JP2014150136A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の主面の周縁部において複数の処理部材の各々による処理位置の位置精度を向上させることができ、これにより、基板の主面の周縁部に処理むらを生じさせることなく、基板の主面の全域を効率良く処理することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第1および第2薬液ノズル5,6の揺動アーム13に対する取付け位置、回転軸線Cの位置、ならびに揺動軸線Aの位置は、第1および第2着液位置が下記式(1)を満たす位置関係をなすように調整されている。
L1×L2=r2・・・(1)
(ただし、式(1)において、L1は揺動アーム13に沿う方向に関する第1および第2着液位置の距離を示しており、L2は回転軸線Cと揺動軸線Aとの距離を示しており、rは、スピンチャック3の回転および揺動アーム13の揺動により着液位置が走査可能な円形領域の半径を示している)
【選択図】図1
【解決手段】第1および第2薬液ノズル5,6の揺動アーム13に対する取付け位置、回転軸線Cの位置、ならびに揺動軸線Aの位置は、第1および第2着液位置が下記式(1)を満たす位置関係をなすように調整されている。
L1×L2=r2・・・(1)
(ただし、式(1)において、L1は揺動アーム13に沿う方向に関する第1および第2着液位置の距離を示しており、L2は回転軸線Cと揺動軸線Aとの距離を示しており、rは、スピンチャック3の回転および揺動アーム13の揺動により着液位置が走査可能な円形領域の半径を示している)
【選択図】図1
Description
この発明は、処理液を用いて基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の主面に処理液による処理を施すために、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。
この枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板をほぼ水平姿勢に保持しつつ回転させるためのスピンチャックと、スピンチャックによる基板の保持位置よりも上方で略水平に延びる揺動アームと、揺動アームの先端部または途中部に保持され、スピンチャックに保持されている基板の主面に向けて処理液を供給するためのノズルと、揺動アームを所定の揺動軸線周りに揺動させる揺動機構とを備えた基板処理装置が知られている。
この枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板をほぼ水平姿勢に保持しつつ回転させるためのスピンチャックと、スピンチャックによる基板の保持位置よりも上方で略水平に延びる揺動アームと、揺動アームの先端部または途中部に保持され、スピンチャックに保持されている基板の主面に向けて処理液を供給するためのノズルと、揺動アームを所定の揺動軸線周りに揺動させる揺動機構とを備えた基板処理装置が知られている。
基板の大口径化に伴い、基板の主面に対する処理液の供給流量を増大させることが望まれており、複数のノズルを1つの揺動アームに保持させた構成が提案されている。下記特許文献1には、複数のノズルを揺動アームに沿う方向に沿って間隔を空けて配設する構成が開示されている。
具体的には、特許文献1には、スキャン軸と、スキャン揺動アームと、第1超音波ノズルおよび第2超音波ノズルがそれぞれスキャン揺動アームの先端部および途中部に取り付けられている。このとき、第1超音波ノズルは、基板の中心を通る所定の軌道に沿って移動させられる。
しかしながら、特許文献1では、スキャン揺動アームの揺動により第2超音波ノズルが基板の主面の周縁に達したとき、第1超音波ノズルは、基板の周縁まで達せずに、当該周縁よりも基板半径方向内方に位置するという問題がある。この場合、複数の処理部材の各々による、基板の主面周縁部における処理位置の位置精度が悪く、そのため、基板の主面周縁における処理が不十分になり処理むらが生じるおそれがある。
しかしながら、特許文献1では、スキャン揺動アームの揺動により第2超音波ノズルが基板の主面の周縁に達したとき、第1超音波ノズルは、基板の周縁まで達せずに、当該周縁よりも基板半径方向内方に位置するという問題がある。この場合、複数の処理部材の各々による、基板の主面周縁部における処理位置の位置精度が悪く、そのため、基板の主面周縁における処理が不十分になり処理むらが生じるおそれがある。
また、処理対象となる基板の主面の周縁部には、デバイスが形成されない非デバイス作成領域が設けられるが、近年ではこの非デバイス作成領域の幅が1〜3mm程度にまで縮小されている。換言すると、基板の主面において、デバイスが形成されるデバイス形成領域は、基板周縁に非常に近い位置まで形成される。したがって、基板の周縁部上において、複数のノズルからの処理液の着液位置を精度良く規定する必要がある。
また、ノズルに代えて、基板の主面に接触して当該主面の汚れを掻き出すための複数のスクラブブラシを、揺動アームに、その長手方向に間隔を空けて取り付けることがあるが、この場合もノズルの場合と同様の問題を生じる。
この発明は、前述のような背景の下になされたものであり、基板の主面の周縁部において複数の処理部材の各々による処理位置の位置精度を向上させることができ、これにより、基板の主面の周縁部に処理むらを生じさせることなく、基板の主面の全域を効率良く処理することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
この発明は、前述のような背景の下になされたものであり、基板の主面の周縁部において複数の処理部材の各々による処理位置の位置精度を向上させることができ、これにより、基板の主面の周縁部に処理むらを生じさせることなく、基板の主面の全域を効率良く処理することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
前記の目的を達成するための請求項1に記載の発明は、基板(W)を保持しつつ、所定の回転軸線(C)周りに回転させる基板保持回転手段(3)と、所定の揺動軸線(A)周りに揺動可能に設けられて、前記基板保持回転手段に保持された基板の主面に沿って延びる揺動アーム(13)と、前記揺動アームに、揺動アームに沿う方向に沿って間隔を空けて保持されて、前記基板保持回転手段に保持された基板の主面に処理を施すための第1および第2処理部材(5,6;105,106)と、基板の主面における前記第1処理部材による第1処理位置、および基板の主面における前記第2処理部材による第2処理位置の一方が、前記回転軸線を通り、かつ前記揺動軸線を中心とする円弧形状をなす軌道(31;131)に沿って移動するように前記揺動アームを揺動する揺動アーム揺動手段(14)とを含み、前記第1および第2処理部材の前記揺動アームに対する取付け位置、前記回転軸線の位置、ならびに前記揺動軸線の位置は、前記第1および第2処理位置が下記式(1)を満たす位置関係をなすように調整されている、基板処理装置(1;100)である。
L1×L2=r2・・・(1)
(ただし、式(1)において、L1は前記揺動アームに沿う方向に関する前記第1処理位置と前記第2処理位置との距離を示しており、L2は前記回転軸線と前記揺動軸線との距離を示しており、rは、前記基板保持回転手段の回転および前記揺動アームの揺動により前記第1または第2処理位置が走査可能な領域である、前記回転軸線を中心とする円形の処理基準領域の半径を示している)
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すが、特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。以下、この項において同じ。
L1×L2=r2・・・(1)
(ただし、式(1)において、L1は前記揺動アームに沿う方向に関する前記第1処理位置と前記第2処理位置との距離を示しており、L2は前記回転軸線と前記揺動軸線との距離を示しており、rは、前記基板保持回転手段の回転および前記揺動アームの揺動により前記第1または第2処理位置が走査可能な領域である、前記回転軸線を中心とする円形の処理基準領域の半径を示している)
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すが、特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。以下、この項において同じ。
この構成によれば、第1および第2処理位置が前記式(1)を満たしているので、基板の主面の周縁部において、第1処理位置が処理基準領域の外周縁上に位置する状態では、第2処理位置も処理基準領域の外周縁上に位置している。これにより、基板処理基準領域の外周縁における複数の処理部材の各々による処理位置の位置精度を向上させることができる。ゆえに、処理基準領域内を、その外周縁まで効率良く処理することができる。
請求項2に記載の発明は、前記揺動アームに保持される前記第1および第2処理部材の少なくとも一方を、前記揺動アームに沿う方向に関して移動させるための処理部材移動手段(28)と、前記処理部材移動手段を制御して、前記第1および第2処理位置が前記式(1)を満たす位置関係をなすように前記第1および第2処理部材の少なくとも一方を移動させる移動制御手段(30)とをさらに含む、請求項1に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理部材移動手段の駆動により、揺動アームに保持される第1および第2処理部材の少なくとも一方を、揺動アームに沿う方向に関して移動させることができる。したがって、処理基準領域の大きさが基板毎に変更される場合であっても、第1または第2処理部材の取付け位置の変更を正確かつ容易に行うことができる。
請求項3に記載の発明は、前記基板保持回転手段によって保持される基板主面の周縁部において、前記揺動アームを所定の範囲で揺動させる揺動制御手段(30)をさらに含み、前記移動制御手段は、前記揺動制御手段による前記揺動アームの揺動に伴う前記処理基準領域の変化に応じて、前記第1および第2処理部材の少なくとも一方を移動させる、請求項2に記載の基板処理装置である。
請求項3に記載の発明は、前記基板保持回転手段によって保持される基板主面の周縁部において、前記揺動アームを所定の範囲で揺動させる揺動制御手段(30)をさらに含み、前記移動制御手段は、前記揺動制御手段による前記揺動アームの揺動に伴う前記処理基準領域の変化に応じて、前記第1および第2処理部材の少なくとも一方を移動させる、請求項2に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、揺動アームの揺動に伴う処理基準領域の(半径の)変化に応じて、第1および第2処理位置が式(1)を満たす位置関係をなすように、第1および第2処理部材の少なくとも一方が移動させられる。1枚の基板の処理中において第1および第2処理部材が揺動アームの揺動により基板の半径方向に移動させられる。このとき、第1および第2処理位置が式(1)を満たす位置関係をなすように、第1および第2処理部材の少なくとも一方を揺動アームに沿う方向に関して移動させることにより、揺動アームの揺動に拘らず、第1および第2処理位置の基板中心からの距離を、互いに等しく保つことができる。
また、請求項4に記載のように、前記第1処理部材は、前記基板保持回転手段により回転される基板の主面に処理液を吐出する第1ノズル(5)であり、前記第2処理部材は、前記基板保持回転手段により回転される基板の主面に処理液を吐出する第2ノズル(6)であり、前記第1処理位置は、前記第1ノズルから吐出される処理液の第1着液位置(P1)であり、前記第2処理位置は、前記第2ノズルから吐出される処理液の第2着液位置(P2)であってもよい。
また、請求項5に記載のように、前記第1処理部材は、前記基板保持回転手段により回転される基板の主面と接触して、当該接触位置を洗浄するための第1スクラブブラシ(105)であり、前記第2処理部材は、前記基板保持回転手段により回転される基板の主面と接触して、当該接触位置を洗浄するための第2スクラブブラシ(106)であり、前記第1処理位置は、前記第1スクラブブラシとの第1接触位置(P3)であり、前記第2処理位置は、前記第2スクラブブラシとの第2接触位置(P4)であってもよい。
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1を水平方向から見た図である。 図2は、図1に示す次に述べる処理室2内の構成を示す平面図である。基板処理装置1は、基板Wの一例としての円形の半導体ウエハデバイス形成面、またはその裏面(以下、「基板Wの表面」という。)に対し、処理液(薬液および水)による処理を施すための枚葉式の装置である。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1を水平方向から見た図である。 図2は、図1に示す次に述べる処理室2内の構成を示す平面図である。基板処理装置1は、基板Wの一例としての円形の半導体ウエハデバイス形成面、またはその裏面(以下、「基板Wの表面」という。)に対し、処理液(薬液および水)による処理を施すための枚葉式の装置である。
基板処理装置1は、隔壁2Aにより区画された処理室2内に、基板Wを水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック(基板保持回転手段)3と、スピンチャック3の周囲を包囲するカップ4と、スピンチャック3に保持されている基板Wの表面に薬液を供給するための第1および第2薬液ノズル(第1および第2ノズル)5,6と、スピンチャック3に保持されている基板Wの表面にリンス液を供給するためのリンス液ノズル7とを備えている。
スピンチャック3として、たとえば挟持式のものが採用されている。具体的には、スピンチャック3は、鉛直方向に延びるスピン軸8と、スピン軸8の上端にほぼ水平に取り付けられた円板状のスピンベース9と、スピンベース9の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられた複数個(たとえば6個)の挟持部材10と、スピン軸8と一体化された駆動軸を有し、モータを含む構成の回転駆動機構11とを備えている。これにより、スピンチャック3は、複数個の挟持部材10によって基板Wを挟持した状態で、回転駆動機構11の回転駆動力によってスピンベース9を回転させることにより、その基板Wを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース9とともに回転軸線C周りに回転させることができる。
なお、スピンチャック3としては、挟持式のものに限らず、たとえば基板Wの裏面を真空吸着することにより、基板Wを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線周りに回転することにより、その保持した基板Wを回転させることができる真空吸着式のもの(バキュームチャック)が採用されてもよい。
第1薬液ノズル5は、たとえば、その下端に設けられた吐出口5Aから連続流の状態で薬液を下方に吐出するストレートノズルであり、薬液貯留タンク18に溜められる薬液が供給される第1薬液供給管15が接続されている。第1薬液供給管15の途中部には、薬液貯留タンク18に溜められた薬液を汲み出すための第1ポンプ17、および第1薬液ノズル5からの薬液の供給/供給停止を切り換えるための第1薬液バルブ16が、薬液貯留タンク18側からこの順で介装されている。
第1薬液ノズル5は、たとえば、その下端に設けられた吐出口5Aから連続流の状態で薬液を下方に吐出するストレートノズルであり、薬液貯留タンク18に溜められる薬液が供給される第1薬液供給管15が接続されている。第1薬液供給管15の途中部には、薬液貯留タンク18に溜められた薬液を汲み出すための第1ポンプ17、および第1薬液ノズル5からの薬液の供給/供給停止を切り換えるための第1薬液バルブ16が、薬液貯留タンク18側からこの順で介装されている。
第2薬液ノズル6は、たとえば、その下端に設けられた吐出口6Aから連続流の状態で薬液を下方に吐出するストレートノズルであり、薬液貯留タンク18に溜められる薬液が供給される第2薬液供給管20が接続されている。第2薬液供給管20の途中部には、薬液貯留タンク18に溜められた薬液を汲み出すための第2ポンプ22、および第2薬液ノズル6からの薬液の供給/供給停止を切り換えるための第2薬液バルブ21が、薬液貯留タンク18側からこの順で介装されている。図2に示すように、第1および第2薬液ノズル5,6(吐出口5A,6A)は、平面視で、後述する揺動軸線Aと直線L3上に並んでいる。なお図1では、薬液ノズル5,6毎に薬液供給管15,20を設けたが、共通の薬液供給管で薬液ノズル5,6に薬液を供給する構成を採用することもできる。
また、薬液としては、基板Wの表面に対する処理の内容に応じたものが用いられる。たとえば、基板Wの表面からパーティクルを除去するための洗浄処理を行うときは、SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture:アンモニア過酸化水素水)などが用いられる。また、基板Wの表面から酸化膜などをエッチングするための洗浄処理を行うときは、フッ酸やBHF(Bufferd HF)などが用いられ、基板Wの表面に形成されたレジスト膜を剥離するレジスト剥離処理や、レジスト剥離後の基板Wの表面にポリマーとなって残留しているレジスト残渣を除去するためのポリマー除去処理を行うときは、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水)やSC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture:アンモニア過酸化水素水)などのレジスト剥離液やポリマー除去液が用いられる。金属汚染物を除去する洗浄処理には、フッ酸やSC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture:塩酸過酸化水素水)やSPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水)などが用いられる。
第1および第2薬液ノズル5,6は、基板Wの表面における薬液の供給位置を変更できるスキャンノズルとしての基本形態を有している。
第1薬液ノズル5は、スピンチャック3の上方でほぼ水平に延びた揺動アーム13の先端部の下面に固定的に取り付けられている。揺動アーム13は、スピンチャック3の側方でほぼ鉛直に延びたアーム支持軸12に支持されている。アーム支持軸12には、モータを含む構成の揺動駆動機構(揺動アーム揺動手段)14が結合されている。この揺動駆動機構14の駆動力によって、アーム支持軸12を回動させて、揺動アーム13を揺動させることができるようになっている。
第1薬液ノズル5は、スピンチャック3の上方でほぼ水平に延びた揺動アーム13の先端部の下面に固定的に取り付けられている。揺動アーム13は、スピンチャック3の側方でほぼ鉛直に延びたアーム支持軸12に支持されている。アーム支持軸12には、モータを含む構成の揺動駆動機構(揺動アーム揺動手段)14が結合されている。この揺動駆動機構14の駆動力によって、アーム支持軸12を回動させて、揺動アーム13を揺動させることができるようになっている。
第2薬液ノズル6は、揺動アーム13の途中部の下面に取り付けられている。第2薬液ノズル6は、揺動アーム13の長手方向(揺動アーム13に沿う方向)にスライド可能なスライド体27を介して揺動アーム13に取り付けられている。そのため、第2薬液ノズル6は、揺動アーム13の長手方向にスライド可能に設けられている。スライド体27には、モータやボールねじを含む構成のスライド駆動機構(処理部材移動手段)28が結合されている。
スライド駆動機構28からスライド体27に駆動力を入力して、スライド体27を第2薬液ノズル6ごと揺動アーム13の長手方向に沿って移動させることにより、第1および第2薬液ノズル5,6間の距離(揺動アーム13の長手方向を変更することができるようになっている。
揺動駆動機構14からアーム支持軸12に回転駆動力を入力して、アーム支持軸12を所定の回動範囲内で回動させることにより、スピンチャック3に保持された基板Wの上方で、基板Wの表面に沿って揺動アーム13を揺動させることができ、この揺動アーム13の揺動により、第1および第2ノズル5,6を、スピンチャック3の側方(すなわち、基板W外に相当)のホームポジション(図示しない)と、スピンチャック3に保持された基板Wの表面上との間を揺動させることができる。
揺動駆動機構14からアーム支持軸12に回転駆動力を入力して、アーム支持軸12を所定の回動範囲内で回動させることにより、スピンチャック3に保持された基板Wの上方で、基板Wの表面に沿って揺動アーム13を揺動させることができ、この揺動アーム13の揺動により、第1および第2ノズル5,6を、スピンチャック3の側方(すなわち、基板W外に相当)のホームポジション(図示しない)と、スピンチャック3に保持された基板Wの表面上との間を揺動させることができる。
このとき、第1薬液ノズル5の吐出口5Aは、基板Wの表面に設定された円弧軌道31(図2参照)に沿って移動する。この円弧軌道31は、アーム支持軸12の中心軸をなす揺動軸線Aを中心とする円弧形状をなし、かつ回転軸線Cを通っている。したがって、第1薬液ノズル5から薬液を吐出させつつ、揺動アーム13を揺動させることにより、基板Wの表面における薬液の着液位置P1は、円弧軌道31上を移動する。
また、第2薬液ノズル6の吐出口6Aは、基板Wの表面に設定された円弧軌道32(図2参照)に沿って移動する。この円弧軌道32は、アーム支持軸12の中心軸をなす揺動軸線Aを中心とする円弧形状をなしている。したがって、第2薬液ノズル6から薬液を吐出させつつ、揺動アーム13を揺動させることにより、基板Wの表面における薬液の着液位置P2は、円弧軌道32上を移動する。
リンス液ノズル7は、たとえば、連続流の状態でリンス液を供給するストレートノズルであり、スピンチャック3の上方で、その吐出口をウエハWの回転軸線C上に向けて固定的に配置されている。このリンス液ノズル7には、リンス液供給源からのリンス液が供給されるリンス液供給管24が接続されている。リンス液供給管24の途中部には、リンス液ノズル7からのリンス液の供給/供給停止を切り換えるためのリンス液バルブ23が介装されている。リンス液としては、純水(脱イオン水:Deionized Water)、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、または、希釈濃度(たとえば10〜100ppm程度)の塩酸水などを例示することができる。
基板処理装置1は、マイクロコンピュータを含む構成の制御部(移動制御手段、揺動制御手段)30を備えている。制御部30は、予め定められたプログラムに従って、回転駆動機構11、揺動駆動機構14、スライド駆動機構28、第1および第2ポンプ17,22などの動作を制御する。さらに、制御部30は、第1および第2薬液バルブ16,21、リンス液バルブ23等の開閉動作を制御する。
また、制御部30には、オペレータの操作に伴う操作部40からの指示信号が入力されるようになっている。操作部40は、基板処理の内容を規定するためのレシピを入力するためのレシピ入力部(図示しない)を有している。レシピ入力部の操作によって入力されたレシピは制御部30の記憶部(図示しない)に登録されるようになっている。制御部30に登録されるレシピは、少なくとも後述するエッジカットEC(図2、図3、図8および図9参照)の大きさを指定するものである。なお、レシピの作成は、必ずしもレシピ入力部の操作によって行われる必要はなく、パーソナルコンピュータその他の適当な処理装置で別途作成されたレシピを制御部30の記憶部にダウンロードして格納するようにしてもよい。
基板処理(後述する処理液処理)の実行に先立ち、登録されているレシピにより指定される次に述べるエッジカットECの大きさに基づいて、制御部30がスライド駆動機構28を制御する。具体的には、第1薬液ノズル5からの第1着液位置P1および第2薬液ノズル6からの第2着液位置P2が下記式(2)を満足するように、揺動アーム13に対する第2薬液ノズル6の位置が調整される。
L1P×L2=rP 2・・・(2)
ただし、前記式(2)において、L1Pは、揺動アーム13の長手方向に関する第1および第2着液位置P1,P2間の距離を示しており、L2は、回転軸線Cと揺動軸線Aとの距離を示している。また、rPは、スピンチャック3の回転および揺動アーム13の揺動により第1または第2着液位置P1,P2が走査可能な、回転軸線Cを中心とする円形の処理基準領域WPの半径である。この実施形態では、処理基準領域WPは、基板Wの表面全域からその周縁部の環状の非処理領域を除いた領域であり、rPは、基板Wの半径から、非処理領域の幅(以下、「エッジカット」という)ECを差し引いたものである。したがって、レシピによって指定されるエッジカットECの大きさに基づいて、処理基準領域WPの半径rPが決定される。
L1P×L2=rP 2・・・(2)
ただし、前記式(2)において、L1Pは、揺動アーム13の長手方向に関する第1および第2着液位置P1,P2間の距離を示しており、L2は、回転軸線Cと揺動軸線Aとの距離を示している。また、rPは、スピンチャック3の回転および揺動アーム13の揺動により第1または第2着液位置P1,P2が走査可能な、回転軸線Cを中心とする円形の処理基準領域WPの半径である。この実施形態では、処理基準領域WPは、基板Wの表面全域からその周縁部の環状の非処理領域を除いた領域であり、rPは、基板Wの半径から、非処理領域の幅(以下、「エッジカット」という)ECを差し引いたものである。したがって、レシピによって指定されるエッジカットECの大きさに基づいて、処理基準領域WPの半径rPが決定される。
第1および第2着液位置P1,P2が前記式(2)を満足する場合、基板Wの第1周縁部WC1において第1着液位置P1が処理基準領域WPの外周縁上に位置する状態では、第2着液位置P2も処理基準領域WPの外周縁上に位置している。また、第1周縁部WC1と回転軸線Cを挟んで反対側にある第2周縁部WC2において、第1着液位置P1が処理基準領域WPの外周縁上に位置する状態では、第2着液位置P2も処理基準領域WPの外周縁上に位置している。その理由を、図3を参照しつつ説明する。
図3は、基板Wの周縁部にある第1および第2着液位置P1,P2、揺動軸線A、ならびに回転軸線Cの位置関係を座標平面上に示す図である。図3では、回転軸線Cを座標中心に配置した場合を示している。図3では、第1着液位置P1、第2着液位置P2および揺動軸線Aが一直線上に並んでいる。
揺動軸線Aの座標を(a,b)とする。また、座標中心である回転軸線Cの座標は(0,0)である。そのため、第1着液位置P1の座標が(−L1P/2,b)であり、第2着液位置P2の座標が(L1P/2,b)である。
揺動軸線Aの座標を(a,b)とする。また、座標中心である回転軸線Cの座標は(0,0)である。そのため、第1着液位置P1の座標が(−L1P/2,b)であり、第2着液位置P2の座標が(L1P/2,b)である。
そして、第1着液位置P1および第2着液位置P2がそれぞれ処理基準領域WPの外周縁上に位置している場合を考える。
この場合、第1着液位置P1が、半径L2を有し揺動軸線Aを中心とする円弧P1〜C上に位置している。そのため、円弧P1〜C上の各座標(x,y)は次の式(3)を満たしている。
(x−a)2+(y−b)2=L22 ・・・(3)
式(3)に第1着液位置P1の座標(−L1P/2,b)を当てはめることにより次の式(4)が得られる。
L1P 2/4+aL1P+a2−L22=0 ・・・(4)
一方、第1着液位置P1は、処理基準領域WPの外周縁をなす円周上に位置している。そのため、当該円周上の各座標(x,y)は次の式(5)を満たしている。
x2+y2=rP 2 ・・・(5)
式(5)に第1着液位置P1の座標(−L1P/2,b)を当てはめることにより、次の式(6)が得られる。
L1P 2/4+b2−rP 2=0 ・・・(6)
このとき、揺動軸線Aの座標(a,b)と、回転軸線Cと揺動軸線Aとの距離L2との関係に基づいて、次の式(7)が得られる。
b2=L22−a2 ・・・(7)
また、式(6)および式(7)から次の式(8)が得られる。
L1P 2/4+L22−a2−rP 2=0 ・・・(8)
そして、式(4)および式(8)から次の式(9)が得られる。
L1P 2/2+aL1P−rP 2=0 ・・・(9)
さらに、揺動軸線Aの座標(a,b)と第1着液位置P1の座標(−L1P/2,b)とを結ぶ線分A−P1の距離がL2であるから、次の式(10)が得られる。
a=L2−L1P/2・・・(10)
式(10)を式(9)に当てはめることにより前記式(2)が得られる。したがって、式(2)を満足する場合には、第1着液位置P1および第2着液位置P2が処理基準領域WPの外周縁上に位置しているといえる。
この場合、第1着液位置P1が、半径L2を有し揺動軸線Aを中心とする円弧P1〜C上に位置している。そのため、円弧P1〜C上の各座標(x,y)は次の式(3)を満たしている。
(x−a)2+(y−b)2=L22 ・・・(3)
式(3)に第1着液位置P1の座標(−L1P/2,b)を当てはめることにより次の式(4)が得られる。
L1P 2/4+aL1P+a2−L22=0 ・・・(4)
一方、第1着液位置P1は、処理基準領域WPの外周縁をなす円周上に位置している。そのため、当該円周上の各座標(x,y)は次の式(5)を満たしている。
x2+y2=rP 2 ・・・(5)
式(5)に第1着液位置P1の座標(−L1P/2,b)を当てはめることにより、次の式(6)が得られる。
L1P 2/4+b2−rP 2=0 ・・・(6)
このとき、揺動軸線Aの座標(a,b)と、回転軸線Cと揺動軸線Aとの距離L2との関係に基づいて、次の式(7)が得られる。
b2=L22−a2 ・・・(7)
また、式(6)および式(7)から次の式(8)が得られる。
L1P 2/4+L22−a2−rP 2=0 ・・・(8)
そして、式(4)および式(8)から次の式(9)が得られる。
L1P 2/2+aL1P−rP 2=0 ・・・(9)
さらに、揺動軸線Aの座標(a,b)と第1着液位置P1の座標(−L1P/2,b)とを結ぶ線分A−P1の距離がL2であるから、次の式(10)が得られる。
a=L2−L1P/2・・・(10)
式(10)を式(9)に当てはめることにより前記式(2)が得られる。したがって、式(2)を満足する場合には、第1着液位置P1および第2着液位置P2が処理基準領域WPの外周縁上に位置しているといえる。
図4は、基板処理装置1によって実行される処理液処理の処理例を示す工程図である。図4に示す処理例について、図1〜図4を参照しつつ説明する。
処理液処理の実行に際して、まず、図示しない基板搬送ロボットにより未処理の基板Wが基板処理装置1に搬入され(ステップS1)、基板Wが、その表面(デバイス形成面)を上方に向けた状態でスピンチャック3に保持される。
処理液処理の実行に際して、まず、図示しない基板搬送ロボットにより未処理の基板Wが基板処理装置1に搬入され(ステップS1)、基板Wが、その表面(デバイス形成面)を上方に向けた状態でスピンチャック3に保持される。
基板Wがスピンチャック3に保持された後、制御部30は回転駆動機構11を制御して、基板Wを回転軸線C周りに回転させる。また、制御部30は、揺動駆動機構14を制御して揺動アーム13を揺動軸線A周りに揺動させて、第1および第2薬液ノズル5,6を、基板Wの回転範囲外のホームポジション(図示しない)から、基板Wの表面の上方へと配置させる。
第1および第2薬液ノズル5,6が基板Wの上方に配置されると、次いで薬液を用いた薬液処理が実行される(ステップS2)。
この薬液処理では、制御部30が薬液バルブ16,21を開くことにより、第1および第2薬液ノズル5,6から薬液が吐出される。また、制御部30が揺動駆動機構14を制御することにより、揺動アーム13が所定の角度範囲内で揺動させられる。これによって、第1および第2薬液ノズル5,6の吐出口5A,6Aから吐出される薬液が導かれる基板Wの表面上の着液位置は、基板Wの第1周縁部WC1から第2周縁部WC2に至る範囲内を、基板Wの回転方向と交差する略円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。このとき、基板Wの表面に供給された薬液は、基板Wの回転により生じる遠心力によって、基板Wの表面全域に拡げられる。したがって、基板Wの表面全域に薬液が供給される。
この薬液処理では、制御部30が薬液バルブ16,21を開くことにより、第1および第2薬液ノズル5,6から薬液が吐出される。また、制御部30が揺動駆動機構14を制御することにより、揺動アーム13が所定の角度範囲内で揺動させられる。これによって、第1および第2薬液ノズル5,6の吐出口5A,6Aから吐出される薬液が導かれる基板Wの表面上の着液位置は、基板Wの第1周縁部WC1から第2周縁部WC2に至る範囲内を、基板Wの回転方向と交差する略円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。このとき、基板Wの表面に供給された薬液は、基板Wの回転により生じる遠心力によって、基板Wの表面全域に拡げられる。したがって、基板Wの表面全域に薬液が供給される。
具体的には、揺動アーム13の揺動により、第1および第2薬液ノズル5,6の吐出口5A,6Aからの薬液の基板W表面上の着液位置が第1周縁部WC1上に達すると、揺動アーム13の揺動の揺動方向が反転し、第1および第2薬液ノズル5,6の吐出口5A,6Aからの薬液の基板W表面上の着液位置が、基板Wの表面中心部に向けて移動される。この着液位置が基板Wの表面中心部上を通過して第2周縁部WC2上に達すると、揺動アーム13の揺動の揺動方向が再度反転し、第1および第2薬液ノズル5,6の吐出口5A,6Aからの薬液の基板W表面上の着液位置が、基板Wの表面中心部に向けて移動される。
前述のように、第1および第2着液位置P1,P2は式(2)を満足している。そのため、第1周縁部WC1において第1着液位置P1が処理基準領域WPの外周縁上に位置する状態では、第2着液位置P2も処理基準領域WPの外周縁上に位置している。また、第2周縁部WC2において第1着液位置P1が処理基準領域WPの外周縁上に位置する状態では、第2着液位置P2も処理基準領域WPの外周縁上に位置している。
第1および第2着液位置P1,P2の往復動作が予め定める回数行われると、その後、薬液バルブ16,21が閉じられて基板Wへの薬液の吐出が停止されるとともに、揺動アーム13の揺動により第1および第2薬液ノズル5,6がホームポジションに戻される。
図1〜図4に示すように、次いで、制御部30がリンス液バルブ23を開くことにより、リンス液ノズル7からリンス液が基板Wの表面中心部に向けて吐出される。基板Wの表面に吐出されたリンス液は、基板Wの回転により生じる遠心力によって基板Wの表面全域に拡げられ、基板Wの表面に付着する薬液が洗い流される(S3:リンス処理)。
図1〜図4に示すように、次いで、制御部30がリンス液バルブ23を開くことにより、リンス液ノズル7からリンス液が基板Wの表面中心部に向けて吐出される。基板Wの表面に吐出されたリンス液は、基板Wの回転により生じる遠心力によって基板Wの表面全域に拡げられ、基板Wの表面に付着する薬液が洗い流される(S3:リンス処理)。
所定のリンス時間にわたってリンス処理が実行された後、リンス液バルブ23が閉じられ、リンス液ノズル7からのリンス液の吐出が停止される。
次いで、制御部30は、基板Wの回転速度を、それまでよりも高速の乾燥速度まで加速させる(S4:スピンドライ)。これにより、基板Wに付着しているリンス液が周囲に振り切られ、基板Wが乾燥される。
次いで、制御部30は、基板Wの回転速度を、それまでよりも高速の乾燥速度まで加速させる(S4:スピンドライ)。これにより、基板Wに付着しているリンス液が周囲に振り切られ、基板Wが乾燥される。
所定の乾燥処理時間にわたってスピンドライが実行された後、回転駆動機構11の回転が停止される。その後、基板搬送ロボットによって、スピンチャック3から処理済みの基板Wが搬出される(ステップS5)。
以上により、第1実施形態によれば、第1および第2着液位置P1,P2がそれぞれ前記の式(2)を満たしているので、第1周縁部WC1において第1着液位置P1が処理基準領域WPの外周縁上に位置する状態では、第2着液位置P2も処理基準領域WPの外周縁上に位置している。また、第2周縁部WC2において第1着液位置P1が処理基準領域WPの外周縁上に位置する状態では、第2着液位置P2も処理基準領域WPの外周縁上に位置している。これにより、処理基準領域WPの外周縁における第1および第2着液位置P1,P2の位置精度を向上させることができる。ゆえに、処理基準領域WP内を、その外周縁まで効率良く処理することができる。
以上により、第1実施形態によれば、第1および第2着液位置P1,P2がそれぞれ前記の式(2)を満たしているので、第1周縁部WC1において第1着液位置P1が処理基準領域WPの外周縁上に位置する状態では、第2着液位置P2も処理基準領域WPの外周縁上に位置している。また、第2周縁部WC2において第1着液位置P1が処理基準領域WPの外周縁上に位置する状態では、第2着液位置P2も処理基準領域WPの外周縁上に位置している。これにより、処理基準領域WPの外周縁における第1および第2着液位置P1,P2の位置精度を向上させることができる。ゆえに、処理基準領域WP内を、その外周縁まで効率良く処理することができる。
ところで、薬液処理(ステップS2)において、第1および第2薬液ノズル5,6を基板Wの周縁部上に保持しつつ揺動アーム13を揺動させる周縁部揺動処理が実施されることもある。
たとえば薬液を基板Wの中心部のみに吐出する場合、基板Wの周縁部において薬液の活性度が低下するおそれがある。そのため、基板Wの周縁部上で揺動アーム13を揺動させて、基板Wの周縁部における薬液の着液位置を径方向にスキャンさせる(周縁部揺動処理を実施する)ことができ、これにより、基板Wの周縁部における薬液の活性度を高める結果、基板Wの全域に均一な処理を施すことができる。
たとえば薬液を基板Wの中心部のみに吐出する場合、基板Wの周縁部において薬液の活性度が低下するおそれがある。そのため、基板Wの周縁部上で揺動アーム13を揺動させて、基板Wの周縁部における薬液の着液位置を径方向にスキャンさせる(周縁部揺動処理を実施する)ことができ、これにより、基板Wの周縁部における薬液の活性度を高める結果、基板Wの全域に均一な処理を施すことができる。
図5は、基板Wに周縁部揺動処理を実施している状態を示す平面図である。図5では揺動アーム13の記載を省略し、揺動アーム13の動きを、直線L3を用いて表す。以下、図2および図5を参照しつつ、周縁部揺動処理を説明する。
周縁部揺動処理では、揺動アーム13(直線L3)を、所定の小幅の範囲内で往復揺動させる。この周縁部揺動処理の実施時には、第1および第2薬液ノズル5,6も揺動アーム13の揺動に伴って揺動アーム13の回転方向に移動する。この場合、揺動アーム13の揺動位置によらずに、第1着液位置P1の回転軸線Cからの距離を、第2着液位置P2の回転軸線Cからの距離と等しくする必要がある。
周縁部揺動処理では、揺動アーム13(直線L3)を、所定の小幅の範囲内で往復揺動させる。この周縁部揺動処理の実施時には、第1および第2薬液ノズル5,6も揺動アーム13の揺動に伴って揺動アーム13の回転方向に移動する。この場合、揺動アーム13の揺動位置によらずに、第1着液位置P1の回転軸線Cからの距離を、第2着液位置P2の回転軸線Cからの距離と等しくする必要がある。
図5に示すように、第1および第2薬液ノズル5,6が処理基準領域WPの外周縁上にあるときは、第1着液位置P1の回転軸線Cからの距離は、第2着液位置P2の回転軸線Cからの距離と等しい。しかしながら、揺動アーム13の揺動に伴って第1および第2薬液ノズル5,6が揺動アーム13の回転方向に移動すると、第1着液位置P1の回転軸線Cからの距離が、第2着液位置P2の回転軸線Cからの距離と異なるようになるおそれがある。
この場合、見方を変えれば、処理基準領域WPが拡大/縮小すると考えることもできる。図5では、処理基準領域を、処理基準領域WPから処理基準領域WP´まで拡大させる場合を例に挙げている。このとき、半径rPが変化しても、第1および第2着液位置P1,P2が式(2)を満足するように、第1および第2薬液ノズル5,6間の距離L1P(図3参照)を変更することができる。
これにより、揺動アーム13の揺動に拘らず、第1着液位置P1および第2着液位置P2における回転軸線Cからの距離を互いに等しく保つことができる。
第1実施形態では、第1および第2薬液ノズル5,6としてストレートノズルを採用した場合を例に挙げたが、第1および第2薬液ノズル5,6に二流体ノズルの構成を採用することもできる。
第1実施形態では、第1および第2薬液ノズル5,6としてストレートノズルを採用した場合を例に挙げたが、第1および第2薬液ノズル5,6に二流体ノズルの構成を採用することもできる。
図6は、二流体ノズルにより構成される処理液ノズル181の構成を図解的に示す断面図である。この処理液ノズル181は、処理液を微小な液滴で吐出するものである。処理液ノズル181から吐出される処理液として、第1実施形態で説明したような薬液や、純水(脱イオン水:Deionized Water)、炭酸水、希釈濃度(たとえば10〜100ppm程度)の塩酸水などを例示することができる。
処理液ノズル181は、ほぼ円柱状の外形を有している。処理液ノズル181は、ケーシングを構成する外筒182と、外筒182の内部に嵌め込まれた内筒183とを含む。
外筒182および内筒183は、各々共通の中心軸線L上に同軸配置されており、互いに連結されている。内筒183の内部空間は、処理液供給管(図示しない)からの処理液が流通する直線状の処理液流路184となっている。また、外筒182および内筒183との間には、図示しない気体供給源からの気体の一例である窒素ガスが供給される気体供給管185からの窒素ガスが流通する円筒状の気体流路186が形成されている。
外筒182および内筒183は、各々共通の中心軸線L上に同軸配置されており、互いに連結されている。内筒183の内部空間は、処理液供給管(図示しない)からの処理液が流通する直線状の処理液流路184となっている。また、外筒182および内筒183との間には、図示しない気体供給源からの気体の一例である窒素ガスが供給される気体供給管185からの窒素ガスが流通する円筒状の気体流路186が形成されている。
処理液流路184は、内筒183の上端で処理液導入口187として開口している。処理液流路184には、この処理液導入口187を介して処理液供給管(図示しない)からの処理液が導入される。また、処理液流路184は、内筒183の下端で、中心軸線L上に中心を有する円状の処理液吐出口188として開口している。処理液流路184に導入された処理液は、この処理液吐出口188から吐出される。
一方、気体流路186は、中心軸線Lと共通の中心軸線を有する円筒状の間隙であり、外筒182および内筒183の上端部で閉塞され、外筒182および内筒183の下端で、中心軸線L上に中心を有し、処理液吐出口188を取り囲む円環状の気体吐出口189として開口している。気体流路186の下端部は、気体流路186の長さ方向における中間部よりも流路面積が小さくされ、下方に向かって小径となっている。また、外筒182の中間部には、気体流路186に連通する気体導入口190が形成されている。
気体導入口190には、外筒182を貫通した状態で気体供給管185が接続されており、気体供給管185の内部空間と気体流路186とが連通されている。気体供給管185からの窒素ガスは、この気体導入口190を介して気体流路186に導入され、気体吐出口189から吐出される。処理液吐出口188から処理液を吐出させつつ、気体吐出口189から窒素ガスを吐出させることにより、処理液ノズル181の近傍で処理液に窒素ガスを衝突させて処理液の微小の液滴を生成することができ、処理液を噴霧状に吐出することができる。
処理液ノズル181からは処理液が噴霧状に吐出される。第1および第2薬液ノズルに代えてこのような二流体ノズルを採用する場合には、基板Wの周縁部において、二流体ノズルから吐出された噴霧状の処理液が、基板Wの周縁と当接している挟持部材10(図1参照)に当るおそれがある。この二流体ノズルからの着液位置(噴射位置)の位置精度が正確でないと、挟持部材10に当った処理液が、所期の方向とは異なる方向に跳ね返り、その周囲を汚染するおそれがある。
第1実施形態の第1および第2薬液ノズルとして処理液ノズル181を用いた場合、薬液ノズ181からの噴霧位置がそれぞれ前記の式(2)を満たすことができる。そのため、基板Wの表面の周縁部において、第1および第2薬液ノズルからの着液位置(噴射位置)の位置精度を高めることができる。その結果、第1および第2薬液ノズルから吐出される噴霧状態の薬液が、スピンチャック3の周囲を汚染するおそれがない。
図7は、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置100を水平方向から見た図である。図8は、図7に示す処理室2内の構成を示す平面図である。基板処理装置100は、基板Wの主面(たとえばデバイス形成面である表面)をスクラブ洗浄する枚葉型の装置である。第2実施形態において、前述の図1〜図4に示された各部と同等の構成部分には、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
基板処理装置100が第1実施形態に係る基板処理装置1と相違する主たる点は、第1および第2薬液ノズル5,6に代えて、基板Wの表面に接触して当該表面を洗浄するための第1および第2スクラブブラシ(洗浄部材)105,106を揺動アーム13に取り付けた点にある。
また、基板処理装置100は、基板Wの表面に洗浄液としての薬液を供給するための薬液ノズル107を備える。
また、基板処理装置100は、基板Wの表面に洗浄液としての薬液を供給するための薬液ノズル107を備える。
薬液ノズル107は、たとえば、連続流の状態で薬液を供給するストレートノズルである。薬液ノズル107は、スピンチャック3の上方で、その吐出口を基板Wの表面中心部上に向けて固定的に配置されている。
薬液ノズル107には、薬液供給配管115が接続されている。薬液供給配管115には、薬液バルブ116が介装されている。薬液バルブ116が開かれると、薬液供給配管115から薬液ノズル107に薬液が供給される。また、薬液バルブ116が閉じられると、薬液供給配管115から薬液ノズル107への薬液の供給が停止される。薬液ノズル107から供給された薬液は、スピンチャック3に保持された基板Wの表面中心部に向けて吐出される。
薬液ノズル107には、薬液供給配管115が接続されている。薬液供給配管115には、薬液バルブ116が介装されている。薬液バルブ116が開かれると、薬液供給配管115から薬液ノズル107に薬液が供給される。また、薬液バルブ116が閉じられると、薬液供給配管115から薬液ノズル107への薬液の供給が停止される。薬液ノズル107から供給された薬液は、スピンチャック3に保持された基板Wの表面中心部に向けて吐出される。
この実施形態では、薬液としては、基板Wの表面に対する洗浄処理の内容に応じたものが用いられる。たとえば、基板Wの表面からパーティクルを除去するための洗浄処理を行うときは、純水やSC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture:アンモニア過酸化水素水)などが用いられる。 第1および第2スクラブブラシ105,106は、基板Wの表面におけるブラシ105,106の接触位置を変更できるスキャンブラシとしての基本形態を有している。
第1スクラブブラシ105は、揺動アーム13の先端部の下面に固定的に取り付けられている。第1スクラブブラシ105は、たとえばPVA(ポリビニルアルコール)からなるスポンジ状のスクラブ部材であり、円柱状をなしている。第1スクラブブラシ105の下面は、基板Wの表面に接触するための半径rs(図8参照)の円形の第1洗浄面105Aを有している。
第2スクラブブラシ106は、スライド体27を介して揺動アーム13の途中部の下面に固定的に取り付けられている。第2スクラブブラシ106は、たとえばPVAからなるスポンジ状のスクラブ部材であり、円柱状をなしている。第2スクラブブラシ106の下面は、基板Wの表面に接触するための半径rs(第1洗浄面105Aと同径)の円形の第2洗浄面106Aを有している。図8に示すように、第1および第2洗浄面105A,106Aの中心105B,106Bは、平面視で、揺動軸線Aと直線L4上に並んでいる。また、第1および第2ブラシ接触位置P3,P4も直線L4上に並んでいる。
第1および第2洗浄面105A,106Aの鉛直方向の高さ位置は、それぞれ等しくなるように設定されている。第1および第2スクラブブラシ105,106は、基板Wの表面に薬液が供給されている間に、基板Wの表面に所定の押圧で各洗浄面105A,106Aを接触させることにより、基板Wの表面に洗浄を施す。
第2スクラブブラシ106はスライド体27を介して揺動アーム13に取り付けられているので、揺動アーム13の長手方向にスライド可能に取り付けられている。そのため、スライド駆動機構28からスライド体27に駆動力が入力されると、スライド体27は第2スクラブブラシ106ごと揺動アーム13の長手方向に沿って移動する。これにより、第1および第2スクラブブラシ105,106間の距離(後述する、揺動アーム13の長手方向に関する第1および第2ブラシ接触位置(第1および第2接触位置)P3,P4間の距離L1B)を変更することができるようになっている。
第2スクラブブラシ106はスライド体27を介して揺動アーム13に取り付けられているので、揺動アーム13の長手方向にスライド可能に取り付けられている。そのため、スライド駆動機構28からスライド体27に駆動力が入力されると、スライド体27は第2スクラブブラシ106ごと揺動アーム13の長手方向に沿って移動する。これにより、第1および第2スクラブブラシ105,106間の距離(後述する、揺動アーム13の長手方向に関する第1および第2ブラシ接触位置(第1および第2接触位置)P3,P4間の距離L1B)を変更することができるようになっている。
また、アーム支持軸12には、アーム支持軸12を上下動させるためのモータやボールねじなどを含む構成の昇降駆動機構114に結合されている。昇降駆動機構114は制御部30に制御対象として接続されている。アーム支持軸12の上下動により、第1および第2スクラブブラシ105,106を上下動させることができる。
この構成により、第1および第2スクラブブラシ105,106は、基板Wの上方で水平方向に移動することができるとともに、上下動して基板Wに接離することができる。ウエハWの回転中に、第1および第2スクラブブラシ105,106を基板Wの表面に接触させた状態で揺動アーム13を揺動させると、第1および第2スクラブブラシ105,106は回転軸線C上から基板Wの一周縁部(第1周縁部WC1)まで移動し、これにより、基板Wの表面の全域をスキャンしながらスクラブ洗浄処理を行う。
この構成により、第1および第2スクラブブラシ105,106は、基板Wの上方で水平方向に移動することができるとともに、上下動して基板Wに接離することができる。ウエハWの回転中に、第1および第2スクラブブラシ105,106を基板Wの表面に接触させた状態で揺動アーム13を揺動させると、第1および第2スクラブブラシ105,106は回転軸線C上から基板Wの一周縁部(第1周縁部WC1)まで移動し、これにより、基板Wの表面の全域をスキャンしながらスクラブ洗浄処理を行う。
揺動アーム13が揺動させられることにより、第1ブラシ接触位置P3は、基板Wの表面に設定された円弧軌道131(図8参照)に沿ってスキャン(移動)され、また、第2ブラシ接触位置P4は、基板Wの表面に設定された円弧軌道132(図7参照)に沿って移動される。円弧軌道131は、アーム支持軸12の中心軸をなす揺動軸線Aを中心とする円弧形状をなし、かつ回転軸線Cを通っている。また、円弧軌道132は、アーム支持軸12の中心軸をなす揺動軸線Aを中心とする円弧形状をなしている。
基板処理装置1の処理を行う前に実行されるティーチング(教示情報の取得)後には、オペレータによる操作部40の操作に基づいて、制御部30がスライド駆動機構28を制御する。具体的には、第1ブラシ接触位置P3および第2ブラシ接触位置P4が下記式(11)を満足するように、揺動アーム13に対する第2スクラブブラシ106の位置が調整される。
L1B×L2=rB 2・・・(11)
ただし、前記式(11)において、L1Bは、揺動アーム13の長手方向に関する第1および第2ブラシ接触位置P3,P4間の距離を示しており、L2は、回転軸線Cと揺動軸線Aとの距離を示している。また、rBは、スピンチャック3の回転および揺動アーム13の揺動により第1または第2ブラシ接触位置P3,P4が走査可能な、回転軸線Cを中心とする円形の処理基準領域WBの半径である。この実施形態では、rBは、基板Wの半径から、非処理領域の幅であるエッジカットECと第1および第2洗浄面105A,105Bの半径rsとをそれぞれ差し引いたものである。したがって、レシピによって指定されるエッジカットECの大きさと第1および第2洗浄面105A,105Bの半径rsとに基づいて、処理基準領域WBの半径rBが決定される。なお、この実施形態では、第1および第2スクラブブラシ105,106によって基板Wの周縁にごく近い位置まで洗浄できるように、エッジカットECは極めて微小な大きさに指定されている。
L1B×L2=rB 2・・・(11)
ただし、前記式(11)において、L1Bは、揺動アーム13の長手方向に関する第1および第2ブラシ接触位置P3,P4間の距離を示しており、L2は、回転軸線Cと揺動軸線Aとの距離を示している。また、rBは、スピンチャック3の回転および揺動アーム13の揺動により第1または第2ブラシ接触位置P3,P4が走査可能な、回転軸線Cを中心とする円形の処理基準領域WBの半径である。この実施形態では、rBは、基板Wの半径から、非処理領域の幅であるエッジカットECと第1および第2洗浄面105A,105Bの半径rsとをそれぞれ差し引いたものである。したがって、レシピによって指定されるエッジカットECの大きさと第1および第2洗浄面105A,105Bの半径rsとに基づいて、処理基準領域WBの半径rBが決定される。なお、この実施形態では、第1および第2スクラブブラシ105,106によって基板Wの周縁にごく近い位置まで洗浄できるように、エッジカットECは極めて微小な大きさに指定されている。
第1および第2ブラシ接触位置P3,P4が式(11)を満足する場合、基板Wの第1周縁部WC1において第1ブラシ接触位置P3が処理基準領域WBの外周縁上に位置する状態では、第2ブラシ接触位置P4も処理基準領域WBの外周縁上に位置している。
図9は、基板Wの周縁部上にある第1および第2ブラシ接触位置P3,P4、揺動軸線A、ならびに回転軸線Cの位置関係を座標平面上に示す図である。図9では、回転軸線Cを座標中心に配置した場合を示している。図9では、第1ブラシ接触位置P3、第2ブラシ接触位置P4および揺動軸線Aが一直線上に並んでいる。
図9は、基板Wの周縁部上にある第1および第2ブラシ接触位置P3,P4、揺動軸線A、ならびに回転軸線Cの位置関係を座標平面上に示す図である。図9では、回転軸線Cを座標中心に配置した場合を示している。図9では、第1ブラシ接触位置P3、第2ブラシ接触位置P4および揺動軸線Aが一直線上に並んでいる。
図9では、揺動軸線Aの座標を(a,b)とする。また、座標中心である回転軸線Cの座標は(0,0)である。そのため、第1ブラシ接触位置P3の座標が(−L1B/2,b)であり、第2ブラシ接触位置P4の座標が(L1B/2,b)である。また、処理基準領域WBが基板Wの中心(回転軸線C)を中心とする円形をなし、その処理基準領域WBの半径がrBであるとする。
前述の第1実施形態において、式(3)〜式(10)から式(2)を導出したのと同等の手法により、前記式(11)を導出することができる。式(11)を満足する場合には、第1ブラシ接触位置P3および第2ブラシ接触位置P4が処理基準領域WBの外周縁上に位置しているといえる。
図10は、基板処理装置1によって実行される洗浄処理の処理例を示す工程図である。図10に示す処理例について、図7〜図10を参照しつつ説明する。
図10は、基板処理装置1によって実行される洗浄処理の処理例を示す工程図である。図10に示す処理例について、図7〜図10を参照しつつ説明する。
洗浄処理の実行に際して、まず、図示しない基板搬送ロボットにより未処理の基板Wが基板処理装置100に搬入され(ステップS11)、基板Wが、その表面(デバイス形成面)を上方に向けた状態でスピンチャック3に保持される。
基板Wがスピンチャック3に保持された後、制御部30は回転駆動機構11を制御して、基板Wを回転軸線C周りに回転させる。また、制御部30は、揺動駆動機構14を制御して揺動アーム13を揺動軸線A周りに揺動させて、第1および第2スクラブブラシ105,106を、基板Wの回転範囲外のホームポジション(図示しない)から、基板Wの表面の上方へ配置させる。
基板Wがスピンチャック3に保持された後、制御部30は回転駆動機構11を制御して、基板Wを回転軸線C周りに回転させる。また、制御部30は、揺動駆動機構14を制御して揺動アーム13を揺動軸線A周りに揺動させて、第1および第2スクラブブラシ105,106を、基板Wの回転範囲外のホームポジション(図示しない)から、基板Wの表面の上方へ配置させる。
第1および第2スクラブブラシ105,106が基板Wの上方に配置されると、次いでスクラブ洗浄処理が実行される(ステップS12)。
このスクラブ洗浄処理では、制御部30は、薬液バルブ116を開き、薬液ノズル107から基板Wの表面の回転軸線C上に向けて薬液を供給させる。この薬液は、ウエハW上で遠心力を受けて、基板Wの周縁部へと向かう薬液流を形成する。
このスクラブ洗浄処理では、制御部30は、薬液バルブ116を開き、薬液ノズル107から基板Wの表面の回転軸線C上に向けて薬液を供給させる。この薬液は、ウエハW上で遠心力を受けて、基板Wの周縁部へと向かう薬液流を形成する。
制御部30は、さらに、揺動駆動機構14および昇降駆動機構114を制御することにより、第1スクラブブラシ105が回転軸線C上に位置するように、第1および第2スクラブブラシ105,106を基板Wの中心部へと導く。その後、制御部30は、昇降駆動機構114を制御することにより、第1および第2スクラブブラシ105,106を下降させ、基板Wの表面に接触させる。この状態で、制御部30は、さらに、揺動駆動機構14を制御し、第1および第2スクラブブラシ105,106を基板Wの中心部から基板Wの第1周縁部WC1へと移動させる。これにより、基板Wの表面のほぼ全域がスキャンされつつスクラブ洗浄されることになる。
第1および第2スクラブブラシ105,106が基板Wの第1周縁部WC1に達すると、制御部30は、昇降駆動機構114を制御して第1および第2スクラブブラシ105,106を上昇させて、基板Wの表面から離間させる。この状態で、制御部30は、さらに、揺動駆動機構14を制御して、第1および第2スクラブブラシ105,106を基板Wの中心部へと導く(第1スクラブブラシ105を回転軸線C上へと導く)。以後、同様の動作が繰り返されることにより、基板Wのスクラブ洗浄が行われる。第1および第2スクラブブラシ105,106によるスクラブによって基板Wの表面から剥離した異物は、基板W上の薬液流によって基板Wの外方へと排除される。
前述のように、第1および第2ブラシ接触位置P3,P4は式(11)を満足する位置に配置されている。そのため、第1周縁部WC1において第1ブラシ接触位置P3が処理基準領域WBの外周縁上に位置する状態では、第2ブラシ接触位置P4も処理基準領域WBの外周縁上に位置している。
第1および第2ブラシ接触位置P3,P4のスキャン動作が予め定める回数行われると、その後、薬液バルブ116が閉じられて基板Wへの薬液の吐出が停止されるとともに、揺動アーム13の揺動により第1および第2スクラブブラシ105,106がホームポジションに戻される。
第1および第2ブラシ接触位置P3,P4のスキャン動作が予め定める回数行われると、その後、薬液バルブ116が閉じられて基板Wへの薬液の吐出が停止されるとともに、揺動アーム13の揺動により第1および第2スクラブブラシ105,106がホームポジションに戻される。
その後、ステップS13のリンス処理、ステップS14のスピンドライが実行される。ステップS13のリンス処理は図4に示すS3と同等の処理であり、ステップS14のスピンドライは図4に示すS4と同等の処理である。
その後、回転駆動機構11の回転が停止され、基板搬送ロボットによって、スピンチャック3から処理済みの基板Wが搬出される(ステップS15)。
その後、回転駆動機構11の回転が停止され、基板搬送ロボットによって、スピンチャック3から処理済みの基板Wが搬出される(ステップS15)。
以上により第2実施形態によれば、第1および第2ブラシ接触位置P3,P4がそれぞれ前記の式(11)を満たしているので、第1周縁部WC1において第1ブラシ接触位置P3が処理基準領域WBの外周縁上に位置する状態では、第2ブラシ接触位置P2も処理基準領域WBの外周縁上に位置している。これにより、処理基準領域WBの外周縁における第1および第2着液位置P1,P2の位置精度を向上させることができる。ゆえに、非処理領域を除く基板Wの主面を、効率良く処理することができる。
これにより、基板Wの表面の周縁部において、洗浄面105Aおよび洗浄面106Aによる洗浄位置の精度を向上させることができる。ゆえに、基板Wの表面の周縁部に処理むらを生じさせることなく、基板Wの表面の全域を効率良く処理することができる。
これにより、基板Wの表面の周縁部において、洗浄面105Aおよび洗浄面106Aによる洗浄位置の精度を向上させることができる。ゆえに、基板Wの表面の周縁部に処理むらを生じさせることなく、基板Wの表面の全域を効率良く処理することができる。
以上、この発明の2つの実施形態を説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。
たとえば第1実施形態において、図11に示すように、平面視において第1および第2薬液ノズル5,6(吐出口5A,6A)ならびに揺動軸線Aを結ぶ直線L3が揺動アーム13A上になくてもよい。図11では、直線L3は揺動アーム13Aに沿っているが、平面視で重なっていない状態を示す。また、図11と同様の構成を、第2実施形態における第1および第2スクラブブラシ105,106の取付け構成に採用することもできる。
たとえば第1実施形態において、図11に示すように、平面視において第1および第2薬液ノズル5,6(吐出口5A,6A)ならびに揺動軸線Aを結ぶ直線L3が揺動アーム13A上になくてもよい。図11では、直線L3は揺動アーム13Aに沿っているが、平面視で重なっていない状態を示す。また、図11と同様の構成を、第2実施形態における第1および第2スクラブブラシ105,106の取付け構成に採用することもできる。
また、第1実施形態において、第1着液位置P1が回転軸線C上を通るものとして説明したが、第2着液位置P2が回転軸線C上を通るように、第1および第2薬液ノズル5,6を揺動アーム13に取り付けてもよい。
また、第1実施形態において、2個の薬液ノズル5,6が揺動アーム13に取り付けられた構成を例に挙げて説明したが、3個以上の薬液ノズルが揺動アーム13に取り付けられた構成を採用することもできる。この場合、複数の薬液ノズルの吐出口は、揺動軸線Aと一直線上に並んでいることが好ましい。
また、第1実施形態において、2個の薬液ノズル5,6が揺動アーム13に取り付けられた構成を例に挙げて説明したが、3個以上の薬液ノズルが揺動アーム13に取り付けられた構成を採用することもできる。この場合、複数の薬液ノズルの吐出口は、揺動軸線Aと一直線上に並んでいることが好ましい。
また、第1実施形態において、第2薬液ノズル6を揺動アーム13の長手方向に移動させることにより、揺動アーム13の長手方向に関する第1および第2着液位置P1,P2間の距離L1Pを調整するものとして説明したが、距離L1Pの調整を、第1薬液ノズル5のみを移動させることにより行ってもよいし、また第1および第2薬液ノズル5,6の双方を移動させることにより行ってもよい。
また、第1実施形態において、薬液の着液位置P1,P2を第1周縁部WC1と第2周縁部WC2との間で往復移動させるようにした(フルスキャン、往復スキャン)が、薬液の着液位置P1,P2を、基板Wの中心部と基板Wの一周縁部(たとえば第1周縁部WC1)との間を移動させるようにしてもよい。この場合、薬液の着液位置P1,P2を、往復移動ではなく、基板Wの中心部から基板Wの一周縁部に向けて一方向に移動させるようにしてもよい。
また、第2実施形態において、揺動アーム13にブラシ回転駆動機構が内蔵されており、このブラシ回転駆動機構によって、第1および第2スクラブブラシ105,106を共通の回転駆動機構により鉛直の中心軸線周りにそれぞれ自転させるようにしてもよい。
また、第2実施形態において、スクラブ洗浄処理中に基板Wの表面に薬液を供給するものとして説明したが、基板Wの表面に水を供給しつつ、第1および第2スクラブブラシ105,106を移動させるようにしてもよい。この場合、基板Wの表面に供給される水として、純水(脱イオン水:Deionized Water)、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、または、希釈濃度(たとえば10〜100ppm程度)の塩酸水などを例示することができる。
また、第2実施形態において、スクラブ洗浄処理中に基板Wの表面に薬液を供給するものとして説明したが、基板Wの表面に水を供給しつつ、第1および第2スクラブブラシ105,106を移動させるようにしてもよい。この場合、基板Wの表面に供給される水として、純水(脱イオン水:Deionized Water)、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、または、希釈濃度(たとえば10〜100ppm程度)の塩酸水などを例示することができる。
また、第2実施形態において、第1ブラシ接触位置P3が回転軸線C上を通るものとして説明したが、第2ブラシ接触位置P4が回転軸線C上を通るように、第1および第2スクラブブラシ105,106を揺動アーム13に取り付けてもよい。
また、第2実施形態において、2個のスクラブブラシ105,106が揺動アーム13に取り付けられた構成を例に挙げて説明したが、3個以上のスクラブブラシが揺動アーム13に取り付けられた構成を採用することもできる。この場合、複数のスクラブブラシの円形の洗浄面の中心が、揺動軸線Aと一直線上に並んでいることが好ましい。
また、第2実施形態において、2個のスクラブブラシ105,106が揺動アーム13に取り付けられた構成を例に挙げて説明したが、3個以上のスクラブブラシが揺動アーム13に取り付けられた構成を採用することもできる。この場合、複数のスクラブブラシの円形の洗浄面の中心が、揺動軸線Aと一直線上に並んでいることが好ましい。
また、第2実施形態において、第2スクラブブラシ106を揺動アーム13の長手方向に移動させることにより、揺動アーム13の長手方向に関する第1および第2ブラシ接触位置P3,P4間の距離L1Bを調整するものとして説明したが、距離L1Bの調整を、第1スクラブブラシ105のみを移動させることにより行ってもよいし、また第1および第2スクラブブラシ105,106の双方を移動させることにより行ってもよい。
第2実施形態において、ブラシ接触位置P3,P4を、基板Wの中心部から基板Wの一周縁部に向けて一方向に移動させるようにした(ハーフスキャン、一方向スキャン)が、ブラシ接触位置P3,P4を、基板Wの中心部と基板Wの一周縁部との間を往復させるようにしてもよい。また、ブラシ接触位置P3,P4を、基板Wの一周縁部と、当該一周縁部と回転軸線Cを挟んで反対側にある他周縁部との間で往復移動させるようにしてもよい。
また、第1および第2実施形態において、制御部30に登録されるレシピには処理基準領域WP,WBの径の大きさが指定されており、レシピにより指定される処理基準領域WP,WBの径の大きさに基づいて、制御部30がスライド駆動機構28を制御するようにしてもよい。
また、第1および第2実施形態において、制御部30による制御により前記の距離L1Pおよび前記の距離L1Bを調整する場合を例に挙げたが、前記の半径rP、半径rB、および前記の距離L2に基づいて、オペレータが手動で調整するようにしてもよい。
また、第1および第2実施形態において、制御部30による制御により前記の距離L1Pおよび前記の距離L1Bを調整する場合を例に挙げたが、前記の半径rP、半径rB、および前記の距離L2に基づいて、オペレータが手動で調整するようにしてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
1 基板処理装置
3 スピンチャック(基板保持回転手段)
5 第1薬液ノズル(第1ノズル)
6 第2薬液ノズル(第2ノズル)
13 揺動アーム
14 揺動駆動機構(揺動アーム揺動手段)
28 スライド駆動機構(処理部材移動手段)
30 制御部
31 円弧軌道
100 基板処理装置
105 第1スクラブブラシ
106 第2スクラブブラシ
131 円弧軌道
A 揺動軸線
C 回転軸線
P1 第1着液位置
P2 第2着液位置
P3 第1ブラシ接触位置(第1接触位置)
P4 第2ブラシ接触位置(第2接触位置)
W 基板
3 スピンチャック(基板保持回転手段)
5 第1薬液ノズル(第1ノズル)
6 第2薬液ノズル(第2ノズル)
13 揺動アーム
14 揺動駆動機構(揺動アーム揺動手段)
28 スライド駆動機構(処理部材移動手段)
30 制御部
31 円弧軌道
100 基板処理装置
105 第1スクラブブラシ
106 第2スクラブブラシ
131 円弧軌道
A 揺動軸線
C 回転軸線
P1 第1着液位置
P2 第2着液位置
P3 第1ブラシ接触位置(第1接触位置)
P4 第2ブラシ接触位置(第2接触位置)
W 基板
Claims (5)
- 基板を保持しつつ、所定の回転軸線周りに回転させる基板保持回転手段と、
所定の揺動軸線周りに揺動可能に設けられて、前記基板保持回転手段に保持された基板の主面に沿って延びる揺動アームと、
前記揺動アームに、揺動アームに沿う方向に沿って間隔を空けて保持されて、前記基板保持回転手段に保持された基板の主面に処理を施すための第1および第2処理部材と、
基板の主面における前記第1処理部材による第1処理位置、および基板の主面における前記第2処理部材による第2処理位置の一方が、前記回転軸線を通り、かつ前記揺動軸線を中心とする円弧形状をなす軌道に沿って移動するように前記揺動アームを揺動する揺動アーム揺動手段とを含み、
前記第1および第2処理部材の前記揺動アームに対する取付け位置、前記回転軸線の位置、ならびに前記揺動軸線の位置は、前記第1および第2処理位置が下記式(1)を満たす位置関係をなすように調整されている、基板処理装置。
L1×L2=r2・・・(1)
(ただし、式(1)において、L1は前記揺動アームに沿う方向に関する前記第1処理位置と前記第2処理位置との距離を示しており、L2は前記回転軸線と前記揺動軸線との距離を示しており、rは、前記基板保持回転手段の回転および前記揺動アームの揺動により前記第1または第2処理位置が走査可能な領域である、前記回転軸線を中心とする円形の処理基準領域の半径を示している) - 前記揺動アームに保持される前記第1および第2処理部材の少なくとも一方を、前記揺動アームに沿う方向に関して移動させるための処理部材移動手段と、
前記処理部材移動手段を制御して、前記第1および第2処理位置が前記式(1)を満たす位置関係をなすように前記第1および第2処理部材の少なくとも一方を移動させる移動制御手段とをさらに含む、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記基板保持回転手段によって保持される基板主面の周縁部において、前記揺動アームを所定の範囲で揺動させる揺動制御手段をさらに含み、
前記移動制御手段は、前記揺動制御手段による前記揺動アームの揺動に伴う前記処理基準領域の変化に応じて、前記第1および第2処理部材の少なくとも一方を移動させる、請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記第1処理部材は、前記基板保持回転手段により回転される基板の主面に処理液を吐出する第1ノズルであり、
前記第2処理部材は、前記基板保持回転手段により回転される基板の主面に処理液を吐出する第2ノズルであり、
前記第1処理位置は、前記第1ノズルから吐出される処理液の第1着液位置であり、
前記第2処理位置は、前記第2ノズルから吐出される処理液の第2着液位置である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1処理部材は、前記基板保持回転手段により回転される基板の主面と接触して、当該接触位置を洗浄するための第1スクラブブラシであり、
前記第2処理部材は、前記基板保持回転手段により回転される基板の主面と接触して、当該接触位置を洗浄するための第2スクラブブラシであり、
前記第1処理位置は、前記第1スクラブブラシとの第1接触位置であり、
前記第2処理位置は、前記第2スクラブブラシとの第2接触位置である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015105405A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
KR20180113946A (ko) * | 2018-10-04 | 2018-10-17 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US10304687B2 (en) | 2016-07-29 | 2019-05-28 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
-
2013
- 2013-01-31 JP JP2013017327A patent/JP2014150136A/ja active Pending
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KR102012209B1 (ko) * | 2018-10-04 | 2019-10-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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