JP6112509B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面に処理液の液滴を衝突させる液滴ノズルと、スピンチャックに保持されている基板の上面に向けて保護液を吐出する保護液ノズルとを備えている(特許文献1参照)。この基板処理装置では、液滴ノズルおよび保護液ノズルが、互いの位置関係を一定に保ちながら移動させられる。
しかしながら、基板の上面における保護液の拡がり方は、基板の中心部と、基板の周縁部とで大きく異なる。そのため、基板の上面中心部に保護液を供給する場合を基準として保護液ノズルの位置および姿勢を設定すると、基板の上面周縁部では保護液が噴射領域の全域に行き渡らず、十分な厚みを有する保護膜の液膜が形成されない噴射領域の位置が生じるおそれがある。また、基板の上面周縁部に保護液を供給する場合を基準として保護液ノズルの位置および姿勢を設定すると、基板の上面中央部では保護液が噴射領域の全域に行き渡らず、十分な厚みを有する保護膜の液膜が形成されない噴射領域の位置が生じるおそれがある。
基板の上面中心部および基板の上面周縁部の双方で、中心部噴射領域の全域を保護液により確実に覆うようにするために、基板に供給される保護液の流量を増大させることが考えられるが、その方策では、1枚の基板の処理に要するコストが増えてしまう。
この構成によれば、第1の位置および姿勢に設定された第1の保護液ノズルならびに第2の位置および姿勢に設定された第2の保護液ノズルの双方から保護液が吐出される。第1および第2の保護液ノズルからの保護液の吐出に並行して、噴射領域が、基板の上面中心部と基板の上面周縁部との間で移動させられる。
この場合、第1の保護液ノズルの第1の位置および姿勢ならびに第2の保護液ノズルの第2の位置および姿勢(すなわち、第1および第2の着液状態)を、噴射領域の位置が基板上面の異なる二位置に配置される場合を基準して、それぞれ設定することが可能である。
請求項2に記載の発明は、前記第1の位置および姿勢は、前記噴射領域が前記基板の上面中心部の位置に配置された状態で、前記第1の保護液ノズルから吐出される保護液が前記噴射領域の全域に行き渡るような位置および姿勢であり、前記第2の位置および姿勢は、前記噴射領域が前記基板の上面周縁部の位置に配置された状態で、前記第2の保護液ノズルから吐出される保護液が前記噴射領域の全域に行き渡るような位置および姿勢である、請求項1に記載の基板処理装置である。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置は、請求項3に記載のように、前記保護液吐出制御手段は、前記保護液供給手段を制御して、前記基板の上面内における前記噴射領域の位置変化によらずに一定流量の保護液を前記第1および第2の保護液ノズルから吐出させる。
また、この場合、請求項5に記載のように、前記吐出流量制御手段は、前記噴射領域が前記基板の上面中心部に配置される場合よりも前記基板の上面周縁部に配置される場合に、前記第1および第2の保護液ノズルから吐出される保護液の流量を多くさせてもよい。
前記の目的を達成するための請求項7に記載の発明は、基板(W)を水平に保持する基板保持工程と、第1の保護液ノズル(6)を、前記保持された基板の上面において当該保護液ノズルからの保護液が着液する、液滴ノズル(5)に対する相対的な着液位置(P1)、および当該保護液ノズルから吐出された保護液が前記着液位置に入射するときの、液滴ノズルに対する相対的な入射角度(θH1,θV1)の少なくとも一方を含む着液状態が第1の着液状態となるような第1の位置および姿勢に設ける工程と、第2の保護液ノズル(7)を、前記着液位置(P2)および前記入射角度(θH2,θV2)の少なくとも一方を含む前記着液状態が、前記第1の着液状態と異なる第2の着液状態となるような第2の位置および姿勢に設ける工程と、前記保持された基板を、鉛直な回転軸線(C1)まわりに回転させる回転工程と、前記保持された基板の上面内の噴射領域(T1)に、前記液滴ノズルから処理液の液滴を吹き付ける液滴供給工程と、前記第1および第2の保護液ノズルの双方から前記基板の上面に保護液を吐出し、前記保持された基板の上面に保護液の液膜を形成して、前記保護液の液膜によって前記噴射領域が覆われている状態で、前記処理液の液滴を前記噴射領域に衝突させる保護液吐出工程と、前記第1および第2の保護液ノズルからの保護液の吐出に並行して、前記液滴ノズルと前記第1および第2の保護液ノズルとの位置関係を一定に保ちながら、前記基板の上面中心部と前記基板の上面周縁部との間で前記噴射領域が移動するように、前記液滴ノズルならびに前記第1および第2の保護液ノズルを移動させるノズル移動工程とを含む、基板処理方法である。
請求項8に記載の発明は、前記第1の位置および姿勢は、前記噴射領域が前記基板の上面中心部の位置に配置された状態で、前記第1の保護液ノズルから吐出される保護液が前記噴射領域の全域に行き渡るような位置および姿勢であり、前記第2の位置および姿勢は、前記噴射領域が前記基板の上面周縁部の位置に配置された状態で、前記第2の保護液ノズルから吐出される保護液が前記噴射領域の全域に行き渡るような位置および姿勢である、請求項7に記載の基板処理方法である。
本発明の一実施形態に係る基板処理方法は、請求項9に記載のように、前記保護液吐出工程は、前記基板の上面内における前記噴射領域の位置変化によらずに一定流量の保護液を前記第1および第2の保護液ノズルから吐出させる工程を含む。
また、この場合、請求項11に記載のように、前記保護液吐出工程は、前記噴射領域が前記基板の上面中心部に配置される場合よりも前記基板の上面周縁部に配置される場合に、前記第1および第2の保護液ノズルから吐出される保護液の流量を多くさせてもよい。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の構成を模式的に示す図である。図2は、液滴ノズル5およびこれに関連する構成の平面図である。
基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置1は、基板Wを水平に保持して回転させるスピンチャック2(基板保持手段)と、スピンチャック2を取り囲む筒状のカップ3と、基板Wにリンス液を供給するリンス液ノズル4と、基板Wに処理液の液滴を衝突させる液滴ノズル5と、基板Wに保護液を供給する第1の保護液ノズル6と、基板Wに保護液を供給する第2の保護液ノズル7と、スピンチャック2などの基板処理装置1に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置8とを備えている。
第1および第2の保護液ノズル6,7に供給される保護液としては、たとえば、SC−1などの薬液やリンス液が挙げられる。
第1の保護液ノズル6は、保護液を吐出する第1の吐出口43を有している。第1の吐出口43は、液滴ノズル5の上端よりも下方に配置されている。第1の吐出口43はたとえば、円形である。第1の吐出口43は、円形に限らず、楕円形であってもよいし、スリット状であってもよい。
すなわち、基板処理装置1では、第1の保護液ノズル6の吐出口43と第2の保護液ノズル7の吐出口44とが上下にずれており、その結果、第2の着液位置P2は、第1の着液位置P1よりも、噴射領域T1に近い位置になっている(Dc(図5参照)>De(図6参照)。第2の着液位置P2は、第1の吐出口43と第1の着液位置P1とを結ぶ線分の延長線上に配置されている。
なお、第1および第2の保護液ノズル6,7の位置および姿勢が基板Wの上面中心部および上面周縁部のそれぞれで最適化されているのであれば、第1および第2の保護液ノズル6,7が、吐出口43,44の位置が異ならされているだけでなく、姿勢も互いに異ならせてもよい。この場合、第1の吐出方向D1も第2の吐出方向D2と異なるようになる。また、吐出される保護液の第1および第2の着液位置P1,P2が共通するように第1および第2の保護液ノズル6,7を設けることもできる。但し、この場合には、第1の吐出方向D1と第2の吐出方向D2とを互いに異ならせておく必要がある。
図1、図3および図5を参照して、基板Wの上面中心部に噴射領域T1の位置が配置されている場合の保護液の流れについて説明する。また、第2の保護液ノズル7については、図6も併せて参照しつつ説明する。
制御装置8は、スピンチャック2によって基板Wを回転させながら、第2の保護液ノズル7から保護液を吐出させる。第1の保護液ノズル6からの保護液は、第1の着液位置P1に着液し、第2の保護液ノズル7からの保護液は、第2の着液位置P2に着液する。回転状態の基板Wに保護液が供給されるので、基板Wに供給された保護液は、基板Wとの接触によって径方向(回転半径方向)に加速されるとともに基板Wの回転方向Drに加速される。したがって、基板Wに供給された保護液は、各着液位置P1,P2から径方向に拡がりながら回転方向に流れる。基板Wの周縁部では基板Wの回転速度が速いので、基板Wの上面周縁部に供給された保護液は、各着液位置P1,P2を頂点の1つとする角度の小さな鋭角三角形状(基板Wの周方向に沿うほぼ直線状)をなしつつ径方向に高速で拡がる。
たとえば直径300mmの円形基板からなる未処理の基板Wは、搬送ロボット(図示しない)によって搬送され、デバイス形成面である表面をたとえば上に向けてスピンチャック2上に載置される。そして、制御装置8は、スピンチャック2によって基板Wを保持させる。その後、制御装置8は、スピンモータ10を制御して、スピンチャック2に保持されている基板Wを回転させる。
制御装置8は、ノズル移動機構20を制御することにより、図8Aに示すように、液滴ノズル5ならびに第1および第2の保護液ノズル6,7を、基板Wの回転範囲外のホームポジション(図示しない)からスピンチャック2の上方に移動させ、かつ液滴ノズル5の下面5aを基板Wの上面周縁部に近接させる。すなわち、液滴ノズル5が周縁位置Peに配置される。
このように、制御装置8が、基板Wを回転させながら、中心位置Pcと周縁位置Peとの間で液滴ノズル5を移動させるので、噴射領域T1によって基板Wの上面が走査され、噴射領域T1の位置が基板Wの上面全域を通過する。
図9Aは、基板Wの上面の各所において、噴射領域T1の位置の回転中心C1からの距離と、噴射領域T1に到達する保護液の流量との関係を概略的に示すグラフである。
実施例1は、前述の処理例1のように、第1および第2の保護液ノズル6,7の双方から保護液を吐出させる第2カバー工程および洗浄工程を実行する場合を示し、比較例1は、第1の保護液ノズル6のみから保護液を吐出させつつ、第2カバー工程および洗浄工程を実行する場合を示す。また、基板Wの上面には、厚さ37nmのポリシリコンの薄膜が形成されているものとする。図9Bのダメージ数は、基板Wに供給される保護液の流量を除き、同じ条件で基板Wを処理したときの測定値である。具体的には、基板の回転速度は300rpmである。また、ノズルアーム21の1回の往復揺動動作(往復ハーフスキャン)に要する時間は15secであり、ハーフスキャンの実行回数は2回である。
以上によりこの実施形態によれば、噴射位置T1の移動に並行して、第1および第2の保護液ノズル6,7の双方から保護液が吐出される。第1の保護液ノズル6の位置および姿勢は、噴射領域T1の位置が基板Wの上面中心部に配置されている状態で、第1の保護液ノズル6から吐出される保護液が噴射領域の全域に行き渡るように最適化されている。また、第2の保護液ノズル7の位置および姿勢は、噴射領域T1の位置が基板Wの上面周縁部に配置されている状態で、第2の保護液ノズル7から吐出される保護液が噴射領域の全域に行き渡るように最適化されている。
図10A−10Cは、基板処理装置1によって行われる基板Wの第2処理例について説明するための図である。
第2処理例の洗浄工程および第2カバー工程が、第1処理例の洗浄工程および第2カバー工程と相違する点は、基板Wの上面内の噴射領域T1の位置変化に応じて、第1および第2の保護液ノズル6,7から吐出される保護液の流量を変化させるようにした点である。より具体的には、噴射領域T1が基板Wの上面中心部に配置される場合よりも、基板Wの上面周縁部に配置される場合に、第1および第2の保護液ノズル6,7から、より大流量の保護液を吐出させる点が相違する。
その後、制御装置8は、スピンチャック2によって基板Wを回転させながら、第1および第2の保護液バルブ26,29を開いて、第1および2の保護液ノズル6,7の双方からSC−1を吐出させる。前述のように、流量調整バルブ30の開度は、第1および第2の保護液ノズル6,7からの保護液の合計吐出流量が、所定の少流量AF1(たとえば約0.7リットル/分)となるように調整されている。具体的には、このとき第1および第2の保護液ノズル6,7から、それぞれ約0.35リットル/分の吐出流量のSC−1が吐出される。
噴射領域T1が基板Wの周縁から離反するのに従って、制御装置8は、調整バルブ30の開度を徐々拡大させ、第1の保護液ノズル6および第2の保護液ノズル7からの保護液の吐出流量を増大させる。
図10Cに示すように、液滴ノズル5が中心位置Pcに達した状態では、流量調整バルブ30の開度は、第1および第2の保護液ノズル6,7からの保護液の合計吐出流量が所定の第3流量AF3(たとえば約0.7リットル/分)となるように縮小させられている。このとき、第1および第2の保護液ノズル6,7から、それぞれ約0.35リットル/分の吐出流量のSC−1が吐出される。
前述のように、噴射領域T1が基板W上面の中間部M1に配置されているときに、第1および第2の保護液ノズル6,7から吐出されたSC−1が噴射領域T1に供給される効率が最も低い。このような位置に噴射領域T1が配置されている場合に第1または第2の保護液ノズル6,7からの吐出流量を最大の第2流量AF2(たとえば約1.3リットル/分)とするので、噴射領域T1が基板W上面の中間部M1に配置されている場合であっても、噴射領域T1の全域を保護液の液膜によって覆うことができる。
また、第1の保護液ノズル6の位置および姿勢の最適化の基準を、噴射領域T1の位置が基板Wの上面中心部に配置されている状態とし、また、第2の保護液ノズル7の位置および姿勢の最適化の基準を、噴射領域T1の位置が基板Wの上面周縁部に配置されている状態とした。しかしながら、第1の保護液ノズル6の位置および姿勢の基準を、上面中心部を除く、中心部M1よりも内周側の所定位置にしてもよいし、第2の保護液ノズル7の位置および姿勢の基準を、上面中心部を除く、中心部M1よりも外周側の所定位置にしてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 スピンチャック(基板保持手段)
5 液滴ノズル
6 第1の保護液ノズル
7 第2の保護液ノズル
8 制御装置
10 スピンモータ(回転手段)
20 ノズル移動機構(ノズル移動手段)
26 第1の保護液バルブ(保護液供給手段)
29 第2の保護液バルブ(保護液供給手段)
30 流量調整バルブ(保護液供給手段)
P1 第1の着液位置
P2 第2の着液位置
T1 噴射領域
W 基板
θH1 角度(入射角度)
θH2 角度(入射角度)
θV1 角度(入射角度)
θV2 角度(入射角度)
Claims (11)
- 基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段によって保持された基板を、鉛直な回転軸線まわりに回転させる回転手段と、
前記基板保持手段によって保持された基板の上面内の噴射領域に吹き付けられる処理液の液滴を生成する液滴ノズルと、
前記基板の上面に保護液を吐出するための第1の保護液ノズルと、
前記基板の上面に保護液を吐出するための第2の保護液ノズルと、
前記第1および第2の保護液ノズルに対し、保護液を供給するための保護液供給手段と、
前記液滴ノズルならびに前記第1および第2の保護液ノズルを移動させるためのノズル移動手段と、
前記保護液供給手段を制御して、前記第1および第2の保護液ノズルの双方から前記基板の上面に保護液を吐出させ、前記基板の上面に保護液の液膜を形成して、前記保護液の液膜によって前記噴射領域が覆われている状態で、処理液の液滴を前記噴射領域に衝突させる保護液吐出制御手段と、
前記第1および第2の保護液ノズルからの保護液の吐出に並行して、前記液滴ノズルと前記第1および第2の保護液ノズルとの位置関係を一定に保ちながら、前記基板の上面中心部と前記基板の上面周縁部との間で前記噴射領域が移動するように、前記液滴ノズルならびに前記第1および第2の保護液ノズルを移動させるノズル移動制御手段とを含み、
前記第1の保護液ノズルの前記液滴ノズルに対する位置および姿勢は、前記基板の上面において当該保護液ノズルからの保護液が着液する、前記液滴ノズルに対する相対的な着液位置、および当該保護液ノズルから吐出された保護液が前記着液位置に入射するときの、前記液滴ノズルに対する相対的な入射角度の少なくとも一方を含む着液状態が第1の着液状態となるような第1の位置および姿勢に設定されており、
前記第2の保護液ノズルの前記液滴ノズルに対する位置および姿勢は、前記着液位置および前記入射角度の少なくとも一方を含む前記着液状態が、前記第1の着液状態と異なる第2の着液状態となるような第2の位置および姿勢に設定されている、基板処理装置。 - 前記第1の位置および姿勢は、前記噴射領域が前記基板の上面中心部の位置に配置された状態で、前記第1の保護液ノズルから吐出される保護液が前記噴射領域の全域に行き渡るような位置および姿勢であり、
前記第2の位置および姿勢は、前記噴射領域が前記基板の上面周縁部の位置に配置された状態で、前記第2の保護液ノズルから吐出される保護液が前記噴射領域の全域に行き渡るような位置および姿勢である、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記保護液吐出制御手段は、前記保護液供給手段を制御して、前記基板の上面内における前記噴射領域の位置変化によらずに一定流量の保護液を前記第1および第2の保護液ノズルから吐出させる、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記保護液供給手段は、前記第1および第2の保護液ノズルに供給する保護液の流量を調整するための流量調整手段を含み、
前記保護液吐出制御手段は、前記流量調整手段を制御する吐出流量制御手段を含み、
前記吐出流量制御手段は、前記基板の上面内における前記噴射領域の位置変化に応じて、前記第1および第2の保護液ノズルから吐出される保護液の流量を変化させる、請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記吐出流量制御手段は、前記噴射領域が前記基板の上面中心部に配置される場合よりも前記基板の上面周縁部に配置される場合に、前記第1および第2の保護液ノズルから吐出される保護液の流量を多くさせる、請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記第1および第2の保護液ノズルからの保護液の吐出流量比は1:1に設定されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板を水平に保持する基板保持工程と、
第1の保護液ノズルを、前記保持された基板の上面において当該保護液ノズルからの保護液が着液する、液滴ノズルに対する相対的な着液位置、および当該保護液ノズルから吐出された保護液が前記着液位置に入射するときの、前記液滴ノズルに対する相対的な入射角度の少なくとも一方を含む着液状態が第1の着液状態となるような第1の位置および姿勢に設ける工程と、
第2の保護液ノズルを、前記着液位置および前記入射角度の少なくとも一方を含む前記着液状態が、前記第1の着液状態と異なる第2の着液状態となるような第2の位置および姿勢に設ける工程と、
前記保持された基板を、鉛直な回転軸線まわりに回転させる回転工程と、
前記保持された基板の上面内の噴射領域に、前記液滴ノズルから処理液の液滴を吹き付ける液滴供給工程と、
前記第1および第2の保護液ノズルの双方から前記基板の上面に保護液を吐出し、前記保持された基板の上面に保護液の液膜を形成して、前記保護液の液膜によって前記噴射領域が覆われている状態で、前記処理液の液滴を前記噴射領域に衝突させる保護液吐出工程と、
前記第1および第2の保護液ノズルからの保護液の吐出に並行して、前記液滴ノズルと前記第1および第2の保護液ノズルとの位置関係を一定に保ちながら、前記基板の上面中心部と前記基板の上面周縁部との間で前記噴射領域が移動するように、前記液滴ノズルならびに前記第1および第2の保護液ノズルを移動させるノズル移動工程とを含む、基板処理方法。 - 前記第1の位置および姿勢は、前記噴射領域が前記基板の上面中心部の位置に配置された状態で、前記第1の保護液ノズルから吐出される保護液が前記噴射領域の全域に行き渡るような位置および姿勢であり、
前記第2の位置および姿勢は、前記噴射領域が前記基板の上面周縁部の位置に配置された状態で、前記第2の保護液ノズルから吐出される保護液が前記噴射領域の全域に行き渡るような位置および姿勢である、請求項7に記載の基板処理方法。 - 前記保護液吐出工程は、前記基板の上面内における前記噴射領域の位置変化によらずに一定流量の保護液を前記第1および第2の保護液ノズルから吐出させる工程を含む、請求項7または8に記載の基板処理方法。
- 前記保護液吐出工程は、前記基板の上面内における前記噴射領域の位置変化に応じて、前記第1および第2の保護液ノズルから吐出される保護液の流量を変化させる、請求項7または8に記載の基板処理方法。
- 前記保護液吐出工程は、前記噴射領域が前記基板の上面中心部に配置される場合よりも前記基板の上面周縁部に配置される場合に、前記第1および第2の保護液ノズルから吐出される保護液の流量を多くさせる、請求項10に記載の基板処理方法。
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