TW202200273A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TW202200273A
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小佐井一樹
篠原和義
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種技術，在重複利用之預定之處理液的供給時，抑制微粒的發生，並且抑制處理液的濃度變動。 依本發明之基板處理裝置，具備保持部、液體供給部、回收部、循環通路、氣體供給部、控制部。該保持部，保持基板。該液體供給部，對於該保持部所保持之該基板的第1主面，供給處理液。該回收部，將使用於該基板的處理之使用完畢的該處理液予以回收。該循環通路，使該回收部所回收之該處理液返回該液體供給部。該氣體供給部，對於該保持部所保持之該基板的該第1主面反方向的第2主面供給氣體。該控制部，控制該液體供給部、及該氣體供給部。而該控制部，在藉該循環通路返回該液體供給部之預定之該處理液供給至該第1主面之際，對於該第2主面供給該氣體。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。
專利文獻1記載的液處理裝置，具備噴嘴構件。噴嘴構件，以非旋轉狀態設於基板的下方。噴嘴構件，具有對其頂面噴吐處理液之處理液噴吐噴嘴、與噴吐乾燥氣體之氣體噴吐噴嘴。處理液噴吐噴嘴，將藥劑與清洗液依此順序供給至基板的底面。之後，在處理液噴吐噴嘴已噴吐清洗液之狀態下，由氣體噴吐噴嘴噴吐乾燥氣體，來形成清洗液的霧氣。 [習知技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2010-186859號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明的一態樣，提供一種技術，在重複利用之預定之處理液往基板的第1主面供給之際，抑制第1主面反方向的第2主面之微粒產生，並且抑制處理液的濃度變動。 [解決課題之技術手段]
本發明的一態樣相關基板處理裝置，具備保持部、液體供給部、回收部、循環通路、氣體供給部、控制部。該保持部，保持基板。該液體供給部，對於該保持部所保持之該基板的第1主面，供給處理液。該回收部，將使用於該基板的處理之使用完畢的該處理液予以回收。該循環通路，使該回收部所回收之該處理液返回該液體供給部。該氣體供給部，對於該保持部所保持之該基板的該第1主面反方向的第2主面供給氣體。該控制部，控制該液體供給部、及該氣體供給部。而該控制部，在藉該循環通路返回該液體供給部之預定之該處理液供給至該第1主面之際，對於該第2主面供給該氣體。 [發明之功效]
根據本發明的一態樣，便可在重複利用之預定之處理液往基板的第1主面供給之際，抑制第1主面反方向的第2主面之微粒產生，並且可抑制處理液的濃度變動。
以下，針對本發明的實施形態則參照圖式加以說明。另外，會於各圖式當中對相同或是相對應之構成則賦予相同的符號，以省略說明。
基板處理方法，包含例如，於基板的第1主面（例如頂面）形成藥劑的液膜；將藥劑的液膜替換成清洗液的液膜；將清洗液的液膜替換成乾燥液的液膜；及使第1主面自乾燥液的液膜露出。這些的處理，係在相同的處理容器內實施。藥劑、清洗液、及乾燥液，統稱為處理液。
藥劑，往旋轉之基板的第1主面的中心供給，因離心力而往第1主面的徑向全體擴散，來形成液膜。作為藥劑，使用例如BHF（緩衝氫氟酸）等。亦可按順序供給複數種類的藥劑，在此情形，在第1藥劑的液膜形成，與第2藥劑的液膜形成之間，也進行清洗液的液膜形成。
清洗液，往旋轉之基板的第1主面的中心供給，因離心力而往第1主面的徑向全體擴散，將液膜中所含之藥劑替換成清洗液。清洗液，沖刷第1主面殘留的藥劑。作為清洗液，使用例如DIW（去離子水）等的純水。
乾燥液，往旋轉之基板的第1主面的中心供給，因離心力而往第1主面的徑向全體擴散，將液膜中所含之清洗液替換成乾燥液。作為乾燥液，使用表面張力比清洗液更低者。可抑制表面張力造成凹凸圖案的崩塌。乾燥液，係例如IPA（異丙醇）等。
乾燥液的液膜形成後，使基板的第1主面自乾燥液的液膜露出。乾燥液，藉由基板的旋轉而從第1主面甩出。在此之際，亦可使乾燥液的供給位置，自第1主面的中心朝周緣移動。藉由乾燥液的供給位置的移動，於乾燥液的液膜的中心形成開口，該開口自中心位置朝周緣位置逐漸擴散。為了壓制乾燥液的液膜的開口緣，亦可朝開口緣供給氮氣體等的乾燥氣體。乾燥氣體的供給位置，係追隨乾燥液的供給位置來移動。
不過，於藥劑的供給時，藥劑的液膜氣化，產生藥劑的蒸氣。若藥劑的蒸氣自基板的第1主面，迴繞到第1主面反方向的第2主面（例如底面），則第2主面會產生微粒。微粒，主要於第2主面的周緣部產生。本說明書當中，周緣部，係指例如，距離周緣50mm以內的部分。
欲抑制微粒的發生，就在對於基板的第1主面供給藥劑之際，對於基板的第2主面供給清洗液，這是有效的。但是，藥劑與清洗液同時對於基板供給，所以處理後的藥劑會與清洗液混合，藥劑的濃度改變。若藥劑的濃度改變，則藥劑的性能，例如蝕刻率改變。結果，藥劑的重複利用變得困難。
於是，在本實施形態中，在重複利用之預定之藥劑等對於基板的第1主面供給之際，對於基板的第2主面供給氣體。所供給之氣體，沿著基板的第2主面擴散，抑制藥劑的蒸氣迴繞到第2主面。故，可抑制第2主面的微粒產生。再者，藥劑與氣體同時對於基板供給，所以和藥劑與清洗液同時對於基板供給之情形相比，可抑制藥劑的濃度變動。這是因為藥劑與氣體，幾乎不會混合。
作為重複利用之預定之藥劑，可舉出例如BHF。BHF，用於氧化膜的蝕刻等。BHF，係高價品，所以若能重複利用，便可減少成本。成本的減少之外，也可讓廢液減少。另外，重複利用之預定之藥劑，並不限於BHF，亦可為DHF（稀氟酸），或是DSP（Diluted Sulfuric Peroxide，稀硫酸過氧化氫）等。
接下來，參照圖1，針對本實施形態的基板處理裝置1進行說明。圖1當中，X軸方向、Y軸方向、Z軸方向係互相垂直之方向。X軸方向及Y軸方向係水平方向，Z軸方向係鉛直方向。
基板處理裝置1，對基板W進行處理。基板W，係包含例如，矽晶圓或是化合物半導體晶圓等。另外，基板W，亦可為玻璃基板。基板處理裝置1，具備例如，保持部2、旋轉機構3、第1液體供給部4、回收部5、循環通路6、氣體供給部7、第2液體供給部8、控制部9。
保持部2，保持基板W。基板W，具有第1主面Wa、與第1主面Wa反方向的第2主面Wb。保持部2，使例如，基板W的第1主面Wa朝上，將基板W水平保持。保持部2，具有在和基板W的第2主面Wb之間形成空間之底板21、與抓取基板W的周緣之開閉爪22。底板21，係圓盤狀，以水平配置。底板21的中心部有孔穴形成，該孔穴配置流體供給軸11。開閉爪22，沿著底板21的周緣，間隔地配置複數個。
旋轉機構3，使保持部2旋轉。旋轉機構3，包含例如，自保持部2的底板21的中心部往下方延伸之旋轉軸31、使旋轉軸31旋轉之旋轉馬達32、將旋轉馬達32的旋轉驅動力往旋轉軸31傳遞之皮帶33。旋轉軸31係筒狀，於旋轉軸31的內部配置流體供給軸11。流體供給軸11，不會和旋轉軸31一起旋轉。
第1液體供給部4，對於保持部2所保持之基板W的第1主面Wa，供給第1處理液。第1液體供給部4，具有例如，噴吐第1處理液之噴嘴41、使噴嘴41於基板W的徑向移動之移動機構42、對於噴嘴41供給第1處理液之供給管線43。噴嘴41，設於保持部2的上方，具有朝下噴吐第1處理液之噴吐口。
移動機構42，具有例如，保持噴嘴41之迴旋臂42a、使迴旋臂42a迴旋之迴旋機構42b。迴旋機構42b，亦可兼任使迴旋臂42a昇降之機構。迴旋臂42a，係水平配置，以其長邊方向一端部保持噴嘴41，以自其長邊方向另一端部往下方延伸之迴旋軸為中心進行迴旋。另外，移動機構42，亦可取代迴旋臂42a與迴旋機構42b，而具有導軌與直動機構。導軌係水平配置，直動機構使噴嘴41沿著導軌移動。
供給管線43的中途，設有使第1處理液的流路開閉之開閉閥45、及控制第1處理液的流量之流量控制器46等。開閉閥45及流量控制器46，係依第1處理液的種類來設置。
第1處理液，往基板W的第1主面Wa供給。作為第1處理液，使用例如，第1藥劑、第2藥劑、清洗液、乾燥液。第1藥劑係BHF，第2藥劑係SC1（過氧化氫與氫氧化氨的混合液）。
另外，第1處理液的種類，並無特別限定。再者，複數種類的第1處理液，係自圖1之中1個的噴嘴41噴吐，但亦可自不同噴嘴41噴吐。噴嘴41的數量為複數之情形，亦可以複數的噴嘴41可個別移動之方式，設置複數的移動機構42。
回收部5，將基板W的處理所使用之使用完畢的第1處理液予以回收。另外，回收部5，也回收後述的第2處理液。回收部5，係例如杯體，包含圓筒部51、底蓋部52、傾斜部53。圓筒部51，具有比基板W的直徑更大之內徑，係鉛直配置。底蓋部52，將圓筒部51的下端的開口堵塞。傾斜部53，遍佈圓筒部51的上端全周所形成，越往圓筒部51的徑向內側越往上方傾斜。底蓋部52，設有將杯體的內部所存積第1處理液等加以排出之排液管54、將杯體的內部所存積氣體加以排出之排氣管55。
循環通路6，使回收部5所回收之第1處理液返回第1液體供給部4。第1液體供給部4，將藉循環通路6返回第1液體供給部4之第1處理液，對於其他基板W的第1主面Wa供給，重複利用於基板W的處理。重複利用之第1處理液，係例如第1藥劑。第2藥劑、清洗液、及乾燥液，由回收部5回收之後，不返回第1液體供給部4而是廢棄，不重複利用。循環通路6，其中途，具有緩衝槽61等。緩衝槽61，存放例如使用完畢的第1藥劑。
氣體供給部7，對於保持部2所保持之基板W的第2主面Wb供給氣體。作為氣體，使用N2 氣體等的非活性氣體。氣體供給部7，具有例如，噴吐N2 氣體之噴嘴71、對於噴嘴71供給N2 氣體之供給管線72。噴嘴71，設於例如，流體供給軸11的上端，具有朝上噴吐N2 氣體之噴吐口。該噴吐口，亦可朝基板W的第2主面Wb的中心，往斜上方噴吐N2 氣體。
供給管線72的中途，設有使N2 氣體的流路開閉之開閉閥75、及控制N2 氣體之流量之流量控制器76等。開閉閥75及流量控制器76，為了N2 氣體之流量切換，亦可複數設置。一組的開閉閥75及流量控制器76，將流量Q1的N2 氣體往噴嘴71供給。另一組的開閉閥75及流量控制器76，將流量Q2（Q2＜Q1）的N2 氣體往噴嘴71供給。
再者，供給管線72的中途，設有調節N2 氣體的溫度之調溫機構77。調溫機構77，包含將N2 氣體加熱之加熱機構。藉由調溫機構77，可抑制N2 氣體供給造成基板W的溫度低下。
第2液體供給部8，對於保持部2所保持之基板W的第2主面Wb，供給第2處理液。第2液體供給部8，具有例如，噴吐第2處理液之噴嘴81A、81B，與對於噴嘴81A、81B供給第2處理液之供給管線82A、82B。
噴嘴81A、81B，設於例如，流體供給軸11的上端，具有朝上噴吐第2處理液之噴吐口。噴嘴81A、81B，以旋轉之基板W的第2主面Wb全體可形成液膜之方式，配置於第2主面Wb的中心附近。
供給管線82A、82B的中途，設有使第2處理液的流路開閉之開閉閥85、及控制第2處理液的流量之流量控制器86等。開閉閥85及流量控制器86，係依第2處理液的種類來設置。
第2處理液，往基板W的第2主面Wb供給。噴嘴81A，噴吐第2藥劑或是清洗液作為第2處理液。另一方面，噴嘴81B，噴吐清洗液作為第2處理液。
另外，第2處理液的種類，並無特別限定。再者，噴嘴的數量，也並無特別限定。複數種類的第2處理液，可自1個的噴嘴噴吐，亦可自不同噴嘴噴吐。
控制部9，控制旋轉機構3、第1液體供給部4、氣體供給部7、及第2液體供給部8等。控制部9，係例如電腦，具備CPU（Central Processing Unit，中央處理器）91、記憶體等的記錄媒體92。記錄媒體92，儲存了程式，來控制基板處理裝置1當中所執行之各種處理。控制部9，讓記錄媒體92所記錄之程式於CPU91執行，藉以控制基板處理裝置1的動作。
接下來，參照圖2等，針對本實施形態的基板處理方法進行說明。圖2等所示之各工程，係在控制部9之控制下實施。圖2的S101~S106之中，旋轉機構3使保持部2旋轉，使保持部2所保持之基板W旋轉。
圖2的S101之中，如圖3所示，重複利用之預定之第1藥劑L1由噴嘴41對於基板W的第1主面Wa進行供給。第1藥劑L1，往第1主面Wa的中心部供給，藉由離心力往第1主面Wa的全體潤濕擴散，而形成液膜F1。第1藥劑L1，係例如BHF。另外，重複利用之預定之第1藥劑L1，如上所述，並不限於BHF。
再者，S101之中，噴嘴71將N2 氣體對於基板W的第2主面Wb進行供給。N2 氣體，沿著基板W的第2主面Wb擴散，抑制第1藥劑L1的蒸氣迴繞到第2主面Wb。故，可抑制第2主面Wb的微粒產生。再者，和對於第2主面Wb供給清洗液等之情形相異，可防止第1藥劑L1與清洗液等混合，可抑制第1藥劑L1的濃度變動。總之，可抑制第1藥劑L1的性能的變動，能讓第1藥劑L1重複利用。
N2 氣體之流量，係以實驗等來設定，以抑制第1藥劑L1的蒸氣迴繞到第2主面Wb。S101的N2 氣體之流量Q1，比其他的S102~S106的N2 氣體之流量Q2更大。Q1係例如10L/min~60L/min，Q2係例如0.5L/min~2L/min。
再者，S101之中，控制部9，禁止噴嘴81A、81B對於第2處理液的第2主面Wb之供給。所禁止供給的，係和重複利用之預定之第1藥劑L1相異，係例如，第2藥劑及清洗液。禁止第2藥劑及清洗液的供給，所以可抑制第1藥劑的濃度變動。另外，沒有第2液體供給部8之情況下，當然就不用禁止第2處理液的供給。
再者，S101之中，控制部9，亦可藉由感測器12（參照圖1）來測定第1藥劑L1的液膜F1的溫度，依據所測定之液膜F1的溫度來調節N2 氣體的溫度。感測器12，係例如紅外線感測器等。藉由N2 氣體的調溫，便可抑制N2 氣體的供給造成基板W的溫度低下。
接下來，圖2的S102之中，如圖4所示，噴嘴41將清洗液L3對於基板W的第1主面Wa進行供給。清洗液L3，往第1主面Wa的中心部供給，藉由離心力往第1主面Wa的全體潤濕擴散，替換了第1藥劑L1，而形成清洗液L3的液膜F3。清洗液L3，係例如DIW。
再者，S102之中，噴嘴81A將清洗液L3對於基板W的第2主面Wb進行供給。清洗液L3，往第2主面Wb的中心部供給，藉由離心力往第2主面Wb的全體潤濕擴散，而形成液膜F3。液膜F3，同時形成於第1主面Wa與第2主面Wb雙方。
再者，S102之中，噴嘴71噴吐N2 氣體，讓清洗液L3不進入噴嘴71。該N2 氣體之流量係Q2。將N2 氣體之流量從Q1減至Q2，便可抑制N2 氣體的供給造成基板W的溫度低下。和S102同樣地，於後述的S103~S106中，也是噴嘴71噴吐N2 氣體，讓各種的處理液不進入噴嘴71。
接下來，圖2的S103之中，如圖5所示，噴嘴41將第2藥劑L2對於基板W的第1主面Wa進行供給。第2藥劑L2，往第1主面Wa的中心部供給，藉由離心力往第1主面Wa的全體潤濕擴散，替換了清洗液L3，而形成第2藥劑L2的液膜F2。第2藥劑L2，係例如SC1。
再者，S103之中，噴嘴81A將第2藥劑L2對於基板W的第2主面Wb進行供給。第2藥劑L2，往第2主面Wb的中心部供給，藉由離心力往第2主面Wb的全體潤濕擴散，替換了清洗液L3，而形成第2藥劑L2的液膜F2。液膜F2，同時形成於第1主面Wa與第2主面Wb雙方。
接下來，圖2的S104之中，再次，如圖4所示，噴嘴41將清洗液L3對於基板W的第1主面Wa進行供給，而且噴嘴81A將清洗液L3對於基板W的第2主面Wb進行供給。清洗液L3的液膜F3，同時形成於第1主面Wa與第2主面Wb雙方。
接下來，圖2的S105之中，如圖6所示，噴嘴41將乾燥液L4對於基板W的第1主面Wa進行供給。乾燥液L4，往第1主面Wa的中心部供給，藉由離心力往第1主面Wa的全體潤濕擴散，替換了清洗液L3，而形成乾燥液L4的液膜F4。乾燥液L4，係例如IPA。
再者，S105之中，噴嘴81B將清洗液L3對於基板W的第2主面Wb進行供給。清洗液L3，往第2主面Wb的中心部供給，藉由離心力往第2主面Wb的全體潤濕擴散，而形成液膜F3。清洗液L3的液膜F3形成於第2主面Wb，乾燥液L4的液膜F4形成於第1主面Wa。
接下來，圖2的S106之中，如圖7所示，旋轉機構3使基板W旋轉，將基板W的第1主面Wa殘留的乾燥液L4、基板W的第2主面Wb殘留的清洗液L3從基板W甩開。藉此，讓基板W乾燥。
另外，S106之中，如上所述，亦可使乾燥液L4的供給位置，自第1主面Wa的中心朝周緣移動。乾燥液L4的液膜F4的中心部形成開口，該開口自中心位置朝周緣位置逐漸擴散。
接下來，參照圖8，針對對於第2主面所供給之N2 氣體之流量Q1，與第2主面所產生之微粒數的關係進行說明。圖8的實驗之中，實施了圖2所示之S101、S104、S105及S106。圖2所示之S102及S103，並未實施。
圖8的實驗條件，係如下所述。Q1，係 0L/min、10L/min、20L/min、30L/min、40L/min、50L/min、或是60L/min。另一方面，Q2，係2L/min。第1藥劑係BHF，BHF的溫度係20℃，BHF的流量係1.0L/min，BHF的供給時間係25秒。清洗液係DIW，DIW的溫度係20℃，DIW的流量係1.5L/min，DIW的供給時間係30秒。乾燥液係IPA。
圖8的實驗結果，係如下所述。Q1為10L/min的情形，和Q1為0L/min的情形相比，第2主面Wb所產生之微粒數減少約1/20。再者，Q1越大，微粒數越減少。但是，若Q1超過50L/min，則微粒數的減少，幾乎未被發現。為了抑制N2 氣體的浪費，Q1為50L/min以下即可。
接下來，參照圖9，針對變形例相關基板處理裝置1進行說明。以下，主要針對本變形例的基板處理裝置1，與上述實施形態的基板處理裝置1的相異點進行說明。本變形例的氣體供給部7，具有複數的噴嘴71A、71B、複數的供給管線72A、72B、與複數的調溫機構77A、77B。
噴嘴71A，和上述實施形態的噴嘴71同樣地，具有朝基板W的第2主面Wb的中心部噴吐N2 氣體之噴吐口。中心部，係指例如，距離中心50mm以內的部分。噴嘴71A，設於例如流體供給軸11的上端，對於第2主面Wb垂直或是傾斜噴吐N2 氣體。
另一方面，噴嘴71B，具有朝基板W的第2主面Wb的周緣部噴吐N2 氣體之噴吐口。周緣部，係指例如，距離周緣50mm以內的部分。噴嘴71B，設於例如保持部2的底板21，和保持部2一起旋轉。噴嘴71B，對於第2主面Wb垂直或是傾斜噴吐N2 氣體。
噴嘴71B於基板W的第2主面Wb的周緣部形成N2 氣體的氣流，所以可更加抑制第1藥劑L1的蒸氣迴繞到第2主面Wb。故，可更加抑制第2主面Wb的微粒產生。
圖2的S101之中，控制部9，由感測器12在多點測定第1藥劑L1的液膜F1的溫度，而所測定之液膜F1的溫度幅度（最大值與最小值的幅度）為臨界值以上之情形，亦可藉由調溫機構77A、77B來調節N2 氣體的溫度。調節N2 氣體的溫度，便可減低液膜F1的溫度不均，可抑制基板W的處理不均。
未調節N2 氣體的溫度之情形，如圖10中雙短劃虛線所示，從基板W的中心越朝周緣，液膜F1的溫度越低。於是，控制部9，在基板W的徑向多點測定液膜F1的溫度，而所測定之液膜F1的溫度幅度為臨界值以上之情形，則進行控制，使噴嘴71B所噴吐之N2 氣體的溫度，比噴嘴71A所噴吐之N2 氣體的溫度更高。結果，如圖10中實線所示，可抑制液膜F1的溫度不均。
複數的調溫機構77A、77B，獨立調節複數的噴嘴71A、71B所噴吐之N2 氣體的溫度。方便調節液膜F1的溫度分布。但是，欲使噴嘴71B所噴吐之N2 氣體的溫度，比噴嘴71A所噴吐之N2 氣體的溫度更高，調溫機構77的數量為1也是可行的。例如，調溫機構77B將噴嘴71B所噴吐之N2 氣體加熱之情形，亦可以沒有其他的調溫機構77A。
接下來，參照圖11，針對噴嘴71B的配置進行說明。噴嘴71B，沿著保持部2所保持之基板W的周緣，以例如點狀配置複數個。點狀的噴嘴71B，具有圓形狀的噴吐口。可遍及基板W的周向全體，於第2主面Wb的周緣部形成N2 氣體的氣流。
另外，如圖12所示，噴嘴71B，亦可沿著保持部2所保持之基板W的周緣，以例如圓弧狀配置複數個。圓弧狀的噴嘴71B，具有圓弧狀的噴吐口。
再者，如圖13所示，噴嘴71B，亦可沿著保持部2所保持之基板W的周緣，以例如圓環狀配置。圓環狀的噴嘴71B，具有圓環狀的噴吐口。
如圖14所示，噴嘴71A、71B之外，亦可設置噴嘴71C。噴嘴71C，配置於噴嘴71A與噴嘴71B之間，以與噴嘴71B同心圓狀配置。
噴嘴71C，亦可於保持部2所保持之基板W的周向，如圖14所示以點狀配置複數個，亦可如圖15所示以圓弧狀配置複數個，雖未圖示但亦可以圓環狀配置。也就是說，噴嘴71C的噴吐口，可為圓形狀，亦可為圓弧狀，亦可為圓環狀。
接下來，參照圖16及圖17，針對噴嘴71B的配置進行說明。如圖17所示，噴嘴71B，突設於保持部2的底板21的頂面，對於保持部2所保持之基板W的第2主面Wb平行地，並且朝基板W的徑向外側，噴吐N2 氣體。可更加抑制第1藥劑L1的蒸氣迴繞到第2主面Wb。
另外，噴嘴71B，亦可如圖16所示以圓環狀配置，但亦可以複數的圓弧狀配置，亦可以複數的點狀配置。也就是說，噴嘴71B的噴吐口，可為圓形狀，亦可為圓弧狀，亦可為圓環狀。
再者，噴嘴71B，亦可如圖16所示突設於保持部2的底板21的頂面，但亦可突設於流體供給軸11的頂面。前者的情形，噴嘴71B會和底板21一起旋轉。另一方面，後者的情形，噴嘴71B，不會和底板21一起旋轉。
以上，針對本發明之基板處理裝置及基板處理方法的實施形態等進行了說明，但本發明並不限於上述實施形態等。在申請專利範圍所記載之範疇內，可進行各種的變更、修正、替換、附加、削除、及組合。這些當然也屬於本發明的技術範圍。
1:基板處理裝置 2:保持部 3:旋轉機構 4:第1液體供給部(液體供給部) 5:回收部 6:循環通路 7:氣體供給部 8:第2液體供給部 9:控制部 11:流體供給軸 12:感測器 21:底板 22:開閉爪 31:旋轉軸 32:旋轉馬達 33:皮帶 41:噴嘴 42:移動機構 42a:迴旋臂 42b:迴旋機構 43:供給管線 45:開閉閥 46:流量控制器 51:圓筒部 52:底蓋部 53:傾斜部 54:排液管 55:排氣管 61:緩衝槽 71,71A,71B,71C:噴嘴 72,72A,72B:供給管線 75:開閉閥 76:流量控制器 77,77A,77B:調溫機構 81A,81B:噴嘴 82A,82B:供給管線 85:開閉閥 86:流量控制器 91:CPU 92:記錄媒體 L1:第1藥劑 L2:第2藥劑 L3:清洗液 L4:乾燥液 F1~F4:液膜 Q1,Q2:流量 W:基板 Wa:第1主面 Wb:第2主面
[圖1]係顯示一實施形態相關基板處理裝置之圖式。 [圖2]係顯示一實施形態相關基板處理方法之表。 [圖3]係顯示圖2的S101的一例之圖式。 [圖4]係顯示圖2的S102及S104的一例之圖式。 [圖5]係顯示圖2的S103的一例之圖式。 [圖6]係顯示圖2的S105的一例之圖式。 [圖7]係顯示圖2的S106的一例之圖式。 [圖8]係顯示對於第2主面所供給之N2 氣體之流量，與第2主面當中微粒數的關係的一例之圖式。 [圖9]係顯示變形例相關基板處理裝置之圖式。 [圖10]係顯示基板的第1主面所形成液膜的溫度分布的一例之圖式。 [圖11]係顯示氣體供給部的噴嘴的第1例之圖式。 [圖12]係顯示氣體供給部的噴嘴的第2例之圖式。 [圖13]係顯示氣體供給部的噴嘴的第3例之圖式。 [圖14]係顯示氣體供給部的噴嘴的第4例之圖式。 [圖15]係顯示氣體供給部的噴嘴的第5例之圖式。 [圖16]係顯示氣體供給部的噴嘴的第6例之圖式。 [圖17]係沿著圖16的XVII-XVII線之剖面圖。
11:流體供給軸
41:噴嘴
71:噴嘴
81A,81B:噴嘴
L1:第1藥劑
F1:液膜
W:基板
Wa:第1主面
Wb:第2主面

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，具備： 保持部，保持基板； 液體供給部，對於該保持部所保持之該基板的第1主面，供給處理液； 回收部，將使用於該基板的處理之使用完畢的該處理液予以回收； 循環通路，使該回收部所回收之該處理液返回該液體供給部； 氣體供給部，對於該保持部所保持之該基板的該第1主面反方向的第2主面供給氣體；及 控制部，控制該液體供給部、及該氣體供給部； 而該控制部，在將藉該循環通路返回該液體供給部之預定之該處理液供給至該第1主面之際，對於該第2主面供給該氣體。
  2. 如請求項1的基板處理裝置，其中，更具備： 第2液體供給部，對於該保持部所保持之該基板的該第2主面，供給第2處理液； 該控制部，在將藉該循環通路返回該液體供給部之預定之該處理液供給至該第1主面之際，禁止該第2處理液對於該第2主面供給； 所禁止的該第2處理液，係和藉該循環通路返回該液體供給部之預定之該處理液相異。
  3. 如請求項1或2的基板處理裝置，其中， 該氣體供給部，包含調節該氣體的溫度之調溫機構。
  4. 如請求項1或2的基板處理裝置，其中，更具備： 感測器，用來測定形成於該基板的該第1主面上之藉該循環通路返回該液體供給部之預定之該處理液的液膜的溫度。
  5. 如請求項1或2的基板處理裝置，其中，更具備： 感測器，用來測定形成於該基板的該第1主面上之藉該循環通路返回該液體供給部之預定之該處理液的液膜的溫度； 該氣體供給部，包含調節該氣體的溫度之調溫機構； 該控制部，依據該感測器所測定之該液膜的溫度，藉由該調溫機構來調節該氣體的溫度，將已調節溫度的該氣體供給至該基板的該第2主面。
  6. 如請求項5的基板處理裝置，其中， 該控制部，藉由該感測器在多點測定該液膜的溫度，於該液膜的溫度幅度為臨界值以上之情形時，藉由該調溫機構來調節該氣體的溫度，將已調節溫度的該氣體供給至該基板的該第2主面。
  7. 如請求項1或2的基板處理裝置，其中， 該氣體供給部，包含噴嘴，朝該保持部所保持之該基板的該第2主面的周緣部噴吐該氣體。
  8. 如請求項7的基板處理裝置，其中， 該噴嘴，沿著該保持部所保持之該基板的周緣，以圓環狀配置，或以圓弧狀配置複數個，或以點狀配置複數個。
  9. 如請求項7的基板處理裝置，其中， 該噴嘴，對於該保持部所保持之該基板的該第2主面垂直或是傾斜噴吐該氣體。
  10. 如請求項7的基板處理裝置，其中， 該噴嘴，對於該保持部所保持之該基板的該第2主面平行地，並且朝該基板的徑向外側，噴吐該氣體。
  11. 一種基板處理方法，包含： 對於基板的第1主面供給處理液； 將使用於該基板的處理之使用完畢的該處理液予以回收； 使所回收之該處理液重複利用於其他該基板的處理； 該基板處理方法，更包含： 在重複利用之預定之該處理液供給至該第1主面之際，對於該基板的該第1主面反方向的第2主面供給氣體。
  12. 如請求項11的基板處理方法，其中，更包含： 將與該重複利用之預定之該處理液相異之第2處理液供給至該基板的該第2主面； 在該重複利用之預定之該處理液供給至該基板的該第1主面之際，禁止該第2處理液供給至該基板的該第2主面。
  13. 如請求項11或12的基板處理方法，其中，更包含： 測定形成於該基板的該第1主面上之該重複利用之預定之該處理液的液膜的溫度； 在將該氣體供給至該基板的該第2主面之際，依據所測定之該液膜的溫度，來調節該氣體的溫度。
  14. 如請求項13的基板處理方法，其中， 該液膜的溫度測定，包括：在多點測定該液膜的溫度； 該氣體的溫度調節，係在該液膜的溫度幅度為臨界值以上之情形實施。
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