TWI626710B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

一種基板處理方法，其包含：置換步驟，將附著於基板之表面之清洗液置換為表面張力較該清洗液低之低表面張力液體；及旋轉乾燥步驟，於上述置換步驟結束之後，使上述基板繞既定之旋轉軸線旋轉而將上述低表面張力液體甩乾，藉以使上述表面乾燥；上述置換步驟包含：低表面張力液體供給步驟，其係一面朝上述表面相反側之背面供給加熱流體，一面朝上述表面供給上述低表面張力液體；及後期加熱步驟，其係於上述低表面張力液體供給步驟之結束後且上述旋轉乾燥步驟之開始前，於停止朝上述表面供給上述低表面張力液體之狀態下，朝上述基板之上述表面相反側之背面供給加熱流體。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種使用低表面張力液體對基板進行處理之基板處理方法及基板處理裝置。作為處理對象之基板之例子，其包含有半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於半導體裝置之製造步驟中，利用處理液對半導體晶圓等之基板的表面進行處理。各一片地處理基板之單片處理式之基板處理裝置，具備一面大致水平地保持基板一面使此基板旋轉之旋轉夾頭、及用以朝藉由該旋轉夾頭而旋轉之基板的表面供給處理液之噴嘴。
於典型之基板處理步驟中，對被保持於旋轉夾頭之基板供給藥液。然後，朝基板供給清洗液，藉此將基板上之藥液置換為清洗液。然後，進行用以排除基板上之清洗液之旋轉乾燥步驟。於旋轉乾燥步驟中，藉由使基板高速旋轉，將附著於基板上之清洗液甩乾除去(乾燥)。普通之清洗液係去離子水。
於基板之表面形成有微細之圖案之情況下，恐有在旋轉乾燥步驟中不能將進入圖案之內部之清洗液除去之擔憂，藉此可 能產生乾燥不良。因此，提出有一種方法，藉由將異丙醇(isopropyl alcohol：IPA)等有機溶劑供給於藉由清洗液所處理後之基板之表面，將進入基板表面之圖案之間隙內之清洗液置換為有機溶劑，而使基板之表面乾燥。
如圖17所示，於藉由基板之高速旋轉使基板乾燥之旋轉乾燥步驟中，會於圖案內形成液面(空氣與液體之界面)。該情況下，液體之表面張力作用於液面與圖案之接觸位置。此表面張力係使圖案倒塌之原因之一。
如日本專利特開2009-212301號公報所記載，於清洗處理後且旋轉乾燥步驟之前將有機溶劑之液體供給於基板之表面之情況下，有機溶劑之液體進入圖案之間。有機溶劑之表面張力，係較典型之清洗液即水低。因此，可緩和因表面張力而引起之圖案倒塌之問題。
此外，於日本專利特開2009-212301號公報記載之方法中，為了提高有機溶劑之對清洗液之置換性，與朝基板之表面供給有機溶劑同步，並對與基板之表面相反側之背面供給加熱液。
於日本專利特開2009-212301號公報記載之方法中，於停止朝基板之背面供給加熱液之狀態下，仍會持續既定時間繼續對基板之表面供給有機溶劑。於此期間內繼續朝基板供給有機溶劑，會造成基板之熱被追加供給之有機溶劑奪走。因此，基板之熱損失大。並且，加熱液之對基板之加熱被停止。藉此，基板之溫度會逐漸降低。然後，開始旋轉乾燥步驟。因此，本方法中，變成對成為低溫之基板開始旋轉乾燥步驟。於旋轉乾燥步驟中，需要藉由伴隨基板之旋轉之離心力將進入基板表面之圖案之低表面張力 液體甩乾，但若是在基板處於低溫之狀態下開始旋轉乾燥步驟，則對於旋轉乾燥步驟之執行需要花費較長時間。若旋轉乾燥步驟之執行需要花費較長時間，則表面張力液體之作用於圖案之表面張力之衝量(impulse)變大，其結果會助長圖案之倒塌。
因此，本發明之目的，在於提供一種能更有效地抑制圖案之倒塌之基板處理方法及基板處理裝置。
本發明提供一種基板處理方法，其包含：置換步驟，將附著於基板之表面之清洗液置換為表面張力較該清洗液低之低表面張力液體；及旋轉乾燥步驟，於上述置換步驟結束之後，使上述基板繞既定之旋轉軸線旋轉而將上述低表面張力液體甩乾，藉以使上述表面乾燥；上述置換步驟包含：低表面張力液體供給步驟，其係一面朝上述表面相反側之背面供給加熱流體，一面朝上述表面供給上述低表面張力液體；及後期加熱步驟，其係於上述低表面張力液體供給步驟之結束後且上述旋轉乾燥步驟之開始前，於停止朝上述表面供給上述低表面張力液體之狀態下，朝上述基板之上述表面相反側之背面供給加熱流體。
根據此方法，於低表面張力液體供給步驟後之後期加熱步驟中，藉由停止朝基板之表面之低表面張力液體之供給，以使基板之熱量不會被追加供給之低表面張力液體奪走。並且，於此狀態下，朝基板之下面供給加熱液而將基板加熱。藉此，變得能對高溫狀態下之基板開始旋轉乾燥步驟。因此，可於短時間內完成旋轉乾燥步驟。若能於短時間內完成旋轉乾燥步驟，則可將作用於圖案之表面張力之衝量抑制為較小。藉此，可更有效地抑制旋轉乾燥步 驟時之圖案之倒塌。
加熱流體可為液體(加熱液)，也可為氣體(加熱氣體)。加熱液之一例係水。加熱氣體之一例係惰性氣體或水蒸氣。加熱流體可供給於背面全域，也可供給於背面之一部分。
此外，於本發明之一實施形態中，上述後期加熱步驟與上述旋轉乾燥步驟係連續地執行。
根據此方法，可更高地昇高旋轉乾燥步驟開始時之基板溫度。因此，可於更短時間內完成旋轉乾燥步驟。
此外，也可於上述旋轉乾燥步驟中朝上述基板之背面供給加熱流體。
根據此方法，可更高地昇高旋轉乾燥步驟執行時之基板溫度。因此，可於更短時間內完成旋轉乾燥步驟。
此外，也可包含積液步驟，其與上述後期加熱步驟同步，將上述基板設定為靜止狀態、或者使上述基板以積液速度繞上述旋轉軸線旋轉。
根據此方法，於積液步驟中，在基板之上面呈積液狀支撐有覆蓋該上面之低表面張力液體之液膜。因此，可於旋轉乾燥步驟之開始前，防止基板之表面自液膜露出。若有一部分基板之表面露出，則恐有因粉塵之產生而造成基板之清潔度降低、或處理之均勻度降低之擔憂。然而，由於可防止基板之表面自液膜露出，因此可藉以防止招致基板之清潔度降低或處理之均勻度降低之情況。
上述後期加熱步驟也可自沿上述基板之旋轉半徑方向排列之複數之加熱流體吐出口，將上述加熱流體同時朝上述背面吐出。
根據此方法，自沿基板之旋轉半徑方向排列之複數之加熱流體吐出口朝基板之背面吐出加熱流體。藉由使基板與來自加熱流體吐出口之加熱流體之吐出同步進行旋轉，可對基板之背面全域供給加熱流體。因此，可於後期加熱步驟中，在基板之表面全域加熱低表面張力液體之液膜。藉此，可於基板之表面全域有效地抑制圖案之倒塌。
上述後期加熱步驟也可為於朝與上述旋轉軸線正交之方向觀察時，將加熱流體朝與上述基板之旋轉半徑方向交叉之方向對上述背面吐出。
根據此方法，朝基板之下面吐出之加熱流體變得不易捲入基板之上面。
上述加熱流體也可包含加熱液，上述後期加熱步驟中之上述加熱液之流量，可設定為不會使供給於上述基板之背面之上述加熱流體捲入上述表面之流量。
根據此方法，供給於基板之背面之加熱流體之流量，係設定為不會使該加熱流體捲入基板之表面之流量。因此，於後期加熱步驟中，即使於停止對基板之表面供給低表面張力液體之情況，仍可一面確實地防止朝高溫之基板之表面之捲入，一面可加熱低表面張力液體之液膜。
上述低表面張力液體供給步驟也可包含自配置於上述基板之表面上方之低表面張力液體噴嘴吐出上述低表面張力液體之步驟，上述旋轉乾燥步驟係於使對向構件與上述基板之表面上方對向之狀態下執行，與上述後期加熱步驟同步，進行上述低表面張力液體噴嘴自上述基板之上方之退避，且進行上述對向構件朝上 述基板之上方之配置。
根據此方法，與後期加熱步驟同步，進行低表面張力液體噴嘴之自基板之上方之退避，且進行對向構件之朝基板上方之配置。於此種退避及配置之期間中，仍繼續進行朝基板之背面之加熱流體之供給，因此可至旋轉乾燥步驟之開始前，持續地加熱低表面張力液體之液膜。
上述低表面張力液體供給步驟也可包含液滴供給步驟，該液滴供給步驟係朝上述表面之至少外周部供給將有機溶劑與氣體混合而生成之上述有機溶劑之液滴。
根據此方法，朝基板之表面之至少外周部供給低表面張力液體之液滴。藉由有機溶劑之液滴之衝撞，對基板表面之有機溶劑之液滴之供給位置提供物理力，因此可更進一步提高朝低表面張力液體之置換性能。
一般而言，基板之表面之外周部，其有機溶劑之置換性低。然而，藉由朝表面之至少外周部供給低表面張力液體之液滴，可改善基板之表面外周部之有機溶劑之置換性。
上述液滴供給步驟，也可包含：液滴吐出步驟，其係自二流體噴嘴朝上述表面內之吐出區域吐出上述有機溶劑之上述液滴；及吐出區域移動步驟，其係與上述液滴吐出步驟同步，使上述吐出區域在上述表面之中央部與上述表面之周緣部之間移動。
根據此方法，可於基板之表面全域，提高朝低表面張力液體之置換性能。
上述低表面張力液體供給步驟也可包含第1液膜形成步驟，該第1液膜形成步驟係在上述液滴吐出步驟之前被執行， 朝上述表面供給上述有機溶劑，而形成覆蓋上述表面之全域之上述有機溶劑之液膜。
根據此方法，於自二流體噴嘴朝基板之表面供給液滴之前，形成有覆蓋基板之表面全域之低表面張力液體之液膜。因此，自二流體噴嘴吐出之低表面張力液體之液滴，衝撞於有機溶劑之液膜。因此，可避免低表面張力液體之液滴直接衝撞於乾燥狀態之基板之表面，藉此可抑制粉塵之產生。
上述低表面張力液體供給步驟也可包含第2液膜形成步驟，該第2液膜形成步驟係在上述液滴吐出步驟後被執行，朝上述表面供給上述有機溶劑，而形成覆蓋上述表面之全域之上述有機溶劑之液膜。
根據此方法，於液滴吐出步驟後，於基板之表面保持有覆蓋該表面之低表面張力液體之液膜。因此，可於旋轉乾燥步驟開始前，防止基板之表面自液膜露出。若有一部分基板之表面露出，則恐有因粉塵之產生而造成基板之清潔度降低、或處理之均勻度降低之擔憂。然而，由於可防止基板之表面自液膜露出，因此可藉以防止招致基板之清潔度降低或處理之均勻度降低之情況。
上述旋轉乾燥步驟也可一面將上述表面周圍之環境氣體維持為氮環境一面執行。
根據此方法，可一面將基板之表面周圍之環境氣體維持為氮環境一面使該表面乾燥，因此可抑制或防止乾燥後之波紋之產生。
此外，本發明提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其保持基板；低表面張力液體供給單元，其朝上述基板 之表面供給表面張力較清洗液低之低表面張力液體；加熱流體供給單元，其朝上述基板之上述表面相反側之背面供給加熱流體；及控制單元，其控制上述低表面張力液體供給單元及上述加熱流體供給單元；上述控制單元係執行以下之步驟：置換步驟，係將附著於上述表面之上述清洗液置換為上述低表面張力液體；及旋轉乾燥步驟，係於上述置換步驟結束之後，使上述基板繞既定之旋轉軸線旋轉而將上述低表面張力液體甩乾，藉以使上述表面乾燥；上述置換步驟包含：低表面張力液體供給步驟，係一面朝上述表面相反側之背面供給加熱流體，一面朝上述表面供給上述低表面張力液體；及後期加熱步驟，係於上述低表面張力液體供給步驟之結束後且上述旋轉乾燥步驟之開始前，於停止朝上述表面供給上述低表面張力液體之狀態下，朝上述基板之上述表面相反側之背面供給加熱流體。
根據此構成，於低表面張力液體供給步驟後之後期加熱步驟中，藉由停止朝基板之表面供給低表面張力液體，以使基板之熱量不會被追加供給之低表面張力液體奪走。並且，於此狀態下，朝基板之下面供給加熱液而將基板加熱。藉此，變得能對高溫狀態下之基板開始旋轉乾燥步驟。因此，可於短時間內完成旋轉乾燥步驟。若能於短時間內完成旋轉乾燥步驟，則可將作用於圖案之表面張力之衝量抑制為較小。藉此，可更有效地抑制旋轉乾燥步驟時之圖案之倒塌。
本發明之上述目的或其他之目的、特徵及功效，藉由參照附圖且以下陳述之實施形態之說明，自可明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧處理腔
5‧‧‧旋轉夾頭
6‧‧‧藥液供給單元
7‧‧‧清洗液供給單元
8‧‧‧有機溶劑供給單元
9‧‧‧下面供給單元
10‧‧‧處理杯
10a‧‧‧上端部
12‧‧‧間隔壁
13‧‧‧FFU
14‧‧‧排氣裝置
15‧‧‧排氣管
16‧‧‧旋轉馬達
17‧‧‧旋轉軸
18‧‧‧旋轉台
18a‧‧‧上面
19‧‧‧夾持構件
21‧‧‧藥液噴嘴
22‧‧‧藥液配管
23‧‧‧藥液閥
24‧‧‧清洗液噴嘴
25‧‧‧清洗液配管
26‧‧‧清洗液閥
31‧‧‧第1有機溶劑噴嘴
32‧‧‧第2有機溶劑噴嘴
33‧‧‧第1噴嘴保持器
34‧‧‧第2噴嘴保持器
35‧‧‧噴嘴臂
36‧‧‧轉動單元
37‧‧‧第1有機溶劑配管
38‧‧‧第1氣體配管
39‧‧‧第1有機溶劑閥
40‧‧‧第1流量調整閥
41‧‧‧第1氣閥
46‧‧‧外筒
47‧‧‧內筒
48‧‧‧有機溶劑流道
49‧‧‧氣體流道
50‧‧‧有機溶劑導入口
51‧‧‧有機溶劑吐出口
52‧‧‧氣體吐出口
53‧‧‧氣體導入口
54‧‧‧第2有機溶劑配管
55‧‧‧第2有機溶劑閥
56‧‧‧第2流量調整閥
57‧‧‧加熱液配管
58‧‧‧加熱液閥
59‧‧‧第3流量調整閥
60‧‧‧下面噴嘴
63‧‧‧噴嘴部
64‧‧‧基部
65‧‧‧加熱液供給道
66‧‧‧上游部
69‧‧‧下游部
71‧‧‧主流道
72‧‧‧分歧流道
73‧‧‧栓塞
74‧‧‧上側上游傾斜面
75‧‧‧上側水平面
76‧‧‧上側下游傾斜面
77‧‧‧下側上游傾斜面
78‧‧‧下側水平面
79‧‧‧下側下游傾斜面
80‧‧‧鉛垂截面
81‧‧‧上游端部
81a‧‧‧上游端
82‧‧‧下游端部
82a‧‧‧下游端
89‧‧‧吐出口
99‧‧‧噴嘴移動單元
100‧‧‧氣體噴嘴
101‧‧‧第2氣體配管
102‧‧‧第2氣閥
103‧‧‧凸緣部
104‧‧‧噴嘴本體
105‧‧‧上側氣體吐出口
106‧‧‧下側氣體吐出口
107‧‧‧中心氣體吐出口
108、109‧‧‧氣體導入口
111‧‧‧氣體流道
112‧‧‧氣體流道
113‧‧‧緩衝空間
114‧‧‧沖孔板
115‧‧‧空間
160‧‧‧液膜
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧轉動軸線
A3‧‧‧中心軸線
C‧‧‧載具
C1‧‧‧中央面
CR‧‧‧搬送機械臂
D1‧‧‧吐出方向
DA‧‧‧吐出區域
DL‧‧‧長邊方向
Dr‧‧‧旋轉方向
Ds‧‧‧短邊方向
IR‧‧‧搬送機械臂
L1‧‧‧距離
L2‧‧‧距離
LP‧‧‧載入埠
P1‧‧‧著液位置
R1‧‧‧半徑
V1‧‧‧虛擬直線
W‧‧‧基板
X1‧‧‧軌跡
θ‧‧‧傾斜角度
圖1為用以說明執行本發明之第1實施形態之基板處理方法之基板處理裝置之內部之佈局之圖解俯視圖。
圖2為用以說明上述基板處理裝置所具備之處理單元之構成例之圖解剖視圖。
圖3為用以說明第1及第2有機溶劑噴嘴之位置之示意俯視圖。
圖4為用以說明第1及第2有機溶劑噴嘴之位置之示意俯視圖。
圖5為圖解顯示上述基板處理裝置所具備之第1有機溶劑噴嘴之構成之剖視圖。
圖6為用以說明旋轉夾頭及下面噴嘴之示意俯視圖。
圖7為下面噴嘴之示意俯視圖。
圖8為朝噴嘴部之長邊方向觀察下面噴嘴之局部剖視圖。
圖9為沿圖8所示之IX-IX線所作之下面噴嘴之剖視圖。
圖10為顯示沿圖7所示之X-X線所作之噴嘴部之鉛垂截面之圖。
圖11為顯示噴嘴部吐出加熱液之狀態之示意俯視圖。
圖12為用以說明上述處理單元所具備之氣體噴嘴之構成例之示意縱剖視圖。
圖13為用以說明上述基板處理裝置之主要部分之電性構成之方塊圖。
圖14為用以說明上述基板處理裝置之基板處理之一例之流程圖。
圖15A至15D為用以說明置換步驟之狀況之圖解剖視圖。
圖15E為用以說明第1旋轉乾燥步驟之狀況之圖解剖視圖。
圖15F為用以說明第2旋轉乾燥步驟之狀況之圖解剖視圖。
圖16為用以說明上述置換步驟及上述旋轉乾燥步驟之時序圖。
圖17為用以說明表面張力引起之圖案倒塌之原理之圖解剖視 圖。
圖1為用以說明執行本發明之第1實施形態之基板處理方法之基板處理裝置1之內部之佈局之圖解俯視圖。基板處理裝置1係藉由處理液或處理氣體對半導體晶圓等圓板狀之基板W各一片地進行處理之單片處理式之裝置。基板處理裝置1包含：複數之處理單元2，其使用處理液處理基板W；載入埠LP，其載置有收容由處理單元2處理之複數片基板W之載具C；搬送機械臂IR及CR，其於載入埠LP與處理單元2之間搬送基板W；及控制裝置3，其控制基板處理裝置1。搬送機械臂IR係於載具C與搬送機械臂CR之間搬送基板W。搬送機械臂CR係於搬送機械臂IR與處理單元2之間搬送基板W。複數之處理單元2，例如具有相同之構成。
圖2為用以說明處理單元2之構成例之圖解剖視圖。圖3及圖4為用以說明第1及第2有機溶劑噴嘴31、32之位置之示意俯視圖。圖5為圖解顯示第1有機溶劑噴嘴31之構成之剖視圖。
處理單元2包含：箱形之處理腔4，其具有內部空間；旋轉夾頭(基板保持單元)5，其於處理腔4內以水平姿勢保持一片基板W，且使基板W繞通過基板W之中心之鉛垂之旋轉軸線A1旋轉；藥液供給單元6，其用以朝保持於旋轉夾頭5之基板W之上面供給藥液；清洗液供給單元7，其用以朝保持於旋轉夾頭5之基板W之上面供給清洗液；有機溶劑供給單元(低表面張力液體供給單元)8，其用以朝保持於旋轉夾頭5之基板W之上面(基板W 之表面)供給有機溶劑(低表面張力液體)之一例之IPA；下面供給單元(加熱流體供給單元)9，其朝保持於旋轉夾頭5之基板W之下面(基板W之背面)供給作為加熱流體之加熱液之一例即溫水；及筒狀之處理杯10，其圍繞旋轉夾頭5。
處理腔4包含：箱狀之間隔壁12；FFU(過濾器風扇單元)13，其作為送風單元自間隔壁12之上部朝間隔壁12內(相當於處理腔4內)輸送清潔空氣；及排氣裝置14，其將處理腔4內之氣體自間隔壁12之下部排出。
FFU13係配置於間隔壁12之上方，且被安裝於間隔壁12之頂壁。FFU13係自間隔壁12之頂壁朝處理腔4內輸送清潔空氣。排氣裝置14經由連接於處理杯10內之排氣管15而連接於處理杯10之底部，且自處理杯10之底部對處理杯10之內部進行吸引。藉由FFU13及排氣裝置14，於處理腔4內形成降流(下降流)。
作為旋轉夾頭5，係採用於水平方向夾持基板W而水平保持基板W之夾持式之夾頭。具體而言，旋轉夾頭5包含：旋轉馬達16；旋轉軸17，其係與此旋轉馬達16之驅動軸設為一體；及圓板狀之旋轉台18，其大致水平地安裝於旋轉軸17之上端。
旋轉台18包含具有較基板W之外徑大的外徑之水平之圓形上面18a。於上面18a且其周緣部配置有複數個(3個以上。例如4個)之夾持構件19(一併參照圖6)。複數個夾持構件19，係於旋轉台18之上面周緣部，且在與基板W之外周形狀對應之圓周上隔開適當之間隔、例如等間隔而配置。
藥液供給單元6包含藥液噴嘴21。藥液噴嘴21例如為以連續流之狀態吐出液體之直管式噴嘴，且於旋轉夾頭5之上 方，將其吐出口朝向基板W之上面中央部固定地配置。藥液噴嘴21連接有被供給來自藥液供給源之藥液之藥液配管22。於藥液配管22之途中部介設有用以切換來自藥液噴嘴21之藥液之供給/供給停止之藥液閥23。若開啟藥液閥23，則自藥液配管22供給於藥液噴嘴21之連續流之藥液，會自設定於藥液噴嘴21之下端之吐出口吐出。此外，若關閉藥液閥23，則自藥液配管22朝藥液噴嘴21之藥液之供給被停止。
藥液之具體例，係蝕刻液及洗淨液。更具體而言，藥液也可為氟酸、SC1(氨水-過氧化氫混合溶液)、SC2(鹽酸-過氧化氫混合溶液)、氟化銨、緩衝氫氟酸(氟酸與氟化銨之混合液)等。
清洗液供給單元7包含清洗液噴嘴24。清洗液噴嘴24例如為以連續流之狀態吐出液體之直管式噴嘴，且於旋轉夾頭5之上方，將其吐出口朝向基板W之上面中央部固定地配置。清洗液噴嘴24連接有被供給來自清洗液供給源之清洗液之清洗液配管25。於清洗液配管25之途中部介設有用以切換來自清洗液噴嘴24之清洗液之供給/供給停止之清洗液閥26。若開啟清洗液閥26，則自清洗液配管25供給於清洗液噴嘴24之連續流之清洗液，會自設定於清洗液噴嘴24之下端之吐出口吐出。此外，若關閉清洗液閥26，則自清洗液配管25朝清洗液噴嘴24之清洗液之供給被停止。清洗液例如為去離子水(DIW)，但不限於DIW，也可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度(例如，10ppm~100ppm左右)之鹽酸水之任一者。
再者，藥液噴嘴21及清洗液噴嘴24不必分別相對於旋轉夾頭5固定地配置，例如，也可採用一種所謂之掃瞄噴嘴之 形態，其係被安裝在能於旋轉夾頭5之上方且在水平面內搖動之手臂上，且藉由此手臂之搖動來掃瞄基板W之上面之處理液(藥液、清洗液或有機溶劑)之著液位置。
有機溶劑供給單元8包含：第1有機溶劑噴嘴31，其用以朝保持於旋轉夾頭5之基板W之上面供給有機溶劑之液滴；第2有機溶劑噴嘴32，其用以朝保持於旋轉夾頭5之基板W之上面供給有機溶劑之連續流；第1噴嘴保持器33，其保持第1有機溶劑噴嘴31；第2噴嘴保持器34，其保持第2有機溶劑噴嘴32；噴嘴臂35，其朝水平方向延伸，且於前端部安裝有第1及第2噴嘴保持器33、34；及轉動單元36，其連接於噴嘴臂35。
如圖3及圖4所示，第1噴嘴保持器33係沿噴嘴臂35直線狀延伸之大致桿狀之構件。於第1噴嘴保持器33安裝有第1有機溶劑噴嘴31。
如圖3及圖4所示，第2噴嘴保持器34係沿噴嘴臂35直線狀延伸之大致桿狀之構件。於第2噴嘴保持器34安裝有第2有機溶劑噴嘴32。第1及第2有機溶劑噴嘴31、32，係配置於大致相同之高度。
第1及第2有機溶劑噴嘴31、32，係與噴嘴臂35一同繞轉動軸線A2轉動。藉此，第1及第2有機溶劑噴嘴31、32朝水平方向移動。
轉動單元36係在包含旋轉夾頭5之上方之水平面內使第1及第2有機溶劑噴嘴31、32水平地移動。如圖3及圖4所示，轉動單元36係一面將噴嘴相互之位置關係保持恆定，一面使第1及第2有機溶劑噴嘴31、32分別順著沿保持在旋轉夾頭5之 基板W之上面延伸之圓弧狀之軌跡X1水平地移動。第1及第2有機溶劑噴嘴31、32，係於第1有機溶劑噴嘴31被配置於基板W之上面中央部之上方之中央位置(圖3所示之第1及第2有機溶劑噴嘴31、32之位置)、與第1有機溶劑噴嘴31被配置於基板W之上面周緣部之上方之邊緣位置(圖4所示之第1及第2有機溶劑噴嘴31、32之位置)之間被水平移動。於基板W為直徑300mm之圓形基板之情況下，中央位置係俯視時第1有機溶劑噴嘴31之吐出口自基板W之旋轉軸線A1朝復位(home)側間隔9mm，且第2有機溶劑噴嘴32之吐出口自基板W之旋轉軸線A1朝進給(feed)側間隔91mm之位置。此外，邊緣位置係俯視時第1有機溶劑噴嘴31之吐出口自基板W之旋轉軸線A1朝復位側間隔142.5mm，且第2有機溶劑噴嘴32之吐出口自基板W之旋轉軸線A1朝復位側間隔42.5mm之位置。亦即，中央位置係後述之吐出區域DA(參照圖15B)被配置於基板W之上面中央部(表面之中央部)之位置，邊緣位置係吐出區域DA被配置於基板W之上面周緣部(表面之周緣部)之位置。
第1有機溶劑噴嘴31具有噴出有機溶劑之微小液滴之二流體噴嘴之形態。第1有機溶劑噴嘴31連接有將來自有機溶劑供給源之常溫之液體的有機溶劑(IPA)供給於第1有機溶劑噴嘴31之第1有機溶劑配管37、及將來自氣體供給源之作為氣體的一例之惰性氣體(圖2所示之例中為氮氣)供給於第1有機溶劑噴嘴31之第1氣體配管38。
於第1有機溶劑配管37介設有切換自第1有機溶劑配管37朝第1有機溶劑噴嘴31之有機溶劑之供給及供給停止之第 1有機溶劑閥39、及調節第1有機溶劑配管37之開度而用以調整自第1有機溶劑噴嘴31吐出之有機溶劑之流量之第1流量調整閥40。雖未圖示，第1流量調整閥40還包含內部設置有閥座之閥本體、開閉閥座之閥體、及使閥體在開位置與閉位置之間移動之致動器。其他之流量調整閥也同樣。
於第1氣體配管38介設有切換自第1氣體配管38朝第1有機溶劑噴嘴31之氣體之供給及供給停止之第1氣閥41。作為供給於第1有機溶劑噴嘴31之氣體，可例示氮氣(N2)作為一例，但也可採用氮氣以外之惰性氣體、例如乾燥空氣或清潔空氣等。
如圖5所示，第1有機溶劑噴嘴31具有大致圓柱狀之外形。第1有機溶劑噴嘴31包含構成外殼之外筒46、及嵌入外筒46之內部之內筒47。
外筒46及內筒47係分別同軸配置於共同之中心軸線A3上，且被相互連結。內筒47之內部空間，係作為供來自第1有機溶劑配管37之有機溶劑流通之直線狀之有機溶劑流道48。此外，於外筒46及內筒47之間形成有供自第1氣體配管38供給之氣體流通之圓筒狀之氣體流道49。
有機溶劑流道48係於內筒47之上端開口而作為有機溶劑導入口50。來自第1有機溶劑配管37之有機溶劑經由此有機溶劑導入口50被導入有機溶劑流道48。此外，有機溶劑流道48係於內筒47之下端開口而作為在中心軸線A3上具有中心之圓狀之有機溶劑吐出口51。被導入有機溶劑流道48內之有機溶劑，係自此有機溶劑吐出口51吐出。
氣體流道49係具有與中心軸線A3共同之中心軸線 之圓筒狀之間隙，且於外筒46及內筒47之上端部被封閉，並且於外筒46及內筒47之下端開口而作為在中心軸線A3上具有中心且圍繞有機溶劑吐出口51之圓環狀之氣體吐出口52。氣體流道49之下端部，其流道面積係較氣體流道49之長邊方向之中間部的流道面積小，且朝下方變成小孔徑。此外，於外筒46之中間部形成有連通於氣體流道49之氣體導入口53。
於氣體導入口53，且在貫通外筒46之狀態下連接有第1氣體配管38，從而將第1氣體配管38之內部空間與氣體流道49連通。來自第1氣體配管38之氣體經由此氣體導入口53被導入氣體流道49，且自氣體吐出口52吐出。
藉由一面開啟第1氣閥41而使氣體自氣體吐出口52吐出，一面開啟第1有機溶劑閥39而使有機溶劑自有機溶劑吐出口51吐出，在第1有機溶劑噴嘴31之附近使氣體衝撞(混合)於有機溶劑，藉此，可生成有機溶劑之微小之液滴，可呈噴霧狀吐出有機溶劑。
如圖2所示，第2有機溶劑噴嘴32係具有以連續流之態樣吐出有機溶劑(IPA)之直管式噴嘴之形態。於第2有機溶劑噴嘴32連接有供給來自有機溶劑供給源之常溫之有機溶劑(IPA)之液體之第2有機溶劑配管54。於第2有機溶劑配管54介設有切換自第2有機溶劑配管54朝第2有機溶劑噴嘴32之有機溶劑之供給及供給停止之第2有機溶劑閥55、及調節第2有機溶劑配管54之開度而用以調整自第2有機溶劑噴嘴32吐出之有機溶劑之流量之第2流量調整閥56。若開啟第2有機溶劑閥55，則自第2有機溶劑配管54供給於第2有機溶劑噴嘴32之連續流之有機溶劑，會自設定 於第2有機溶劑噴嘴32之下端之吐出口吐出。此外，若關閉第2有機溶劑閥55，則自第2有機溶劑配管54朝第2有機溶劑噴嘴32之有機溶劑之供給被停止。
如圖2所示，下面供給單元9包含：下面噴嘴60，其朝上方吐出加熱液；加熱液配管57，其將加熱液導向下面噴嘴60；加熱液閥58，其介設於加熱液配管57；及第3流量調整閥59，其介設於加熱液配管57，對加熱液配管57之開度進行調節，用以調整自下面噴嘴60朝上方吐出之加熱液之流量。若開啟加熱液閥58，則來自加熱液供給源之加熱液，以與第3流量調整閥59之開度對應之流量，自加熱液配管57被供給於下面噴嘴60。藉此，高溫(例如，接近於IPA之沸點(約80℃)之溫度75℃)之加熱液被自下面噴嘴60吐出。供給於下面噴嘴60之加熱液，係被加熱之純水。供給於下面噴嘴60之加熱液之種類，不限於純水，也可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、IPA(異丙醇)、或稀釋濃度(例如，10~100ppm左右)之鹽酸水等。
圖6為用以說明旋轉夾頭5及下面噴嘴60之示意俯視圖。圖7為下面噴嘴60之示意俯視圖。圖8為朝噴嘴部63之長邊方向觀察下面噴嘴之局部剖視圖。圖9為沿圖8所示之IX-IX線所作之下面噴嘴60之剖視圖。圖10為顯示沿圖7所示之X-X線所作之噴嘴部63之鉛垂截面之圖。圖11為顯示噴嘴部63吐出加熱液之狀態之示意俯視圖。
以下，參照圖2、圖6~圖9，對下面噴嘴60之構成進行說明。
下面噴嘴60係具有具備噴嘴部63之所謂桿狀噴嘴 之形態。如圖6所示，下面噴嘴60包含：噴嘴部63，其沿基板W之旋轉半徑方向排列有吐出加熱液之複數之吐出口(加熱流體吐出口)89；及基部64，其支撐噴嘴部63。下面噴嘴60係使用PTFE(聚四氟乙烯；polytetrafluoroethylene)等之具有抗化學腐蝕性之合成樹脂形成。基部64係與旋轉軸線A1同軸之圓柱狀。基部64係配置於與基板W之下面中央部對向之位置。基部64係自旋轉台18之上面18a之中央部朝上方突出。噴嘴部63係配置於基部64之上方。噴嘴部63係配置於基板W之下面與旋轉台18之上面18a之間。
如圖7所示，噴嘴部63包含俯視時與基部64重疊之根端部、較基部64靠徑向外側配置之前端部、及自根端部朝前端部延伸之中間部。自與旋轉軸線A1及長邊方向(沿旋轉半徑方向之方向)DL之兩者正交之虛擬直線V1至噴嘴部63之前端之長邊方向DL之距離L1，係較自虛擬直線V1至噴嘴部63之根端的長邊方向DL之距離L2大。自旋轉軸線A1至噴嘴部63之前端之徑向之距離，係較基板W之半徑小。
如圖8所示，下面噴嘴60包含朝複數之吐出口89供給加熱液之加熱液供給道65。加熱液供給道65包含設置於噴嘴部63之下游部69、及設置於基部64之上游部66。上游部66及下游部69，係於較複數之吐出口89靠上游之位置被相互連接。噴嘴部63之鉛垂截面80(參照圖8)之形狀，係於長邊方向DL之大致全域皆相同。
如圖8~圖10所示，各加熱液供給道65之下游部69，包含導引供給於複數之吐出口89之加熱液之主流道71、及將 主流道71內之加熱液供給於複數之吐出口89之複數之分歧流道72。如圖9所示，主流道71係沿長邊方向DL延伸於噴嘴部63內之圓柱狀。主流道71係配置在安裝於噴嘴部63之根端部的栓塞73與噴嘴部63之前端部之間。主流道71之流道面積(與流體之流動方向正交之截面之面積)，係較任一之分歧流道72之流道面積大。如圖10所示，主流道71之截面之半徑R1，係較任一之分歧流道72之流道長度(自分歧流道72之上游端至分歧流道72之下游端之長度)大。如圖10所示，複數之分歧流道72分別連接於複數之吐出口89。分歧流道72之上游端，係於較通過鉛垂方向之鉛垂截面80之中央之水平之中央面C1靠上方之位置被連接於主流道71。分歧流道72之下游端，係連接於複數之吐出口89之任一者。
如圖8~圖10所示，噴嘴部63之外面包含：上側上游傾斜面74，其向斜上方朝旋轉方向Dr之下游延伸；上側水平面75，其自上側上游傾斜面74朝旋轉方向Dr水平地延伸；及上側下游傾斜面76，其朝旋轉方向Dr之下游且自上側水平面75向斜下方延伸。噴嘴部63之外面，更包含：下側上游傾斜面77，其向斜下方朝旋轉方向Dr之下游延伸；下側水平面78，其自下側上游傾斜面77朝旋轉方向Dr水平地延伸；及下側下游傾斜面79，其朝旋轉方向Dr之下游且自下側水平面78向斜上方延伸。
如圖10所示，上側上游傾斜面74係於短邊方向Ds(與長邊方向DL正交之水平方向)較上側下游傾斜面76長。同樣地，下側上游傾斜面77係於短邊方向Ds較下側下游傾斜面79長。上側上游傾斜面74及下側上游傾斜面77，係於噴嘴部63之鉛垂截面80之最上游之位置(上游端81a)交叉。上側下游傾斜面76及下 側下游傾斜面79，係於噴嘴部63之鉛垂截面80之最下游之位置(下游端82a)交叉。
如圖10所示，噴嘴部63之鉛垂截面80包含：三角形狀之上游端部81，其朝旋轉方向Dr之上游側凸出；及三角形狀之下游端部82，其朝旋轉方向Dr之下游側凸出。上游端部81之上緣，係上側上游傾斜面74之一部分，上游端部81之下緣，係下側上游傾斜面77之一部分。同樣地，下游端部82之上緣，係上側下游傾斜面76之一部分，下游端部82之下緣，係下側下游傾斜面79之一部分。
如圖10所示，上游端部81包含上游端81a，該上游端81a係於噴嘴部63之鉛垂截面80中被配置於最上游側。下游端部82包含下游端82a，該下游端82a係於噴嘴部63之鉛垂截面80中被配置於最下游側。上游端部81之厚度(鉛垂方向之長度)，係隨著靠近上游端81a而減少。下游端部82之厚度(鉛垂方向之長度)，係隨著靠近下游端82a而減少。
設置於噴嘴部63之複數之吐出口89，係於上側下游傾斜面76開口。如圖5所示，複數之吐出口89，係隔開間隔被排列於噴嘴部63之長邊方向DL。各吐出口89之開口面積彼此相等。但也可使吐出口89之開口面積相互不同。例如，也可將基板W之周緣側之吐出口89之開口面積，設定為較旋轉軸線A1側之吐出口89之開口面積大。旋轉中之基板W，由於周緣側較中心側容易變得低溫，因此藉由依此方式使吐出口之開口面積相互不同，可於半徑方向上均勻地加熱基板W。
如圖9所示，吐出口89係沿吐出方向D1朝基板W 之下面內之著液位置P1吐出加熱液。著液位置P1係較吐出口89靠旋轉方向Dr之下游之位置。著液位置P1係自基板W之下面之中心分離之位置。吐出方向D1係自吐出口89朝向著液位置P1之斜上方向。吐出方向D1係相對於基板W之下面朝旋轉方向Dr之下游側傾斜。吐出方向D1之相對於鉛垂方向之傾斜角度θ例如為30°。自各吐出口89至基板W之下面之鉛垂方向之距離，例如為1.3mm。
如圖11所示，吐出口89及著液位置P1，係於自與旋轉軸線A1正交之方向觀察時、亦即俯視時排列於短邊方向Ds。著液位置P1係於吐出方向D1相對於吐出口89間隔2.25mm而配置。吐出方向D1係俯視時平行於虛擬直線V1之方向，這是在俯視時與基板W之半徑方向交叉(該情況下為正交)之方向。此外，吐出口89在俯視時朝沿基板W之旋轉方向Dr之方向吐出處理液。
如圖10所示，自吐出口89吐出之處理液，係以著液於著液位置P1之衝勢沿基板W之下面擴散，形成覆蓋著液位置P1之加熱液之液膜。著液位置P1係自基板W之下面之中心(旋轉軸線A1)分離之位置。
如圖2所示，處理單元2更包含用以朝被保持於旋轉夾頭5之基板W之上面供給氣體之氣體噴嘴(對向構件)100。於氣體噴嘴100結合有用以移動氣體噴嘴100之噴嘴移動單元99。
圖12為用以說明氣體噴嘴100之構成例之示意縱剖視圖。於氣體噴嘴100結合有第2氣體配管101。於第2氣體配管101介設有開閉此流道之第2氣閥102。氣體噴嘴100係用於利用氮氣環境覆蓋基板W之上方之噴嘴。氣體噴嘴100係具備下端具 有凸緣部103之圓筒狀之噴嘴本體104。於凸緣部103之側面即外周面，分別呈環狀朝外側開設有上側氣體吐出口105及下側氣體吐出口106。上側氣體吐出口105及下側氣體吐出口106，係上下隔開間隔而配置。於噴嘴本體104之下面配置有中心氣體吐出口107。
於噴嘴本體104形成有自第2氣體配管101供給氮氣之氣體導入口108、109。也可對氣體導入口108、109結合個別之氮氣配管。於噴嘴本體104內形成有連接氣體導入口108與上側氣體吐出口105及下側氣體吐出口106之筒狀之氣體流道111。此外，於噴嘴本體104內形成有連通於氣體導入口109之筒狀之氣體流道112。於氣體流道112之下方連通有緩衝空間113。緩衝空間113再經由沖孔板114連通於其下方之空間115。此空間115係於中心氣體吐出口107開放。
自氣體導入口108導入之氮氣，經由氣體流道111被供給於上側氣體吐出口105及下側氣體吐出口106，且呈放射狀自此等氣體吐出口105、106吐出。藉此，於基板W之上方形成有上下方向重疊之2個放射狀氣流。另一方面，自氣體導入口109導入之氮氣，經由氣體流道112被蓄積於緩衝空間113，並通過沖孔板114擴散之後，通過空間115自中心氣體吐出口107向下方朝基板W之上面吐出。此氮氣衝撞於基板W之上面後改變方向，於基板W之上方形成放射方向之氮氣流。
因此，將自中心氣體吐出口107吐出之氮氣形成之放射狀氣流、與自氣體吐出口105、106吐出之二層之放射狀氣流合在一起，使得於基板W之上方形成有三層之放射狀氣流。藉由此三層之放射狀氣流，以保護基板W之上面。尤其是如後述，當 高速旋轉基板W時，藉由利用三層之放射狀氣流保護基板W之上面，可避免液滴或細霧附著於基板W之表面。
如圖2所示，處理杯10係配置於較保持於旋轉夾頭5之基板W靠外側(自旋轉軸線A1分離之方向)。處理杯10係圍繞旋轉台18。若於旋轉夾頭5使基板W旋轉之狀態下，朝基板W供給處理液，則供給基板W之處理液被朝基板W之周圍甩乾。於處理液被供給於基板W時，向上開放之處理杯10之上端部10a，係配置於較旋轉台18靠上方。因此，被排出於基板W之周圍之藥液或清洗液、有機溶劑等之處理液，係藉由處理杯10所接取。並且，由處理杯10接取之處理液，係被輸送至未圖示之回收裝置或廢液裝置。
圖13為用以說明基板處理裝置1之主要部分之電性構成之方塊圖。控制裝置3例如使用微電腦構成。控制裝置3具有CPU等運算單元、固定記憶元件、硬碟驅動器等之記憶單元、及輸入輸出單元。記憶單元記憶有運算單元所執行之程式。
控制裝置3係根據預定之程式對旋轉馬達16、排氣裝置14、轉動單元36、噴嘴移動單元99等之動作進行控制。並且，控制裝置3係控制藥液閥23、清洗液閥26、第1有機溶劑閥39、第1流量調整閥40、第1氣閥41、第2有機溶劑閥55、第2流量調整閥56、加熱液閥58、第3流量調整閥59、第2氣閥102等之開閉動作等。
圖14為用以說明基板處理裝置1之基板處理之一例之流程圖。參照圖2、圖13及圖14進行說明。
未處理之基板W，藉由搬送機械臂IR、CR自載具 C被搬入處理單元2，而被搬入處理腔4內，然後於使基板W之表面(圖案形成面)面向上方之狀態下將基板W遞交至旋轉夾頭5，且將基板W保持於旋轉夾頭5(步驟S1)。於基板W之搬入前，先使第1及第2有機溶劑噴嘴31、32退避至設定於旋轉夾頭5側方之復位位置。此外，使氣體噴嘴100也退避至設定於旋轉夾頭5側方之復位位置。
於搬送機械臂CR退避至處理單元2外之後，控制裝置3執行藥液步驟(步驟S2)。具體而言，控制裝置3驅動旋轉馬達16而使旋轉台18以既定之液處理旋轉速度旋轉。此外，控制裝置3將藥液閥23開啟。藉此，自藥液噴嘴21朝旋轉狀態之基板W之上面供給藥液。供給之藥液藉由離心力遍及基板W之全面，而對基板W實施使用藥液之藥液處理。若自藥液之吐出開始經過預定之時間，控制裝置3將藥液閥23關閉，停止來自藥液噴嘴21之藥液之吐出。
接著，控制裝置3執行清洗步驟(步驟S3)。清洗步驟係將基板W上之藥液置換為清洗液而自基板W上除去藥液之步驟。具體而言，控制裝置3開啟清洗液閥26。藉此，自清洗液噴嘴24朝旋轉狀態之基板W之上面供給清洗液。供給之清洗液藉由離心力遍及基板W之全面。藉由此清洗液對附著於基板W上之藥液進行沖洗。
若自清洗液之供給開始經過預定之時間，控制裝置3控制旋轉馬達16，使基板W之旋轉速度自液處理旋轉速度(例如約300rpm)逐步減速至積液速度(例如約10rpm)，然後將基板W之旋轉速度維持在積液速度(積液清洗步驟)。藉此，於基板W之上面 呈積液狀支撐有覆蓋基板W之上面全域之清洗液之液膜。若自清洗液之供給開始經過預定之時間，控制裝置3將清洗液閥26關閉，停止來自清洗液噴嘴24之清洗液之吐出。
接著，控制裝置3執行置換步驟(步驟S4)。置換步驟係將基板W上之清洗液置換為表面張力較清洗液(水)低之低表面張力液體即有機溶劑之步驟。控制裝置3使第1及第2有機溶劑噴嘴31、32自旋轉夾頭5側方之復位位置朝基板W之上面中央部上方移動。然後，開啟第1有機溶劑閥39及/或第2有機溶劑閥55，朝基板W之上面(表面)供給有機溶劑之液體。供給之有機溶劑，藉由離心力遍及基板W之全面，而對基板W上之清洗液進行置換。
此外，於置換步驟(S4)中，與有機溶劑之朝基板W之上面之供給開始同步，控制裝置3將加熱液閥58開啟。藉此，自下面噴嘴之各吐出口89向上吐出加熱液，朝基板W之下面供給加熱液。如圖10及圖11所示，自沿長邊方向DL排列之複數之吐出口89朝基板W之下面(背面)吐出加熱液。藉由與來自吐出口89之加熱液之吐出同步，使基板W旋轉，可對基板W之下面(背面)之全域供給加熱液。
若自有機溶劑之供給開始經過預定之時間，控制裝置3控制有機溶劑供給單元8，停止對基板W之上面之有機溶劑之供給。
然後，控制裝置3使第1及第2有機溶劑噴嘴31、32退避至復位位置，且控制噴嘴移動單元99，將氣體噴嘴100自旋轉夾頭5側方之復位位置配置於基板W之上方之上位置(圖15D中以實線所示之位置)。於氣體噴嘴100被配置於上位置及如下述 之接近位置之狀態下，氣體噴嘴100係與基板W之上面中央部對向。
然後，控制裝置3執行旋轉乾燥步驟(步驟S5)。於旋轉乾燥步驟(S5)中，控制裝置3控制噴嘴移動單元99，使氣體噴嘴100自上位置朝較上位置靠近基板W之接近位置(圖15E中以實線所示之位置)下降，且配置於該接近位置。於旋轉乾燥步驟(S5)中，控制裝置3控制旋轉馬達16，使基板W以乾燥旋轉速度高速旋轉。藉此，基板W上之液體成分藉由離心力被甩乾。
若自旋轉乾燥步驟(S5)之開始經過預定之時間，控制裝置3控制旋轉馬達16而使旋轉夾頭5之旋轉停止。然後，搬送機械臂CR進入處理單元2，將處理完之基板W朝處理單元2外搬出(步驟S6)。此基板W自搬送機械臂CR被朝搬送機械臂IR遞交，然後藉由搬送機械臂IR被收納於載具C。
圖15A~圖15D為用以說明置換步驟(S4)之各步驟之狀況之圖解剖視圖。圖15E、圖15F為用以說明旋轉乾燥步驟(S5)之狀況之圖解剖視圖。圖16為用以說明置換步驟(S4)及旋轉乾燥步驟(S5)之時序圖。
置換步驟(S4)包含第1液膜形成步驟T1(參照圖15A)、液滴供給步驟T2(參照圖15B)、第2液膜形成步驟T3(參照圖15C)、及噴嘴交換步驟(後期加熱步驟、積液步驟)T4(參照圖15D)。於統一對第1液膜形成步驟T1、液滴供給步驟T2、及第2液膜形成步驟T3進行說明時，稱為有機溶劑供給步驟(低表面張力液體供給步驟)T1~T3。
第1液膜形成步驟T1(參照圖15A)，係藉由一面使 基板W以較低之低速旋轉，一面朝基板W之上面(表面)供給有機溶劑，而於基板W之上面形成覆蓋該上面之全域之有機溶劑之液膜160之步驟。於第1液膜形成步驟T1之開始前，控制裝置3先控制轉動單元36(參照圖2)，將第1及第2有機溶劑噴嘴31、32移動至使第2有機溶劑噴嘴32被配置於基板W之上面中央部之上方之覆液中央位置(圖15A所示之第1及第2有機溶劑噴嘴31、32之位置)。於第1及第2有機溶劑噴嘴31、32被配置於覆液中央位置之後，控制裝置3將第2有機溶劑閥55開啟。藉此，自第2有機溶劑噴嘴32吐出有機溶劑(吐出覆液IPA)，且著液於基板W之上面中央部。來自第2有機溶劑噴嘴32之有機溶劑之吐出流量，例如被設定為約0.3(公升/分)。有機溶劑被供給於基板W之上面，藉此，基板W之上面之清洗液之液膜內含有之清洗液被逐漸置換為有機溶劑。藉此，於基板W之上面呈積液狀支撐有覆蓋基板W之上面全域之有機溶劑之液膜160。此外，積液係指於基板W之旋轉速度為零或低速之狀態下進行，且對有機溶劑只作用零或小的離心力，因此有機溶劑滯留於基板W之上面而形成液膜之狀態。
此外，與第1液膜形成步驟T1之開始同步，控制裝置3開啟加熱液閥58。藉此，自下面噴嘴60之各吐出口89向上吐出加熱液，且著液於基板W之下面。來自下面噴嘴60之加熱液之吐出流量，例如被設定為約1.8(公升/分)。此吐出流量係被設定為不會使該加熱液自基板W之周緣部捲入表面側。
本實施形態中，加熱液係以自垂直方向傾斜有傾斜角度θ之角度自各吐出口89射入基板W之下面。此外，加熱液係自複數之吐出口89供給。藉此，於本實施形態中，不容易在基板 W之下面產生加熱液之飛沫，從而可抑制加熱液之飛沫附著於基板W之表面。
並且，於本實施形態中，各吐出口89係俯視時朝與基板W之半徑方向交叉之方向且朝沿基板W之旋轉方向Dr之方向吐出加熱液。因此，不容易產生加熱液之自基板W之下面朝表面之捲入。
此外，於第1液膜形成步驟T1中，由於朝基板W之下面(背面)供給加熱流體，因此可一面加熱基板W上之有機溶劑之液膜一面執行第1液膜形成步驟T1。藉此，可提高自清洗液朝有機溶劑之置換性能。
於第1液膜形成步驟T1中，基板W之旋轉速度，係依如下方式進行變化。亦即，於第1液膜形成步驟T1之開始後例如約3.5秒，基板W之旋轉速度被保持為積液速度後，將基板W之旋轉，加速至較上述液處理旋轉速度慢之中旋轉速度(例如，約100rpm)，且以此中旋轉速度維持例如約6秒。然後，基板W之旋轉被減速至積液速度，且保持積液速度約2.5秒。自第1液膜形成步驟T1之開始，經過預定之時間(例如約12秒)後，則結束第1液膜形成步驟T1，接著，開始液滴供給步驟T2(參照圖15B)。
液滴供給步驟T2係一面使基板W旋轉一面朝基板W之上面供給有機溶劑之液滴及有機溶劑之連續流之兩者之步驟。當成為液滴供給步驟T2之開始時刻時，控制裝置3將基板W之旋轉加速至有機溶劑處理速度(例如，約300rpm)，且維持在有機溶劑處理速度。此外，控制裝置3將第1有機溶劑閥39開啟，且開啟第1氣閥41。藉此，同時朝二流體噴嘴即第1有機溶劑噴嘴 31供給有機溶劑及惰性氣體，供給之有機溶劑及惰性氣體，在第1有機溶劑噴嘴31之外部之吐出口(有機溶劑吐出口51(參照圖5))附近被混合。藉此，形成有機溶劑之微小之液滴的噴流，且自第1有機溶劑噴嘴31吐出有機溶媒之液滴之噴流(吐出二流體IPA)。因此，於基板W之上面形成有圓形之吐出區域DA。來自第1有機溶劑噴嘴31之有機溶劑之吐出流量，例如被設定為約0.1(公升/分)。
此外，於液滴供給步驟T2(參照圖15B)中，接續第1液膜形成步驟T1，繼續進行連續流之吐出(吐出覆液IPA)。
此外，於液滴供給步驟T2中，控制裝置3控制轉動單元36，使第1及第2有機溶劑噴嘴31、32在中央位置(圖3所示之位置)與邊緣位置(圖4所示之位置)之間沿軌跡X1水平往返移動(半掃描)。此外，第1及第2有機溶劑噴嘴31、32之移動速度(亦即，吐出區域DA之掃描速度)，例如被設定為約7mm/秒。
由於一面使基板W旋轉一面使第2有機溶劑噴嘴32在中央位置(圖3所示之位置)與邊緣位置(圖4所示之位置)之間移動，因此，藉由吐出區域DA對基板W之上面進行掃描，吐出區域DA之位置通過基板W之上面全域。因此，自第1有機溶劑噴嘴31噴射之有機溶劑之液滴被供給於基板W之上面全域，從而基板W之上面全域被均勻地處理。供給於基板W之上面之有機溶劑，自基板W之周緣部被朝基板W外排出。
於基板W之上面(表面)之有機溶劑之液滴之吐出區域DA，藉由有機溶劑之液滴之衝撞，被供給物理力。因此，可提高吐出區域DA中之朝有機溶劑之置換性能。一般而言，基板W之上面(表面)之外周部，其有機溶劑之置換性低。然而，藉由於基板 W之上面(表面)之外周部設定吐出區域DA，且藉由供給低表面張力液體之液滴，可改善基板W之上面(表面)之外周部之、有機溶劑之置換性。
此外，在液滴供給步驟T2之執行前先執行第1液膜形成步驟T1，因此於液滴供給步驟T2之有機溶劑之液滴之吐出開始時，自第1有機溶劑噴嘴31吐出之有機溶劑之液滴，係衝撞於覆蓋吐出區域DA之有機溶劑之液膜160。亦即，可在有機溶劑之液滴之吐出開始時，避免有機溶劑之液滴直接衝撞於乾燥狀態之基板W之上面(表面)。
此外，於液滴供給步驟T2中，來自第2有機溶劑噴嘴32之有機溶劑之連續流，係與來自第1有機溶劑噴嘴31之有機溶劑之液滴之噴射同步，朝基板W之上面吐出。藉此，於液滴供給步驟T2中，可於基板W之上面持續地保持覆蓋該上面之全域之有機溶劑之液膜160。因此，可於液滴供給步驟T2中防止基板W之上面自液膜160中露出，因此可進一步避免直接衝撞於乾燥狀態之基板W之上面(表面)。
於液滴供給步驟T2之開始後，經過預定之時間(例如約61秒)後，結束液滴供給步驟T2，接著，開始第2液膜形成步驟T3(參照圖15C)。
此外，於液滴供給步驟T2中仍繼續進行朝基板W之下面之加熱液之供給。因此，可一面加熱基板W上之有機溶劑之液膜一面執行液滴供給步驟T2。藉此，可提高朝有機溶劑之置換性能。
第2液膜形成步驟T3(參照圖15C)，係一面使基板 W之旋轉速度減速至積液速度，一面藉由朝基板W之上面供給有機溶劑，而於基板W之上面形成覆蓋該上面之全域之有機溶劑之液膜160之步驟。
於第2液膜形成步驟T3中，與第1液膜形成步驟T1之情況相同，第1及第2有機溶劑噴嘴31、32，係以靜止狀態配置於覆液中央位置(圖15A所示之第1及第2有機溶劑噴嘴31、32之位置)。此外，於第2液膜形成步驟T3中，與第1液膜形成步驟T1之情況相同，僅自第2有機溶劑噴嘴32吐出有機溶劑(吐出覆液IPA)，而不自第1有機溶劑噴嘴31吐出有機溶劑。
因此，於第2液膜形成步驟T3之開始時，控制裝置3將第1有機溶劑閥39及第1氣閥41關閉，且控制轉動單元36，使第1及第2有機溶劑噴嘴31、32移動至覆液中央位置(圖15A所示之第1及第2有機溶劑噴嘴31、32之位置)，且於此位置上靜止。
藉此，自第2有機溶劑噴嘴32吐出有機溶劑，並著液於基板W之上面中央部。來自第2有機溶劑噴嘴32之有機溶劑之吐出流量，例如被設定為約0.3(公升/分)。
於第2液膜形成步驟T3中，基板W之旋轉速度係依如下方式變化。亦即，於第2液膜形成步驟T3之開始後例如約2.0秒，基板W之旋轉速度被保持在有機溶劑處理速度(例如約300rpm)之後，例如分4個階段(約300rpm→約200rpm(約0.1秒)→約100rpm(約1.0秒)→約50rpm(約2.0秒)→約10rpm)使基板W之旋轉自有機溶劑處理速度減少至積液速度(例如約10rpm)。
此外，於第2液膜形成步驟T3(參照圖15C)仍繼續進行朝基板W之下面之加熱液之供給。因此，可一面加熱基板W 上之有機溶劑之液膜一面執行第2液膜形成步驟T3。藉此，可提高朝有機溶劑之置換性能。
被減速至積液速度後若經過預定時間(例如，10.0秒間)，則將第1有機溶劑閥39關閉，停止朝基板W之上面之有機溶劑之供給。藉此，結束第2液膜形成步驟T3。接著，開始後期加熱步驟T4(參照圖15D)。
後期加熱步驟T4係藉由於旋轉乾燥步驟(S5)之開始前朝基板W之背面供給加熱流體，而將旋轉乾燥步驟(S5)之開始時之基板W之溫度設定為既定之高溫之步驟。亦即，因至後期加熱步驟T4開始前，有機溶劑會持續地被供給於基板W之表面，因此會產生因有機溶劑之追加而造成之熱損失。相對於此，於後期加熱步驟T4中，藉由停止朝基板W之表面之有機溶劑之供給，以減少基板上之熱損失。於此狀態下，朝基板W之背面供給加熱溫水。藉此，可在旋轉乾燥步驟(S5)之開始時使基板W確實地達到既定之高溫。
此外，於後期加熱步驟T4中，進行將配置於基板W之上方之噴嘴，自第1及第2有機溶劑噴嘴31、32交換為氣體噴嘴100之噴嘴交換作業。具體而言，控制裝置3控制轉動單元36(參照圖2)，使第1及第2有機溶劑噴嘴31、32自覆液中央位置退避至復位位置。第1及第2有機溶劑噴嘴31、32之退避需要例如約2.5秒。第1及第2有機溶劑噴嘴31、32之退避後，將氣體噴嘴100自旋轉夾頭5側方之復位位置，配置於設定在基板W之上面中央部上方之上位置。氣體噴嘴100之進入需要例如約4.5秒。
於後期加熱步驟T4中，基板W之旋轉速度係被維 持在積液速度。因此，於基板W之上面呈積液狀支撐有覆蓋該上面全域之有機溶劑之液膜160。
此外，於後期加熱步驟T4中，接續第2液膜形成步驟T3，繼續進行朝基板W之下面之加熱液之供給。亦即，於後期加熱步驟T4中，在停止朝基板W之上面(表面)之有機溶劑之供給之狀態下，朝基板W之下面(背面)供給加熱流體。
如上述，來自下面噴嘴60之加熱液之吐出流量，係被設定為不會使該加熱液自基板W之周緣部捲入基板W之上面(表面)側，此外，下面噴嘴60之各吐出口89，係朝與基板W之半徑方向正交之方向吐出加熱液，因此於後期加熱步驟T4中，即使於停止對基板W之上面(表面)供給有機溶劑之情況下，仍可一面確實地防止加熱液之朝基板W之上面(表面)之捲入，一面可加熱有機溶劑之液膜160。
此外，自沿長邊方向DL排列之複數之吐出口89朝基板W之下面(背面)吐出加熱流體，因此於後期加熱步驟T4中，可於基板W之表面全域加熱有機溶劑之液膜160。
此外，於後期加熱步驟T4中，使基板W以積液速度旋轉，因此於基板W之上面呈積液狀支撐有覆蓋該上面之有機溶劑之液膜160。因此，可於置換步驟後且旋轉乾燥步驟之開始前，防止基板W之表面(圖案形成面)自液膜露出。若有一部分基板W之表面(圖案形成面)露出，則恐有因粉塵之產生而造成基板W之清潔度降低、或處理之均勻度降低之擔憂。然而，於本實施形態中，可防止基板W之上面(表面)之、自有機溶劑之液膜160之露出，因此可藉以防止招致基板W之清潔度降低或處理之均勻度降低之情 況。
氣體噴嘴100被配置於上位置後，則結束後期加熱步驟T4，接著開始旋轉乾燥步驟(S5)。
於本實施形態中，旋轉乾燥步驟(S5)包含第1旋轉乾燥步驟T5(參照圖15E)、及第2旋轉乾燥步驟T6(參照圖15F)。
第1旋轉乾燥步驟T5係於第2旋轉乾燥步驟T6之開始前，先用以使基板W之旋轉速度逐步地上昇至預定之第1乾燥速度(例如，約1000rpm)之步驟。控制裝置3控制旋轉馬達16，例如分4個階段(約10rpm→約50rpm(約0.2秒)→約75rpm(約0.2秒)→約100rpm(約2.0秒)→約1000rpm)使基板W之旋轉速度自積液速度上昇。若基板W之旋轉速度達到第1乾燥速度，則維持在此第1乾燥速度。
於第1旋轉乾燥步驟T5中，於基板W之旋轉速度自積液速度上昇至第1乾燥速度之過程中，有機溶劑開始自基板W之上面朝周圍飛散。亦即，使有機溶劑飛散之旋轉乾燥步驟(S5)，係自第1旋轉乾燥步驟T5開始。
於基板W之旋轉速度達到第1乾燥速度後，控制裝置3控制噴嘴移動單元99，使氣體噴嘴100自上位置朝較上位置靠近基板W之接近位置下降。氣體噴嘴100之下降所需要之時間例如約2.0秒。
此外，於第1旋轉乾燥步驟T5中，接續後期加熱步驟T4，繼續進行朝基板W之下面之加熱液之供給。因此，旋轉乾燥步驟(S5)係與朝基板W之下面之加熱液之供給同步而被執行。
氣體噴嘴100被配置於接近位置後，則結束第1旋 轉乾燥步驟T5。伴隨著第1旋轉乾燥步驟T5之結束，控制裝置3將加熱液閥58關閉，停止朝基板W之下面之加熱液之供給。
換言之，於置換步驟(S4)之全部期間(亦即，第1液膜形成步驟T1、液滴供給步驟T2、第2液膜形成步驟T3及後期加熱步驟T4之全部期間)，持續地朝基板W之下面(背面)供給加熱液。
此外，於旋轉乾燥步驟(S5)之初始階段(亦即，第1旋轉乾燥步驟T5)中，仍朝基板W之下面(背面)供給加熱液。
此外，後期加熱步驟T4與第1旋轉乾燥步驟T5係被連續地執行。
然後，接續第1旋轉乾燥步驟T5，開始第2旋轉乾燥步驟T6。控制裝置3控制旋轉馬達16，使基板W之旋轉加速至預定之第1乾燥速度(例如約1000rpm)。此外，控制裝置3將第2氣閥102開啟，使氮氣自3個氣體吐出口(上側氣體吐出口105、下側氣體吐出口106及中心氣體吐出口107)吐出。此時之、來自上側氣體吐出口105、下側氣體吐出口106及中心氣體吐出口107之氮氣之吐出流量，例如分別為100(公升/分)、100(公升/分)及50(公升/分)。藉此，於基板W之上方形成上下方向重疊之三層之環狀氣流，且藉由此三層之環狀氣流保護基板W之上面。由於可一面將基板W之上面(表面)周圍之環境氣體維持為氮氣環境，一面使該上面乾燥，因此可抑制或防止乾燥後之基板W之上面之波紋之產生。
若自第2旋轉乾燥步驟T6之開始經過既定之期間(例如10秒)，則控制裝置3控制旋轉馬達16，使基板W之旋轉速度上昇至預定之第2乾燥速度(例如約2500rpm)。藉此，可進一步將基板W上之有機溶劑甩乾，對基板W進行乾燥。
若基板W之旋轉速度被加速至預定之第2乾燥速度後經過既定之期間(例如10秒)，則控制裝置3控制旋轉馬達16而使旋轉夾頭5之旋轉停止。此外，控制裝置3於使旋轉夾頭5停止基板W之旋轉後，將第2氣閥102關閉，停止來自3個氣體吐出口105、106、107之氣體之吐出，且控制噴嘴移動單元99，使氣體噴嘴100朝復位位置退避。然後自處理腔4搬出基板W。
如以上之說明，根據本實施形態，於有機溶劑供給步驟T1~T3(第1液膜形成步驟T1、液滴供給步驟T2、第2液膜形成步驟T3)中，於基板W之上面(表面)形成有有機溶劑之液膜160。於後期加熱步驟T4中，於停止朝基板W之上面(表面)之供給之狀態下，朝基板W之下面(背面)供給加熱流體。對基板W之下面(背面)之加熱流體之供給，係與第1旋轉乾燥步驟T5同步執行。加熱流體之供給係與第2旋轉乾燥步驟T6同時停止。
如此，根據本實施形態，於後期加熱步驟T4中，於停止朝基板W之上面(表面)之有機溶劑之供給後，仍繼續朝基板W之下面(背面)供給加熱液。藉此，於第1旋轉乾燥步驟T5之開始時，可較高地維持有機溶劑之液膜160所含有之有機溶劑之溫度。其結果，可於短時間內完成旋轉乾燥步驟(S5。第1旋轉乾燥步驟T5及第2旋轉乾燥步驟T6)。若能於短時間內完成旋轉乾燥步驟(S5)，則可將作用於圖案之表面張力之衝量抑制為較小。並且，由於與旋轉乾燥步驟(S5)之一部分期間(第1旋轉乾燥步驟T5)同步而朝基板W之下面(背面)供給加熱液，因此可更加縮短旋轉乾燥步驟(S5)所需之時間。若能於短時間內完成旋轉乾燥步驟，則可將作用於圖案之表面張力之衝量抑制為較小。藉此，可更有效地抑制旋 轉乾燥步驟(S5。第1旋轉乾燥步驟T5及第2旋轉乾燥步驟T6)時之圖案之倒塌。
此外，於後期加熱步驟T4中，與朝基板W之下面(背面)之加熱液之供給同步，進行第1及第2有機溶劑噴嘴31、32之自基板W之上方之退避，且將氣體噴嘴100配置於基板W之上方。於如此之退避及配置之期間中，仍繼續朝基板W之背面供給加熱液，因此，至第2旋轉乾燥步驟T6之開始前，可持續地加熱有機溶劑之液膜160。
此外，接續第2液膜形成步驟T3中之、朝基板W之下面(背面)之加熱液之供給，於後期加熱步驟T4中朝基板W之下面(背面)供給加熱液。於後期加熱步驟T4中，一面停止朝基板W之上面(表面)之有機溶劑之供給，一面朝基板W之下面(背面)供給加熱液，因此在該情況下，可將有機溶劑之液膜160之溫度昇溫至較有機溶劑供給步驟T1~T3時高。藉此，可將旋轉乾燥步驟(S5)之開始時之、有機溶劑之液膜160之溫度保持為更高溫。
以上對本發明之一實施形態進行了說明，但本發明也可以其他之形態實施。例如，於上述實施形態中，作為舉例對以共同之噴嘴臂35支撐第1及第2有機溶劑噴嘴31、32之情況進行了說明，但第1及第2有機溶劑噴嘴31、32，也可分別藉由不同之噴嘴臂支撐。
此外，於上述實施形態中，對在液滴供給步驟T2中，設定為使吐出區域(參照圖15B)在基板W之上面之一周緣部與基板W之上面中央部之間往返移動(半掃描)之構成進行了說明，但也可於基板W之上面之一周緣部與另一周緣部之間移動(全掃 描)，該另一周緣部係隔著基板W上面中央部而與該一周緣部為相反側。
此外，於液滴供給步驟T2中，也可不使吐出區域(參照圖15B)掃描而設定為靜止狀態。此情況下，為了提高基板W之上面周緣部之朝有機溶劑之置換性，宜將吐出區域(參照圖15B)配置於基板W之上面周緣部。
此外，於上述實施形態中，對置換步驟(S4)係包含有機溶劑供給步驟T1~T3之步驟之情況進行了說明，但只要包含其中至少一個步驟即可。
此外，於上述實施形態中，對在第1及第2液膜形成步驟T1、T3中，被設定為自第2有機溶劑噴嘴32吐出有機溶劑之連續流之情況進行了說明，但也可設定為藉由關閉第1氣閥41且開啟第1有機溶劑閥39，而於第1及第2液膜形成步驟T1、T3中，自第1有機溶劑噴嘴31吐出連續流之有機溶劑。此情況下，還可廢除第1有機溶劑噴嘴31之構成，謀求成本降低。
此外，作為第1有機溶劑噴嘴31，舉列對使氣體與液體在噴嘴本體外(外筒46(參照圖5))衝撞將其等混合而生成液滴之外部混合型之二流體噴嘴進行了說明，但也可採用使氣體與液體在噴嘴本體內混合而生成液滴之內部混合型之二流體噴嘴。
此外，作為積液速度例示了10rpm之低速，但積液速度也可為基板W之旋轉速度為50rpm以下之低速，也可為零。
此外，於上述說明中，後期加熱步驟T4及旋轉乾燥步驟(第1旋轉乾燥步驟T5)係被連續地執行，但也可於其等之步驟之間插入其他之步驟。此外，對氣體噴嘴100具有3個氣體吐出 口105、106、107之情況進行了說明，但也可不具有全部之3個氣體吐出口105、106、107，只要具有至少一個氣體吐出口即可。
此外，作為對向構件，也可取代氣體噴嘴100，設置具有與基板W之直徑相同直徑或較基板W之直徑大之直徑且具有基板對向面之隔斷構件。於旋轉乾燥步驟時，隔斷構件係被配置為使基板對向面靠近基板W之上面，藉此自周圍隔斷基板W之上面上之空間。於基板對向面形成有與基板W之上面中央部對向而用以吐出氮氣之氮氣吐出口，於旋轉乾燥步驟時，藉由自氮氣吐出口吐出氮氣，將基板W之表面周圍的環境氣體維持為氮氣環境。
此外，也可廢除對向構件。
此外，對下面噴嘴60僅具有一個噴嘴部63之情況進行了說明，但也可具備2個或其以上之噴嘴部63。此外，對下面噴嘴60為具備噴嘴部63之桿狀噴嘴之情況進行了說明，但下面噴嘴也可為不具備噴嘴部63之構成(例如，中心軸噴嘴)。
此外，於上述實施形態中，對將加熱液之一例即溫水供給於基板W之下面之情況進行了說明，但也可取代加熱液，朝基板W之下面供給加熱氣體。
此外，於上述實施形態中，於旋轉乾燥步驟(S5)之初始階段(第1旋轉乾燥步驟T5)朝基板W之下面供給加熱流體，且於旋轉乾燥步驟(S5)之後階段(第2旋轉乾燥步驟T6)中停止加熱流體之供給。然而，也可於旋轉乾燥步驟(S5)之全步驟中朝基板W之下面供給加熱流體。
此外，本發明使用之有機溶劑(表面張力較清洗液低且沸點較清洗液低之低表面張力液體)不限於IPA。有機溶劑包含 IPA、甲醇、乙醇、HFE(氫氟醚)、丙酮及反-1,2-二氯乙烯中的至少一者。此外，作為有機溶劑，不僅僅為由單體成分構成之情況，也可為與其他成分混合之液體。例如，可為IPA與丙酮之混合液，也可為IPA與甲醇之混合液。
此外，於上述實施形態中，對基板處理裝置1係處理圓板狀之基板之裝置的情況進行了說明，但基板處理裝置1也可為處理液晶顯示裝置用玻璃基板等之多角形基板之裝置。
對本發明之實施形態詳細地進行了說明，但此等僅僅是為了理解本發明之技術內容而使用之具體例而已，本發明不應被解釋為被此等具體例所限制，本發明之範疇，係僅能藉由附加之申請專利範圍所限制。
本申請案係與2015年6月16日向日本專利廳提出之日本專利特願2015-121150號對應，該案之全部揭示皆被引用且編入本說明書。

Claims (14)

  1. 一種基板處理方法，其包含：置換步驟，將附著於基板之表面之清洗液置換為表面張力較該清洗液低之低表面張力液體；及旋轉乾燥步驟，於上述置換步驟結束之後，使上述基板繞既定之旋轉軸線旋轉而將上述低表面張力液體甩乾，藉以使上述表面乾燥；上述置換步驟包含：低表面張力液體供給步驟，其係一面朝上述表面相反側之背面供給加熱流體，一面朝上述表面供給上述低表面張力液體；及後期加熱步驟，其係於上述低表面張力液體供給步驟之結束後且上述旋轉乾燥步驟之開始前，於停止朝上述表面供給上述低表面張力液體之狀態下，朝上述基板之上述表面相反側之背面供給加熱流體。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中，上述後期加熱步驟與上述旋轉乾燥步驟係連續地執行。
  3. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，於上述旋轉乾燥步驟中朝上述基板之背面供給加熱流體。
  4. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，更包含積液步驟，其與上述後期加熱步驟同步，將上述基板設定為靜止狀態、或者使上述基板以積液速度繞上述旋轉軸線旋轉。
  5. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，上述後期加熱步驟係自沿上述基板之旋轉半徑方向排列之複數之加熱流體吐出口，將上述加熱流體同時朝上述背面吐出。
  6. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，上述後期加熱步驟係於朝與上述旋轉軸線正交之方向觀察時，將加熱流體朝與上述基板之旋轉半徑方向交叉之方向對上述背面吐出。
  7. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，上述加熱流體包含加熱液，上述後期加熱步驟中之上述加熱液之流量，係設定為不會使供給於上述基板之背面之上述加熱流體捲入上述表面之流量。
  8. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，上述低表面張力液體供給步驟係包含自配置於上述基板之表面上方之低表面張力液體噴嘴吐出上述低表面張力液體之步驟，上述旋轉乾燥步驟係於使對向構件與上述基板之表面上方對向之狀態下執行，與上述後期加熱步驟同步，進行上述低表面張力液體噴嘴自上述基板之上方之退避，且進行上述對向構件朝上述基板之上方之配置。
  9. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，上述低表面張力液體供給步驟係包含液滴供給步驟，該液滴供給步驟係朝上述表面之至少外周部供給將有機溶劑與氣體混合而生成之上述有機溶劑之液滴。
  10. 如請求項9之基板處理方法，其中，上述液滴供給步驟包含：液滴吐出步驟，其係自二流體噴嘴朝上述表面內之吐出區域吐出上述有機溶劑之上述液滴；及吐出區域移動步驟，其係與上述液滴吐出步驟同步，使上述吐出區域在上述表面之中央部與上述表面之周緣部之間移動。
  11. 如請求項9之基板處理方法，其中，上述低表面張力液體供給步驟係包含第1液膜形成步驟，該第1液膜形成步驟係在上述液滴吐出步驟之前被執行，朝上述表面供給上述有機溶劑，而形成覆蓋上述表面之全域之上述有機溶劑之液膜。
  12. 如請求項11之基板處理方法，其中，上述低表面張力液體供給步驟係包含第2液膜形成步驟，該第2液膜形成步驟係在上述液滴吐出步驟後被執行，朝上述表面供給上述有機溶劑，而形成覆蓋上述表面之全域之上述有機溶劑之液膜。
  13. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，上述旋轉乾燥步驟係一面將上述表面周圍之環境氣體維持為氮環境一面執行。
  14. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其保持基板；低表面張力液體供給單元，其朝上述基板之表面供給表面張力較清洗液低之低表面張力液體；加熱流體供給單元，其朝上述基板之上述表面相反側之背面供給加熱流體；及控制單元，其控制上述低表面張力液體供給單元及上述加熱流體供給單元；上述控制單元係執行以下之步驟：置換步驟，係將附著於上述表面之上述清洗液置換為上述低表面張力液體；及旋轉乾燥步驟，係於上述置換步驟結束之後，使上述基板繞既定之旋轉軸線旋轉而將上述低表面張力液體甩乾，藉以使上述表面乾燥；上述置換步驟係執行：低表面張力液體供給步驟，係一面朝上述表面相反側之背面供給加熱流體，一面朝上述表面供給上述低表面張力液體；及後期加熱步驟，係於上述低表面張力液體供給步驟之結束後且上述旋轉乾燥步驟之開始前，於停止朝上述表面供給上述低表面張力液體之狀態下，朝上述基板之上述背面供給加熱流體。
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