JP7336967B2 - 基板処理装置、および基板処理方法 - Google Patents

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Description

本開示は、基板処理装置、および基板処理方法に関する。
特許文献１に記載の基板処理装置は、搬入処理と、下面洗浄処理とを行う。搬入処理では、２つの吸着パッドで基板の下面の周縁部を保持する。下面洗浄処理では、先ず、基板を保持した吸着パッドをＸ軸正方向に移動させ（特許文献１の図６）、続いて、洗浄体を基板の下面に押し当てる（特許文献１の図７）。その後、２つの吸着パッドをＸ軸負方向に移動させることと、洗浄体を２つの吸着パッド間でＹ軸正方向又はＹ軸負方向に移動させることとを交互に繰り返す（特許文献１の図８）。これにより、基板の下面の中央領域が洗浄される。
特開２０１９－１０６５３１号公報
本開示の一態様は、基板処理装置の動作を軽減でき、基板処理にかかる時間を短縮できる、技術を提供する。
本開示の一態様の基板処理装置は、
基板を保持する保持部と、
前記保持部で保持した状態の前記基板の主面に対して、第１処理液及び前記第１処理液とは異なる第２処理液を順番に供給する液供給部と、
前記第１処理液及び前記第２処理液の供給中に、前記基板の前記主面と接触し、前記主面を擦る摩擦体と、
前記基板の前記主面における前記摩擦体の接触位置を、前記基板の前記主面に平行な方向であって互いに交わる第１軸方向及び第２軸方向に移動する移動部と、
前記液供給部と前記移動部とを制御し、前記第１処理液の供給中に、前記摩擦体の前記接触位置を前記第１軸方向の一方向に移動し、続く前記第２処理液の供給中に、前記摩擦体の前記接触位置を前記第１軸方向の他方向に移動する制御部とを備える。
本開示の一態様によれば、基板処理装置の動作を軽減でき、基板処理にかかる時間を短縮できる。
図１は、一実施形態に係る基板処理装置を示す平面図である。 図２は、図１のスピンチャックとエアナイフと液供給部とを示す斜視図である。 図３は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 図４は、図３のＳ２の一例を示すフローチャートである。 図５は、図３のＳ４の一例を示すフローチャートである。 図６Ａは、図３のＳ１の完了時の基板処理装置を示す断面図である。 図６Ｂは、図６Ａの一部を基板を透視して示す平面図である。 図７Ａは、図４のＳ２１の開始時の基板処理装置を示す断面図である。 図７Ｂは、図７Ａの一部を基板を透視して示す平面図である。 図８Ａは、図４のＳ２１の完了時の基板処理装置を示す断面図である。 図８Ｂは、図８Ａの一部を基板を透視して示す平面図である。 図９は、図４のＳ２２の開始時の基板処理装置の一部を基板を透視して示す平面図である。 図１０は、図４のＳ２２の完了時の基板処理装置の一部を基板を透視して示す平面図である。 図１１は、図３のＳ４の開始時の基板処理装置を示す断面図である。
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向およびＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。
基板Ｗが水平に保持される場合、Ｘ軸方向及びＹ軸方向が基板Ｗの主面に対して平行な方向である。Ｘ軸方向は一対の吸着パッド２４の移動方向であり、Ｙ軸方向は摩擦体７０の移動方向である。Ｘ軸方向が第１軸方向に相当し、Ｙ軸方向が第２軸方向に相当する。なお、第１軸方向と第２軸方向とは、本実施形態では直交する方向であるが、斜めに交わる方向であってもよい。
図１に示すように、基板処理装置１０は、保持部２０と、液供給部３０と、摩擦体７０と、移動部８０と、制御部９０とを備える。保持部２０は、基板Ｗの下面に接触し、基板Ｗを水平に保持する。液供給部３０は、保持部２０で保持した状態の基板Ｗの下面に対して、第１処理液及び第１処理液とは異なる第２処理液を順番に供給する。摩擦体７０は、第１処理液及び第２処理液の供給中に、基板Ｗの下面に接触し、基板Ｗの下面を擦る。基板Ｗの下面を擦り洗いできる。移動部８０は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に、保持部２０と摩擦体７０とを相対的に移動させ、基板Ｗの主面における摩擦体７０の接触位置を移動する。制御部９０は、液供給部３０と移動部８０とを制御し、基板Ｗの下面を処理する。
保持部２０は、図６Ａに示すように、基板Ｗの下面に接触し、基板Ｗを水平に保持する。基板Ｗは、例えば半導体基板又はガラス基板である。半導体基板は、シリコンウェハ又は化合物半導体ウェハ等である。基板Ｗの下面及び上面の少なくとも１つには、予めデバイスが形成されてもよい。デバイスは、半導体素子、回路、又は端子などを含む。保持部２０は、第１保持部２１と、第２保持部２２とを有する。
第１保持部２１は、図６Ｂに示す基板Ｗの下面の第１領域Ａ１を吸着保持する。第１領域Ａ１は、基板Ｗの下面の中心を含む領域である。第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との境界Ｂは、例えば矩形状である。矩形の２辺はＸ軸方向に平行であり、矩形の残りの２辺はＹ軸方向に平行であり、矩形の四隅は摩擦体７０の上面の半径と同じ半径の円弧状である。第１保持部２１は、例えばスピンチャック２３を含む。
スピンチャック２３は、図６Ａに示すように、回転機構１５と接続される。回転機構１５は、スピンチャック２３を鉛直軸周りに回転させる。その回転中心線は、Ｚ軸方向に平行である。スピンチャック２３は、昇降機構１６によってＺ軸方向に移動される。なお、スピンチャック２３は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向には移動しない。
スピンチャック２３の周囲には、中継部材１７が配置される。中継部材１７は例えば複数本の昇降ピン１７１を含み、複数本の昇降ピン１７１はスピンチャック２３の周方向に等間隔で配置される。中継部材１７は、スピンチャック２３の周囲にて昇降し、不図示の搬送装置から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを第２保持部２２に渡す。
また、スピンチャック２３の周囲には、ガス吐出リング１８が配置される。ガス吐出リング１８は、スピンチャック２３を取り囲み、基板Ｗの下面に向けて、リング状のガスカーテンを形成する。ガスカーテンは、その外側から内側に第１処理液及び第２処理液が入り込むのを制限し、スピンチャック２３を保護する。ガスカーテンは、中継部材１７をも保護する。
ガス吐出リング１８は、図２及び図６Ｂに示すように、円筒体１８１と、円筒体１８１の上面に周方向全体に亘って配列される複数の吐出口１８２とを含む。複数の吐出口１８２は、真上に向けてガスを吐出し、リング状のガスカーテンを形成する。ガスは、窒素ガス等の不活性ガス、又は乾燥空気である。
第２保持部２２は、図６Ｂに示す基板Ｗの下面の第２領域Ａ２を吸着保持する。第２領域Ａ２は、基板Ｗの下面の周縁を含み、第１領域Ａ１の周縁に接する領域である。第２保持部２２は、Ｙ軸方向に間隔をおいて配置される一対の吸着パッド２４を含む。
一対の吸着パッド２４は、図１に示すように、一対の第１バー２５の長手方向中央に固定される。一対の第１バー２５は、スピンチャック２３を挟んで配置され、一対の第２バー２６に架け渡される。一対の第１バー２５と一対の第２バー２６とは、四角枠状のフレーム２７を形成する。
フレーム２７は、移動部８０の第１移動部８１に接続される。第１移動部８１は、フレーム２７を介して、一対の吸着パッド２４をＸ軸方向に移動させる。また、フレーム２７は、昇降機構１９に接続される。昇降機構１９は、フレーム２７を介して、一対の吸着パッド２４をＺ軸方向に移動させる。
フレーム２７には、リングカバー１４が固定される。リングカバー１４は、基板Ｗの周方向全周に亘って基板Ｗを取り囲み、基板Ｗからの液滴の飛散を抑制する。リングカバー１４は、その上面に、基板Ｗの直径よりも大きい開口部を有する。開口部は、基板Ｗの通路である。
液供給部３０は、保持部２０で保持した状態の基板Ｗの下面に対して、第１処理液及び第１処理液とは異なる第２処理液を順番に供給する。第１処理液は、基板Ｗの汚れを除去する洗浄液であり、例えばＳＣ１（アンモニアと過酸化水素と水の混合液）などの薬液である。なお、薬液の種類は、特に限定されない。一方、第２処理液は、第１処理液を除去するリンス液であり、例えばＤＩＷ（脱イオン水）である。第１処理液は、洗浄液ではなくてもよく、エッチング液、又は剥離液であってもよい。また、第２処理液は、ＤＩＷではなくてもよく、希釈アンモニア水、又はオゾン水であってもよい。
液供給部３０は、図２に示すように、例えば下ノズル３１、３２を含む。摩擦体７０が第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を擦る際に、下ノズル３１が薬液又はリンス液を供給する。また、摩擦体７０が第２領域Ａ２の周縁を擦る際に、下ノズル３２が薬液又はリンス液を供給する。
下ノズル３１は、薬液の吐出口３１１と、リンス液の吐出口３１２とを有する。薬液の吐出口３１１は、リンス液の吐出口３１２よりも、下方に配置される。それゆえ、リンス液の吐出口３１２に薬液が付くのを抑制できる。薬液の吐出口３１１の数は、複数であるが、１つでもよい。同様に、リンス液の吐出口３１２の数は、複数であるが、１つでもよい。
下ノズル３１は、図１に示すように、配管３３を介して薬液供給源３４と接続される。配管３３の途中には、開閉弁３５と流量制御器３６が設けられる。開閉弁３５が配管３３の流路を開放すると、薬液供給源３４から下ノズル３１に薬液が供給され、薬液が吐出口３１１から吐出される。その吐出量は、流量制御器３６によって制御される。一方、開閉弁３５が配管３３の流路を閉塞すると、薬液供給源３４から下ノズル３１への薬液供給が停止され、薬液の吐出が停止される。
また、下ノズル３１は、配管３７を介してリンス液供給源３８と接続される。配管３７の途中には、開閉弁３９と流量制御器４０が設けられる。開閉弁３９が配管３７の流路を開放すると、リンス液供給源３８から下ノズル３１にリンス液が供給され、リンス液が吐出口３１２から吐出される。その吐出量は、流量制御器４０によって制御される。一方、開閉弁３９が配管３７の流路を閉塞すると、リンス液供給源３８から下ノズル３１へのリンス液供給が停止され、リンス液の吐出が停止される。
下ノズル３２は、図２に示すように、下ノズル３１と同様に、薬液の吐出口３２１と、リンス液の吐出口３２２とを有する。また、下ノズル３２は、下ノズル３１と同様に、配管４１を介して薬液供給源４２と接続される。配管４１の途中には、開閉弁４３と流量制御器４４が設けられる。更に、下ノズル３２は、配管４５を介してリンス液供給源４６と接続される。配管４５の途中には、開閉弁４７と流量制御器４８が設けられる。
液供給部３０は、更に、保持部２０で保持した状態の基板Ｗの上面に対して、処理液を供給する。処理液として、例えばＤＩＷなどのリンス液が用いられる。なお、処理液として、薬液とリンス液とが順番に用いられてもよい。液供給部３０は、図１等に示すように、例えば上ノズル５１、５２を含む。
上ノズル５１は、基板Ｗの回転中に、基板Ｗの上面の中心に処理液を供給する。処理液は、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、基板Ｗの周縁にて振り切られる。上ノズル５１は、下ノズル３１と同様に、配管５３を介して処理液供給源５４と接続される。配管５３の途中には、開閉弁５５と流量制御器５６が設けられる。
上ノズル５２は、基板Ｗの回転中に、基板Ｗの径方向に移動し、基板Ｗの上面の径方向全体に亘って処理液を供給する。液供給部３０は、基板Ｗの径方向に上ノズル５２を移動させる移動装置６５を含む。上ノズル５２は、二流体ノズルであって、Ｎ２ガス等のガスで処理液を粉砕し、微粒化して噴射する。処理液の処理効率を向上できる。
上ノズル５２は、下ノズル３１と同様に、配管５７を介して処理液供給源５８と接続される。配管５７の途中には、開閉弁５９と流量制御器６０が設けられる。更に、上ノズル５２は、配管６１を介してガス供給源６２と接続される。配管６１の途中には、開閉弁６３と流量制御器６４が設けられる。開閉弁６３が配管６１の流路を開放すると、ガス供給源６２から上ノズル５２にガスが供給され、ガスが上ノズル５２から吐出される。その吐出量は、流量制御器６４によって制御される。一方、開閉弁６３が配管６１の流路を閉塞すると、ガス供給源６２から上ノズル５２へのガス供給が停止され、ガスの吐出が停止される。
液供給部３０から吐出された各種の処理液は、処理槽１１に回収される。処理槽１１は、例えば箱形状である。処理槽１１の底壁には、図６Ａ等に示すように、処理液を排出する排液管１２と、ガスを排出する排気管１３とが設けられる。
摩擦体７０は、基板Ｗの下面に接触し、基板Ｗの下面を擦る。摩擦体７０は、ブラシ、又はスポンジである。摩擦体７０は例えば円柱状であり、摩擦体７０の上面は水平に配置される。摩擦体７０の上面は、基板Ｗの下面よりも小さい。なお、摩擦体７０は、本実施形態では基板Ｗの下方に配置されるが、基板Ｗの上方に配置されてもよく、基板Ｗの上面を擦ってもよい。
摩擦体７０は、鉛直な回転軸７１を介して、回転モータ７２に接続される。回転モータ７２は、回転軸７１を中心に摩擦体７０を回転させる。回転モータ７２は、アーム７３を介して、移動部８０の第２移動部８２に接続される。第２移動部８２は、摩擦体７０をＹ軸方向に移動させる。第２移動部８２は、更に、摩擦体７０をＺ軸方向に移動させる。
移動部８０は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に、保持部２０と摩擦体７０とを相対的に移動させ、基板Ｗの下面における摩擦体７０の接触位置を移動する。例えば、移動部８０は、第１移動部８１と第２移動部８２とを含む。第１移動部８１は、上記の通り、第２保持部２２をＸ軸方向に移動させる。一方、第２移動部８２は、上記の通り、摩擦体７０をＹ軸方向に移動させる。
制御部９０は、例えばコンピュータであり、図１に示すように、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）９１と、メモリなどの記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、基板処理装置１０において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板処理装置１０の動作を制御する。また、制御部９０は、入力インターフェース９３と、出力インターフェース９４とを備える。制御部９０は、入力インターフェース９３で外部からの信号を受信し、出力インターフェース９４で外部に信号を送信する。
上記プログラムは、例えばコンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶され、その記憶媒体から制御部９０の記憶媒体９２にインストールされる。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどが挙げられる。なお、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、制御部９０の記憶媒体９２にインストールされてもよい。
次に、基板処理装置１０の動作、つまり基板処理方法について、図３等を参照して説明する。図３に示すように、基板処理方法は、保持Ｓ１と、下面処理Ｓ２と、保持交替Ｓ３と、両面処理Ｓ４と、乾燥Ｓ５とを含む。この処理方法は、制御部９０による制御下で実施される。
保持Ｓ１では、第２保持部２２が基板Ｗを保持する。具体的には、先ず、不図示の搬送装置が基板Ｗをスピンチャック２３の上方まで搬送し、待機する。続いて、中継部材１７が、スピンチャック２３の周囲にて上昇し、リングカバー１４の開口部から上方に突出し、基板Ｗを搬送装置から持ち上げる。続いて、搬送装置が基板処理装置１０から退出すると、移動部８０がリングカバー１４と一対の吸着パッド２４とを上昇させる。その後、中継部材１７が、下降し、一対の吸着パッド２４に基板Ｗを渡す。続いて、一対の吸着パッド２４が基板Ｗの下面の第２領域Ａ２を吸着保持する。第２領域Ａ２は、上記の通り、基板Ｗの下面の周縁を含み、第１領域Ａ１の周縁に接する領域である。
下面処理Ｓ２では、第２保持部２２が基板Ｗを保持した状態で、基板Ｗの下面の第１領域Ａ１を摩擦体７０が擦る。第１領域Ａ１は、上記の通り、基板Ｗの下面の中心を含む領域であり、一対の吸着パッド２４の間の領域である。下面処理Ｓ２は、図４に示すように、薬液処理Ｓ２１と、リンス液処理Ｓ２２とを含む。
薬液処理Ｓ２１では、制御部９０が、移動部８０と液供給部３０とを制御し、薬液の供給中に、図７Ｂ及び図８Ｂに示すように基板Ｗの下面における摩擦体７０の接触位置を第１領域Ａ１内で移動する。また、薬液処理Ｓ２１では、制御部９０が、回転モータ７２を制御し、摩擦体７０を回転させる。
制御部９０は、第２保持部２２をＸ軸正方向に移動することで摩擦体７０の接触位置をＸ軸負方向に移動することと、摩擦体７０をＹ軸正方向又はＹ軸負方向に移動することとを交互に繰り返す。摩擦体７０の回転中心の移動経路は、図８Ｂに示すようにジグザグな軌跡である。
薬液処理Ｓ２１では、上記の通り、第２保持部２２をＸ軸正方向に移動する。Ｘ軸正方向は、第２保持部２２で保持された基板Ｗの中心を、第１保持部２１の中心から遠ざける方向である。従来のように、擦り洗いを実施する前に、一旦、第２保持部２２をＸ軸正方向に移動させた後で、第２保持部２２をＸ軸負方向に移動させながら擦り洗いを実施する場合に比べて、無駄な動作を省け、処理時間を短縮できる。
なお、中継部材１７は、スピンチャック２３の周囲に配置される。従って、図６Ａに示すようにスピンチャック２３の中心線と、基板Ｗの中心とが一致する位置で、第２保持部２２が基板Ｗを受け取る。それゆえ、その後の第２保持部２２のＸ軸方向における移動方向は、先ずは、Ｘ軸正方向になる。従って、薬液処理Ｓ２１では、第２保持部２２をＸ軸正方向に移動する。
また、本実施形態によれば、第２保持部２２をＸ軸正方向に移動しながら擦り洗いを実施するので、従来のように、第２保持部２２をＸ軸負方向に移動しながら擦り洗いを実施する場合に比べて、基板Ｗに付着する薬液の乾燥を抑制できる。Ｘ軸正方向は、基板Ｗの中心を第１保持部２１の中心から遠ざける方向なので、第１領域Ａ１をガス吐出リング１８から遠ざける方向である。ガスカーテンから第１領域Ａ１が離れるので、基板Ｗに付着する薬液の乾燥を抑制でき、パーティクルの発生を抑制できる。
なお、薬液の供給中に、ガス吐出リング１８がガスカーテンを形成しなければ、基板Ｗに付着する薬液の乾燥を抑制できる。但し、ガスカーテンが形成されないので、薬液がスピンチャック２３にかかってしまう。本実施形態によれば、薬液の供給中に、ガス吐出リング１８がガスカーテンを形成するので、スピンチャック２３を薬液から保護できる。
リンス液処理Ｓ２２では、制御部９０が、移動部８０と液供給部３０とを制御し、リンス液の供給中に、図９及び図１０に示すように基板Ｗの下面における摩擦体７０の接触位置を第１領域Ａ１内で移動する。また、リンス液処理Ｓ２２では、制御部９０が、回転モータ７２を制御し、摩擦体７０を回転させる。
制御部９０は、第２保持部２２をＸ軸負方向に移動することで摩擦体７０の接触位置をＸ軸正方向に移動することと、摩擦体７０をＹ軸正方向又はＹ軸負方向に移動することとを交互に繰り返す。摩擦体７０の回転中心の移動経路は、図１０に示すようにジグザグな軌跡である。
薬液処理Ｓ２１とリンス液処理Ｓ２２とでは、摩擦体７０の接触位置がＸ軸方向に移動するが、その移動方向が逆である。薬液処理Ｓ２１の後、リンス液処理Ｓ２２の前に、摩擦体７０の接触位置を移動せずに済むので、無駄な動作を省け、処理時間を短縮できる。この効果は、薬液処理Ｓ２１とリンス液処理Ｓ２２とで、摩擦体７０の接触位置のＸ軸方向における移動方向が逆であれば得られる。
リンス液処理Ｓ２２では、上記の通り、第２保持部２２をＸ軸負方向に移動する。Ｘ軸負方向は、第２保持部２２で保持された基板Ｗの中心を、第１保持部２１の中心に近づける方向である。それゆえ、リンス液処理Ｓ２２の後、保持交替Ｓ３の前に、第２保持部２２と第１保持部２１の位置合わせに要する動作を軽減でき、基板Ｗの処理時間を短縮できる。
保持交替Ｓ３では、制御部９０は、第２保持部２２から第１保持部２１への基板Ｗの受け渡しを実施する。先ず、第１移動部８１が、第２保持部２２をＸ軸負方向に移動し、第２保持部２２で保持された基板Ｗの中心と、第１保持部２１の中心とを合わせる。続いて、昇降機構１９が、第２保持部２２を下降させ、基板Ｗを第１保持部２１に置く。その際、第２保持部２２が基板Ｗの吸着保持を解除し、第１保持部２１が基板Ｗの下面の第１領域Ａ１を吸着保持する。
なお、昇降機構１９が第２保持部２２を下降させる代わりに、昇降機構１６が第１保持部２１を上昇させ、第２保持部２２から第１保持部２１への基板Ｗの受け渡しを実施してもよい。いずれにしろ、保持交替Ｓ３の後で基板Ｗの下面の第２領域Ａ２を処理でき、保持交替Ｓ３の前に基板Ｗの下面の第１領域Ａ１を処理できるので、基板Ｗの下面全体を処理できる。
両面処理Ｓ４では、基板Ｗの下面の第２領域Ａ２の処理と、基板Ｗの上面全体の処理とを実施する。下面の第２領域Ａ２の処理は、図５に示すように薬液処理Ｓ４１とリンス液処理Ｓ４２とを含む。また、上面全体の処理は、図５に示すようにスピン処理Ｓ４３と、スキャン処理Ｓ４４とを含む。なお、下面の第２領域Ａ２の処理中に、下面の第１領域Ａ１の一部をも処理してもよい。第１保持部２１と摩擦体７０とが干渉しなければよい。
薬液処理Ｓ４１では、制御部９０が、第１保持部２１で基板Ｗを保持し且つ回転機構１５で第１保持部２１を回転させた状態で、液供給部３０と第２移動部８２とを制御し、薬液の供給中に、摩擦体７０の接触位置を第２領域Ａ２の全体に亘って移動する。摩擦体７０の接触位置は、第２領域Ａ２の全体に亘って移動する間に、第２領域Ａ２から第１領域Ａ１にはみ出してもよい。第２移動部８２は、摩擦体７０の接触位置を、基板Ｗの径方向外側に徐々に移動する。また、薬液処理Ｓ４１では、制御部９０が、回転モータ７２を制御し、摩擦体７０を回転させる。
リンス液処理Ｓ４２では、制御部９０が、第１保持部２１で基板Ｗを保持し且つ回転機構１５で第１保持部２１を回転させた状態で、液供給部３０と第２移動部８２とを制御し、リンス液の供給中に、摩擦体７０の接触位置を第２領域Ａ２の全体に亘って移動する。摩擦体７０の接触位置は、第２領域Ａ２の全体に亘って移動する間に、第２領域Ａ２から第１領域Ａ１にはみ出してもよい。第２移動部８２は、摩擦体７０の接触位置を、基板Ｗの径方向外側に徐々に移動する。また、リンス液処理Ｓ４２では、制御部９０が、回転モータ７２を制御し、摩擦体７０を回転させる。
スピン処理Ｓ４３では、回転機構１５がスピンチャック２３と共に基板Ｗを回転させ、上ノズル５１が基板Ｗの上面の中心に処理液を供給する。処理液は、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、基板Ｗから分離した汚れを基板Ｗの径方向外方に押し流す。処理液として、例えばＤＩＷなどのリンス液が用いられる。なお、処理液として、薬液とリンス液とが順番に用いられてもよい。
回転機構１５は、基板Ｗの下面の残液が遠心力によって基板Ｗの周縁を介して基板Ｗの上面に回り込まないように、スピンチャック２３を低速で回転させる。基板Ｗの下面の残液が基板Ｗの周縁に到達する前に、基板Ｗの上面全体に処理液の液膜が形成されるように、制御部９０がスピンチャック２３の回転数と上ノズル５１からの処理液の供給量とを制御する。
制御部９０は、スピンチャック２３の低速回転中に、基板Ｗのベベル処理を実施する。基板Ｗのベベル処理では、不図示のブラシ又はスポンジ等の摩擦体を基板Ｗの周縁に押し当て、基板Ｗの周縁を擦る。制御部９０は、スピンチャック２３の低速回転中に、基板Ｗのベベル処理を終了させ、基板Ｗの周縁から摩擦体を引き離す。低速回転中は遠心力が小さく、基板Ｗの周縁から振り切られる液滴の速度が小さいので、液滴と摩擦体との衝突による液跳ねを抑制できる。
スキャン処理Ｓ４４では、回転機構１５がスピンチャック２３と共に基板Ｗを回転させ、上ノズル５２が基板Ｗの上面の中心に処理液を供給し、移動装置６５が上ノズル５２を基板Ｗの径方向内側から径方向外側に移動させる。基板Ｗから分離した汚れは、基板Ｗの径方向外方に押し流される。
上ノズル５２は、基板Ｗの上面に向けて処理液を吐出しながら、基板Ｗの中心の真上の位置から、基板Ｗの周縁の真上の位置まで徐々に移動し、基板Ｗの周縁の真上の位置にて設定時間の間停止する。基板Ｗの周縁には汚れが付着しやすいからである。本実施形態によれば、基板Ｗの周縁に固着する汚れを除去できる。
なお、上ノズル５２の移動方向は、本実施形態では基板Ｗの径方向外方であるが、基板Ｗの径方向内方でもよい。また、上ノズル５２のスキャン回数は、本実施形態では１回であるが、複数回であってもよい。
制御部９０は、スキャン処理Ｓ４４では、スピン処理Ｓ４３に比べて、スピンチャック２３の回転数を大きくし、スピンチャック２３を高速で回転させる。上ノズル５２を基板Ｗの径方向に移動させる際に、基板Ｗの周方向全体に亘って処理液を吹き付けることができる。
上ノズル５２は、例えば、二流体ノズルであって、Ｎ２ガス等のガスで処理液を粉砕し、微粒化して噴射する。処理液の処理効率を向上できる。上ノズル５２は、ガスと処理液の混合流体を噴射する前に、ガスのみを噴射する。処理液を確実に粉砕でき、基板Ｗへの衝突時に液跳ねを抑制できる。
乾燥Ｓ５では、スピンチャック２３を高速で回転させ、基板Ｗに付着する処理液を振り切る。その後、基板Ｗは、基板処理装置１０の外部に搬送される。これにより、基板Ｗの処理が終了する。
以上、本開示に係る基板処理装置および基板処理方法の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、および組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
１０ 基板処理装置
２０ 保持部
３０ 液供給部
７０ 摩擦体
８０ 移動部
９０ 制御部
Ｗ 基板

Claims (15)

  1. 基板を保持する保持部と、
    前記保持部で保持した状態の前記基板の主面に対して、第１処理液及び前記第１処理液とは異なる第２処理液を順番に供給する液供給部と、
    前記第１処理液及び前記第２処理液の供給中に、前記基板の前記主面と接触し、前記主面を擦る摩擦体と、
    前記基板の前記主面における前記摩擦体の接触位置を、前記基板の前記主面に平行な方向であって互いに交わる第１軸方向及び第２軸方向に移動する移動部と、
    前記液供給部と前記移動部とを制御し、前記第１処理液の供給中に、前記摩擦体の前記接触位置を前記第１軸方向の一方向に移動し、続く前記第２処理液の供給中に、前記摩擦体の前記接触位置を前記第１軸方向の他方向に移動する制御部とを備える、基板処理装置。
  2. 前記保持部は、前記基板の前記主面に接触する、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記基板の前記主面は、前記基板の下面であり、
    前記保持部は、前記基板の前記下面の中心を含む第１領域を吸着保持する第１保持部と、前記基板の前記下面の周縁を含み且つ前記第１領域の周縁に接する第２領域を吸着保持する第２保持部とを有し、
    前記制御部は、前記第２保持部で前記基板を保持した状態で、前記液供給部と前記移動部とを制御し、前記第１処理液の供給中に、前記摩擦体の前記接触位置を前記第１領域内で前記第１軸方向の一方向に移動し、続く前記第２処理液の供給中に、前記摩擦体の前記接触位置を前記第１領域内で前記第１軸方向の他方向に移動する、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 更に、前記第１保持部の周囲にて昇降し、外部の搬送装置から前記基板を受け取り、受け取った前記基板を前記第２保持部に渡す中継部材を備え、
    前記移動部は、前記第２保持部を前記第１軸方向に移動する第１移動部と、前記摩擦体を前記第２軸方向に移動する第２移動部とを有し、
    前記制御部は、前記第２保持部で前記基板を保持した状態で、前記液供給部と前記第１移動部とを制御し、前記第１処理液の供給中に、前記基板の中心を前記第１保持部の中心から遠ざける方向に前記第２保持部を移動し、前記第２処理液の供給中に、前記基板の中心を前記第１保持部の中心に近づける方向に前記第２保持部を移動する、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 更に、前記第１処理液の供給中に、前記第１保持部の周囲にて、前記基板の前記下面に向けて、リング状のガスカーテンを形成するガス吐出リングを有する、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 更に、前記第１保持部と前記第２保持部とを相対的に昇降し、前記第２保持部から前記第１保持部に前記基板を受け渡す昇降機構と、前記第１保持部を回転させる回転機構とを備え、
    前記制御部は、前記第１保持部で前記基板を保持し且つ前記回転機構で前記第１保持部を回転させた状態で、前記液供給部と前記第２移動部とを制御し、前記第１処理液の供給中に、前記摩擦体の前記接触位置を前記第２領域の全体に亘って移動する、請求項４又は５に記載の基板処理装置。
  7. 前記液供給部は、前記基板の上面に対して処理液を供給する上ノズルを含み、
    前記制御部は、前記摩擦体の前記接触位置を前記第２領域の全体に亘って移動する間に、前記液供給部を制御し、前記基板の前記上面に対して処理液を供給する、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記液供給部は、前記第１処理液である薬液の吐出口と、前記第２処理液であるリンス液の吐出口とを有し、
    前記薬液の吐出口は、前記リンス液の吐出口よりも下方に配置される、請求項１～７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  9. 基板を保持部で保持することと、
    前記基板の主面に対して第１処理液及び前記第１処理液とは異なる第２処理液を順番に供給することと、
    前記基板の前記主面に接触する摩擦体で、前記基板の前記主面を擦ることと、
    前記基板の前記主面における前記摩擦体の接触位置を、前記基板の前記主面に平行な方向であって互いに交わる第１軸方向及び第２軸方向に移動することと、
    を有し、
    前記摩擦体の前記接触位置の移動は、前記第１処理液の供給中に、前記摩擦体の前記接触位置を前記第１軸方向の一方向に移動し、続く前記第２処理液の供給中に、前記摩擦体の前記接触位置を前記第１軸方向の他方向に移動することを含む、基板処理方法。
  10. 前記保持部は、前記基板の前記主面に接触する、請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 前記基板の前記主面は、前記基板の下面であり、
    前記保持部は、前記基板の前記下面の中心を含む第１領域を吸着保持する第１保持部と、前記基板の前記下面の周縁を含み且つ前記第１領域の周縁に接する第２領域を吸着保持する第２保持部とを有し、
    前記第２保持部で前記基板を保持した状態で、前記第１処理液の供給中に、前記摩擦体の前記接触位置を前記第１領域内で前記第１軸方向の一方向に移動し、続く前記第２処理液の供給中に、前記摩擦体の前記接触位置を前記第１領域内で前記第１軸方向の他方向に移動することを有する、請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 前記第１保持部の周囲にて昇降する中継部材で、外部の搬送装置から前記基板を受け取り、受け取った前記基板を前記第２保持部に渡すことと、
    前記第２保持部で前記基板を保持した状態で、前記第１処理液の供給中に、前記基板の中心を前記第１保持部の中心から遠ざける方向に前記第２保持部を移動し、前記第２処理液の供給中に、前記基板の中心を前記第１保持部の中心に近づける方向に前記第２保持部を移動することと、
    を有する、請求項１１に記載の基板処理方法。
  13. 更に、前記第１処理液の供給中に、前記第１保持部の周囲にて、前記基板の前記下面に向けて、リング状のガスカーテンを形成することを有する、請求項１２に記載の基板処理方法。
  14. 更に、前記第１保持部と前記第２保持部とを相対的に昇降し、前記第２保持部から前記第１保持部に前記基板を受け渡すことと、
    前記第１保持部で前記基板を保持し且つ前記第１保持部を回転させた状態で、前記第１処理液の供給中に、前記摩擦体の前記接触位置を前記第２領域の全体に亘って移動することと、
    を有する、請求項１２又は１３に記載の基板処理方法。
  15. 前記摩擦体の前記接触位置を前記第２領域の全体に亘って移動する間に、前記基板の上面に対して処理液を供給することを有する、請求項１４に記載の基板処理方法。
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