JP6713370B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面に処理液の液滴を衝突させる噴射ノズルと、スピンチャックに保持されている基板の上面に向けて保護液を吐出する保護液ノズルとを備えている(下記特許文献1参照)。特許文献1に記載の基板処理装置では、噴射ノズルおよび保護液ノズルは1つずつ設けられており、これらは、
共通の揺動アームに取り付けられている。
また、この発明の他の目的は、保護液ノズルと基板との接触を確実に防止できる基板処理装置を提供することである。
また、第1の保護液ノズルおよび第2の保護液ノズルが、第1の液滴ヘッド部および第2の液滴ヘッド部が取り付けられているノズルアームとは異なる部材によって支持されている。この場合、第1の保護液ノズルおよび第2の保護液ノズルが、それぞれ、第1の液滴ヘッド部および第2の液滴ヘッド部と離れて配置される。そのため、第1の保護液ノズルおよび第2の保護液ノズルを、基板の上面内において、保護液ノズルの下端を対応する液滴ヘッド部の下端より低くなるように設定する必要はないから、保護液ノズルと基板との接触が生じることはない。ゆえに、保護液ノズルと基板との接触を確実に防止できる基板処理装置を提供することができる。
前記第1の着液位置は、前記第1の噴射領域の前記移動軌跡の延長線上に位置していることが好ましい。前記第2の着液位置は、前記第2の噴射領域の前記移動軌跡の延長線上に位置していることが好ましい。
前記第1の着液位置に着液した前記保護液および前記第2の着液位置に着液した前記保護液によって、前記第1の噴射領域の移動軌跡の全域および前記第2の噴射領域の移動軌跡の全域が覆われることが好ましい。
この発明の一実施形態では、前記第1の保護液ノズルは、前記第1の着液位置に着液した前記保護液が、前記第1の噴射領域の前記移動軌跡だけでなく、前記第2の噴射領域の前記移動軌跡の一部をも覆うように設けられており、ならびに/または、前記第2の保護液ノズルは、前記第2の着液位置に着液した前記保護液が、前記第2の噴射領域の前記移動軌跡だけでなく、前記第1の噴射領域の前記移動軌跡の一部をも覆うように設けられている。
この構成によれば、固定ノズル(第1の保護液ノズルおよび第2の保護液ノズル)を、基板保持ユニットの周囲に良好に配置することができる。
この発明の一実施形態では、前記第1の液滴ヘッド部と前記第2の液滴ヘッド部とは、別個に設けられている。
この発明の一実施形態では、前記第1および第2の保護液ノズルの下端が、前記第1の液滴ヘッド部および前記第2の液滴ヘッド部の下端よりも上方に位置している。
この発明は、基板を水平に保持する基板保持工程と、前記基板を、鉛直な回転軸線まわりに回転させる回転工程と、前記基板の上面内の所定の第1の噴射領域に、第1の液滴ヘッド部からの処理液の液滴を吹き付け、かつ当該基板の上面内における、前記第1の噴射領域とは異なる所定の第2の噴射領域に、第2の液滴ヘッド部からの処理液の液滴を吹き付ける液滴供給工程と、前記第1の液滴ヘッド部および前記第2の液滴ヘッド部を支持するノズルアームを除く所定の部材に支持された複数の保護液ノズルから保護液を吐出して、前記ノズルアームの移動に伴う前記第1の噴射領域の移動軌跡、および前記ノズルアームの移動に伴う前記第2の噴射領域の移動軌跡を覆う保護液の液膜を前記基板の上面に形成する保護液液膜工程と、前記第1の噴射領域および前記第2の噴射領域を移動させるべく前記ノズルアームを移動させるアーム移動工程とを含み、前記保護液液膜工程は、専ら前記第1の噴射領域を保護液で覆うために、第1の保護液ノズルから前記保護液を、前記基板の上面における所定の第1の着液位置に向けて吐出する第1の吐出工程と、専ら前記第2の噴射領域を保護液で覆うために、前記第1の吐出工程に並行して、第1の保護液ノズルから前記保護液を、前記基板の上面における所定の第2の着液位置に向けて吐出する第2の吐出工程とを含む、基板処理方法を提供する。
この発明の一実施形態では、前記保護液液膜工程は、前記第1の吐出工程が前記第1の着液位置に向けて薬液を吐出し、前記第2の吐出工程が前記第2の着液位置に向けて温水を吐出する第1の吐出状態と、前記第1の吐出工程が前記第1の着液位置に向けて前記温水を吐出し、前記第2の吐出工程が前記第2の着液位置に向けて前記薬液を吐出する第2の吐出状態とを切り換える吐出状態切り換え工程をさらに含む。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置1は、半導体ウエハなどの基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Wは、円板状の基板である。基板処理装置1は、処理液で基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容するキャリヤCが載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する搬送ロボットIRおよびCRと、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。搬送ロボットIRは、キャリヤCと基板搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。基板搬送ロボットCRは、搬送ロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。複数の処理ユニット2は、たとえば、同様の構成を有している。
基板処理装置1は、基板Wを水平に保持して回転させるスピンチャック5(基板保持ユニット)と、処理ユニット2は、箱形のチャンバ4と、チャンバ4内で一枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック5と、互いに別個に設けられた第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8を有し、基板Wに処理液の液滴を衝突させる液滴ノズル6と、第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8が取り付けられたノズルアーム9と、ノズルアーム9を鉛直な揺動軸線A2まわりに揺動させるアーム移動ユニット10と、基板Wに保護液を供給する第1の保護液ノズル11と、基板Wに保護液を供給する第2の保護液ノズル12と、基板Wにリンス液を供給するリンス液供給ユニット13と、スピンチャック5を取り囲む筒状の処理カップ14とを含む。
FFU16は隔壁15の上方に配置されており、隔壁15の天井に取り付けられている。FFU16は、隔壁15の天井からチャンバ4内に清浄空気を送る。排気装置は、処理カップ14内に接続された排気ダクト17を介して処理カップ14の底部に接続されており、処理カップ14の底部から処理カップ14の内部を吸引する。FFU16および排気装置により、チャンバ4内にダウンフロー(下降流)が形成される。
スピンベース20は、基板Wの外径(たとえば約450mm)よりも大きな外径を有する水平な円形の上面20aを含む。上面20aには、その周縁部に複数個(3個以上。たとえば4個)の挟持部材21(図3を併せて参照)が配置されている。複数個の挟持部材21は、スピンベース20の上面周縁部において、基板Wの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けてたとえば等間隔に配置されている。
第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8は、それぞれ、インクジェット方式によって多数の液滴を噴射するインクジェットノズルである。第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8は、この実施形態では、薬液(SC1(NH4OHとH2O2とを含む液))の液滴を吐出する。
図2に示すように、処理カップ14は、スピンチャック5を取り囲む、基板Wの周囲に飛散した処理液(薬液およびリンス液)を受け止めるための複数(図2ではたとえば4つ)のガード25,26,27,28と、個々のガードを独立して昇降させるガード昇降ユニットとを含む。処理カップ14は折り畳み可能であり、ガード昇降ユニットがガード25,26,27,28のうち少なくとも一つを昇降させることにより、処理カップ14の展開および折り畳みが行われる。
アーム移動ユニット10は、ノズルアーム9を揺動軸線A2周りに揺動させるノズル揺動ユニットとして機能する。アーム移動ユニット10はたとえばモータを含む。アーム移動ユニット10は、スピンチャック5の上方を含む水平面内で液滴ノズル6(第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8)を水平に移動させる。
図4は、第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8の模式的な側面図である。図5A,5Bは、第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8の拡大平面図である。図4には、第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8からの処理液の液滴を用いて基板Wの上面が処理されている状態が示されている。以下、図4および図5A,5Bを参照して、第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8について説明する。
図4に示すように、第1の液滴ヘッド部7は、処理液の液滴を噴射する第1の本体36Aと、第1の本体36Aを覆う第1のカバー37Aと、第1のカバー37Aによって覆われた第1の圧電素子(piezo element)38Aと、第1の本体36Aと第1のカバー37Aとの間に介在し、第1のカバー37Aの内部を密閉する第1のシール39Aとを含む。第1の圧電素子38Aは、第1の配線49Aを介して、たとえばインバータを含む電圧印加ユニット50に接続されている。第1の配線49Aの端部は、たとえば半田(solder)によって、第1のカバー37Aの内部で第1の圧電素子38Aに接続されている。電圧印加ユニット50から交流電圧が第1の圧電素子38Aに印加されると、印加された交流電圧の周波数に対応する周波数で第1の圧電素子38Aが振動する。制御装置3は、電圧印加ユニット50を制御することにより、第1の圧電素子38Aに印加される交流電圧の周波数を任意の周波数(たとえば、数百KHz〜数MHz)に変更することができる。すなわち、制御装置3は、第1の圧電素子38Aの振動の周波数を制御する。
図4に示すように、第2の液滴ヘッド部8は、処理液の液滴を噴射する第2の本体36Bと、第2の本体36Bを覆う第2のカバー37Bと、第2のカバー37Bによって覆われた第2の圧電素子(piezo element)38Bと、第2の本体36Bと第2のカバー37Bとの間に介在し、第2のカバー37Bの内部を密閉する第2のシール39Bとを含む。第2の圧電素子38Bは、第2の配線49Bを介して、たとえばインバータを含む電圧印加ユニット50に接続されている。第2の配線49Bの端部は、たとえば半田(solder)によって、第2のカバー37Bの内部で第2の圧電素子38Bに接続されている。電圧印加ユニット50から交流電圧が第2の圧電素子38Bに印加されると、印加された交流電圧の周波数に対応する周波数で第2の圧電素子38Bが振動する。制御装置3は、電圧印加ユニット50を制御することにより、第2の圧電素子38Bに印加される交流電圧の周波数を任意の周波数(たとえば、数百KHz〜数MHz)に変更することができる。すなわち、制御装置3は、第2の圧電素子38Bの振動の周波数を制御する。
図4に示すように、第1の液滴ヘッド部7(第1の噴射口形成領域48A)から噴射された多数の液滴は、基板Wの上面内の第1の噴射領域T1に吹き付けられる。また、第2の液滴ヘッド部8(第2の噴射口形成領域48B)から噴射された多数の液滴は、基板Wの上面内の第2の噴射領域T2に吹き付けられる。図3に示すように、第1の噴射領域T1は、長手方向D3に延びる平面視長方形状であり、第2の噴射領域T2は、長手方向D4に延びる平面視長方形状である。
液滴ノズル6が中央部位置Pcに配置されているとき、第1の噴射領域T1が、基板Wの上面中央部上の第1の中央部位置Pc1に配置されると共に、噴射領域T2が、基板Wの上面中央部上の第2の中央部位置Pc2に配置される。液滴ノズル6が中央部位置Pcに配置されているときの第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8の拡大平面図を、図5Aに示す。
第1の保護液ノズル11は、保護液を吐出する第1の吐出口11aを有している。第1の吐出口11aはたとえば円形であるが、円形に限らず、楕円形であってもよいしスリット状であってもよい。第1の保護液ノズル11は、基板W上における第1の着液位置P1に第1の吐出口11aを向けた状態で、第1の吐出口11aから保護液を吐出する。
図5Aに示すように、第1の吐出口11aから吐出された保護液は、基板W上における第1の着液位置P1に対して第1の入射方向D1に入射する。第1の入射方向D1は、第1の吐出口11aから第1の着液位置P1に向かう方向であるとともに、平面視において第1の吐出口11aから第1の噴射領域T1の第1の中央部位置Pc1に向かう方向である。換言すると、第1の液滴ヘッド部7は、第1の着液位置P1に対し第1の移動軌跡T3と反対側から、第1の着液位置P1に向けて保護液を吐出する。
第1の入射方向D1は、第1の中央部位置Pc1における第1の移動軌跡T3の接線方向D5(図6参照。第1の移動軌跡T3の延長線方向)に対し、基板Wの回転方向Drの上流側に傾斜している。平面視において、第1の入射方向D1と接線方向D5とがなす角度(入射角度)θH1(図6参照)は、所定の角度(所定の鋭角)に設定されている。
図3に示すように、第2の着液位置P2は、第2の吐出口12aと第2の噴射領域T2の第2の中央部位置Pc2との間のうち、第2の中央部位置Pc2寄りの位置である。第2の着液位置P2は、着液した保護液が、第2の中央部位置Pc2に配置されている状態の第2の噴射領域T2(すなわち、第2の移動軌跡T4の最も中央部寄りの位置)に供給されるように配置されている。
第2の入射方向D2は、第2の中央部位置Pc2における第2の移動軌跡T4の接線方向D6(図6参照。第2の移動軌跡T4の延長線方向)に対し、基板Wの回転方向Drの上流側に傾斜している。平面視において、第2の入射方向D2と接線方向D6とがなす角度(入射角度)θH2(図6参照)は、所定の角度(所定の鋭角)に設定されている。
基板Wが回転軸線A1周りに回転させられている状態で、第1および第2の保護液ノズル11,12から保護液が吐出される。第1の保護液ノズル11から吐出された保護液は、第1の着液位置P1に着液する。回転状態の基板Wに保護液が供給されるので、基板Wに供給された保護液は、基板Wとの接触によって径方向(回転半径方向)に加速されるとともに基板Wの回転方向Drに加速される。したがって、第1の着液位置P1に着液した保護液は、第1の着液位置P1から径方向に拡がりながら回転方向に流れる。基板Wの中心部では基板Wの回転速度が遅いので、基板Wの上面中心部に供給された保護液は、第1の着液位置P1を頂点の1つとする三角形状を保ちながら広範囲に拡がる。
図6には、たとえば外径約450mmの円形の基板Wにおいて、第1の着液位置P1、第1の入射方向D1、第1の保護液ノズル11からの保護液の吐出流量、第2の着液位置P2、第2の入射方向D2、第2の保護液ノズル12からの保護液の吐出流量および基板Wの回転速度を最適化したときの処理液の流れを示す。この状態で、第1の保護液ノズル11および第2の保護液ノズル12からの保護液の吐出流量は、それぞれ約1.5(リットル/分)であり、基板Wの回転速度は約300rpmである。
このように、第1の着液位置P1、第1の入射方向D1、第1の保護液ノズル11からの保護液の吐出流量、第2の着液位置P2、第2の入射方向D2、第2の保護液ノズル12からの保護液の吐出流量、および基板Wの回転速度をそれぞれ最適化することにより、(保護液の少流量化を図りながら、)第1の移動軌跡T3の全域および第2の移動軌跡T4の全域を覆う保護液の液膜LFを形成することができる。そのため、この実施形態のように第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8をノズルアーム9とは異なる部材(たとえば処理カップ14)に取り付けた場合であっても、移動する第1の噴射領域T1および第2の噴射領域T2の位置によらずに、第1の噴射領域T1および第2の噴射領域T2を保護液によって覆い続けることができる。
制御装置3は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置3は、CPU等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。
また、制御装置3は、第1の流量調整バルブ32および第2の流量調整バルブ35の開度を調整する。
以下、図1〜図3および図6〜図8を参照しながら、第1の基板処理例について説明する。図8A〜8Bについては適宜参照する。第1の基板処理例は、基板Wの上面に形成されたレジストを除去するためのレジスト除去処理である。
未処理の基板Wは、搬送ロボットIR,CRによってキャリヤCから処理ユニット2に搬入され、チャンバ4内に搬入され(S1:基板W搬入)、基板Wがその表面(洗浄対象面)を上方に向けた状態でスピンチャック5に受け渡され、スピンチャック5に基板Wが保持される。基板Wの搬入に先立って、液滴ノズル6は、スピンチャック5の側方に設定されたホーム位置に退避させられている。
洗浄工程S3の開始(洗浄液の吐出開始)から所定の時間が経過すると、制御装置3は、アーム移動ユニット10を制御して、液滴ノズル6を近接位置に向けて下降させる。また、制御装置3は、液滴ノズル6の第1および第2の液滴ヘッド部7,8から処理液(SC1)の液滴を噴射させる(液滴噴射工程)。具体的には、制御装置3は、排出バルブ43を閉じるとともに、電圧印加ユニット50によって所定の周波数の交流電圧を第1および第2の圧電素子38A,38Bに印加させる。多数の洗浄処理液の液滴が第1および第2の液滴ヘッド部7,8から下方に噴射されることにより、基板Wの上面に第1および第2の噴射領域T1,T2が形成される。
次いで、リンス液を基板Wに供給するリンス工程(図8のステップS4)が行われる。具体的には、制御装置3は、リンス液バルブ24を開いて、基板Wの上面中央部に向けてリンス液ノズル22からリンス液を吐出させる。リンス液ノズル22から吐出されたリンス液は、基板Wの上面中央部に着液する。基板Wの上面中央部に着液したリンス液は、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの上面上を基板Wの周縁部に向けて流れる。これにより、基板W上の処理液(SC1)が、リンス液によって外方に押し流され、基板Wの周囲に排出される。これにより、基板Wの上面の全域において処理液(SC1)が洗い流される。リンス工程S5の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置3は、リンス液バルブ24を閉じて、リンス液ノズル22からのリンス液の吐出を停止させる。
図2に2点鎖線で示すように、第1の保護液供給管30には、温水供給源からの温水(たとえば液温40℃〜60)が供給される第1の温水配管101が分岐接続されている。また、第1の保護液供給管30には、たとえば40℃〜60℃の液温を有する薬液(SC1)が供給されている。第1の温水配管101には、第1の温水配管101を開閉するための第1の温水バルブ102が介装されている。第1の温水バルブ102を閉じながら、第1の保護液バルブ31が開かれることにより、第1の保護液ノズル11の第1の吐出口11aから薬液(SC1)が吐出される。また、第1の保護液バルブ31を閉じながら、第1の温水バルブ102が開かれることにより、第1の保護液ノズル11の第1の吐出口11aからSC1でなく温水が吐出される。
第2の基板処理例に係る洗浄工程S3では、液滴ノズル6の複数回(たとえば4回)のうち、半分の回数(たとえば2回)の往復移動の際に、第1の保護液ノズル11から吐出される保護液として温水を用い、かつ第2の保護液ノズル12から吐出される保護液として薬液(SC1)を用いる。そして、半分の回数(たとえば2回)の往復移動の際には、第1の保護液ノズル11から吐出される保護液として薬液(SC1)を用い、かつ第2の保護液ノズル12から吐出される保護液として温水を用いる。
液滴ノズル6の往復移動動作毎に、第1の吐出状態と第2の吐出状態とを切り換えることにより、薬液(SC1)の省液を図りながら、エッチングの面内均一性を保つことができる。
これにより、洗浄効率(処理液の液滴による処理効率)を増大させることができる。液滴ヘッド部からの噴射圧の増大ではなく、噴射領域の面積の増大により、処理液の液滴により洗浄効率を増大させることができるので、基板Wの上面に与えるダメージがほとんどない。
また、第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8が、第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8が取り付けられているノズルアーム9ではなく、処理カップ14の最も外側のガード28に支持されている(固定的に設けられている)。この場合、第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8が、それぞれ、第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8と離れて配置される。そのため、第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8を、基板Wの上面内において、第1および第2の保護液ノズル11,12の下端を対応する第1および第2の液滴ヘッド部7,8の下端より低くなるように設定する必要はないから、保護液ノズル11,12と基板Wとの接触が生じることはない。ゆえに、第1および第2の保護液ノズル11,12と基板Wとの接触を確実に防止できる基板処理装置1を提供することができる。
たとえば、前述の実施形態では、第1の液滴ヘッド部7と第2の液滴ヘッド部8とが別個に設けられているとして説明したが、第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8が一体に設けられていてもよい。すなわち、液滴ノズル6が平面視で「V」字が90°横転した形状をなしていてもよい。
また、処理液および保護液に、薬液でなく水を用いることもできる。水は、たとえば脱イオン水(DIW)であるが、DIWに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度(たとえば、10ppm〜100ppm程度)の塩酸水のいずれかであってもよい。
また、液滴ヘッド部は、2つに限られず、3個以上であってもよい。この場合、保護液ノズルの数も液滴ヘッド部の個数に応じて設けられる。
また、前述の実施形態では、基板処理装置1が、半導体ウエハなどの円板状の基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置1は、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
ある。
5 :スピンチャック(基板保持ユニット)
6 :液滴ノズル
7 :第1の液滴ヘッド部
8 :第2の液滴ヘッド部
9 :ノズルアーム
10 :アーム移動ユニット
11 :第1の保護液ノズル
12 :第2の保護液ノズル
14 :処理カップ
18 :スピンモータ(回転ユニット)
A1 :回転軸線
D1 :第1の入射方向
D2 :第2の入射方向
L1 :保護液の液膜
P1 :第1の着液位置
P2 :第2の着液位置
T1 :第1の噴射領域
T2 :第2の噴射領域
W :基板
X3 :第1の移動軌跡(第1の噴射領域の移動軌跡)
X4 :第2の移動軌跡(第2の噴射領域の移動軌跡)
Claims (9)
- 基板を水平に保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットによって保持された基板を、鉛直な回転軸線まわりに回転させる回転ユニットと、
前記基板保持ユニットによって保持された基板の上面内の所定の第1の噴射領域に処理液の液滴を吹き付ける第1の液滴ヘッド部と、当該基板の上面内における、前記第1の噴射領域とは異なる所定の第2の噴射領域に処理液の液滴を吹き付ける第2の液滴ヘッド部とを有する液滴ノズルと、
前記第1の液滴ヘッド部および前記第2の液滴ヘッド部が取り付けられたノズルアームと、
前記第1の噴射領域および前記第2の噴射領域を前記基板の周縁部と前記基板の中央部との間で移動させるべく、前記ノズルアームを前記基板の上面に沿って所定の範囲で移動させるアーム移動ユニットと、
前記ノズルアームとは異なる所定の部材に支持され、前記ノズルアームの移動に伴う前記第1の噴射領域の移動軌跡、および前記ノズルアームの移動に伴う前記第2の噴射領域の移動軌跡を覆う保護液の液膜を前記基板の上面に形成するために、前記基板の上面に向けて保護液を吐出する複数の保護液ノズルとを含み、
前記複数の保護液ノズルは、
専ら前記第1の噴射領域を保護液で覆うために、前記基板の上面において前記第1の噴射領域の前記移動軌跡の延長線上に位置する第1の着液位置に向けて、前記第1の着液位置に対し前記第1の噴射領域の前記移動軌跡と反対側から前記保護液を吐出する第1の保護液ノズルと、
専ら前記第2の噴射領域を保護液で覆うために、前記基板の上面において前記第2の噴射領域の前記移動軌跡の延長線上に位置する第2の着液位置に向けて、前記第2の着液位置に対し前記第2の噴射領域の前記移動軌跡と反対側から前記保護液を吐出する第2の保護液ノズルとを含み、
前記第1の着液位置は、着液した前記保護液が、前記第1の噴射領域の前記移動軌跡の最も中央部寄りの位置に供給されるような位置であり、
前記第2の着液位置は、着液した前記保護液が、前記第2の噴射領域の前記移動軌跡の最も中央部寄りの位置に供給されるような位置であり、
前記第1の着液位置に着液した前記保護液および前記第2の着液位置に着液した前記保護液によって、前記第1の噴射領域の前記移動軌跡の全域および前記第2の噴射領域の前記移動軌跡の全域が覆われる、基板処理装置。 - 前記第1の保護液ノズルは、前記第1の噴射領域の前記移動軌跡の延長線に対し平面視で上流側に所定の鋭角傾斜する第1の入射方向から前記第1の着液位置に前記保護液が入射するように前記保護液を吐出し、
前記第2の保護液ノズルは、前記第1の噴射領域の前記移動軌跡の延長線に対し平面視で上流側に所定の鋭角傾斜する第2の入射方向から前記第2の着液位置に前記保護液が入射するように前記保護液を吐出する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1の保護液ノズルは、前記第1の着液位置に着液した前記保護液が、前記第1の噴射領域の前記移動軌跡だけでなく、前記第2の噴射領域の前記移動軌跡の一部をも覆うように設けられており、ならびに/または、
前記第2の保護液ノズルは、前記第2の着液位置に着液した前記保護液が、前記第2の噴射領域の前記移動軌跡だけでなく、前記第1の噴射領域の前記移動軌跡の一部をも覆うように設けられている、請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記基板保持ユニットの周囲を包囲する処理カップをさらに含み、
前記第1および第2の保護液ノズルは、前記処理カップに固定されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1の噴射領域および前記第2の噴射領域は長手を有し、
前記第1の液滴ヘッド部および前記第2の液滴ヘッド部は、前記第1の液滴ヘッド部および前記第2の液滴ヘッド部が前記基板の周縁部上に配置されている状態で、前記第1の噴射領域および前記第2の噴射領域がそれぞれ基板の周端縁に沿って配置されるように、前記ノズルアームに取り付けられている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1の液滴ヘッド部と前記第2の液滴ヘッド部とは、別個に設けられている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第1および第2の保護液ノズルの下端が、前記第1の液滴ヘッド部および前記第2の液滴ヘッド部の下端よりも上方に位置している、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板を水平に保持する基板保持工程と、
前記基板を、鉛直な回転軸線まわりに回転させる回転工程と、
前記基板の上面内の所定の第1の噴射領域に、第1の液滴ヘッド部からの処理液の液滴を吹き付け、かつ当該基板の上面内における、前記第1の噴射領域とは異なる所定の第2の噴射領域に、第2の液滴ヘッド部からの処理液の液滴を吹き付ける液滴供給工程と、
前記第1の液滴ヘッド部および前記第2の液滴ヘッド部を支持するノズルアームを除く所定の部材に支持された複数の保護液ノズルから保護液を吐出して、前記ノズルアームの移動に伴う前記第1の噴射領域の移動軌跡、および前記ノズルアームの移動に伴う前記第2の噴射領域の移動軌跡を覆う保護液の液膜を前記基板の上面に形成する保護液液膜工程と、
前記第1の噴射領域および前記第2の噴射領域を前記基板の周縁部と前記基板の中央部との間で移動させるべく前記ノズルアームを移動させるアーム移動工程とを含み、
前記保護液液膜工程は、
専ら前記第1の噴射領域を保護液で覆うために、第1の保護液ノズルから前記保護液を、前記基板の上面において前記第1の噴射領域の前記移動軌跡の延長線上に位置する第1の着液位置に向けて、前記第1の着液位置に対し前記第1の噴射領域の前記移動軌跡と反対側から吐出する第1の吐出工程と、
専ら前記第2の噴射領域を保護液で覆うために、前記第1の吐出工程に並行して、第1の保護液ノズルから前記保護液を、前記基板の上面において前記第2の噴射領域の前記移動軌跡の延長線上に位置する第2の着液位置に向けて、前記第2の着液位置に対し前記第2の噴射領域の前記移動軌跡と反対側から吐出する第2の吐出工程とを含み、
前記第1の着液位置は、着液した前記保護液が、前記第1の噴射領域の移動軌跡の最も中央部寄りの位置に供給されるような位置であり、
前記第2の着液位置は、着液した前記保護液が、前記第2の噴射領域の移動軌跡の最も中央部寄りの位置に供給されるような位置であり、
前記第1の着液位置に着液した前記保護液および前記第2の着液位置に着液した前記保護液によって、前記第1の噴射領域の移動軌跡の全域および前記第2の噴射領域の移動軌跡の全域が覆われる、基板処理方法。 - 前記保護液液膜工程は、
前記第1の吐出工程が前記第1の着液位置に向けて薬液を吐出し、前記第2の吐出工程が前記第2の着液位置に向けて温水を吐出する第1の吐出状態と、前記第1の吐出工程が前記第1の着液位置に向けて前記温水を吐出し、前記第2の吐出工程が前記第2の着液位置に向けて前記薬液を吐出する第2の吐出状態とを切り換える吐出状態切り換え工程をさらに含む、請求項8に記載の基板処理方法。
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