成分的水含有液，亦可為揮發性較水高之有機溶劑的液體。此種有機溶劑之一例為異丙醇。異丙醇係沸點較水低、表面張力較水小的醇。
上述處理液供給單元係包含吐出作為處理液之異丙醇之液體的有機藥液噴嘴。
根據此構成，基板上之異丙醇之液體藉由基板旋轉而被去除，而乾燥基板。異丙醇由於揮發性高，故在使基板乾燥時，基板溫度容易急遽降低。從而，藉由在實行乾燥步驟時增加吐出去除液之去除液噴嘴之根數，可抑制或防止乾燥步驟中基板之急遽溫度下降。藉此，可抑制或防止水痕產生。
上述腔室之底部係形成將由上述排氣洗淨裝置吐出之去除液蓄積於上述腔室內的缸。
根據此構成，由排氣洗淨裝置所吐出之去除液係蓄積於設於腔室底部之缸中。飄浮於腔室內之藥品環境氣體所含之藥品係於腔室底部被去除。從而，可在藥品環境氣體進入個別排氣流徑前，去除藥品環境氣體中之藥品。再者，用於形成分散區域所吐出之去除液於缸進行再利用，故可減低去除液之消耗量。
排氣洗淨裝置亦可具備朝腔室內之位置吐出去除液的去除液噴嘴。於個別排氣流徑之內面，亦可具備將個別排氣流徑內之去除液引導至腔室內的傾斜部。
上述基板處理裝置係進一步包含洗淨液噴嘴，該洗淨液噴嘴係藉由於上述腔室內吐出與藉上述排氣洗淨裝置所吐出之去除液同種之液體的洗淨液，而洗淨上述腔室內部；上述腔室之底 部，係形成將由上述洗淨液噴嘴吐出之洗淨液蓄積於上述腔室內的缸。
根據此構成，於腔室內吐出與藉排氣洗淨裝置所吐出之去除液同種之液體的洗淨液。藉此，洗淨腔室內部。洗淨了腔室內部之洗淨液，係蓄積於設於腔室底部之缸中。飄浮於腔室內之藥品環境氣體所含之藥品係於腔室底部被去除。從而，可在藥品環境氣體進入個別排氣流徑前，去除藥品環境氣體中之藥品。再者，用於洗淨腔室內部所吐出之洗淨液於缸進行再利用，故可減低去除液之消耗量。
腔室內部、亦即洗淨液所洗淨之對象，可為腔室之內面，亦可為配置於腔室內之內部構件。內部構件可為承接由基板朝其周圍飛散之處理液的筒狀護件，亦可為依水平姿勢配置於基板上方的遮阻板，亦可為在前端部安裝了朝基板吐出處理液之處理液噴嘴的噴嘴臂。
上述基板處理裝置係包含：複數之上述腔室；分別對應於上述複數腔室之複數之上述排氣洗淨裝置；分別連接於上述複數腔室之複數之上述個別排氣流徑；與連接於上述複數之個別排氣流徑的集合排氣流徑。
根據此構成，由複數之腔室排出至複數之個別排氣流徑的藥品環境氣體，流入至集合排氣流徑。流入至集合排氣流徑之藥品環境氣體係藉由複數之排氣洗淨裝置減低了藥品含量。從而，可抑制或防止複數種之藥品於集合排氣流徑中接觸。再者，由於複數之個別排氣流徑集合至集合排氣流徑，故亦可不個別地於個別排氣流徑設置產生吸引力的吸引設備等。
上述複數之個別排氣流徑之排氣出口可於相同位置連接至集合排氣流徑，亦可在上述排出方向上於相異之複數位置連接至集合排氣流徑。
上述複數之個別排氣流徑係分別包含：將由上述複數腔室排出之環境氣體排出至上述集合排氣流徑內的複數之排氣出口；上述複數之排氣出口係於上述集合排氣流徑之內面開口，水平觀看時隔著間隔排列於鉛垂方向上；由上述排氣出口之上緣朝上述集合排氣流徑內突出之庇部，係設置於上述複數之排氣出口之至少一者。
根據此構成，在個別排氣流徑之排氣出口產生藥品液滴的情況，此液滴係由排氣出口排出至集合排氣流徑內，沿著集合排氣流徑之內面流動至下方。由於水平觀看時複數之排氣出口隔著間隔排列於鉛垂方向上，故有沿著集合排氣流徑之內面流動至下方的液滴進入至下側排氣出口之虞。然而，由於設置了由排氣出口上緣朝集合排氣流徑內突出之庇部，故可抑制或防止由上側排氣出口排出之藥液之液滴進入下側排氣出口的情形。
若在水平觀看時排列於鉛垂方向上，則複數之排氣出口可配置於鉛垂面上，亦可配置於相對於鉛垂方向呈傾斜的平面上。庇部較佳係由排氣出口上緣朝斜下方延伸。此時，由於藥品液滴將沿著庇部上表面而朝斜下方被引導，故可使藥品液滴一邊遠離下側之排氣出口、一邊流送至下游。
於在上述排出方向上鄰接之2個上述排氣出口分別設置2個上述庇部；在由上方鉛垂地觀看上述2個庇部時，上述排出方向之下游側之上述庇部之至少一部分，係被上述排出方向之上 游側之上述庇部所掩蓋。
根據此構成，下游側之庇部之全部或一部分被上游側之庇部所掩蓋。庇部上之藥品之液滴係由庇部邊緣朝下方落下。在鉛垂觀看時，若下游側之庇部由上游側之庇部突出，則由上游側之庇部落下的液滴將附著於下游側之庇部。因此，有相異種之藥品彼此於下游側之庇部接觸之虞。從而，藉由以上游側之庇部掩蓋下游側之庇部，可抑制或防止此種藥品接觸。
上述基板處理裝置係進一步包含閥盤，該閥盤係配置於上述個別排氣流徑內，變更上述個別排氣流徑之流徑面積，藉此變更由上述腔室排出至上述個別排氣流徑之環境氣體之流量；上述排氣洗淨裝置係藉由朝上述閥盤吐出去除液，而於上述個別排氣流徑內之位置形成上述分散區域。
根據此構成，藉由排氣阻尼器之閥盤調整將腔室內環境氣體吸引至個別排氣流徑內的負壓力(排氣壓)。排氣洗淨裝置係藉由朝閥盤吐出去除液，而於個別排氣流徑內形成分散了去除液之分散區域。去除液之一部分係保持於閥盤表面。個別排氣流徑內之藥品環境氣體不僅接觸至分散於空氣中的去除液，亦與保持於閥盤表面的去除液接觸。藉此，可使藥品環境氣體中之藥品含量更加減少。再者，由於在通常設置於個別排氣流徑內之構件(閥盤)保持去除液，故可防止構件數增加。
針對本發明之上述或其他目的、特徵及效果，參照隨附圖式由下述實施形態之說明進行闡明。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
5‧‧‧隔壁
6‧‧‧風扇過濾單元(FFU)
7‧‧‧旋轉夾具
8‧‧‧夾銷
9‧‧‧旋轉基底
10‧‧‧旋轉軸
11‧‧‧旋轉馬達
12‧‧‧遮阻板
13‧‧‧支軸
14‧‧‧支撐臂
15‧‧‧遮阻板旋轉單元
16‧‧‧遮阻板升降單元
17‧‧‧杯
18‧‧‧護件
19‧‧‧傾斜部
20‧‧‧引導部
21‧‧‧拖盤
22‧‧‧護件升降單元
23‧‧‧隔板
24‧‧‧酸性藥液噴嘴
25‧‧‧酸性藥液配管
26‧‧‧酸性藥液閥
27‧‧‧噴嘴臂
28‧‧‧噴嘴移動單元
29‧‧‧鹼性藥液噴嘴
30‧‧‧鹼性藥液配管
31‧‧‧鹼性藥液閥
32‧‧‧噴嘴臂
33‧‧‧噴嘴移動單元
34‧‧‧清洗液噴嘴
35‧‧‧清洗液配管
36‧‧‧清洗液閥
37‧‧‧有機藥液噴嘴
38‧‧‧有機藥液配管
39‧‧‧有機藥液閥
40‧‧‧中央吐出口
41‧‧‧筒狀流徑
42‧‧‧氣體配管
43‧‧‧氣體閥
51‧‧‧上洗淨液噴嘴
52‧‧‧上洗淨液配管
53‧‧‧上洗淨液閥
54‧‧‧下洗淨液噴嘴
55‧‧‧下洗淨液配管
56‧‧‧下洗淨液閥
57‧‧‧內面洗淨液噴嘴
58‧‧‧內面洗淨液配管
59‧‧‧內面洗淨液閥
60‧‧‧缸
61‧‧‧排液口
62‧‧‧排液流徑
71‧‧‧個別排氣流徑
71a‧‧‧排氣入口
71b‧‧‧排氣出口
72‧‧‧集合排氣流徑
73‧‧‧氣液分離器
74‧‧‧個別排氣管
75‧‧‧集合排氣管
76‧‧‧排氣阻尼器
77‧‧‧閥盤
78‧‧‧庇部
78a‧‧‧上表面
78b‧‧‧前端面
81‧‧‧排氣洗淨裝置
82‧‧‧去除液噴嘴
82A‧‧‧第1去除液噴嘴
82B‧‧‧第2去除液噴嘴
83‧‧‧去除液吐出口
84‧‧‧去除液配管
85‧‧‧去除液閥
92‧‧‧去除液噴嘴
A1‧‧‧旋轉軸線
D1‧‧‧排出方向
D2‧‧‧交叉方向
D3‧‧‧距離
W‧‧‧基板
圖1為由水平觀看本發明一實施形態之基板處理裝 置所具備之處理單元內部的模式圖。
圖2為用於說明基板處理裝置之排氣系統的模式圖。
圖3為由水平觀看排氣洗淨裝置之複數之去除液噴嘴的模式圖。
圖4為由下方觀看複數之去除液噴嘴的模式圖。
圖5為表示藉由去除液洗淨藥品環境氣體之一例的流程圖。
圖6為表示本發明其他實施形態之去除液噴嘴的模式圖。
圖1為由水平觀看本發明一實施形態之基板處理裝置1所具備之處理單元2內部的模式圖。圖1中，以鉛垂剖面表示腔室4、杯17及隔板23。
基板處理裝置1係對半導體晶圓等之圓板狀基板W依單片進行處理的單片式裝置。基板處理裝置1係包含：對基板W使用處理液或處理氣體等之處理流體進行處理的複數之處理單元2；將基板W搬送至複數之處理單元2的搬送機器人(未圖示)；與控制基板處理裝置1的控制裝置3。雖未圖示，其中複數之處理單元2係構成在水平方向遠離之4個位置所分別配置的4個塔。各塔係由於上下方向積層之複數(例如3個)處理單元2所構成。
處理單元2係包含：具有內部空間之腔室4；於腔室4內一邊依水平姿勢保持基板W，一邊使基板W於通過基板W中央部之鉛垂之旋轉軸線A1周圍進行旋轉的旋轉夾具7；與朝基板W吐出處理液之複數噴嘴。處理單元2係進一步包含：於基板W 上方依水平姿勢所保持之圓板狀之遮阻板12；承接由基板W朝外方飛散之處理液的杯17；與在杯17周圍將腔室4之內部空間分割為上下方向排列之2個空間的隔板23。
腔室4係包含：收容旋轉夾具7等之箱形的隔壁5；與由隔壁5之上方對隔壁5內送入清潔空氣(經過濾器過濾之空氣)的作為送風單元之FFU6(風扇過濾單元)。隔壁5係包含：配置於基板W上方之上壁；配置於基板W下方之底壁；由底壁外緣延伸至上壁外緣的側壁。FFU6係配置於隔壁5上方。雖未圖示，FFU6與遮阻板12之間配置著於其全區形成了複數貫通孔的整流板。在FFU6將清潔空氣朝下方送至腔室4內時，於腔室4內形成下降氣流(下降流)。基板W之處理係依形成有下降氣流之狀態進行。
旋轉夾具7係包含：依水平姿勢保持之圓板狀之旋轉基底9；於旋轉基底9上方依水平姿勢保持基板W的複數之夾銷8；與使複數之夾銷8開關的夾具開關機構(未圖示)。旋轉夾具7係進一步包含：由旋轉基底9之中央部朝下方延伸之旋轉軸10；藉由使旋轉軸10旋轉而使基板W及旋轉基底9於旋轉軸線A1周圍旋轉之旋轉馬達11。旋轉夾具7並不限定於將複數之夾銷8接觸至基板W周端面的挾持式之夾具，亦可為使非裝置形成面之基板W背面(下表面)吸附於旋轉基底9之上表面，藉此依水平保持基板W的真空吸附式之夾具。
遮阻板12係具有大於基板W直徑之外徑。遮阻板12係由上下方向延伸之支軸13依水平姿勢所支撐。支軸13係於遮阻板12上方由水平延伸之支撐臂14所支撐。遮阻板12係配置於支軸13下方。遮阻板12之中心軸係配置於旋轉軸線A1上。遮阻板 12之下表面係與基板W上表面平行相對向。
遮阻板12係連結於：使遮阻板12相對於支撐臂14於旋轉軸線A1周圍旋轉之遮阻板旋轉單元15；與使遮阻板12及支軸13一起與支撐臂14鉛垂地升降之遮阻板升降單元16。遮阻板升降單元16於處理位置與退避位置(圖1所示位置)之間使遮阻板12鉛垂地升降。退避位置係遮阻板12之下表面由基板W上表面朝上方遠離之上位置，而可使噴嘴進入至基板W與遮阻板12之間。處理位置係遮阻板12下表面接近基板W上表面之下位置，而可使噴嘴無法進入至基板W與遮阻板12之間。
杯17係包圍旋轉夾具7之周圍。杯17係包含：承接由基板W朝外方飛散之處理液的複數之護件18；與承接由複數護件18引導至下方之處理液的複數之拖盤21。複數之護件18係以包圍旋轉夾具7周圍之方式配置為同心圓狀。護件18係包含：向旋轉軸線A1朝斜上方延伸之筒狀之傾斜部19；與由傾斜部19之下端部(外端部)朝下方延伸之圓筒狀之引導部20。相當於護件18之上端的傾斜部19之上端，係具有大於基板W及遮阻板12之外徑的內徑。複數之傾斜部19係於上下方向重疊。複數之拖盤21係分別對應於複數之護件18。拖盤21係形成於位於引導部20下端之下方的環狀之溝。
複數之護件18係連接於使複數之護件18個別地升降之護件升降單元22。護件升降單元22係於處理位置與退避位置之間使護件18鉛垂升降。處理位置係護件18上端位於較基板W更上方之上位置。退避位置係護件18上端位於較基板W更下方之下位置。圖1顯示了使外側2個護件18配置於處理位置，剩餘2個 護件18配置於退避位置的狀態。在對旋轉中之基板W供給處理液時，護件升降單元22係使所有護件18位於處理位置，使護件18之內周圍對基板W之周端面呈水平相對向。
隔板23係配置於杯17之護件18與腔室4之側壁之間。隔板23係由自腔室4底壁朝上方延伸之複數之支柱(未圖示)所支撐。圖1表示了隔板23上表面呈水平的例子。隔板23之上表面亦可依向旋轉軸線A1朝斜下方延伸之方式傾斜。又，隔板23可為一片之板，亦可為配置於相同高度之複數片之板。隔板23之外緣係由腔室4之內面於水平上分離，隔板23之內緣係由護件18之外周面於水平上分離。隔板23係配置於較旋轉馬達11更上方。
複數之噴嘴係包含：朝基板W上表面吐出藥液之複數之藥液噴嘴；與朝基板W上表面吐出清洗液之清洗液噴嘴34。複數之藥液噴嘴係包含：朝基板W上表面吐出酸性藥液之酸性藥液噴嘴24；朝基板W上表面吐出鹼性藥液之鹼性藥液噴嘴29；與朝基板W上表面吐出有機藥液之有機藥液噴嘴37。酸性藥液、鹼性藥液及有機藥液均為水溶性。
酸性藥液噴嘴24係連接於引導對酸性藥液噴嘴24所供給之酸性藥液的酸性藥液配管25。切換對酸性藥液噴嘴24之酸性藥液之供給及供給停止的酸性藥液閥26，係介設於酸性藥液配管25。在打開酸性藥液閥26時，酸性藥液係由酸性藥液噴嘴24朝下方向連續地吐出。酸性藥液為例如SPM(硫酸與過氧化氫水之混合液)。若為酸性之藥液，則酸性藥液亦可為SPM以外的液體。例如，酸性藥液亦可為氫氟酸及磷酸等。
酸性藥液噴嘴24係可於腔室4內移動的掃描噴嘴。 酸性藥液噴嘴24係安裝於在較隔板23更上方朝水平延伸之噴嘴臂27之前端部。酸性藥液噴嘴24係連接於噴嘴移動單元28，其係藉由使噴嘴臂27移動，而使酸性藥液噴嘴24朝鉛垂方向及水平方向之至少一方向移動。噴嘴移動單元28係使酸性藥液噴嘴24在杯17周圍、圍繞鉛垂延伸之旋動軸線進行旋動的迴旋機構。第1噴嘴移動機構係使酸性藥液噴嘴24在使由酸性藥液噴嘴24吐出之液體著液於基板W上表面之處理位置、及俯視下酸性藥液噴嘴24位於旋轉夾具7之周圍之退避位置之間移動。
鹼性藥液噴嘴29係連接於引導對鹼性藥液噴嘴29所供給之鹼性藥液的鹼性藥液配管30。切換對鹼性藥液噴嘴29之鹼性藥液之供給及供給停止的鹼性藥液閥31，係介設於鹼性藥液配管30。在打開鹼性藥液閥31時，鹼性藥液係由鹼性藥液噴嘴29朝下方向連續地吐出。鹼性藥液為例如SC-1(氨水與過氧化氫水之混合液)。若為鹼性之藥液，則鹼性藥液亦可為SC-1以外的液體。
鹼性藥液噴嘴29係掃描噴嘴。鹼性藥液噴嘴29係安裝於在較隔板23更上方朝水平延伸之噴嘴臂32之前端部。鹼性藥液噴嘴29係連接於噴嘴移動單元33，其係藉由使噴嘴臂32移動，而使鹼性藥液噴嘴29朝鉛垂方向及水平方向之至少一方向移動。噴嘴移動單元33係使鹼性藥液噴嘴29在杯17周圍、圍繞鉛垂延伸之旋動軸線進行旋動的迴旋機構。第2噴嘴移動機構係使鹼性藥液噴嘴29在處理位置及退避位置之間移動。
清洗液噴嘴34係固定於腔室4內之既定位置的固定噴嘴。清洗液噴嘴34亦可為掃描噴嘴。清洗液噴嘴34係連接於引導向清洗液噴嘴34供給之清洗液的清洗液配管35。切換對清洗液 噴嘴34之清洗液之供給及停止供給的清洗液閥36，係介設於清洗液配管35。在打開清洗液閥36時，清洗液係由清洗液噴嘴34對基板W上表面中央部朝下方向吐出。清洗液為例如純水(去離子水：Deionized water)。清洗液亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10~100ppm左右)之鹽酸水之任一者。
有機藥液噴嘴37係沿著旋轉軸線A1於上下方向延伸。有機藥液噴嘴37係配置於旋轉夾具7上方。有機藥液噴嘴37係與遮阻板12、支軸13、及支撐臂14一起升降。有機藥液噴嘴37係相對於支撐臂14呈無法旋轉。有機藥液噴嘴37係插入至支軸13內。有機藥液噴嘴37係由設於支軸13內之筒狀流徑41所包圍。筒狀流徑41係連接於在遮阻板12下表面之中央部所設置的中央吐出口40。有機藥液噴嘴37之下端係配置於中央吐出口40上方。
有機藥液噴嘴37係連接於引導向有機藥液噴嘴37供給之有機藥液的有機藥液配管38。切換對有機藥液噴嘴37之有機藥液之供給及停止供給的有機藥液閥39，係介設於有機藥液配管38。在打開有機藥液閥39時，有機藥液係由有機藥液噴嘴37朝下方向連續地吐出，經由遮阻板12之中央吐出口40供給至基板W上表面。有機藥液例如為IPA。有機藥液亦可為IPA以外之醇類，亦可為醇類以外之有機溶劑。例如，有機藥液亦可為HEF(氫氟醚)。
遮阻板12之中央吐出口40係連接於引導向中央吐出口40供給之惰性氣體的氣體配管42。切換對中央吐出口40之惰性氣體之供給及停止供給的氣體閥43，係介設於氣體配管42。在打開氣體閥43時，惰性氣體係經由筒狀流徑41供給至中央吐出口40，由中央吐出口40朝下方向連續地吐出。若依遮阻板12之下表 面接近基板W上表面的狀態、由中央吐出口吐出惰性氣體，則基板W與遮阻板12之間的空間被惰性氣體所充滿。惰性氣體為例如氮氣。惰性氣體亦可為氬氣等氮氣以外的惰性氣體。
接著說明由處理單元2進行之基板W之處理。
控制裝置3係包含：記憶有程式等資訊的記憶體；與根據記憶體所記憶之資訊控制基板處理裝置1的處理器。表示基板W之處理程序及處理步驟的配方，係記憶於記憶體中。控制裝置3係程式設計為根據配方控制基板處理裝置1，藉此使處理單元2實行以下說明之各步驟，而於各處理單元2進行基板W處理。
具體而言，控制裝置3係依遮阻板12、複數之護件18、及複數之藥液噴嘴位於各自之退避位置的狀態，使搬送機器人(未圖示)將基板W搬入至腔室4內(搬入步驟)。控制裝置3係在搬送機器人將基板W放置於旋轉夾具7上後，使複數之夾銷8把持基板W。其後，控制裝置3使旋轉馬達11開始基板W之旋轉。藉此，基板W依液處理旋轉速度(例如10~1000rpm)進行旋轉。
控制裝置3係在基板W被放置於旋轉夾具7上後，使酸性藥液噴嘴24由退避位置移動至處理位置，並打開酸性藥液閥26。藉此，屬於酸性藥液一例之SPM係由酸性藥液噴嘴24朝旋轉中之基板W之上表面吐出。此時，控制裝置3亦可藉由使酸性藥液噴嘴24移動，而使SPM對基板W之著液位置移動。SPM係供給至基板W上表面全域。藉此，對基板W上表面藉由SPM進行處理(SPM供給步驟)。飛散至基板W周圍之SPM係由位於處理位置之護件18之內周面所承接。
控制裝置3係關閉酸性藥液閥26，使酸性藥液噴嘴 24由處理位置移動至退避位置後，打開清洗液閥36，藉此將清洗液一例之純水由清洗液噴嘴34朝旋轉中之基板W吐出。由清洗液噴嘴34吐出之純水係在著液於基板W上表面中央部後，沿著基板W上表面朝外方流動。藉此，純水被供給至基板W上表面全域，沖洗附著於基板W之SPM(清洗液供給步驟)。飛散至基板W周圍之純水，係由位於處理位置之護件18之內周面所承接。
控制裝置3係在關閉清洗液閥36而使清洗液噴嘴34停止純水吐出後，使鹼性藥液噴嘴29由退避位置移動至處理位置，並打開鹼性藥液閥31。藉此，屬於鹼性藥液一例之SC-1係由鹼性藥液噴嘴29朝旋轉中之基板W之上表面吐出。此時，控制裝置3亦可藉由使鹼性藥液噴嘴29移動，而使SC-1對基板W之著液位置移動。SC-1係供給至基板W上表面全域。藉此，對基板W上表面藉由SC-1進行處理(SC-1供給步驟)。飛散至基板W周圍之SC-1係由位於處理位置之護件18之內周面所承接。
控制裝置3係關閉鹼性藥液閥31，使鹼性藥液噴嘴29由處理位置移動至退避位置後，打開清洗液閥36，藉此將清洗液一例之純水由清洗液噴嘴34朝旋轉中之基板W吐出。由清洗液噴嘴34吐出之純水係在著液於基板W上表面中央部後，沿著基板W上表面朝外方流動。藉此，純水被供給至基板W上表面全域，沖洗附著於基板W之SC-1(清洗液供給步驟)。飛散至基板W周圍之純水，係由位於處理位置之護件18之內周面所承接。
控制裝置3係在關閉清洗液閥36而使清洗液噴嘴34停止純水吐出後，使遮阻板12由退避位置下降至處理位置，並打開有機藥液閥39。藉此，屬於有機藥液一例之IPA係由遮阻板12 之中央吐出口40朝旋轉中之基板W之上表面中央部吐出。此時，控制裝置3亦可打開氣體閥43，由遮阻板12之中央吐出口40吐出氮氣。IPA係供給至基板W上表面全域。藉此，基板W上之純水被置換為IPA，形成被覆基板W上表面全域的IPA液膜(IPA供給步驟)。飛散至基板W周圍之IPA係由位於處理位置之護件18之內周面所承接。
控制裝置3係關閉有機藥液閥39，使遮阻板12之IPA吐出停止後，使遮阻板12位於處理位置，依由遮阻板12之中央吐出口40朝下方吐出氮氣的狀態，由旋轉馬達11使基板W朝旋轉方向加速。藉此，基板W依大於液處理速度之乾燥速度(例如數千rpm)進行旋轉。基板W上之IPA係因基板W之高速旋轉而被排出至基板W周圍。由基板W飛散至外方之IPA係由位於處理位置之護件18之內周面所承接。如此，由基板W去除液體，乾燥基板W(乾燥步驟)。
控制裝置3係在依既定時間使基板W高速旋轉後，由旋轉馬達11停止基板W之旋轉。其後，控制裝置3解除複數之夾銷8對基板W的把持。進而，控制裝置3關閉氣體閥43，使由遮阻板12之氮氣吐出停止。進而，控制裝置3使遮阻板12由處理位置上升至退避位置，使複數之護件18由處理位置下降至退避位置。其後，控制裝置3使搬送機器人(未圖示)將基板W由腔室4搬出(搬出步驟)。控制裝置3係藉由重複搬入步驟至搬出步驟的一連串步驟，而由基板處理裝置1進行複數片之基板W的處理。
接著說明腔室4內部之洗淨。
處理單元2係具備有藉由於腔室4內吐出洗淨液，而 對腔室4內部進行洗淨的複數之洗淨液噴嘴。複數之洗淨液噴嘴係包含：朝遮阻板12上表面吐出洗淨液之上洗淨液噴嘴51；朝遮阻板12下表面吐出洗淨液之下洗淨液噴嘴54；與朝腔室4內面吐出洗淨液之內面洗淨液噴嘴57。下洗淨液噴嘴54及內面洗淨液噴嘴57係對腔室4呈固定。上洗淨液噴嘴51係可對腔室4呈固定，亦可對支撐遮阻板12之支軸13呈固定。複數之洗淨液噴嘴均配置於較隔板23更上方。
上洗淨液噴嘴51係連接於介裝了上洗淨液閥53之上洗淨液配管52。同樣地，下洗淨液噴嘴54係連接於介裝了下洗淨液閥56之下洗淨液配管55；內面洗淨液噴嘴57係連接於介裝了內面洗淨液閥59之內面洗淨液配管58。此等洗淨液閥係由控制裝置3進行開關。洗淨液為例如純水。若為以水為主成分之水含有液，則洗淨液亦可為純水以外之液體。例如，洗淨液亦可為純水以外之清洗液。
控制裝置3係在腔室4中不存在基板W時，由上洗淨液噴嘴51等洗淨腔室4內部。控制裝置3可在完成一片或複數片基板W之處理時即實行腔室洗淨處理，亦可在基板處理裝置1之維修時實行腔室洗淨處理。
在洗淨遮阻板12時，控制裝置係一邊使遮阻板12旋轉，一邊由上洗淨液噴嘴51及下洗淨液噴嘴54吐出洗淨液。由上洗淨液噴嘴51吐出之洗淨液係在著液至遮阻板12上表面後，沿著遮阻板12上表面流動至外方。同樣地，由下洗淨液噴嘴54吐出之洗淨液係在著液於遮阻板12下表面後，沿著遮阻板12下表面朝外方流動。藉此，藉由洗淨液沖洗基板W處理時附著於遮阻板12的 處理液之飛沫等，藉洗淨液洗淨遮阻板12之上表面及下表面。
在洗淨腔室4內面時，控制裝置3係使內面洗淨液噴嘴57吐出洗淨液。由內面洗淨液噴嘴57吐出之洗淨液，係在著液至腔室4內面後，沿著腔室4內面朝下方流動。藉此，藉由洗淨液沖洗在基板W處理時附著於腔室4之處理液之飛沫等，藉洗淨液洗淨腔室4內面。
控制裝置3係在洗淨遮阻板12時，以使由遮阻板12朝外方飛散之洗淨液之一部分供給至腔室4內面的方式，控制遮阻板12之旋轉速度。進而，控制裝置3係依朝旋轉中之遮阻板12由上洗淨液噴嘴51及下洗淨液噴嘴54之至少一者吐出洗淨液的狀態，使遮阻板12升降。由遮阻板12朝外方飛散之洗淨液抵接至腔室4內面的位置，係藉由遮阻板12之升降而鉛垂移動。藉此，洗淨液直接抵接至腔室4內面之廣範圍，有效地洗淨腔室4內面。
腔室4之底部係形成有於腔室4蓄積液體的缸60。缸60為朝上開放之淺箱形。隔板23或杯17係配置於缸60上方。複數之洗淨液噴嘴均於隔板23上方吐出洗淨液。洗淨液係通過隔板23外緣與腔室4之間的間隙、或隔板23內緣與杯17之間之間隙，而移動至隔板23下方。移動至隔板23下方之洗淨液係蓄積於缸60。
將缸60內之液體排出之排液口61，係配置於由缸60底面朝上方分離的位置。同樣地，後述之個別排氣流徑71之排氣入口71a係配置於由缸60底面朝上方分離的位置。在缸60內之液面到達排液口61時，液體之一部分通過排液口61而排出至排液流徑62。因此，於缸60內時常保持著一定量的洗淨液。在腔室4內 所產生之藥品環境氣體接觸至缸60內之洗淨液(純水)時，藥品環境氣體所含之藥品溶入至洗淨液中，由藥品環境氣體被去除。
接著說明排氣之流動。
以下參照圖1及圖2。圖2為用於說明基板處理裝置1之排氣系統的模式圖。
腔室4係依序經由個別排氣流徑71、集合排氣流徑72及氣液分離器73，連接於設置基板處理裝置1之工廠中所設置的排氣處理設備。個別排氣流徑71係由個別排氣管74所形成，集合排氣流徑72係由集合排氣管75所形成。排氣處理設備之吸引力係經由個別排氣流徑71等而傳達至各腔室4。由腔室4排出之環境氣體係藉由個別排氣流徑71及集合排氣流徑72被引導至排出方向D1。集合排氣流徑72內之環境氣體係在藉由氣液分離器73去除了液體成分後，流入至排氣處理設備。
同一塔之3個處理單元2所分別連接的3個個別排氣流徑71，係連接於相同之集合排氣流徑72。集合排氣流徑72係於上下方向延伸。同一塔之3個腔室4之各個係位於集合排氣流徑72之側方。3個個別排氣流徑71係由3個腔室4水平延伸至集合排氣流徑72。3個個別排氣流徑71係於在上下方向上為相異之3個位置連接至集合排氣流徑72。因此，由排氣處理設備至腔室4的距離，係依3個腔室4而相異。由排氣處理設備傳達至腔室4之吸引力，係因壓力損失之偏差而依3個腔室4相異。
傳達至腔室4之吸引力之偏差，係藉由在3個個別排氣流徑71所分別配置之3個排氣阻尼器76減低。排氣阻尼器76係包含配置於個別排氣流徑71內之閥盤77。排氣阻尼器76可為藉 人力移動閥盤77之手動阻尼器，亦可為具備使閥盤77移動之致動器的自動阻尼器。圖2表示閥盤77為圓板狀的例子。在圖2所示閥盤77於沿著直徑延伸之旋轉軸線進行旋轉時，個別排氣流徑71之流徑面積產生增減，由腔室4排出至個別排氣流徑71的環境氣體之流量(排氣流量)產生變化。從而，藉由調節3個排氣阻尼器76的開度，可減低吸引力(排氣壓)之偏差。
個別排氣流徑71包含腔室4內之環境氣體所流入的排氣入口71a。排氣入口71a相當於個別排氣流徑71之上游端。圖2表示藉由腔室4之內面形成排氣入口71a的例子。排氣入口71a亦可由腔室4以外之構件所形成。例如，在個別排氣管74之上游端由腔室4之內面朝腔室4內突出的情況，個別排氣管74之上游端亦可形成排氣入口71a。
個別排氣流徑71係包含將流入至71a之環境氣體排出至集合排氣流徑72的排氣出口71b。排氣出口71b相當於個別排氣流徑71之下游端。水平觀看複數之排氣出口71b時，複數之排氣出口71b係隔著間隔排列於鉛垂方向上。圖2表示使3個排氣出口71b配置於同一鉛垂平面上的例子。在排氣出口71b產生液滴的情況，此液滴係由排氣出口71b排出至集合排氣流徑72，沿著集合排氣流徑72內面流動至下方。由於在水平觀看時使複數之排氣出口71b隔著間隔排列於鉛垂方向，故有沿著集合排氣流徑72內面朝下方流動之液滴進入至下側之排氣出口71b之虞。
防止液滴流入至排氣出口71b之庇部78，係由排氣出口71b上緣朝集合排氣流徑72內延伸。2個庇部78係分別連接於下側之2個排氣出口71b。庇部78係包含：朝集合排氣流徑72 下游由排氣出口71b向斜下延伸的上表面78a；與由上表面78a之前端(下端)鉛垂地朝下方延伸之前端面78b。2個庇部78之突出量、亦即由排氣出口71b至庇部78之前端的水平方向上之距離D3，係隨著越接近集合排氣流徑72下游而越減少。若由上方鉛垂地觀看2個庇部78，則下側之庇部78係由上側之庇部78所掩蓋。
由最上方之排氣出口71b排出至下游的液滴(參照圖2之黑點)，係由此排氣出口71b之下緣沿著集合排氣流徑72內面朝下方流動，到達上側之庇部78。此液滴係藉由上側之庇部78之上表面78a而被朝斜下方引導。同樣地，由正中間之排氣出口71b排出至下游的滴液，係在到達下側之庇部78後，藉由下側之庇部78之上表面78a被朝斜下方引導。從而，可抑制或防止由某排氣出口71b排出之藥品的液滴進入至其他排氣出口71b的情形。
又，由庇部78之上表面78a所引導之液滴，係由庇部78之前端面78b落下至下方，進入氣液分離器73中。鉛垂觀看時，若下側之庇部78自上側之庇部78突出，則由上側之庇部78落下的液滴附著於下側之庇部78。由於在各腔室4中獨立進行處理，故有相異種之藥品彼此於下側之庇部78產生接觸之虞。從而，藉由以上側之庇部78掩蓋下側之庇部78，可抑制或防止此種藥品接觸。
接著說明排氣之洗淨。
以下參照圖3~圖5。圖3為由水平觀看排氣洗淨裝置81之複數之去除液噴嘴82的模式圖。圖4為由下方觀看複數之去除液噴嘴82的模式圖。圖5為表示藉由去除液洗淨藥品環境氣體之一例的流程圖。圖4中，交叉線區域表示去除液吐出口83。
在藥液著液於基板W時，產生藥液之霧氣或液滴。在藥液由基板W飛散、或飛散之藥液衝突至護件18時，亦產生藥液之霧氣或液滴。因此，於腔室4內產生藥品環境氣體(含藥品之環境氣體)。進而，由於將複數之藥液於腔室4依序供給至基板W，故於腔室4內依序產生複數種之藥品環境氣體。
基板處理裝置1係具備用於將藥品環境氣體所含之藥品去除的複數之排氣洗淨裝置81。複數之排氣洗淨裝置81分別對應於複數之腔室4。排氣洗淨裝置81係包含吐出去除液之複數之去除液噴嘴82。複數之去除液噴嘴82係配置於腔室4內。複數之去除液噴嘴82係配置於個別排氣流徑71之排氣入口71a之上游。複數之去除液噴嘴82排列於排出方向D1。複數之去除液噴嘴82配置於較基板W更下方。複數之去除液噴嘴82位於隔板23下方。
圖4為由下方觀看複數之去除液噴嘴82的圖。去除液噴嘴82係形成複數之線狀液流的淋浴噴嘴。去除液噴嘴82係朝與排出方向D1正交之水平之交叉方向D2延伸的棒狀。去除液噴嘴82係包含：在與排出方向D1正交之水平之交叉方向D2上，依等間隔排列的複數之去除液吐出口83。各去除液吐出口83例如朝下方向鉛垂吐出去除液。複數之去除液噴嘴82係彼此平行，排列於排出方向D1上。
複數之去除液噴嘴82係包含：3根之第1去除液噴嘴82A；與配置於3根之第1去除液噴嘴82A之間的2根之第2去除液噴嘴82B。第2去除液噴嘴82B之複數之去除液吐出口83，係相對於第1去除液噴嘴82A之複數之去除液吐出口83在交叉方向D2上偏離。第2去除液噴嘴82B之去除液吐出口83之至少一部分， 係於交叉方向D2上，位於第1去除液噴嘴82A之複數之去除液吐出口83之間。第1去除液噴嘴82A之複數之去除液吐出口83、與第2去除液噴嘴82B之複數之去除液吐出口83係配置為彼此錯開。
去除液噴嘴82係連接於介裝了去除液閥85之去除液配管84。去除液閥85及去除液配管84係設置於各去除液噴嘴82。在控制裝置3打開去除液閥85時，由對應於此去除液閥85之去除液噴嘴82吐出去除液。又，在控制裝置3對去除液閥85之開度進行增減時，使由對應此去除液閥85之去除液噴嘴82吐出之去除液之流量改變。由複數之去除液噴嘴82之去除液吐出，係個別地切換。各去除液配管84係連接至相同之去除液供給源。去除液例如為純水。若為以水為主成分之水含有液，則去除液亦可為純水以外之液體。例如，去除液亦可為純水以外之清洗液。去除液之溫度可未滿室溫(20~30℃)，亦可為室溫以上。
在一個去除液噴嘴82由複數之去除液吐出口83吐出去除液時，形成去除液之帶狀之淋幕，分散了去除液之帶狀之分散區域係形成於排氣入口71a之前。在複數之去除液噴嘴82吐出去除液時，積層於排出方向D1之複數之分散區域形成於排氣入口71a之前。排氣入口71a實質上被去除液之帶狀淋幕所充塞。因此，由腔室4排出至個別排氣流徑71之藥品環境氣體，係在排氣入口71a前接觸去除液。藥品環境氣體所含之藥品溶入至去除液(純水)，自藥品環境氣體被去除。
控制裝置3係在進行基板W處理時，打開至少一個去除液閥85，使1個以上之去除液噴嘴82吐出去除液。圖5為表示藉去除液洗淨藥品環境氣體之一例的流程圖。此例中，控制裝置 3係在將IPA供給至基板W時(將IPA由有機藥液噴嘴37吐出時)，僅使3根(第1根數)之第1去除液噴嘴82A吐出去除液。然後，控制裝置3係在為了使基板W乾燥而將IPA自基板W去除時，使5根(第2根數)之去除液噴嘴82吐出洗淨液。
IPA係與水之親和性極高。從而，如圖5所示例般，藉由使含IPA之藥品環境氣體接觸去除液(純水)，可有效地去除藥品環境氣體所含之IPA。進而，在使基板W乾燥時，由於從基板W排出之IPA激烈地衝突至護件18，故IPA之霧氣產生量增加，藥品環境氣體中之IPA濃度增加。從而，藉由在乾燥基板W時使吐出去除液之去除液噴嘴82之根數增加，可抑制或防止洗淨後之藥品環境氣體所含之IPA量增加。
如以上，本實施形態中，係將複數種藥品(酸性藥液、鹼性藥液及有機藥液)於腔室4內依序供給至基板W。於腔室4內產生之藥品環境氣體(含藥品之環境氣體)係通過排氣入口71a而由腔室4排出至個別排氣流徑71。分散了去除液之分散區域係形成於排氣入口71a之上游位置及個別排氣流徑71內之位置的至少一者。從而，藥品環境氣體係於腔室4或個別排氣流徑71接觸去除液。
在藥品環境氣體所含藥品於腔室4內或個別排氣流徑71內接觸至去除液時，藥品環境氣體中之藥品含量減少。從而，可使附著於個別排氣流徑71內面之藥品量減低。因此，即使在含有與先前之藥品環境氣體所含藥品相異種類之藥品的環境氣體通過個別排氣流徑71的情況，仍可使在個別排氣流徑71內產生之顆粒數減少。藉此，可使由個別排氣流徑71逆流至腔室4之顆粒數 減少，可提高基板W之清潔度。
本實施形態中，分散有去除液之分散區域形成於與排氣入口71a之至少一部分相同之高度。在排氣入口71a與分散區域之高度相異的情況，由排氣入口71a至分散區域的距離變長。此意味著藥品成分被去除前之藥品環境氣體所通過之路徑變長。從而，藉由將分散區域配置於與排氣入口71a之至少一部分相同之高度，可減小複數種藥品可接觸的區域。藉此，可減少在個別排氣流徑71內產生之顆粒數。
本實施形態中，由於在由腔室4所排出之環境氣體所流動之方向上排列著複數之分散區域，故藥品環境氣體依序通過複數之分散區域。藉此，藥品環境氣體與去除液之接觸次數及接觸時間增加，故可使藥品環境氣體中之藥品含量更加減少。藉此，可使個別排氣流徑71內所產生之顆粒數更加減少。
本實施形態中，從排列於交叉方向D2之複數之去除液吐出口83吐出去除液。藉此，形成去除液之帶狀淋幕，去除液分散為帶狀之分散區域。由於上游側之複數之去除液吐出口83相對於下游側之複數之去除液吐出口83於交叉方向D2上呈偏離，故即使藥品環境氣體未抵接上游側之去除液淋幕而通過，此藥品環境氣體仍接觸至下游側之去除液淋幕。因此，可使藥品環境氣體所含之藥品確實接觸至去除液，可使藥品環境氣體中之藥品含量減少。
本實施形態中，去除液之吐出及吐出停止係藉由複數之去除液閥85之開關而於各個去除液噴嘴82進行切換。又，由去除液噴嘴82吐出之去除液之流量係藉由以控制裝置3變更去除液閥85之開度而調整。去除液係由與開放狀態之去除液閥85相同數 量之去除液噴嘴82吐出。分散於分散區域之去除液由於對由腔室4排出之環境氣體施加阻力。故在去除液噴嘴82吐出去除液時，自去除液噴嘴82吐出之去除液流量發生變化，且由腔室4排出之環境氣體之流量(排氣流量)產生變化。例如，在所有去除液噴嘴82均吐出去除液時的排氣流量，係小於在僅一部分去除液噴嘴82吐出去除液時之排氣流量。從而，藉由個別地切換複數之去除液噴嘴82的去除液吐出，可調節排氣流量。
本實施形態中，係在對基板W供給IPA之IPA供給步驟後，實行將在IPA供給步驟對基板W所供給之IPA自基板W去除的乾燥步驟。基板W的熱係在基板W上之IPA蒸發時被IPA奪取。因此，基板W之溫度係在實行乾燥步驟時降低。又，若由腔室4排出之環境氣體之流量較大，由於在基板W附近形成較強氣流，故促進IPA蒸發，同時藉氣流使基板W冷卻。若基板W溫度急遽下降，則有因基板W上之結露而形成水痕等之虞。
去除液係在對基板W供給IPA之期間與使基板W乾燥之期間吐出。在實行乾燥步驟時吐出去除液之去除液噴嘴82之根數(第2根數)，係多於在進行IPA供給步驟時吐出去除液之去除液噴嘴82之根數(第1根數)。若增加吐出去除液之去除液噴嘴82之根數，由於分散區域之數量增加，故對由腔室4排出之環境氣體施加的阻力增加。從而，可使乾燥步驟中基板W附近之氣流減弱。藉此，可減輕乾燥步驟中基板W溫度降低的情形。
本實施形態中，由排氣洗淨裝置81所吐出之去除液係蓄積於設於腔室4底部之缸60中。飄浮於腔室4內之藥品環境氣體所含之藥品係於腔室4底部被去除。從而，可在藥品環境氣體 進入個別排氣流徑71前，去除藥品環境氣體中之藥品。再者，用於形成分散區域所吐出之去除液於缸60進行再利用，故可減低去除液之消耗量。
本實施形態中，係於腔室4內吐出與藉排氣洗淨裝置81所吐出之去除液同種之液體的洗淨液。藉此，洗淨腔室4內部。洗淨了腔室4內部之洗淨液，係蓄積於設於腔室4底部之缸60中。飄浮於腔室4內之藥品環境氣體所含之藥品係於腔室4底部被去除。從而，可在藥品環境氣體進入個別排氣流徑71前，去除藥品環境氣體中之藥品。再者，用於洗淨腔室4內部所吐出之洗淨液於缸60進行再利用，故可減低去除液之消耗量。
本實施形態中，係由複數之腔室4排出至複數之個別排氣流徑71的藥品環境氣體，流入至集合排氣流徑72。流入至集合排氣流徑72之藥品環境氣體係藉由複數之排氣洗淨裝置81減低了藥品含量。從而，可抑制或防止複數種之藥品於集合排氣流徑72中接觸。再者，由於複數之個別排氣流徑71集合至集合排氣流徑72，故亦可不個別地於個別排氣流徑71設置產生吸引力的吸引設備等。
本實施形態中，係在個別排氣流徑71之排氣出口71b產生藥品液滴的情況，此液滴係由排氣出口71b排出至集合排氣流徑72內，沿著集合排氣流徑72之內面流動至下方。由於水平觀看時複數之排氣出口71b隔著間隔排列於鉛垂方向上，故有沿著集合排氣流徑72之內面流動至下方的液滴進入至下側排氣出口71b之虞。然而，由於設置了由排氣出口71b上緣朝集合排氣流徑72內突出之庇部78，故可抑制或防止由上側排氣出口71b排出之藥液之 液滴進入下側排氣出口71b的情形。
本實施形態中，下游側之庇部78之全部或一部分被上游側之庇部78所掩蓋。庇部78上之藥品之液滴係由庇部78邊緣朝下方落下。在鉛垂觀看時，若下游側之庇部78自上游側之庇部78突出，則由上游側之庇部78落下的液滴將附著於下游側之庇部78。因此，有相異種之藥品彼此於下游側之庇部78接觸之虞。從而，藉由以上游側之庇部78掩蓋下游側之庇部78，可抑制或防止此種藥品接觸。
其他實施形態
本發明並不限定於上述實施形態之內容，亦可進行各種變更。
例如，上述實施形態係說明了在將SPM供給至基板W後，藉純水沖洗基板W上之SPM的情況，但亦可在供給純水前供給過氧化氫水。
上述實施形態中，說明了設置有遮阻板12的情況，但亦可省略遮阻板12。
如圖6所示般，排氣洗淨裝置81中可將在腔室4內吐出去除液之去除液噴嘴82取代或進一步具備在個別排氣流徑71內吐出去除液的流徑內去除液噴嘴92。
圖6表示由去除液噴嘴92生成去除液霧氣的噴霧噴嘴的例子。去除液噴嘴92係連接於介裝了去除液閥85之去除液配管84。在去除液噴嘴92吐出去除液時，去除液之霧氣擴展為圓錐狀，於個別排氣流徑71內形成圓錐狀之分散區域。去除液噴嘴92係例如朝配置於個別排氣流徑71內之排氣阻尼器76之閥盤77下 方吐出去除液。去除液噴嘴92亦可朝閥盤77之上游或下游之位置於個別排氣流徑71內吐出去除液。
根據此構成，藉由以流徑內去除液噴嘴92朝閥盤77吐出去除液，於個別排氣流徑71內形成分散了去除液之分散區域。去除液之一部分係保持於閥盤77表面。個別排氣流徑71內之藥品環境氣體不僅接觸至分散於空氣中之去除液，亦與保持於閥盤77表面之去除液接觸。藉此，可進一步減少藥品環境氣體中之藥品含量。進而，由於在通常設置於個別排氣流徑71內之構件(閥盤77)保持去除液，故可防止零件數量增加。
上述實施形態中，說明了在對基板W供給IPA之期間(IPA供給步驟)與使基板W乾燥之期間(乾燥步驟)中吐出去除液的情況，但亦可於此等以外之期間吐出去除液。例如，亦可將IPA供給步驟及乾燥步驟取代、或進一步於對基板W供給SPM及SC-1之至少一者之期間(藥液供給步驟)中吐出去除液。又，亦可在基板W位於腔室4中之全期間吐出去除液，亦可不論基板W是否位於腔室4中均吐出去除液。
上述實施形態中，說明了使在乾燥基板W時吐出去除液之去除液噴嘴82之根數(第2根數)、較在對基板W供給IPA時吐出去除液之去除液噴嘴82之根數(第1根數)多的情況，但第1根數亦可多於第2根數、或與第2根數相等。又，於IPA供給步驟及乾燥步驟以外之步驟中，亦可調整吐出去除液之去除液噴嘴82的根數。
去除液噴嘴82並不限定於下方向，亦可朝上方向吐出去除液，亦可朝水平方向吐出去除液。
上述實施形態中，說明了使分散了去除液之分散區域形成於排氣入口71a之上游位置或個別排氣流徑71內之位置的情況，但亦可於排氣阻尼器76之下游位置形成分散區域。例如，圖2所示最上側之處理單元2所對應的分散區域，亦可形成於對應該處理單元2之排氣阻尼器76至對應該處理單元2之上側之庇部78為止的範圍。此情況，分散區域亦可不位於與排氣入口71a之至少一部分相等高度的位置。例如，亦可將分散區域之整體形成於較排氣入口71a更上方或更下方的位置。
上述實施形態中，說明了使上游側之複數之去除液吐出口83相對於下游側之複數之去除液吐出口83於交叉方向D2上呈偏離的情況，但上游側之複數之去除液吐出口83亦可相對於複數之去除液吐出口83於交叉方向D2上不偏離。
上述實施形態中，說明了對複數之去除液噴嘴82設置分別對應之複數之去除液閥85的情況，但亦可藉由1個去除液閥85切換所有之由去除液噴嘴82的去除液吐出、停止吐出、及流量。
上述實施形態中，說明了由上方鉛垂觀看2個庇部78時，下游側之庇部78被上游側之庇部78所掩蓋的情況，但下游側之庇部78亦可自上游側之庇部78突出。亦可省略所有或一部分之庇部78。
亦可組合上述所有構成之2種以上。亦可組合上述所有步驟之2個以上。
本申請案係與於2015年11月2日向日本專利局提出之日本專利特願2015-215961號對應，該申請案之所有揭示內容均 藉由引用而併入本文中。
雖針對本發明之實施形態進行了詳細說明，但此等僅為用於闡明本發明之技術內容的具體例，本發明並不應限定於此等具體例而解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍所限定。

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，其包含：腔室，係形成使複數種藥品依序供給至基板的內部空間；個別排氣流徑，係包含供上述腔室內之環境氣體流入的排氣入口，經由上述排氣入口將上述腔室內之環境氣體排出；與排氣洗淨裝置，係藉由將使由上述腔室所排出之環境氣體含有之藥品從該環境氣體去除之去除液吐出至空中，而於上述排氣入口之上游位置及上述個別排氣流徑內之位置之至少一者，形成分散有去除液的分散區域。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述排氣洗淨裝置係以於鉛垂方向上，上述分散區域位於與上述排氣入口之至少一部分相同之高度的方式，形成上述分散區域。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述排氣洗淨裝置係包含複數之去除液噴嘴，該等去除液噴嘴係在供上述腔室所排出之環境氣體流動之方向的排出方向上，在相異之複數位置分別形成複數之分散區域。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中，在與上述排出方向交叉之交叉方向上排列的複數之去除液吐出口，係設置於上述複數之去除液噴嘴之各者；在上述排出方向上相鄰接之2個上述去除液噴嘴中，設置在其中一個上述去除液噴嘴之上述複數之去除液吐出口，係相對於設置在另一個上述去除液噴嘴之上述複數之去除液吐出口，於上述交叉方向上呈偏離。
  5. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述排氣洗淨裝置係進一步包含複數之去除液閥，該等去除液閥係分別對應於上述複數之去除液噴嘴，個別地切換對上述複數之去除液噴嘴之去除液之供給與對上述複數之去除液噴嘴之去除液之停止供給。
  6. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置係進一步包含：基板保持單元，係於上述腔室內水平保持基板；基板旋轉單元，係使由上述基板保持單元所保持之基板旋轉；處理液供給單元，係對由上述基板保持單元所保持之基板供給處理液；與控制裝置，係控制上述排氣洗淨裝置與上述基板旋轉單元與上述處理液供給單元；上述排氣洗淨裝置係包含去除液閥，該去除液閥係藉由切換去除液之供給與去除液之停止供給，而變更吐出去除液之上述去除液噴嘴的根數；上述控制裝置係實行：對上述腔室內之基板供給處理液之處理液供給步驟；將在上述處理液供給步驟供給至基板之處理液藉由上述基板之旋轉而去除，藉此使上述基板乾燥的乾燥步驟；與上述處理液供給步驟並行，使1個以上且未滿全數之第1根數之上述去除液噴嘴吐出去除液的第1排氣洗淨步驟；及與上述乾燥步驟並行，使大於上述第1根數之第2根數之上述去除液噴嘴吐出去除液的第2排氣洗淨步驟。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中，上述處理液供給單元係包含吐出作為處理液之異丙醇之液體的有機藥液噴嘴。
  8. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述腔室之底部係形成將由上述排氣洗淨裝置吐出之去除液蓄積於上述腔室內的缸。
  9. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置係進一步包含洗淨液噴嘴，該洗淨液噴嘴係藉由於上述腔室內吐出與藉上述排氣洗淨裝置所吐出之去除液同種之液體的洗淨液，而洗淨上述腔室內部；上述腔室之底部係形成將由上述洗淨液噴嘴吐出之洗淨液蓄積於上述腔室內的缸。
  10. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置係包含：複數之上述腔室；分別對應於上述複數腔室之複數之上述排氣洗淨裝置；分別連接於上述複數腔室之複數之上述個別排氣流徑；與連接於上述複數之個別排氣流徑的集合排氣流徑。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中，上述複數之個別排氣流徑係分別包含：將由上述複數腔室排出之環境氣體排出至上述集合排氣流徑內的複數之排氣出口；上述複數之排氣出口係於上述集合排氣流徑之內面開口，水平觀看時隔著間隔排列於鉛垂方向上；自上述排氣出口之上緣朝上述集合排氣流徑內突出之庇部，係設置於上述複數之排氣出口之至少一者。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中，於在上述排出方向上鄰接之2個上述排氣出口分別設置2個上述庇部；在由上方鉛垂地觀看上述2個庇部時，上述排出方向之下游側之上述庇部之至少一部分，係被上述排出方向之上游側之上述庇部所掩蓋。
  13. 如請求項1至12中任一項之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置係進一步包含閥盤，該閥盤係配置於上述個別排氣流徑內，變更上述個別排氣流徑之流徑面積，藉此變更由上述腔室排出至上述個別排氣流徑之環境氣體之流量；上述排氣洗淨裝置係藉由朝上述閥盤吐出去除液，而於上述個別排氣流徑內之位置形成上述分散區域。
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