KR20100048418A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20100048418A
KR20100048418A KR1020080107555A KR20080107555A KR20100048418A KR 20100048418 A KR20100048418 A KR 20100048418A KR 1020080107555 A KR1020080107555 A KR 1020080107555A KR 20080107555 A KR20080107555 A KR 20080107555A KR 20100048418 A KR20100048418 A KR 20100048418A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust
chamber
pure water
processing apparatus
substrate processing
Prior art date
Application number
KR1020080107555A
Other languages
English (en)
Inventor
김붕
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020080107555A priority Critical patent/KR20100048418A/ko
Publication of KR20100048418A publication Critical patent/KR20100048418A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

본 발명은 순수를 이용하여 배기실에 생성된 반응 물질을 수거하기 위한 기판 처리 장치에 관한 것이다. 기판 처리 장치는 배기실 또는 배기 덕트 내부에 순수를 공급하는 노즐과, 순수와 함께 반응 물질을 배출하는 드레인 라인이 설치된다. 드레인 라인은 배기실 하단으로부터 일정 높이 돌출되어 공급된 순수가 오버플로우되어 배출된다. 본 발명에 의하면, 공정실의 가스를 원할하게 배기할 수 있으며 동시에 노즐을 통해 순수를 공급하여 반응 물질을 세정함으로써, 순수를 배기실에 설치되는 배기 라인 배기구가 반응 물질에 의해 막히는 현상을 제거할 수 있다.
기판 처리 장치, 배기실, 배기 덕트, 반응 물질, 순수, 노즐

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 순수를 이용하여 배기하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클, 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질이나 불필요한 막을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.
현재 반도체 제조 공정에서 사용되는 세정 방법은 건식 세정(Dry Cleaning)과 습식 세정(Wet Cleaning)으로 크게 나누어지며, 습식 세정은 약액 중에 기판을 침적시켜 화학적 용해 등에 의해서 오염 물질을 제거하는 배스(Bath) 타입과, 스핀 척 위에 기판을 놓고 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면에 약액을 공급하여 오염 물질을 제거하는 매엽 타입으로 나누어진다.
도 1을 참조하면, 세정 공정을 처리하는 매엽식 기판 처리 장치(10)는 하우 징(2) 내부에 공정실(2a)과 배기실(2b)이 격리판(8)에 의해 분리되고, 공정 진행시 공정실(2a)에서 발생되는 가스(fume)을 안정적으로 배기하기 위해 상부에 팬 필터 유닛(4)이 설치되고, 하부에 배기실이 배치된다.
또 기판 처리 장치(10)는 공정 시, 다양한 약액들을 회수하는 다단 바울(14 ~ 18)을 갖는 챔버(12)와, 챔버(12) 내부에 배치되어 기판(W)을 지지하는 지지부재(20)와, 지지부재(20)와 연결되는 회전축(22) 및, 회전축(22)과 연결되어 지지부재(20)에 안착된 기판을 구동하는 구동부재(24)를 포함한다. 기판 처리 장치(10)는 구동부재(24)의 하단에 배치되어 각 바울(14 ~ 18)들의 입구(14a ~ 18a)를 통해 챔버(12) 내부의 가스를 배기하는 배기부재(30)가 배치된다. 또 기판 처리 장치(10)는 공정 진행 시, 각각의 바울들(14 ~ 16) 하단에 구비되어 입구(14a ~ 18a)를 통해 내부에 회수된 약액들을 개별적으로 회수하는 회수 라인(42 ~ 46)들을 구비한다.
배기부재(30)는 일측이 격리판(8)에 설치되어 공정실(2a) 내부의 가스를 유입하는 제 1 배기 라인(32)과, 타측이 기판 처리 장치(10)의 메인 배기 라인(6)에 연결되어 배기부재(30) 내부의 가스를 메인 배기 라인(6)을 통해 외부로 배기하는 제 2 배기 라인(34)이 연결된다. 제 1 및 제 2 배기 라인(32, 34)은 배기부재(30)의 측벽에 구비되는 배기구(36)에 설치된다. 메인 배기 라인(6)에는 배기력을 발생하는 배기 장치(미도시됨)가 설치된다.
이러한 기판 처리 장치(10)는 공정이 진행되면, 팬 필터 유닛(4)에 의해 하우징(2) 내부의 압력을 조절하여 공정실(2a) 및 챔버(12) 내부의 가스를 배기부 재(30)로 흐르도록 하여 배기시킨다. 이 때, 배기부재(30)에는 공정실(2a) 및 챔버(12) 내부의 다양한 가스와 수분 등이 반응하여 반응 물질이 생성되고, 생성된 반응 물질(50)은 도 2에 도시된 바와 같이, 배기부재(30)의 하단에 적층되어 배기구(36)가 막히는 현상이 발생된다. 이러한 반응 물질(50)은 액체 상태로 배기부재(30), 배기 라인(32, 34), 메인 배기 라인(6) 및 배기 장치(미도시됨) 등의 배기 관련 장치에 영향을 끼쳐서 각 장치들을 부식 및 손상시킬 수 있으며, 그 누적이 심화되면, 배기 압력이 저하되어 원할한 배기가 이루어지지 않게 된다.
그 결과, 반응 물질 제거, 배기 관련 장치들의 교체 및 유지 보수로 인한 작업 시간이 많이 소요되고, 이를 위해 세정 공정을 중단해야 하므로 생산성을 저하시키는 원인이 된다.
본 발명의 목적은 순수를 이용하여 배기하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 배기 덕트에 누적되는 반응 물질을 제거하기 위한 배기부를 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 배기 덕트에 누적되는 반응 물질이 배기 장치에 유입되는 것을 방지하기 위한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 기판 처리 장치는 퓸을 배기하는 배기부재에 노즐 및 드레인 라인을 구비하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 기판 처리 장치는 노즐을 통해 배기부재에 순수를 토출하여 배기부재 내부에 적층된 반응 물질을 세정하여 드레인 라인으로 배출하게 한다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 공정실과, 상기 공정실 하단에서 배치되어 상기 공정실 내부의 가스를 배기하는 배기 라인이 제공되는 배기실을 갖는 하우징와; 상기 배기실의 하단에 설치되어 상기 배기실 내부의 반응 물질을 세정하도록 순수를 공급하는 노즐 및; 상기 배기실에 공급된 순수를 상기 반응 물질과 함께 외부로 배출하는 드레인 라인을 포함한다.
한 실시예에 있어서, 상기 드레인 라인은; 상기 배기실에 공급된 순수가 오버플로우 되어 드레인되도록 상부가 상기 배기실 하단으로부터 일정 높이로 돌출되고, 상기 상부가 상기 배기 라인의 배기구보다 낮게 상기 배기실 하단에 설치된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치는 배기실 하단에 노즐을 설치하고, 배기실 내부로 순수를 공급하여 세정하고, 배기실에 생성되는 반응 물질을 순수와 함께 수거함으로써, 배기 라인의 배기구가 반응 물질에 의해 막히는 현상을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명 하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
이하 첨부된 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 기판을 처리하는 공정실(104)과 공정실(104)의 가스를 배기하기 위한 배기실(106)이 상하로 배치되는 하우징(102)과, 배기실(106) 내부의 배기 가스를 배기하는 배기 라인(138)과, 배기실(106) 하단에 설치되어 배기실(106) 내부로 순수(DIW)를 공급하여, 배기실(106) 내부의 반응 물질(도 2의 50)을 세정하는 노즐(150) 및, 배기실(106) 내부에 생성되는 반응 물질을 수거하기 위해 배기실(106) 내부에 공급된 순수(DIW)과 반응 물질을 외부로 드레인하는 드레인 라인(152)을 포함한다. 또 기판 처리 장치(100)는 하우징(102) 상단에 팬 필터 유닛(108)이 설치되어 공정실(104) 내부의 가스를 배기실(106)로 흐르도록 한다.
하우징(102)은 공정 영역과 배기 영역이 격리된다. 즉, 격리판(118)을 통해 공정실(104)과 배기실(106)이 분리되고, 격리판(118)에는 공정실(104)로부터 배기실(106)로 가스가 흐르도록 복수 개의 배기홀(미도시됨)이나 배기 라인(도 4의 132)들이 제공된다.
배기 라인(138)은 기판 처리 장치(100)의 메인 배기 라인(148)과 연결된다. 메인 배기 라인(148)에는 기판 처리 장치(100)의 배기 가스를 배기시키기 위한 배 기 장치(미도시됨)가 설치된다.
따라서 본 발명의 기판 처리 장치(100)는 공정 진행 시 가스나 약액들의 반응에 의해 배기실(또는 배기 덕트)(106)에 생성되는 반응 물질을 제거하기 위하여, 배기실(106) 하단에 노즐(150)을 설치하고 배기실(106) 하단에서 내부로 순수(DIW)를 토출, 공급하여, 배기실(106) 내부의 반응 물질을 순수와 함께 드레인한다.
이 때, 배기실(106) 내부에 공급된 순수를 반응 물질과 함께 오버플로우(overflow)시켜서 드레인 라인(152)으로 드레인한다. 그러므로 드레인 라인(152)의 상단(152a)은 배기실(106) 측벽에 설치되는 배기 라인(138)의 배기구와 일정 간격(d)을 유지하도록 설치되어 순수(DIW)와 반응 물질이 배기 라인(138)으로 유입되는 것을 방지한다. 즉, 드레인 라인(152)은 배기실(106)에 공급된 순수(DIW)가 오버플로우 되어 드레인되도록 상부(152a)가 배기실(106) 하단으로부터 일정 높이(d)로 돌출되고, 동시에 상부(152a)가 배기 라인(138)의 배기구(136)보다 낮게 배기실(106) 하단에 설치된다.
구체적으로, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 이 실시예의 기판 처리 장치(100)는 다양한 처리 약액들을 사용하여 기판(W) 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 매엽식 세정 장치로, 하우징(102) 내부에 공정실(104)과 배기실(106)이 수평의 격리판(118)에 의해 분리된다. 공정실(104)에는 챔버(110)가 배치되고, 배기실(106)에는 배기부재(130)가 배치된다.
기판 처리 장치(100)는 하우징(102) 하단에 노즐(150)과 드레인 라인(152)가 설치된다. 또 기판 처리 장치(100)는 팬 필터 유닛(108), 챔버(110), 지지부재(120) 및 배기부재(130)를 포함한다.
팬 필터 유닛(108)은 챔버(110) 내부에 수직 기류를 발생시킨다. 챔버(110)는 공정을 처리하는 내부 공간을 제공하며, 복수 개의 바울(112 ~ 116)들을 이용하여 다양한 약액들을 회수하거나 내부 가스(fume)를 배기시킨다. 챔버(110)는 내부에 기판(W)이 안착되는 지지부재(120)가 배치된다. 지지부재(120)는 하단에 회전축(122) 및 구동부재(124)가 연결되어 상하 이동 및 회전된다.
바울(112 ~ 116)들은 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 바울(112 ~ 116)들의 개구된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 또 바울(112 ~ 116)들은 기판(W)으로부터 비산되는 약액들 및 가스를 수집하기 위한 회수 공간을 제공한다. 바울(112 ~ 116)들 각각의 회수 공간은 제 1 내지 제 3 회수 라인(142 ~ 146)과 연결되고, 제 1 내지 제 3 회수 라인(142 ~ 146)들을 통해 약액들을 각각 회수한다.
또 바울(112 ~ 116)들은 상부 공간과 지지부재(120)에 의해 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기부재(130)가 연결되도록 하부 공간을 제공한다. 바울(112 ~ 116)들의 상부 공간에는 회전되는 기판 상에서 비산되는 약액과 가스를 유입 및 흡입하는 제 1 내지 제 3 입구(112a ~ 116a)들이 다단으로 배치된다. 바울(112 ~ 116)들의 하부 공간에는 배기부재(130)와 연결되는 배기 라인(132, 134)들 제공된다.
이러한 기판 처리 장치(100)는 기판(W)을 지지부재(120)에 의해 회전시키면서 약액들을 공급하여 기판(W)을 처리한다. 기판(W)으로 공급된 약액들은 비산되며, 기판(W)으로부터 비산된 약액들 및 가스는 제 1 내지 제 3 입구(112a ~ 116a)를 통해 각각의 바울(112 ~ 116)들 내부로 회수된다.
배기부재(130)는 공정시 제 1 내지 제 3 입구(112a ~ 116a)들을 통해 약액들을 회수하는 동시에 각각의 바울(112 ~ 116) 내부 및 공정실(104) 내부의 가스를 흡입하여 배기 라인(132, 134)으로 배기한다. 이 때, 흡입 압력은 기판 처리 장치(100)의 메인 배기 라인(148)에 설치된 배기 장치(미도시됨)(예를 들어, 댐퍼, 펌프 등)에 의해 발생된다.
그리고 노즐(150)은 배기부재(130)의 하단에 설치되어 배기부재(130) 내부로 순수(DIW)를 토출, 공급한다. 공급된 순수(DIW)는 배기부재(130) 내부에 적층된 반응 물질을 세정하여 부유시키고, 드레인 라인(152)으로 오버플로우시켜서 외부로 순수와 반응 물질을 드레인한다. 드레인 라인(152)은 배기부재(130)에 공급된 순수(DIW)가 오버플로우 되어 드레인되도록 상단이 배기부재(130) 하단으로부터 배기 라인(138)의 배기구(136)보다 낮게 배치하여 배기 라인(138)으로 순수 및 반응 물질이 유입되는 것을 방지한다.
이상에서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도면;
도 2는 도 1에 도시된 배기 장치의 구성을 도시한 도면;
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면;
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
100 : 기판 처리 장치 102 : 하우징
104 : 공정실 106 : 배기실
108 : 팬 필터 유닛 110 : 챔버
112 ~ 116 : 바울 118 : 격리판
120 : 지지부재 130 : 배기부재
132, 134 : 배기 라인 136 : 배기구
150 : 노즐 152 : 드레인 라인

Claims (2)

  1. 기판 처리 장치에 있어서:
    기판을 처리하는 공정실과, 상기 공정실 하단에서 배치되어 상기 공정실 내부의 가스를 배기하는 배기 라인이 제공되는 배기실을 갖는 하우징와;
    상기 배기실의 하단에 설치되어 상기 배기실 내부의 반응 물질을 세정하도록 순수를 공급하는 노즐 및;
    상기 배기실에 공급된 순수를 상기 반응 물질과 함께 외부로 배출하는 드레인 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 드레인 라인은;
    상기 배기실에 공급된 순수가 오버플로우 되어 드레인되도록 상부가 상기 배기실 하단으로부터 일정 높이로 돌출되고, 상기 상부가 상기 배기 라인의 배기구보다 낮게 상기 배기실 하단에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020080107555A 2008-10-31 2008-10-31 기판 처리 장치 KR20100048418A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080107555A KR20100048418A (ko) 2008-10-31 2008-10-31 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080107555A KR20100048418A (ko) 2008-10-31 2008-10-31 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100048418A true KR20100048418A (ko) 2010-05-11

Family

ID=42275185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080107555A KR20100048418A (ko) 2008-10-31 2008-10-31 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100048418A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180132021A (ko) * 2015-11-02 2018-12-11 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180132021A (ko) * 2015-11-02 2018-12-11 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100949283B1 (ko) 액처리장치 및 액처리방법
US7472713B2 (en) Substrate processing apparatus
KR101019445B1 (ko) 액 처리 장치
JP5156114B2 (ja) 液処理装置
JP5129042B2 (ja) 基板の処理装置
JP4949338B2 (ja) 液処理装置
KR20100046800A (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 그 장치에서의 배기 방법
KR20100075948A (ko) 액처리 장치 및 액처리 방법
TW202013491A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR101206923B1 (ko) 매엽식 웨이퍼 세정 장치
JP5063560B2 (ja) 基板処理装置
KR20100059457A (ko) 매엽식 기판 처리 장치
JP4804407B2 (ja) 液処理装置
KR100764683B1 (ko) 기판처리장치
KR20100048418A (ko) 기판 처리 장치
JP2011529395A (ja) ワークピースの洗浄装置
KR101010311B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
KR101570167B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2015070148A (ja) 基板処理装置
JP2019076842A (ja) 気体浄化装置、気体浄化方法および基板処理装置
KR20160116476A (ko) 반도체 웨이퍼 세정 장치
KR101605713B1 (ko) 기판 처리 장치
JP4509613B2 (ja) 基板処理装置
JP2012151263A (ja) 加工装置
KR20100046799A (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination