JP6966917B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
着液位置に着液するリンス液が液滴供給位置に到達する前のタイミング、すなわち液滴供給位置において液膜が分厚くなる前のタイミングで、処理液液滴の吐出を停止する。そのため、分厚い液膜に対して処理液液滴が吐出されることを回避することができる。これにより、洗浄工程からリンス工程への移行における液跳ねの発生を抑制または防止できる。したがって、基板の上面における液滴供給位置に、液跳ねに起因するミストが付着することを抑制または防止でき、ゆえに、基板の表面不良の発生(ウォーターマーク発生やパーティクルの発生)を抑制または防止できる。
この発明の一実施形態では、前記液滴吐出停止工程が、前記リンス液ノズルからリンス液が吐出される前のタイミング、または前記リンス液ノズルからリンス液が吐出されるのと同時のタイミングで、前記液滴ノズルからの前記処理液液滴の吐出を停止させる工程を含む。
この方法によれば、リンス工程の開始時において、液滴供給位置が基板の周縁領域に配置されている。リンス工程においては、基板の上面の中央部に向けて連続流状のリンス液が供給される。このような場合において、液跳ねの発生を抑制または防止できる。
前記基板処理方法が、水平姿勢に保持されている前記基板の上面の中央部に設定された前記着液位置に向けて、前記リンス液ノズルから連続流状のリンス液を吐出して、前記基板の上面にリンス液の保護膜を形成する保護膜形成工程をさらに含んでいてもよい。
前記洗浄工程が、前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出停止後に行われてもよい。前記洗浄工程が、前記保護膜によって覆われている前記液滴供給位置に向けて処理液液滴を噴射してもよい。
前記リンス工程が、前記基板を、当該基板の中央部を通る所定の鉛直軸線回りに回転させてもよい。
前記液滴吐出停止工程が、前記基板の周縁領域に配置されている前記液滴供給位置にリンス液が到達する前のタイミングで前記処理液液滴の吐出を停止させてもよい。
この方法によれば、洗浄工程において、保護液ノズルから保護液が吐出される。液滴供給位置をこの保護液が覆うことにより、洗浄工程において、液滴供給位置に処理液液滴が直接噴射されることを防止することができる。また、保護液ノズルから保護液の吐出流量が小流量であるので、保護液ノズルから供給される保護液に処理液液滴が噴射されることに伴っては、液跳ねはそれほど発生しない。これにより、液跳ねの発生を抑制または防止しながら、基板の上面(表面)のダメージを低減できる。
この発明の一実施形態では、前記保護液ノズルが、前記液滴供給位置の移動に同伴移動可能に設けられている。
前記洗浄工程が、前記液滴供給位置への前記処理液液滴の噴射に並行して、前記液滴供給位置の移動に同伴移動可能に設けられた前記保護液ノズルから前記液滴供給位置に保護液を供給する工程を含んでいてもよい。
この発明の一実施形態では、前記保護液ノズルが、鉛直下方に向けて保護液を吐出する鉛直ノズルを含む。そして、前記リンス液ノズルが、鉛直方向に対して傾斜する方向に向けてリンス液を吐出する傾斜ノズルを含む。
前記パドル速度が40rpm以下であってもよい。
この発明の一実施形態では、前記基板の上面が疎水性を呈している。
着液位置に着液するリンス液が液滴供給位置に到達する前のタイミング、すなわち液滴供給位置において液膜が分厚くなる前のタイミングで、処理液液滴の吐出を停止する。そのため、分厚い液膜に対して処理液液滴が吐出されることを回避することができる。これにより、洗浄工程からリンス工程への移行における液跳ねの発生を抑制または防止できる。したがって、基板の上面における液滴供給位置に、液跳ねに起因するミストが付着することを抑制または防止でき、ゆえに、基板の表面不良の発生(ウォーターマーク発生やパーティクルの発生)を抑制または防止できる。
この発明の一実施形態では、前記制御装置が、前記液滴吐出停止工程において、前記リンス液ノズルからリンス液が吐出される前のタイミング、または前記リンス液ノズルからリンス液が吐出されるのと同時のタイミングで、前記液滴ノズルからの前記処理液液滴の吐出を停止させる工程を実行する。
前記制御装置が、前記回転ユニットをさらに制御してもよい。
前記制御装置が、水平姿勢に保持されている前記基板の上面の中央部に設定された前記着液位置に向けて、前記リンス液ノズルから連続流状のリンス液を吐出して、前記基板の上面にリンス液の保護膜を形成する保護膜形成工程をさらに実行してもよい。
前記制御装置が、前記洗浄工程を、前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出停止後に行ってもよい。前記制御装置が、前記洗浄工程において、前記保護膜によって覆われている前記液滴供給位置に向けて処理液液滴を噴射してもよい。
前記制御装置が、前記リンス工程において、前記基板を、当該基板の中央部を通る所定の鉛直軸線回りに回転させてもよい。
前記制御装置が、前記液滴吐出停止工程において、前記基板の周縁領域に配置されている前記液滴供給位置にリンス液が到達する前のタイミングで前記処理液液滴の吐出を停止させてもよい。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板の上面に向けて保護液を吐出する保護液ノズルを有し、前記基板の上面に保護液を供給する保護液供給ユニットをさらに含む。そして、前記制御装置が、さらに前記保護液供給ユニットを制御している。そして、前記制御装置が、前記洗浄工程において、前記保護膜形成工程における前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出流量よりも少ない吐出流量で、前記保護液ノズルから保護液を吐出する工程を実行する。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記液滴供給位置を、前記基板の上面内で移動させるための供給位置移動ユニットをさらに含む。そして、前記保護液ノズルが、前記供給位置移動ユニットによる前記液滴供給位置の移動に同伴移動可能に設けられている。
前記制御装置が、前記洗浄工程において、前記液滴供給位置への前記処理液液滴の噴射に並行して、前記液滴供給位置の移動に同伴移動可能に設けられた前記保護液ノズルから前記液滴供給位置に保護液を供給する工程を実行してもよい。
この発明の一実施形態では、前記保護液ノズルが、鉛直下方に向けて保護液を吐出する鉛直ノズルを含む。そして、前記リンス液ノズルが、鉛直方向に対して傾斜する方向に向けてリンス液を吐出する傾斜ノズルを含む。
前記パドル速度が40rpm以下であってもよい。
この発明の一実施形態では、前記基板の上面が疎水性を呈している。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置を上から見た模式図である。基板処理装置1は、シリコンウエハなどの基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Wは、円板状の基板である。基板処理装置1は、処理液およびリンス液で基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容するキャリヤCが載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送するインデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRと、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。インデクサロボットIRは、キャリヤCと基板搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。基板搬送ロボットCRは、インデクサロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。複数の処理ユニット2は、たとえば、同様の構成を有している。
処理ユニット2は、箱形のチャンバ4と、チャンバ4内で一枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック(基板保持ユニット)5と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に処理液の液滴(以下、処理液液滴という場合がある)を供給するための液滴供給ユニット6と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット7と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に保護液を供給するための保護液供給ユニット8とを含む。処理ユニット2はさらに、気体としての不活性ガスの一例としての窒素ガス(N2)を基板Wの上面に吹き付ける気体供給ユニット9と、スピンチャック5を取り囲む筒状の処理カップ10とを含む。
スピンチャック5として、基板Wを水平方向に挟んで基板Wを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック5は、スピンモータ(回転ユニット)15と、このスピンモータ15の駆動軸と一体化されたスピン軸16と、スピン軸16の上端に略水平に取り付けられた円板状のスピンベース17とを含む。
液滴供給ユニット6は、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に向けて処理液液滴を噴射する液滴ノズル(複数流体ノズル)19と、先端部において液滴ノズル19を保持するノズルアーム20と、ノズルアーム20を回動させて、液滴ノズル19を移動させる第1のノズル移動ユニット(供給位置移動ユニット)21とを含む。第1のノズル移動ユニット21がノズルアーム20を揺動することにより、平面視で基板Wの上面中央部を通る軌跡に沿って液滴ノズル19が水平に揺動する。
気体配管26には、気体配管26から液滴ノズル19への気体の吐出および供給停止を切り換える液滴用気体バルブ29が介装されている。液滴ノズル19に供給される気体としては、一例として窒素ガス(N2)を例示できるが、窒素ガス以外の不活性ガス、たとえば乾燥空気や清浄空気などを採用することもできる。
図3に示すように、液滴ノズル19は、ほぼ円柱状の外形を有している。液滴ノズル19は、ケーシングを構成する外筒36と、外筒36の内部に嵌め込まれた内筒37とを含む。
外筒36および内筒37は、各々共通の中心軸線CL上に同軸配置されており、互いに連結されている。内筒37の内部空間は、処理液配管25からの処理液が流通する直線状の処理液流路38となっている。また、外筒36および内筒37との間には、気体配管26から供給される気体が流通する円筒状の気体流路39が形成されている。
液滴用気体バルブ29を開いて気体吐出口42から気体を吐出させながら、処理液バルブ27を開いて処理液吐出口41から処理液を吐出させることにより、液滴ノズル19の近傍で処理液に気体を衝突(混合)させることにより処理液の微小の液滴を生成することができ、処理液を噴霧状に吐出することができる。この実施形態では、処理液吐出口41および気体吐出口42によって、処理液液滴を噴射する噴射出部が形成されている。
図2に示すように、保護液供給ユニット8は、保護液ノズル46を含む。保護液ノズル46は、たとえば連続流の状態で液を吐出するストレートノズルである。保護液ノズル46は、鉛直下方に向けて保護液を吐出する鉛直ノズルである。すなわち、保護液ノズル46は、鉛直下方に向く吐出口46aを先端に有している。保護液ノズル46には、保護液供給源からの保護液が、保護液バルブ47を介して供給される。保護液バルブ47が開かれると、保護液ノズル46に供給された連続流の保護液が、保護液ノズル46の吐出口46aから吐出される。また、保護液バルブ47が閉じられると、保護液ノズル46からの処理液の吐出が停止される。この実施形態では、保護液ノズル46から吐出される保護液は、たとえば水である。
制御装置3は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ15、第1および第2のノズル移動ユニット21,50等の動作を制御する。さらに、制御装置3は、処理液バルブ27、液滴用気体バルブ29、リンス液バルブ45、保護液バルブ47、気体バルブ52等を制御する。
以下、図1〜図6を参照しながら、基板処理例について説明する。図7A〜7Jについては適宜参照する。
未処理の基板Wは、インデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRによってキャリヤCから処理ユニット2に搬入され、チャンバ4内に搬入され(図5のS1:基板W搬入)、基板Wがその表面(洗浄対象面)を上方に向けた状態でスピンチャック5に受け渡され、スピンチャック5に基板Wが保持される。基板Wの搬入に先立って、液滴ノズル19、保護液ノズル46および気体ノズル49は、スピンチャック5の側方に設定された退避位置に退避させられている。
次いで、制御装置3が、図7Bに示す洗浄工程(図5のステップS4)を実行する。洗浄工程S4は、液滴ノズル19から処理液液滴を基板Wの上面に供給することにより基板Wの上面を洗浄する工程である。具体的には、制御装置3は、処理液バルブ27および液滴用気体バルブ29を開く。これにより、液滴ノズル19に処理液および気体の一例である窒素ガスが同時に供給され、供給された処理液および窒素ガスは、液滴ノズル19の外部の吐出口(処理液吐出口41(図2参照))近傍で混合される。これにより、処理液の微小な液滴の噴流が形成され、液滴ノズル19から処理液液滴の噴流が吐出される。そのため、基板Wの上面に円形の液滴供給位置DAが形成される。液滴供給位置DAに、液滴ノズル19からの多数の処理液液滴が吹き付けられるので、処理液液滴の衝突によって、液滴供給位置DAに付着している異物(パーティクルなど)を物理的に除去できる(物理洗浄)。
また、洗浄工程S4において供給される保護液によって、基板Wの上面の液切れを防止することができる。これにより、洗浄工程S4において、基板Wの上面の全域を液膜で覆った状態(カバレッジ)に保ち続けることが可能である。
これにより、洗浄工程において、基板の上面の全域を液膜で覆った状態(カバレッジ)に保ち続けることが可能である。リンス工程S5においても、基板Wの上面の全域を液膜で覆う液膜61が形成されている。リンス工程S5の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置3は、リンス液バルブ45を閉じて、リンス液ノズル44からのリンス液の吐出を停止させる。
穴あけ工程S7は、図7Gに示すように、パドル状の液膜62の中央部に、液体が除去された円形の穴(すなわち乾燥領域)63を形成する工程である。具体的には、制御装置3は、気体バルブ52を開いて、気体ノズル49から基板Wの上面中央部に向けて不活性ガスを下向きに吐出する。不活性ガスの吹き付け圧力(ガス圧)によって、パドル状の液膜62の中央部にある液体が吹き飛ばされて除去される。これにより、基板Wの上面中央部に穴63が形成される。
穴拡大工程S8では、制御装置3は、スピンモータ15を制御して、基板Wの回転速度を、所定の穴あけ速度(たとえば200rpm)まで上昇させる。このとき、基板W上のパドル状の液膜62に作用する遠心力により、図7Hに示すように、穴63が拡大し始める。そして、制御装置3は、穴あけ速度に達した後、基板Wの回転速度をさらに2400rpmまで徐々に上昇させる、図7Iに示すように、穴63がさらに拡大し、やがて、図7Jに示すように、穴63が基板Wの全域に拡大させられる。これにより、パドル状の液膜62が全て基板W外に排出される。この穴63の拡大の全期間において、パドル状の液膜62は液塊状態を保持している。すなわち、液塊分裂後の液体が基板Wの上面に残存することなく、パドル状の液膜62を基板W上から排除することができる。穴63が拡大する過程で液膜62の液塊が分裂しないのは、パドル状の液膜62の厚みが厚いことに起因している。すなわち、パドル工程S6の後に排除工程を実行することにより、穴拡大工程S8における液膜62の液塊の分裂を防いでいる。
穴拡大工程S8の終了後には、制御装置3は、スピンドライ工程(図5のステップS9)を実行する。具体的には、制御装置3は、スピンドライ速度(たとえば約2400rpm)まで基板Wをさらに加速させる。これにより、基板の上面上の水が振り切られる。
この実施形態のように、複数流体ノズルからなる液滴ノズル19を用いて基板Wの上面を処理する場合には、基板Wの上面における液滴供給位置は、処理液液滴の吹き付けのために液膜61の厚みが局所的に薄くなっており、この液滴供給位置DAにミストが付着すると、ウォーターマークが発生したり、パーティクルが発生したりするおそれがある。この場合、ミスト発生の要因は液跳ねにあるので、液跳ねを抑制または防止することにより、液滴供給位置DAへのミストの付着を抑制または防止することが望まれていた。
仮に、リンス液ノズル44からリンス液が吐出された後のタイミングで処理液液滴の吐出が停止させられるとすると、処理液液滴の吐出停止に先立って、液滴供給位置DAにリンス液が到達するおそれがある。この場合、リンス液の供給に伴って分厚くなった液膜に対して処理液液滴が吹き付けられる結果、液跳ねが発生するおそれがある。
たとえば、洗浄工程S4からリンス工程S5への移行において、液滴ノズル19への処理液の供給および液滴ノズル19への気体の供給の双方を停止することにより、液滴ノズル19からの処理液液滴の吐出を停止させるとして説明した。しかしながら、液滴ノズル19からの処理液液滴の吐出を停止させるべく、液滴ノズル19への気体の供給のみを停止するようにしてもよい。この場合、液滴ノズル19からの連続流状の処理液の吐出は継続される。しかしながら、処理液の種類によっては(たとえば処理液がリンス液と同様の水である場合等)、液滴ノズル19からの連続流状の処理液を吐出しても、リンス工程S5を阻害することにはならない。むしろ、基板Wの上面をカバレッジする観点からは、液滴ノズル19からの処理液の液滴の吐出停止後も、液滴ノズル19から連続流状の処理液を吐出することが望ましい。
また、洗浄工程S4において、液滴供給位置DAを、基板Wの上面の中央部と基板Wの上面の周端部とで移動させる(ハーフスキャン)場合を例に挙げて説明したが、基板Wの上面の一の周端部と、当該一の周端部と上面の中央部に対し反対側の他の周端部との間で移動させてもよい(フルスキャン)。
また、前述の実施形態では、液滴ノズル19が1種類の液体と1種類の気体とを混合する2流体ノズルであるとして説明したが、これに加えて、さらに別の種類の流体(気体および/または液体)をも混合可能なノズルとすることもできる。すなわち、液滴ノズル(複数流体ノズル)が、3つ以上の流体を混合するものであってもよい。
液滴ノズル201には、処理液供給源からの処理液を液滴ノズル201に供給する処理液配管210が接続されている。液滴ノズル201には、ポンプによる圧送により、常時、所処理液が供給される。液滴ノズル201は、排出バルブ215が介装された排液配管214に接続されている。液滴ノズル201は、液滴ノズル201の内部に配置された圧電素子(piezo element)216を含む。圧電素子216は、配線217を介してインバータ等の電圧印加ユニット218に接続されている。電圧印加ユニット218は、たとえば、を含む。電圧印加ユニット218よって、交流電圧が圧電素子216に印加されると、印加された交流電圧の周波数に対応する周波数で圧電素子216が振動する。圧電素子216に印加される交流電圧の周波数を任意の周波数(たとえば、数百KHz〜数MHz)に変更することにより、圧電素子216の振動の周波数を変更できる。
処理液配管210を介して供給口224に供給された処理液は、処理液流通路226に供給される。排出バルブ215が閉じられている状態では、処理液流通路226での処理液の圧力(液圧)が高い。そのため、排出バルブ215が閉じられている状態では、液圧によって各噴射口227から処理液が噴射される。さらに、排出バルブ215が閉じられている状態で、交流電圧が圧電素子216に印加されると、処理液流通路226を流れる処理液に圧電素子216の振動が付与され、各噴射口227から噴射される処理液が、この振動によって分断される。そのため、排出バルブ215が閉じられている状態で、交流電圧が圧電素子216に印加されると、処理液の液滴が各噴射口227から噴射される。これにより、粒径が均一な多数の処理液の液滴が均一な速度で同時に噴射される。
3 :制御装置
4 :チャンバ
5 :スピンチャック(基板保持ユニット)
6 :液滴供給ユニット
7 :リンス液供給ユニット
8 :保護液供給ユニット
15 :スピンモータ(回転ユニット)
19 :液滴ノズル(複数流体ノズル)
21 :第1のノズル移動ユニット(供給位置移動ユニット)
44 :リンス液ノズル
46 :保護液ノズル
201 :液滴ノズル
DA :液滴供給位置
P1 :着液位置
W :基板
Claims (18)
- 水平姿勢に保持されている基板の上面の中央部に設定された着液位置に向けて、リンス液ノズルから連続流状のリンス液を吐出して、前記基板の上面にリンス液の保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出停止後、前記基板の上面に設定された液滴供給位置であって前記保護膜によって覆われている液滴供給位置に向けて液滴ノズルから処理液液滴を噴射して、前記基板の上面を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程に続いて、前記基板を、当該基板の中央部を通る所定の鉛直軸線回りに回転させながら、前記基板の上面の前記着液位置に向けて前記リンス液ノズルから連続流状のリンス液を吐出して、前記基板の上面をリンス液で洗い流すリンス工程であって、前記液滴ノズルが前記基板の周縁領域上に配置されている状態で開始されるリンス工程と、
前記洗浄工程から前記リンス工程への移行において、前記着液位置に着液するリンス液が、前記基板の周縁領域に配置されている前記液滴供給位置に到達する前のタイミングで、前記液滴ノズルからの前記処理液液滴の吐出を停止させる液滴吐出停止工程とを含む、基板処理方法。 - 前記液滴ノズルが、処理液に気体を混合して前記処理液液滴を生成し、生成された前記処理液液滴を前記液滴供給位置に吐出する複数流体ノズルを含み、
前記液滴吐出停止工程が、前記着液位置に着液するリンス液が前記液滴供給位置に到達する前のタイミングで、前記複数流体ノズルへの前記気体の供給を停止させる気体供給停止工程を含む、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記液滴吐出停止工程が、前記リンス液ノズルからリンス液が吐出される前のタイミング、または前記リンス液ノズルからリンス液が吐出されるのと同時のタイミングで、前記液滴ノズルからの前記処理液液滴の吐出を停止させる工程を含む、請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記洗浄工程が、前記液滴供給位置への前記処理液液滴の噴射に並行して、前記液滴供給位置の移動に同伴移動可能に設けられた保護液ノズルから前記液滴供給位置に保護液を供給する工程を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記洗浄工程が、前記保護膜形成工程における前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出流量よりも少ない吐出流量で、前記保護液ノズルから保護液を吐出する工程を含む、請求項4に記載の基板処理方法。
- 前記保護液ノズルが、鉛直下方に向けて保護液を吐出する鉛直ノズルを含み、
前記リンス液ノズルが、鉛直方向に対して傾斜する方向に向けてリンス液を吐出する傾斜ノズルを含む、請求項5に記載の基板処理方法。 - 前記リンス工程の後に、前記基板を静止状態とさせ、または前記鉛直軸線回りにパドル速度で前記基板を回転させることにより、前記基板の上面を覆うパドル状の液膜を形成させるパドル工程と、
前記パドル工程の後に、前記液膜を前記基板の上面から排除させる排除工程であって、前記液膜に穴を形成させる穴形成工程と、前記穴を拡大させる工程とを有する排除工程とをさらに含み、
前記パドル工程が、前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出を停止しながら、前記保護液ノズルから保護液を吐出させる工程を含む、請求項5または6に記載の基板処理方法。 - 前記パドル速度は40rpm以下である、請求項7に記載の基板処理方法。
- 前記基板の上面が疎水性を呈している、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- チャンバと、
前記チャンバの内部において、基板を水平姿勢で保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板を、当該基板の中央部を通る鉛直軸線回りに回転させる回転ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に設定された液滴供給位置に向けて処理液液滴を噴射する液滴ノズルを有し、前記基板保持ユニットによって保持されている基板の上面に前記処理液液滴を供給する液滴供給ユニットと、
前記チャンバの内部に固定された、前記基板の上面の中央部に設定された着液位置に向けて連続流状のリンス液を吐出するリンス液ノズルを有し、前記基板の上面にリンス液を供給するリンス液供給ユニットと、
前記液滴供給位置を、前記基板の上面内で移動させるための供給位置移動ユニットと、
前記回転ユニット、前記液滴供給ユニット、前記リンス液供給ユニットおよび前記供給位置移動ユニットを制御する制御装置とを含み、
前記制御装置が、前記リンス液供給ユニットによって前記リンス液ノズルから連続流状のリンス液を前記着液位置に向けて吐出して、前記基板の上面にリンス液の保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出停止後、前記液滴供給ユニットにより前記液滴ノズルから前記処理液液滴を、前記保護膜によって覆われている前記液滴供給位置に向けて噴射して、前記基板の上面を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程に続いて、前記基板を前記鉛直軸線回りに回転させながら、前記リンス液供給ユニットにより前記リンス液ノズルから前記着液位置に向けて連続流状のリンス液を吐出して、前記基板の上面をリンス液で洗い流すリンス工程であって、前記液滴ノズルが前記基板の周縁領域上に配置されている状態で開始されるリンス工程と、前記洗浄工程から前記リンス工程への移行において、前記着液位置に着液するリンス液が、前記基板の周縁領域に配置されている前記液滴供給位置に到達する前のタイミングで、前記液滴ノズルからの前記処理液液滴の吐出を停止させる液滴吐出停止工程とを実行する、基板処理装置。 - 前記液滴ノズルが、処理液に気体を混合して前記処理液液滴を生成し、生成された前記処理液液滴を前記液滴供給位置に吐出する複数流体ノズルを含み、
前記制御装置が、前記液滴吐出停止工程において、前記着液位置に着液するリンス液が前記液滴供給位置に到達する前のタイミングで、前記複数流体ノズルへの前記気体の供給を停止させる気体供給停止工程を実行する、請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記制御装置が、前記液滴吐出停止工程において、前記リンス液ノズルからリンス液が吐出される前のタイミング、または前記リンス液ノズルからリンス液が吐出されるのと同時のタイミングで、前記液滴ノズルからの前記処理液液滴の吐出を停止させる工程を実行する、請求項10または11に記載の基板処理装置。
- 前記基板の上面に向けて保護液を吐出する保護液ノズルを有し、前記基板の上面に保護液を供給する保護液供給ユニットをさらに含み、
前記制御装置が、さらに前記保護液供給ユニットを制御しており、
前記保護液ノズルが、前記供給位置移動ユニットによる前記液滴供給位置の移動に同伴移動可能に設けられており、
前記制御装置が、前記洗浄工程において、前記液滴供給位置への前記処理液液滴の噴射に並行して、前記保護液供給ユニットによって前記保護液ノズルから前記液滴供給位置に保護液を供給する工程を実行する、請求項10〜12のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記制御装置が、前記洗浄工程において、前記保護膜形成工程における前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出流量よりも少ない吐出流量で、前記保護液ノズルから保護液を吐出する工程をさらに実行する、請求項13に記載の基板処理装置。
- 前記保護液ノズルが、鉛直下方に向けて保護液を吐出する鉛直ノズルを含み、
前記リンス液ノズルが、鉛直方向に対して傾斜する方向に向けてリンス液を吐出する傾斜ノズルを含む、請求項13または14に記載の基板処理装置。 - 前記制御装置が、少なくとも前記回転ユニットを制御して、前記リンス工程の後に、前記基板を静止状態とさせ、または前記鉛直軸線回りにパドル速度で前記基板を回転させることにより、前記基板の上面を覆うパドル状の液膜を形成させるパドル工程と、少なくとも前記回転ユニットを制御して、前記パドル工程の後に、前記液膜を前記基板の上面から排除させる排除工程であって、前記液膜に穴を形成させる穴形成工程と、前記穴を拡大させる工程とを有する排除工程とをさらに実行し、
前記制御装置が、前記パドル工程において、前記リンス液ノズルからのリンス液の吐出を停止しながら、前記保護液ノズルから保護液を吐出させる工程を実行する、請求項13〜15のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記パドル速度は40rpm以下である、請求項16に記載の基板処理装置。
- 前記基板の上面が疎水性を呈している、請求項10〜17のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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