TW202135217A - 基板處理裝置、及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題係提供可減輕基板處理裝置的動作，可縮短基板處理所需之時間的技術。 解決手段是一種基板處理裝置，具備：保持基板的保持部、對於以前述保持部保持之狀態的前述基板的主面，依序供給第1處理液及與前述第1處理液不同的第2處理液的液供給部、在前述第1處理液及前述第2處理液的供給中，與前述基板的前述主面接觸，以摩擦前述主面的摩擦體、使前述基板的前述主面之前述摩擦體的接觸位置，移動於與前述基板的前述主面平行的方向且相互相交的第1軸方向及第2軸方向的移動部、及控制前述液供給部與前述移動部，在前述第1處理液的供給中，使前述摩擦體的前述接觸位置移動於前述第1軸方向的一方向，接著在前述第2處理液的供給中，使前述摩擦體的前述接觸位置移動於前述第1軸方向的另一方向的控制部。

Description

基板處理裝置、及基板處理方法
本發明係關於基板處理裝置及基板處理方法。
專利文獻1所記載的基板處理裝置係進行搬入處理與下面洗淨處理。在搬入處理中，以2個吸附墊保持基板之下面的周緣部。在下面洗淨處理中，首先，使保持基板的吸附墊移動於X軸正方向(專利文獻1的圖6)，接下來，將洗淨體壓頂於基板的下面(專利文獻1的圖7)。之後，交互重複進行使2個吸附墊移動於X軸負方向，與使洗淨體在2個吸附墊之間移動於Y軸正方向或Y軸負方向(專利文獻1的圖8)。藉此，洗淨基板的下面的中央區域。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2019-106531號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明的一樣態係提供可減輕基板處理裝置的動作，可縮短基板處理所需之時間的技術。 [用以解決課題之手段]
本發明的一樣態的基板處理裝置，係具備： 保持部，係保持基板； 液供給部，係對於以前述保持部保持之狀態的前述基板的主面，依序供給第1處理液及與前述第1處理液不同的第2處理液； 摩擦體，係在前述第1處理液及前述第2處理液的供給中，與前述基板的前述主面接觸，以摩擦前述主面； 移動部，係使前述基板的前述主面之前述摩擦體的接觸位置，移動於與前述基板的前述主面平行的方向且相互相交的第1軸方向及第2軸方向；及 控制部，係控制前述液供給部與前述移動部，在前述第1處理液的供給中，使前述摩擦體的前述接觸位置移動於前述第1軸方向的一方向，接著在前述第2處理液的供給中，使前述摩擦體的前述接觸位置移動於前述第1軸方向的另一方向。 [發明的效果]
依據本發明的一樣態，可減輕基板處理裝置的動作，可縮短基板處理所需之時間的技術。
以下，針對本發明的實施形態，參照圖面來進行說明。再者，有於各圖式中相同或對應的構造附加相同符號，省略說明的情況。於本說明書中，X軸方向、Y軸方向、及Z軸方向係相互垂直的方向。X軸方向及Y軸方向係為水平方向、Z軸方向係為垂直方向。
基板W被水平地保持時，X軸方向及Y軸方向是對於基板W的主面平行的方向。X軸方向係一對吸附墊24的移動方向，Y軸方向係摩擦體70的移動方向。X軸方向相當於第1軸方向，Y軸方向相當於第2軸方向。再者，第1軸方向與第2軸方向在本實施形態中為正交的方向，但作為斜相交的方向亦可。
如圖1所示，基板處理裝置10係具備保持部20、液供給部30、摩擦體70、移動部80、控制部90。保持部20係接觸基板W的下面，水平地保持基板W。液供給部30係對於以保持部20保持之狀態的基板W的下面，依序供給第1處理液及與第1處理液不同的第2處理液。摩擦體70係在第1處理液及第2處理液的供給中，與基板W的下面接觸，以摩擦基板W的下面。可擦洗基板W的下面。移動部80係使保持部20與摩擦體70相對地移動於X軸方向及Y軸方向，移動基板W的主面之摩擦體70的接觸位置。控制部90係控制液供給部30與移動部80，對基板W的下面進行處理。
保持部20係如圖6A所示，接觸基板W的下面，水平地保持基板W。基板W係例如半導體基板或玻璃基板。半導體基板係矽晶圓或化合物半導體晶圓等。於基板W的下面及上面的至少之一，預先形成裝置亦可。裝置係包含半導體元件、電路、或端子等。保持部20係具有第1保持部21與第2保持部22。
第1保持部21係吸附保持圖6B所示之基板W的下面的第1區域A1。第1區域A1係包含基板W的下面之中心的區域。第1區域A1與第2區域A2的邊界B係例如矩形狀。矩形的2邊係平行於X軸方向，矩形的剩下2邊係平行於Y軸方向，矩形的四隅係與摩擦體70的上面之半徑相同半徑的圓弧狀。第1保持部21係例如包含旋轉吸盤23。
旋轉吸盤23係如圖6A所示，與旋轉機構15連接。旋轉機構15係使旋轉吸盤23繞垂直軸旋轉。其旋轉中心線平行於Z軸方向。旋轉吸盤23係藉由升降機構16移動於Z軸方向。再者，旋轉吸盤23不移動於X軸方向及Y軸方向。
於旋轉吸盤23的周圍，配置有中繼構件17。中繼構件17係包含例如複數條升降銷171，複數條升降銷171係以等間隔配置於旋轉吸盤23的圓周方向。中繼構件17係在旋轉吸盤23的周圍昇降，從未圖示的搬送裝置接收基板W，將所接收的基板W交給第2保持部22。
又，於旋轉吸盤23的周圍，配置氣體吐出環18。氣體吐出環18係包圍旋轉吸盤23，朝向基板W的下面，形成環狀的氣幕(Gas curtain)。氣幕係限制第1處理液及第2處理液從其外側進入內側，保護旋轉吸盤23。氣幕也保護中繼構件17。
氣體吐出環18係如圖2及圖6B所示，包含圓筒體181，與涵蓋整個圓周方向排列於圓筒體181的上面的複數吐出口182。複數吐出口182係朝正上方吐出氣體，形成環狀的氣幕。氣體係氮氣等的惰性氣體，或乾燥空氣。
第2保持部22係吸附保持圖6B所示之基板W的下面的第2區域A2。第2區域A2係包含基板W的下面之周緣，接觸第1區域A1的周緣的區域。第2保持部22係包含於Y軸方向中隔開間隔配置的一對吸附墊24。
一對吸附墊24係如圖1所示，固定於一對第1橫條25的長邊方向中央。一對第1橫條25係挾持旋轉吸盤23配置，搭接一對第2橫條26。一對第1橫條25與一對第2橫條26係形成四角框狀的框架27。
框架27係連接於移動部80的第1移動部81。第1移動部81係透過框架27，使一對吸附墊24移動於X軸方向。又，框架27連接於升降機構19。升降機構19係透過框架27，使一對吸附墊24移動於Z軸方向。
於框架27固定有環護蓋14。環護蓋14係涵蓋基板W的整個圓周方向包圍基板W，抑制來自基板W的液滴的飛濺。環護蓋14係於其上面，具有比基板W的直徑大的開口部。開口部係基板W的通路。
液供給部30係對於以保持部20保持之狀態的基板W的下面，依序供給第1處理液及與第1處理液不同的第2處理液。第1處理液係去除基板W的污垢的洗淨液，例如SC1(氨與過氧化氫與水的混合液)等的藥液。再者，藥液的種類並未特別限定。另一方面，第2處理液係去除第1處理液的清洗液，例如DIW(去離子水)。第1處理液不是洗淨液亦可，作為蝕刻液、或剝離液亦可。又，第2處理液不是DIW亦可，作為稀釋氨水、或臭氧水亦可。
液供給部30係如圖2所示，例如包含下噴嘴31、32。摩擦體70摩擦第1區域A1及第2區域A2時，下噴嘴31供給藥液或清洗液。又，摩擦體70摩擦第2區域A2的周緣時，下噴嘴32供給藥液或清洗液。
下噴嘴31係具有藥液的吐出口311與清洗液的吐出口312。藥液的吐出口311係配置於比清洗液的吐出口312更下方。因此，可抑制藥液附著於清洗液的吐出口312。藥液的吐出口311的數量係為複數，但作為1個亦可。同樣地，清洗液的吐出口312的數量係為複數，但作為1個亦可。
下噴嘴31係如圖1所示，透過配管33與藥液供給源34連接。於配管33的途中，設置有開閉閥35與流量控制器36。開閉閥35開放配管33的流通路徑的話，從藥液供給源34會對下噴嘴31供給藥液，藥液從吐出口311吐出。其吐出量藉由流量控制器36控制。另一方面，開閉閥35封堵配管33的流通路徑的話，則從藥液供給源34停止對下噴嘴31的藥液供給，停止藥液的吐出。
又，下噴嘴31係透過配管37與清洗液供給源38連接。於配管37的途中，設置有開閉閥39與流量控制器40。開閉閥39開放配管37的流通路徑的話，從清洗液供給源38會對下噴嘴31供給清洗液，清洗液從吐出口312吐出。其吐出量藉由流量控制器40控制。另一方面，開閉閥39封堵配管37的流通路徑的話，則從清洗液供給源38停止對下噴嘴31的清洗液供給，停止清洗液的吐出。
下噴嘴32係如圖2所示，與下噴嘴31同樣地，具有藥液的吐出口321與清洗液的吐出口322。又，下噴嘴32係與下噴嘴31同樣地，透過配管41與藥液供給源42連接。於配管41的途中，設置有開閉閥43與流量控制器44。進而，下噴嘴32係透過配管45與清洗液供給源46連接。於配管45的途中，設置有開閉閥47與流量控制器48。
液供給部30係進而對於以保持部20保持之狀態的基板W的上面，供給處理液。作為處理液，例如使用DIW等的清洗液。再者，作為處理液，依序使用藥液與清洗液亦可。液供給部30係如圖1所示，例如包含上噴嘴51、52。
上噴嘴51係在基板W的旋轉中，對基板W的上面之中心供給處理液。處理液係藉由離心力，沾濕擴散基板W的整個上面，在基板W的周緣被甩脫。上噴嘴51係與下噴嘴31同樣地，透過配管53與處理液供給源54連接。於配管53的途中，設置有開閉閥55與流量控制器56。
上噴嘴52係在基板W的旋轉中，往基板W的徑方向移動，涵蓋基板W的上面之整個徑方向供給處理液。液供給部30係包含使上噴嘴52移動於基板W的徑方向的移動裝置65。上噴嘴52係為二流體噴嘴，以N2 氣體等的氣體，粉碎、微粒化處理液並進行噴射。可提升處理液的處理效率。
上噴嘴52係與下噴嘴31同樣地，透過配管57與處理液供給源58連接。於配管57的途中，設置有開閉閥59與流量控制器60。進而，上噴嘴52係透過配管61與氣體供給源62連接。於配管61的途中，設置有開閉閥63與流量控制器64。開閉閥63開放配管61的流通路徑的話，從氣體供給源62會對上噴嘴52供給氣體，氣體從上噴嘴52吐出。其吐出量藉由流量控制器64控制。另一方面，開閉閥63封堵配管61的流通路徑的話，則從氣體供給源62停止對上噴嘴52的氣體供給，停止氣體的吐出。
從液供給部30吐出的各種處理液會被回收至處理槽11。處理槽11例如為箱子形狀。於處理槽11的底壁，如圖6A等所示，設置有排出處理液的排液管12與排出氣體的排氣管13。
摩擦體70係接觸基板W的下面，摩擦基板W的下面。摩擦體70係為刷子或泡棉。摩擦體70係例如圓柱狀，摩擦體70的上面係水平地配置。摩擦體70的上面比基板W的下面更小。再者，摩擦體70係在本實施形態中配置於基板W的下方，但是，配置於基板W的上方亦可，摩擦基板W的上面亦可。
摩擦體70係透過垂直的旋轉軸71，連接於旋轉馬達72。旋轉馬達72係以旋轉軸71為中心，使摩擦體70旋轉。旋轉馬達72係透過臂部73，連接於移動部80的第2移動部82。第2移動部82係使摩擦體70移動於Y軸方向。第2移動部82進而使摩擦體70移動於Z軸方向。
移動部80係使保持部20與摩擦體70相對地移動於X軸方向及Y軸方向，移動基板W的下面之摩擦體70的接觸位置。例如移動部80係包含第1移動部81與第2移動部82。第1移動部81係如上所述，使第2保持部22移動於X軸方向。另一方面，第2移動部82係如上所述，使摩擦體70移動於Y軸方向。
控制部90係例如電腦，如圖1所示般，具備CPU(Central Processing Unit)91與記憶體等的記憶媒體92。於記憶媒體92，儲存用以控制基板處理裝置10中所執行之各種處理的程式。控制部90係藉由使CPU91執行記憶於記憶媒體92的程式，來控制基板處理裝置10的動作。又，控制部90係具備輸入介面93與輸出介面94。控制部90係利用輸入介面93接收來自外部的訊號，藉由輸出介面94對外部發送訊號。
前述程式係例如記憶於可藉由電腦讀取的記錄媒體，且從該記錄媒體安裝於控制部90的記憶媒體92。作為可藉由電腦讀取的記憶媒體，例如可舉出硬碟(HD)、可撓性碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。再者，程式係透過網際網路從伺服器下載，且安裝於控制部90的記憶媒體92亦可。
接著，針對基板處理裝置10的動作，亦即基板處理方法，參照圖3等進行說明。如圖3所示，基板處理方法係包含保持S1、下面處理S2、保持替換S3、兩面處理S4、乾燥S5。該處理方法係在控制部90所致之控制下實施。
在保持S1中，第2保持部22保持基板W。具體來說，首先，未圖示的搬送裝置將基板W搬送至旋轉吸盤23的上方為止，進行待機。接下來，中繼構件17在旋轉吸盤23的周圍上升，從環護蓋14的開口部朝上方突出，從搬送裝置抬起基板W。接著，搬送裝置從基板處理裝置10退出的話，移動部80則使環護蓋14與一對吸附墊24上升。之後，中繼構件17下降，將基板W交給一對吸附墊24。接下來，一對吸附墊24吸附保持基板W的下面的第2區域A2。第2區域A2係如上所述，是包含基板W的下面之周緣，且接觸第1區域A1的周緣的區域。
在下面處理S2中，在第2保持部22保持基板W的狀態下，摩擦體70摩擦基板W的下面的第1區域A1。第1區域A1係如上所述，是包含基板W的下面之中心的區域，且在一對吸附墊24之間的區域。下面處理S2係如圖4所示，包含藥液處理S21與清洗液處理S22。
在藥液處理S21中，控制部90控制移動部80與液供給部30，在藥液的供給中，如圖7B及圖8B所示，使基板W的下面之摩擦體70的接觸位置在第1區域A1內移動。又，在藥液處理S21中，控制部90控制旋轉馬達72，使摩擦體70旋轉。
控制部90係交互重複進行利用使第2保持部22往X軸正方向移動，以使摩擦體70的接觸位置往X軸負方向移動，與使摩擦體70往Y軸正方向或Y軸負方向移動。摩擦體70的旋轉中心的移動路徑係如圖8所示，為折曲的軌跡。
在藥液處理S21中，如上所述，使第2保持部22往X軸正方向移動。X軸正方向係使以第2保持部22保持之基板W的中心離開第1保持部21的中心的方向。相較於如先前般，實施擦洗之前，一旦使第2保持部22往X軸正方向移動之後，一邊使第2保持部22往X軸的負方向移動一邊進行擦洗之狀況，可省去多餘的動作，可縮短處理時間。
再者，中繼構件17係配置於旋轉吸盤23的周圍。所以，如圖6A所示般在旋轉吸盤23的中心線與基板W的中心一致的位置，第2保持部22接收基板W。因此，之後的第2保持部22的X軸方向之移動方向首先為X軸正方向。所以，在藥液處理S21中，使第2保持部22往X軸正方向移動。
又，依據本實施形態，一邊使第2保持部22往X軸正方向移動一邊進行擦洗，所以，相較於如先前般，一邊使第2保持部22往X軸負方向移動一邊進行擦洗之狀況，可抑制附著於基板W之藥液的乾燥。X軸正方向係使基板W的中心離開第1保持部21的中心的方向，所以，也是使第1區域A1離開氣體吐出環18的方向。第1區域A1會離開氣幕，所以，可抑制附著於基板W之藥液的乾燥，並可抑制粒子的發生。
再者，在藥液的供給中，氣體吐出環18不形成氣幕的話，可抑制附著於基板W之藥液的乾燥。但是，因為不會形成氣幕，藥液會附著於旋轉吸盤23。依據本實施形態，在藥液的供給中，氣體吐出環18會形成氣幕，所以，可保護旋轉吸盤23不沾到藥液。
在清洗液處理S22中，控制部90控制移動部80與液供給部30，在藥液的供給中，如圖9及圖10所示，使基板W的下面之摩擦體70的接觸位置在第1區域A1內移動。又，在清洗液處理S22中，控制部90控制旋轉馬達72，使摩擦體70旋轉。
控制部90係交互重複進行利用使第2保持部22往X軸負方向移動，以使摩擦體70的接觸位置往X軸正方向移動，與使摩擦體70往Y軸正方向或Y軸負方向移動。摩擦體70的旋轉中心的移動路徑係如圖10所示，為折曲的軌跡。
在藥液處理S21與清洗液處理S22中，摩擦體70的接觸位置會移動於X軸方向，但是，其移動方向相反。在藥液處理S21之後，清洗液處理S22之前，不用移動摩擦體70的接觸位置即可，所以，可省去多餘的動作，可縮短處理時間。該效果係只要在藥液處理S21與清洗液處理S22中，摩擦體70的接觸位置的X軸方向之移動方向相反即可獲得。
在清洗液處理S22中，如上所述，使第2保持部22往X軸負方向移動。X軸負方向係使以第2保持部22保持之基板W的中心接近第1保持部21的中心的方向。因此，在清洗液處理S22之後，保持替換S3之前，可減輕第2保持部22與第1保持部21的對位所需的動作，可縮短基板W的處理時間。
在保持替換S3中，控制部90實施從第2保持部22到第1保持部21之基板W的交付。首先，第1移動部81使第2保持部22往X軸負方向移動，對合以第2保持部22保持之基板W的中心與第1保持部21的中心。接下來，升降機構19使第2保持部22下降，將基板W置放於第1保持部21。此時，第2保持部22解除基板W的吸附保持，第1保持部21吸附保持基板W的下面的第1區域A1。
再者，代替升降機構19使第2保持部22下降，升降機構16使第1保持部21上升，以實施從第2保持部22到第1保持部21之基板W的交付亦可。無論如何，在保持替換S3之後可對基板W的下面的第2區域A2進行處理，在保持替換S3之前可對基板W的下面的第1區域A1進行處理，所以，可對基板W的整個下面進行處理。
在兩面處理S4中，實施基板W的下面之第2區域A2的處理，與基板W的整個上面的處理。下面之第2區域A2的處理係如圖5所示，包含藥液處理S41與清洗液處理S42。又，整個上面的處理係如圖5所示，包含旋轉處理S43與掃描處理S44。再者，在下面的第2區域A2的處理中，也對下面的第1區域A1的一部分進行處理亦可。只要第1保持部21與摩擦體70不會干擾即可。
在藥液處理S41中，控制部90在以第1保持部21保持基板W且以旋轉機構15旋轉第1保持部21的狀態下，控制液供給部30與第2移動部82，在藥液的供給中，使摩擦體70的接觸位置涵蓋整個第2區域A2進行移動。摩擦體70的接觸位置係在涵蓋整個第2區域A2移動之間，第1區域A1從第2區域A2超出亦可。第2移動部82係使摩擦體70的接觸位置逐漸往基板W的徑方向外側移動。又，在藥液處理S41中，控制部90控制旋轉馬達72，使摩擦體70旋轉。
在清洗液處理S42中，控制部90在以第1保持部21保持基板W且以旋轉機構15旋轉第1保持部21的狀態下，控制液供給部30與第2移動部82，在清洗液的供給中，使摩擦體70的接觸位置涵蓋整個第2區域A2進行移動。摩擦體70的接觸位置係在涵蓋整個第2區域A2移動之間，第1區域A1從第2區域A2超出亦可。第2移動部82係使摩擦體70的接觸位置逐漸往基板W的徑方向外側移動。又，在清洗液處理S42中，控制部90控制旋轉馬達72，使摩擦體70旋轉。
在旋轉處理S43中，旋轉機構15使旋轉吸盤23與基板W一起旋轉，上噴嘴51對基板W的上面之中心供給處理液。處理液係藉由離心力，沾濕擴散基板W的整個上面，將從基板W分離的污垢推向基板W的徑方向外方。作為處理液，例如使用DIW等的清洗液。再者，作為處理液，依序使用藥液與清洗液亦可。
旋轉機構15係以基板W的下面的殘液不會因為離心力，透過基板W的周緣而繞到基板W的上面之方式，使旋轉吸盤23以低速旋轉。以在基板W的下面的殘液到達基板W的周緣之前，於基板W的整個上面會形成處理液的液膜之方式，控制部90控制旋轉吸盤23的旋轉數與來自上噴嘴51的處理液的供給量。
控制部90係在旋轉吸盤23的低速旋轉中，實施基板W的斜角(Bevel)處理。在基板W的斜角處理中，將未圖示的刷子或泡棉等的摩擦體壓頂於基板W的周緣，摩擦基板W的周緣。控制部90係在旋轉吸盤23的低速旋轉中，結束基板W的斜角處理，從基板W的周緣分離摩擦體。低速旋轉中係離心力小，從基板W的周緣甩脫之液滴的速度小，所以，可抑制液滴與摩擦體的衝突所導致之液體飛濺。
在掃描處理S44中，旋轉機構15使旋轉吸盤23與基板W一起旋轉，上噴嘴52對基板W的上面之中心供給處理液，移動裝置65使上噴嘴52從基板W的徑方向內側往徑方向外側移動。從基板W分離的污垢係被推向基板W的徑方向外方。
上噴嘴52係一邊朝基板W的上面吐出處理液，一邊從基板W的中心之正上方的位置，逐漸移動到基板W的周緣之正上方的位置，在設定時間之間停止在基板W的周緣之正上方的位置。因為於基板W的周緣容易附著污垢。依據本實施形態，可去除黏著於基板W的周緣的污垢。
再者，上噴嘴52的移動方向係在本實施形態中為基板W的徑方向外方，但是作為基板W的徑方向內方亦可。又，上噴嘴52的掃描次數在本實施形態中為1次，但是作為複數次亦可。
控制部90係在掃描處理S44中，相較於旋轉處理S43，增加旋轉吸盤23的旋轉數，使旋轉吸盤23以高速旋轉。在使上噴嘴52移動於基板W的徑方向時，可涵蓋基板W的整個圓周方向噴吹處理液。
上噴嘴52係例如二流體噴嘴，以N2 氣體等的氣體，粉碎、微粒化處理液並進行噴射。可提升處理液的處理效率。上噴嘴52係在噴射氣體與處理液的混合流體之前，僅噴射氣體。可確實粉碎處理液，在與基板W的衝突時可抑制液體飛濺。
在乾燥S5中，使旋轉吸盤23以高速旋轉，甩脫附著於基板W的處理液。之後，基板W係被搬送至基板處理裝置10的外部。藉此，結束基板W的處理。
以上，已針對本發明的基板處理裝置及基板處理方法的實施形態進行說明，但是，本發明並不是限定於前述實施形態等。於申請專利範圍所記載的範圍中，可進行各種變更、修正、置換、附加、刪除及組合。該等應用當然也屬於本發明的技術範圍。
10:基板處理裝置 11:處理槽 12:排液管 13:排氣管 14:環護蓋 15:旋轉機構 17:中繼構件 18:氣體吐出環 19:升降機構 20:保持部 21:第1保持部 22:第2保持部 23:旋轉吸盤 24:吸附墊 25:第1橫條 26:第2橫條 27:框架 30:液供給部 31:下噴嘴 32:下噴嘴 33:配管 34:藥液供給源 35:開閉閥 36:流量控制器 37:配管 38:清洗液供給源 39:開閉閥 40:流量控制器 41:配管 42:藥液供給 43:開閉閥 44:流量控制器 45:配管 46:清洗液供給源 47:開閉閥 48:流量控制器 51:上噴嘴 52:上噴嘴 53:配管 54:處理液供給源 55:開閉閥 56:流量控制器 57:配管 58:處理液供給源 59:開閉閥 60:流量控制器 61:配管 62:氣體供給源 63:開閉閥 64:流量控制器 65:移動裝置 70:摩擦體 71:旋轉軸 72:旋轉馬達 80:移動部 81:第1移動部 82:第2移動部 90:控制部 91:CPU 92:記憶媒體 93:輸入介面 94:輸出介面 171:升降銷 181:圓筒體 182:吐出口 311:吐出口 312:吐出口 321:吐出口 322:吐出口 W:基板 A1:第1區域 A2:第2區域
[圖1]圖1係揭示一實施形態的基板處理裝置的俯視圖。 [圖2]圖2係揭示圖1的旋轉吸盤與氣刀與液供給部的立體圖。 [圖3]圖3係揭示一實施形態的基板處理方法的流程圖。 [圖4]圖4係揭示圖3的S2之一例的流程圖。 [圖5]圖5係揭示圖3的S4之一例的流程圖。 [圖6A]圖6A係揭示圖3的S1之完成時的基板處理裝置的剖面圖。 [圖6B]圖6B係透視基板揭示圖6A之一部分的俯視圖。 [圖7A]圖7A係揭示圖4的S21之開始時的基板處理裝置的剖面圖。 [圖7B]圖7B係透視基板揭示圖7A之一部分的俯視圖。 [圖8A]圖8A係揭示圖4的S21之完成時的基板處理裝置的剖面圖。 [圖8B]圖8B係透視基板揭示圖8A之一部分的俯視圖。 [圖9]圖9係透視基板揭示圖4的S22之開始時的基板處理裝置之一部分的俯視圖。 [圖10]圖10係透視基板揭示圖4的S22之完成時的基板處理裝置之一部分的俯視圖。 [圖11]圖11係揭示圖3的S4之開始時的基板處理裝置的剖面圖。
10:基板處理裝置
11:處理槽
14:環護蓋
19:升降機構
20:保持部
21:第1保持部
22:第2保持部
23:旋轉吸盤
24:吸附墊
25:第1橫條
26:第2橫條
27:框架
30:液供給部
31:下噴嘴
32:下噴嘴
33:配管
34:藥液供給源
35:開閉閥
36:流量控制器
37:配管
38:清洗液供給源
39:開閉閥
40:流量控制器
41:配管
42:藥液供給
43:開閉閥
44:流量控制器
45:配管
46:清洗液供給源
47:開閉閥
48:流量控制器
51:上噴嘴
52:上噴嘴
53:配管
54:處理液供給源
55:開閉閥
56:流量控制器
57:配管
58:處理液供給源
59:開閉閥
60:流量控制器
61:配管
62:氣體供給源
63:開閉閥
64:流量控制器
65:移動裝置
70:摩擦體
80:移動部
81:第1移動部
82:第2移動部
90:控制部
91:CPU
92:記憶媒體
93:輸入介面
94:輸出介面

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為具備： 保持部，係保持基板； 液供給部，係對於以前述保持部保持之狀態的前述基板的主面，依序供給第1處理液及與前述第1處理液不同的第2處理液； 摩擦體，係在前述第1處理液及前述第2處理液的供給中，與前述基板的前述主面接觸，以摩擦前述主面； 移動部，係使前述基板的前述主面之前述摩擦體的接觸位置，移動於與前述基板的前述主面平行的方向且相互相交的第1軸方向及第2軸方向；及 控制部，係控制前述液供給部與前述移動部，在前述第1處理液的供給中，使前述摩擦體的前述接觸位置移動於前述第1軸方向的一方向，接著在前述第2處理液的供給中，使前述摩擦體的前述接觸位置移動於前述第1軸方向的另一方向。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中， 前述保持部，係接觸前述基板的前述主面。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中， 前述基板的前述主面，係前述基板的下面； 前述保持部，係具有吸附保持包含前述基板的前述下面之中心的第1區域的第1保持部，與吸附保持包含前述基板的前述下面之周緣，且連接前述第1區域之周緣的第2區域的第2保持部； 前述控制部，係在以前述第2保持部保持前述基板的狀態下，控制前述液供給部與前述移動部，在前述第1處理液的供給中，使前述摩擦體的前述接觸位置在前述第1區域內移動於前述第1軸方向的一方向，接著在前述第2處理液的供給中，使前述摩擦體的前述接觸位置在前述第1區域內移動於前述第1軸方向的另一方向。
  4. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中，更具備： 中繼構件，係在前述第1保持部的周圍昇降，從外部的搬送裝置接收前述基板，將所接收的前述基板交給前述第2保持部； 前述移動部，係具有使前述第2保持部移動於前述第1軸方向的第1移動部，與使前述摩擦體移動於前述第2軸方向的第2移動部； 前述控制部，係在以前述第2保持部保持前述基板的狀態下，控制前述液供給部與前述第1移動部，在前述第1處理液的供給中，往使前述基板的中心離開前述第1保持部的中心的方向移動前述第2保持部，在前述第2處理液的供給中，往使前述基板的中心接近前述第1保持部的中心的方向移動前述第2保持部。
  5. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中，更具有： 氣體吐出環，係在前述第1處理液的供給中，在前述第1保持部的周圍，朝向前述基板的前述下面，形成環狀的氣幕。
  6. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中，更具備： 升降機構，係相對地升降前述第1保持部與前述第2保持部，將前述基板從前述第2保持部交給前述第1保持部；及旋轉機構，係旋轉前述第1保持部； 前述控制部，係在以前述第1保持部保持前述基板，且以前述旋轉機構旋轉前述第1保持部的狀態下，控制前述液供給部與前述第2移動部，在前述第1處理液的供給中，使前述摩擦體的前述接觸位置涵蓋整個前述第2區域進行移動。
  7. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中， 前述液供給部，係包含對於前述基板的上面，供給處理液的上噴嘴； 前述控制部，係在使前述摩擦體的前述接觸位置涵蓋整個前述第2區域進行移動之間，控制前述液供給部，對於前述基板的前述上面供給處理液。
  8. 如請求項1至7中任一項所記載之基板處理裝置，其中， 前述液供給部，係具有前述第1處理液即藥液的吐出口，與前述第2處理液即清洗液的吐出口； 前述藥液的吐出口，係配置於比前述清洗液的吐出口更下方。
  9. 一種基板處理方法，其特徵為具有： 以保持部保持基板的步驟； 對於前述基板的主面，依序供給第1處理液及與前述第1處理液不同的第2處理液的步驟； 以接觸前述基板的前述主面的摩擦體，摩擦前述基板的前述主面的步驟；及 使前述基板的前述主面之前述摩擦體的接觸位置，移動於與前述基板的前述主面平行的方向且相互相交的第1軸方向及第2軸方向的步驟； 前述摩擦體的前述接觸位置的移動，係包含在前述第1處理液的供給中，使前述摩擦體的前述接觸位置移動於前述第1軸方向的一方向，接著在前述第2處理液的供給中，使前述摩擦體的前述接觸位置移動於前述第1軸方向的另一方向的步驟。
  10. 如請求項9所記載之基板處理方法，其中， 前述保持部，係接觸前述基板的前述主面。
  11. 如請求項10所記載之基板處理方法，其中， 前述基板的前述主面，係前述基板的下面； 前述保持部，係具有吸附保持包含前述基板的前述下面之中心的第1區域的第1保持部，與包含前述基板的前述下面之周緣，且吸附保持連接前述第1區域之周緣的第2區域的第2保持部； 且具有：在以前述第2保持部保持前述基板的狀態下，在前述第1處理液的供給中，使前述摩擦體的前述接觸位置在前述第1區域內移動於前述第1軸方向的一方向，接著在前述第2處理液的供給中，使前述摩擦體的前述接觸位置在前述第1區域內移動於前述第1軸方向的另一方向的步驟。
  12. 如請求項11所記載之基板處理方法，其中，具有： 以在前述第1保持部的周圍昇降的中繼構件，從外部的搬送裝置接收前述基板，將所接收的前述基板交給前述第2保持部的步驟；及 在以前述第2保持部保持前述基板的狀態下，在前述第1處理液的供給中，往使前述基板的中心離開前述第1保持部的中心的方向移動前述第2保持部，在前述第2處理液的供給中，往使前述基板的中心接近前述第1保持部的中心的方向移動前述第2保持部的步驟。
  13. 如請求項12所記載之基板處理方法，其中，更具有： 在前述第1處理液的供給中，在前述第1保持部的周圍，朝向前述基板的前述下面，形成環狀的氣幕的步驟。
  14. 如請求項12或13所記載之基板處理方法，其中，更具有： 相對地升降前述第1保持部與前述第2保持部，將前述基板從前述第2保持部交給前述第1保持部的步驟；及 在以前述第1保持部保持前述基板，且旋轉前述第1保持部的狀態下，在前述第1處理液的供給中，使前述摩擦體的前述接觸位置涵蓋整個前述第2區域進行移動的步驟。
  15. 如請求項14所記載之基板處理方法，其中，具有： 在使前述摩擦體的前述接觸位置涵蓋整個前述第2區域進行移動之間，對於前述基板的上面供給處理液的步驟。
TW109138957A 2019-11-21 2020-11-09 基板處理裝置、及基板處理方法 TWI839585B (zh)

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