JP4841376B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などに代表される各種基板に対して処理液を用いた処理を施すための基板処理装置に関する。

半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面に処理液を供給して、その基板の表面を処理液で洗浄する処理などが行われる。
たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の洗浄処理を実施する装置は、基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板の表面に処理液を供給するためのノズルとを備えている。処理時には、スピンチャックによって基板が回転されつつ、その基板の表面の回転中心付近にノズルから処理液が供給される。基板の表面上に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の表面上を周縁に向けて流れる。これによって、基板の表面の全域に処理液が行き渡り、基板の表面に対する処理液による洗浄処理が達成される。

一般的なスピンチャックとして、基板の下面（下方を向いた表面）を真空吸着して基板を保持する真空吸着型のスピンチャックと、複数本のチャックピンで基板の端面を挟持して基板を保持する端面挟持型のスピンチャックとが知られている。しかしながら、真空吸着型および端面挟持型のどちらのタイプのスピンチャックも、基板との接触が不可避であり、基板に接触跡を残すおそれがある。

そのため、最近では、基板の下面に微小間隔を隔てて対向配置される基板対向面を有し、この基板対向面から基板対向面と基板の下面との間に窒素ガスを供給して、このとき生じるベルヌーイ効果により基板を支持する非接触型のスピンチャックが注目されてきている。非接触型のスピンチャックでは、基板を非接触で支持することができるので、基板に接触跡を残すおそれがない。
特開２００６−１９５４５号公報

ところが、非接触型のスピンチャックを採用した場合、基板の処理対象面が上面（上方を向いた表面）に限られてしまう。すなわち、基板の上面に処理液を供給して、基板の上面のみを処理することはできるが、このとき基板の下面に処理液を供給することができないので、基板の上面および下面の両面を同時に処理することはできない。そのため、基板の両面が処理対象面であるときには、基板の一方面を処理した後、基板を上下反転させて、その他方面を処理しなければならず、１枚の基板の処理に要する時間が長くかかってしまう。

そこで、この発明の目的は、基板の処理対象面を非接触状態で保持することができながら、その処理対象面に処理液による処理を施すことができる基板処理装置を提供することである。

前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）に対して処理液を用いた処理を施すための基板処理装置であって、前記基板の一方面に間隔を隔てて対向配置され、前記一方面と対向する面に複数の吐出口（１６；２２）および吸引口（１７；２３）が形成された一方側プレート（２；３）と、前記一方側プレートの前記吐出口に処理液を供給するための一方側処理液供給手段（２７，２８，２９，３３，３４，３５；４７，４８，４９，５３，５４，５５）と、前記一方側プレートの前記吸引口内を吸引するための一方側吸引手段（５；７）と、前記基板の前記一方面と反対側の他方面に間隔を隔てて対向配置され、前記他方面と対向する面に複数の吐出口（２２；１６）および吸引口（２３；１７）が形成された他方側プレート（３；２）と、前記他方側プレートの前記吐出口に処理液を供給するための他方側処理液供給手段（４７，４８，４９，５３，５４，５５；２７，２８，２９，３３，３４，３５）と、前記他方側プレートの前記吸引口内を吸引するための他方側吸引手段（７；５）とを含み、前記一方側プレートと前記基板の一方面との間に形成される処理液の流れによって、前記基板の一方面が、前記一方側プレートとの間に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持されることを特徴とする、基板処理装置である。

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、基板の一方面に一方側プレートを対向配置させて、その一方側プレートに形成された吐出口から基板の一方面に向けて処理液を吐出させつつ、その一方側プレートに形成された吸引口から処理液を吸引すると、一方側プレートと基板の一方面との間に処理液の流れが形成され、その処理液の流れによって、基板の一方面を一方側プレートとの間に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持することができる。このとき、基板の一方面に処理液が接液した状態となり、その基板の一方面に対して処理液による処理が施される。したがって、基板の処理対象面である一方面を非接触状態で保持することができながら、その基板の一方面に処理液による処理を施すことができる。また、その状態で基板の一方面と反対側の他方面に処理液を供給すれば、基板の他方面に対しても処理液による処理を施すことができ、基板の両面の同時処理を達成することができる。
また、基板の一方面と反対側の他方面に他方側プレートを対向配置させて、その他方側プレートに形成された吐出口から基板の他方面に向けて処理液を吐出させつつ、その他方側プレートに形成された吸引口から処理液を吸引すると、他方側プレートと基板の他方面との間に処理液の流れが形成され、その処理液の流れによって、基板の他方面を他方側プレートとの間に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持することができる。すなわち、基板は、一方側プレートに所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持されつつ、他方側プレートにも所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持される。このとき、基板の一方面および他方面の両面に処理液が接液した状態となり、その基板の両面に対して処理液による処理が施される。よって、基板を非接触状態で保持することができながら、基板の両面の同時処理を達成することができる。

請求項２記載の発明は、前記一方側処理液供給手段は、前記一方側プレートの前記吐出口に前記処理液としての薬液を供給することを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、一方側処理液供給手段により吐出口に薬液が供給されて、その吐出口から薬液が吐出されるので、基板の一方面に薬液による処理を施すことができる。

請求項３記載の発明は、前記一方側プレートの前記吐出口に純水を供給するための一方側純水供給手段（２７，２８，３０，３６；４７，４８，５０，５６）をさらに含むことを特徴とする、請求項２記載の基板処理装置である。
この構成によれば、たとえば、薬液による処理後に、一方側純水供給手段により吐出口に純水を供給して、その吐出口から純水を吐出させることによって、基板の一方面に付着している薬液を純水で洗い流すことができる。

請求項４記載の発明は、前記一方側純水供給手段により純水が供給される前記吐出口は、前記一方側処理液供給手段により処理液が供給される前記吐出口と共通であることを特徴とする、請求項３記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理液を吐出する吐出口と純水を吐出する吐出口とが共通であるので、処理液を吐出する吐出口と純水を吐出する吐出口とを異ならせた構成に比べて、一方側プレートに形成される吐出口の総数を少なくすることができ、一方側プレートの構成を簡素化することができる。

請求項５記載の発明は、前記一方側純水供給手段により純水が供給される前記吐出口は、前記一方側処理液供給手段により処理液が供給される前記吐出口と異なることを特徴とする、請求項３記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理液を吐出する吐出口と純水を吐出する吐出口とが異なるので、吐出口で処理液と純水とが混ざるのを防止することができ、基板の一方面に純度の高い処理液および純水を供給することができる。そのため、基板の一方面に対して、処理液による処理および純水による処理を良好に施すことができる。

請求項６記載の発明は、前記一方側処理液供給手段（２７，２８，３０，３６；４７，４８，５０，５６）は、前記一方側プレートの前記吐出口に前記処理液としての純水を供給することを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、一方側処理液供給手段により吐出口に純水が供給されて、その吐出口から純水が吐出されるので、基板の一方面に純水による処理を施すことができる。

請求項７記載の発明は、前記一方側プレートの前記吐出口に前記基板の乾燥を促進するための乾燥促進用流体を供給するための一方側乾燥促進用流体供給手段（２７，２８，３１，３７；４７，４８，５１，５７）をさらに含むことを特徴とする、請求項３ないし６のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、たとえば、純水による処理後（基板の一方面に付着している薬液を純水で洗い流した後）に、一方側乾燥促進用流体供給手段により吐出口に乾燥促進用流体を供給して、その吐出口から乾燥促進用流体を吐出させることによって、基板の一方面に付着している純水の乾燥を促進させることができる。そのため、基板を乾燥させるための処理に要する時間を短縮することができる。

請求項８記載の発明は、前記一方側乾燥促進用流体供給手段により乾燥促進用流体が供給される前記吐出口は、前記一方側処理液供給手段により処理液が供給される前記吐出口と共通であることを特徴とする、請求項７記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理液を吐出する吐出口と乾燥促進用流体を吐出する吐出口とが共通であるので、処理液を吐出する吐出口と乾燥促進用流体を吐出する吐出口とを異ならせた構成に比べて、一方側プレートに形成すべき吐出口の総数を少なくすることができ、一方側プレートの構成を簡素化することができる。

請求項９記載の発明は、前記一方側乾燥促進用流体供給手段により乾燥促進用流体が供給される前記吐出口は、前記一方側処理液供給手段により処理液が供給される前記吐出口と異なることを特徴とする、請求項７記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理液を吐出する吐出口と乾燥促進用流体を吐出する吐出口とが異なるので、吐出口で処理液と乾燥促進用流体とが混ざるのを防止することができ、基板の一方面に対して純度の高い処理液および乾燥促進用流体を供給することができる。

請求項１０記載の発明は、前記一方側プレートの前記吐出口に不活性ガスを供給するための一方側ガス供給手段（２７，２８，３２，３８；４７，４８，５２，５８）をさらに含むことを特徴とする、請求項２ないし９のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、たとえば、基板の一方面に乾燥促進用流体を供給した後に、一方側ガス供給手段により吐出口に不活性ガスを供給して、その吐出口から不活性ガスを吐出させることによって、基板の一方面にウォータマーク（乾燥跡）を生じることなく、その基板の一方面を速やかに乾燥させることができる。

請求項１１記載の発明は、前記一方側ガス供給手段により不活性ガスが供給される前記吐出口は、前記一方側処理液供給手段により処理液が供給される前記吐出口と共通であることを特徴とする、請求項１０記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理液を吐出する吐出口と不活性ガスを吐出する吐出口とが共通であるので、処理液を吐出する吐出口と不活性ガスを吐出する吐出口とを異ならせた構成に比べて、一方側プレートに形成すべき吐出口の総数を少なくすることができ、一方側プレートの構成を簡素化することができる。

請求項１２記載の発明は、前記一方側ガス供給手段により不活性ガスが供給される前記吐出口は、前記一方側処理液供給手段により処理液が供給される前記吐出口と異なることを特徴とする、請求項１０記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理液を吐出する吐出口と不活性ガスを吐出する吐出口とが異なるので、不活性ガスを吐出するときに、その不活性ガスとともに吐出口に残っていた処理液が吐出されることを防止でき、基板の一方面が処理液により汚染されるのを防止することができる。

請求項１３記載の発明は、前記一方側処理液供給手段による前記吐出口への処理液の供給流量を制御する一方側流量制御手段（９１）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし１２のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、一方側プレートの吐出口への処理液の供給流量を制御して、その吐出口から基板の一方面に供給される処理液の流量を制御することにより、基板の一方面に対する処理の進行速度を調節することができる。たとえば、処理液が基板の一方面上の薄膜をエッチングするためのエッチング液である場合、そのエッチング液の供給流量を制御することにより、エッチングレートを調節することができる。

請求項１４記載の発明は、前記他方側処理液供給手段による前記吐出口への処理液の供給流量を制御する他方側流量制御手段（９１）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし１３のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、他方側プレートの吐出口への処理液の供給流量を制御して、その吐出口から基板の他方面に供給される処理液の流量を制御することにより、基板の他方面に対する処理の進行速度を調節することができる。たとえば、処理液が基板の他方面上の薄膜をエッチングするためのエッチング液である場合、そのエッチング液の供給流量を制御することにより、エッチングレートを調節することができる。

請求項１５記載の発明は、前記他方側プレートの前記吐出口に不活性ガスを供給するための他方側ガス供給手段（４７，４８，５２，５８；２７，２８，３２，３８）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし１４のいずれかに記載の基板処理装置である。

この構成によれば、基板の一方面と反対側の他方面に他方側プレートを対向配置させて、その他方側プレートに形成された吐出口から基板の他方面に向けて不活性ガスを吐出させつつ、その他方側プレートに形成された吸引口から不活性ガスを吸引すると、他方側プレートと基板の他方面との間に不活性ガスの流れが形成され、その不活性ガスの流れによって、基板の他方面を他方側プレートとの間に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持することができる。すなわち、基板は、一方側プレートに所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持されつつ、他方側プレートにも所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持される。このとき、基板の一方面に供給される処理液は、基板の他方面と他方側プレートとの間に形成される不活性ガスの流れにより、それらの間に進入することを阻止される。そのため、基板の他方面を保護しつつ、基板の一方面に対して処理液による処理を施すことができる。また、必要に応じて、吐出口に不活性ガスを供給して、基板の他方面を保護しつつ、基板の一方面に処理液による処理を施したり、吐出口に他方側処理液供給手段から処理液を供給して、基板の一方面および他方面の両面に処理液による処理を施したりすることができる。

請求項１６記載の発明は、前記他方側プレートは、前記一方側プレートと対向する基板処理位置に対して前記基板を搬送する基板搬送手段を兼ねていることを特徴とする、請求項１ないし１５のいずれかに記載の基板処理装置である。
この発明によれば、他方側プレートが基板搬送手段を兼ねているので、基板搬送手段を別に設ける場合に比べて、構成の簡素化およびコストの低減化を図ることができる。

請求項１７記載の発明は、前記一方側プレートと前記他方側プレートとを相対的に近接および離間させるための接離機構（２６）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし１６のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、接離機構によって、一方側プレートと他方側プレートとを相対的に近接させたり離間させたりすることができる。そのため、基板の搬入および搬出時に、一方側プレートと他方側プレートとを離間させることにより、基板の搬入および搬出をスムーズに行うことができる。

請求項１８記載の発明は、前記一方側プレートの周縁部と前記他方側プレートの周縁部との間をシールするためのシール手段（７１）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし１７のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、一方側プレートの周縁部と他方側プレートの周縁部との間がシールされることにより、一方側プレートと他方側プレートとに吸着保持された基板の周囲を密閉空間とすることができ、処理液を含む雰囲気が周囲に拡散するのを防止しつつ、処理液による処理を行うことができる。

請求項１９記載の発明は、前記他方側プレートには、前記吐出口に接続された流路（２４）が形成されており、前記流路の前記吐出口との接続部分（８２）は、前記吐出口に向けて拡がる断面テーパ状をなしていることを特徴とする、請求項１ないし１８のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、流路の吐出口との接続部分が吐出口に向けて拡がる断面テーパ状をなしているので、吐出口から吐出される処理液または不活性ガスの圧力（吐出圧）を、基板の他方面と平行な方向に分散させることができる。そのため、基板の他方面に対して処理液または不活性ガスを均一に供給することができる。

請求項２０記載の発明は、前記他方側プレートには、前記吐出口に接続された流路（２４）が形成されており、前記流路の前記吐出口との接続部分に設けられた吐出圧分散用ボール８４をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし１９のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、流路の吐出口との接続部分に吐出圧分散用ボールが設けられているので、吐出口から吐出される処理液または不活性ガスの圧力（吐出圧）を、基板の他方面と平行な方向に分散させることができる。そのため、基板の他方面に対して処理液または不活性ガスを均一に供給することができる。

請求項２１記載の発明は、前記他方側プレートに結合され、前記他方側プレートにおける前記基板の前記他方面と対向する面に直交する軸線を中心に、前記他方側プレートを回転させる他方側回転駆動機構（１０４；１０２）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし２０のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、他方側プレートを、他方側プレートにおける基板の他方面との対向面と直交する軸線を中心に回転させることができる。一方側プレートにより基板を保持しつつ、他方側プレートを回転させることによって、基板の他方面における他方側プレートの各吐出口の対向位置を変更することができる。これにより、基板の他方面において、処理液などが局所的に強く供給されることを防止することができる。その結果、基板の他方面に対して処理液による処理などを均一に施すことができる。

請求項２２記載の発明は、前記一方側プレートに結合され、前記一方側プレートにおける前記基板の前記一方面と対向する面に直交する軸線を中心に、前記一方側プレートを回転させる一方側回転駆動機構（１０２；１０４）をさらに含むことを特徴とする、請求項２１に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、他方側プレートだけでなく、一方側プレートを、一方側プレートにおける基板の一方面との対向面と直交する軸線を中心に回転させることができる。一方側プレートおよび他方側プレートの両方を回転させることにより、基板の他方面における他方側プレートの各吐出口の対向位置および基板の一方面における一方側プレートの各吐出口の対向位置をそれぞれ変更することができる。これにより、基板の一方面および他方面の両面において、処理液などが局所的に強く供給されることを防止することができる。その結果、基板の一方面および他方面の両面に対して処理液による処理などを均一に施すことができる。

請求項２３記載の発明は、前記一方側プレートには、前記吐出口に接続された流路（１８）が形成されており、前記流路の前記吐出口との接続部分（８１）は、前記吐出口に向けて拡がるテーパ状をなしていることを特徴とする、請求項１ないし２２のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、流路の吐出口との接続部分が吐出口に向けて拡がる断面テーパ状をなしているので、吐出口から吐出される処理液、純水、乾燥促進用流体または不活性ガスの圧力（吐出圧）を、基板の一方面と平行な方向に分散させることができる。そのため、基板の一方面に対して処理液、純水、乾燥促進用流体または不活性ガスを均一に供給することができる。

請求項２４記載の発明は、前記一方側プレートには、前記吐出口に接続された流路（１８）が形成されており、前記流路の前記吐出口との接続部分に設けられた吐出圧分散用ボール（８３）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし２３のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、流路の吐出口との接続部分に吐出圧分散用ボールが設けられているので、吐出口から吐出される処理液、純水、乾燥促進用流体または不活性ガスの圧力（吐出圧）を、基板の一方面と平行な方向に分散させることができる。そのため、基板の一方面に対して処理液、純水、乾燥促進用流体または不活性ガスを均一に供給することができる。

請求項２５記載の発明は、前記基板は、前記一方面にデバイスが形成されたデバイス形成領域を有していることを特徴とする、請求項１ないし２４のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板のデバイス形成領域側の表面に対して、一方側プレートの吐出口から吐出される処理液による処理を施すことができる。

請求項２６記載の発明は、前記基板は、前記他方面にデバイスが形成されたデバイス形成領域を有していることを特徴とする、請求項１ないし２５のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板のデバイス形成領域側の表面と反対側の面、つまり基板の裏面に対して、一方側プレートの吐出口から吐出される処理液による処理を施すことができる。

なお、デバイス形成領域は、基板の一方面のみに形成されていてもよいし、他方面にのみ形成されていてもよい。また、デバイス形成領域は、基板の一方面および他方面の両面に形成されていてもよい。この場合に、基板の一方面および他方面に形成された各デバイス形成領域に対して処理液による処理を同時に施すことができる。

請求項２７記載の発明は、前記一方側吸引手段により前記一方側プレートの前記吸引口から吸引される処理液を、前記一方側処理液供給手段による処理液の供給路上に戻して、基板の処理に再利用するための処理液再利用手段（４２，４３，４５；６２，６３，６５）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし２６のいずれかに記載の基板処理装置である。

この構成によれば、一方側プレートの吸引口から吸引される処理液を、それ以降の基板の処理に再利用することができる。そのため、処理液の浪費を防止することができ、処理液の消費量を低減することができる。
請求項２８記載の発明は、前記一方側プレート上で基板を回転させる基板回転手段（９２）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし２７のいずれかに記載の基板処理装置である。

この構成によれば、一方側プレート上で基板を回転（自転および公転を含む。）させることにより、基板の一方面（および他方面）に対して処理液をむらなく均一に供給することができる。そのため、処理の均一性の向上を図ることができる。
請求項２９記載の発明は、前記一方側プレート上での基板の位置を移動させる基板位置移動手段（９３Ａ，９３Ｂ，９３Ｃ，９５Ａ，９５Ｂ，９５Ｃ，９４Ａ，９４Ｂ，９４Ｃ，９６Ａ，９６Ｂ，９６Ｃ）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし２８のいずれかに記載の基板処理装置である。

この構成によれば、一方側プレート上での基板の位置を移動させることにより、基板の一方面（および他方面）に対して処理液をより均一に供給することができる。そのため、処理の均一性のさらなる向上を図ることができる。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
この基板処理装置は、基板の一例としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗにおけるデバイス形成領域側の表面および裏面の両面に対して処理液による処理を施すための枚葉型の装置である。そして、この基板処理装置は、処理室１と、この処理室１内に配置される下プレート２および上プレート３と、下プレート２に接続された下側供給機構４および下側吸引機構５と、上プレート３に接続された上側供給機構６および上側吸引機構７とを備えている。

処理室１は、隔壁１１により区画されており、その一方側壁に、ウエハＷを搬入および搬出するための開口１２が形成されている。この開口１２に関連して、開口１２を開閉するためのシャッタ１３が設けられている。シャッタ１３には、シリンダなどの駆動源を含む開閉駆動機構１４が結合されている。シャッタ１３は、その開閉駆動機構１４により、たとえば、開口１２が形成されている一方側壁の外面から側方に離間しつつ下方の開放位置に移動されて、開口１２を開放し、その開放位置から一方側壁に近接しつつ上方に移動されて、開口１２を閉塞する。

下プレート２は、ウエハＷよりも大きな径を有する円板状に形成されており、処理室１の底面に設けられたプレート支持台１５上に固定されて、開口１２の下端縁よりも低い位置に、水平面に沿って配置されている。下プレート２の上面には、複数の吐出口１６および吸引口１７が形成されている。また、下プレート２には、各吐出口１６に連通する略円柱状の供給路１８と、各吸引口１７に連通する略円柱状の吸引路１９とが、その厚み方向(上下方向）に貫通して形成されている。さらに、下プレート２の上面には、ウエハＷの端面をガイドするための複数本（たとえば、４本）のガイドピン２０が立設されている。

上プレート３は、ウエハＷよりも大きな径を有する円板状に形成されており、図示しないアームにより支持された支持ブロック２１の下面に固定されて、下プレート２の上方に、下プレート２と平行をなして対向配置されている。上プレート３の下面には、複数の吐出口２２および吸引口２３が形成されている。また、上プレート３には、各吐出口２２に連通する略円柱状の供給路２４と、各吸引口２３に連通する略円柱状の吸引路２５とが、その厚み方向(上下方向）に貫通して形成されている。また、上プレート３には、この上プレート３を昇降させるための接離機構としての昇降駆動機構２６が結合されている。

下側供給機構４は、下プレート２の供給路１８を介して吐出口１６に、処理液としてのふっ酸（ＨＦ）、ＤＩＷ（脱イオン化された純水）、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）および窒素ガスを選択的に供給することができるように構成されている。
すなわち、下側供給機構４は、各供給路１８に一端が接続された分岐接続管２７と、分岐接続管２７の他端が共通に接続された集合供給管２８とを備えている。集合供給管２８は、処理室１の外部へ延びており、この集合供給管２８には、処理室１外において、処理液供給管２９、ＤＩＷ供給管３０、ＩＰＡ供給管３１および窒素ガス供給管３２が接続されている。処理液供給管２９は、処理液が貯留された処理液タンク３３から延びており、その途中部には、処理液タンク３３からふっ酸を汲み出すための処理液ポンプ３４と、この処理液供給管２９を開閉する処理液バルブ３５とが介装されている。ＤＩＷ供給管３０には、図示しないＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるようになっており、その途中部には、このＤＩＷ供給管３０を開閉するＤＩＷバルブ３６が介装されている。ＩＰＡ供給管３１には、図示しないＩＰＡ供給源からのＩＰＡが供給されるようになっており、その途中部には、このＩＰＡ供給管３１を開閉するＩＰＡバルブ３７が介装されている。また、窒素ガス供給管３２には、図示しない窒素ガス供給源からの窒素ガスが供給されるようになっており、その途中部には、この窒素ガス供給管３２を開閉する窒素ガスバルブ３８が介装されている。

これにより、ＤＩＷバルブ３６、ＩＰＡバルブ３７および窒素ガスバルブ３８を閉じて、処理液バルブ３５を開き、処理液ポンプ３４を駆動することによって、処理液タンク３３に貯留されているふっ酸を各吐出口１６に供給することができる。また、処理液バルブ３５、ＩＰＡバルブ３７および窒素ガスバルブ３８を閉じて、ＤＩＷバルブ３６を開くことにより、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷを各吐出口１６に供給することができる。さらに、処理液バルブ３５、ＤＩＷバルブ３６および窒素ガスバルブ３８を閉じて、ＩＰＡバルブ３７を開くことにより、ＩＰＡ供給源からのＩＰＡを各吐出口１６に供給することができ、処理液バルブ３５、ＤＩＷバルブ３６およびＩＰＡバルブ３７を閉じて、窒素ガスバルブ３８を開くことにより、窒素ガス供給源からの窒素ガスを各吐出口１６に供給することができる。

下側吸引機構５は、各吸引路１９に一端が接続された分岐接続管３９と、分岐接続管３９の他端が共通に接続された集合吸引管４０とを備えている。集合吸引管４０は、処理室１の外部へ延びており、その先端（集合吸引管４０における流体の流通方向の下流端）は、集合吸引管４０内を真空吸引するためのコンバム４１に接続されている。また、集合吸引管４０には、処理室１外において、処理液回収管４２が分岐して接続されている。この処理液回収管４２の先端（処理液回収管４２における流体の流通方向の下流端）は、処理液タンク３３に接続されており、その途中部には、集合吸引管４０側から順に、処理液回収管４２を開閉する回収バルブ４３と、処理液回収管４２を流通する流体（ふっ酸）中の異物を除去するためのフィルタ４４と、処理液回収管４２にふっ酸を引き込むための回収ポンプ４５とが介装されている。また、集合吸引管４０には、処理液回収管４２の接続部よりも先端側の位置に、この集合吸引管４０を開閉する吸引バルブ４６が介装されている。

これにより、下プレート２の吐出口１６からふっ酸、ＤＩＷ、ＩＰＡまたは窒素ガスが吐出されている状態で、回収バルブ４３を閉じ、吸引バルブ４６を開いて、コンバム４１を駆動することによって、吐出口１６から吐出されるふっ酸、ＤＩＷ、ＩＰＡまたは窒素ガスを、下プレート２の吸引口１７、吸引路１９、分岐接続管３９および集合吸引管４０を介してコンバム４１に吸引することができる。また、下プレート２の吐出口１６からふっ酸が吐出されている状態で、吸引バルブ４６を閉じ、回収バルブ４３を開いて、回収ポンプ４５を駆動することによって、吐出口１６から吐出されるふっ酸を、下プレート２の吸引口１７から吸引し、吸引路１９、分岐接続管３９、集合吸引管４０および処理液回収管４２を介して処理液タンク３３に回収することができる。

上側供給機構６は、上プレート３の供給路２４を介して吐出口２２に、ふっ酸、ＤＩＷ（脱イオン化された純水）、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）および窒素ガスを選択的に供給することができるように構成されている。
すなわち、上側供給機構６は、各供給路２４に一端が接続された分岐接続管４７と、分岐接続管４７の他端が共通に接続された集合供給管４８とを備えている。集合供給管４８は、処理室１の外部へ延びており、この集合供給管４８には、処理室１外において、処理液供給管４９、ＤＩＷ供給管５０、ＩＰＡ供給管５１および窒素ガス供給管５２が接続されている。処理液供給管４９は、ふっ酸が貯留された処理液タンク５３から延びており、その途中部には、処理液タンク５３からふっ酸を汲み出すための処理液ポンプ５４と、この処理液供給管４９を開閉する処理液バルブ５５とが介装されている。ＤＩＷ供給管５０には、図示しないＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるようになっており、その途中部には、このＤＩＷ供給管５０を開閉するＤＩＷバルブ５６が介装されている。ＩＰＡ供給管５１には、図示しないＩＰＡ供給源からのＩＰＡが供給されるようになっており、その途中部には、このＩＰＡ供給管５１を開閉するＩＰＡバルブ５７が介装されている。また、窒素ガス供給管５２には、図示しない窒素ガス供給源からの窒素ガスが供給されるようになっており、その途中部には、この窒素ガス供給管５２を開閉する窒素ガスバルブ５８が介装されている。

これにより、ＤＩＷバルブ５６、ＩＰＡバルブ５７および窒素ガスバルブ５８を閉じて、処理液バルブ５５を開き、処理液ポンプ５４を駆動することによって、処理液タンク５３に貯留されているふっ酸を各吐出口２２に供給することができる。また、処理液バルブ５５、ＩＰＡバルブ５７および窒素ガスバルブ５８を閉じて、ＤＩＷバルブ５６を開くことにより、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷを各吐出口２２に供給することができる。さらに、処理液バルブ５５、ＤＩＷバルブ５６および窒素ガスバルブ５８を閉じて、ＩＰＡバルブ５７を開くことにより、ＩＰＡ供給源からのＩＰＡを各吐出口２２に供給することができ、処理液バルブ５５、ＤＩＷバルブ５６およびＩＰＡバルブ５７を閉じて、窒素ガスバルブ５８を開くことにより、窒素ガス供給源からの窒素ガスを各吐出口２２に供給することができる。

上側吸引機構７は、各吸引路２５に一端が接続された分岐接続管５９と、分岐接続管５９の他端が共通に接続された集合吸引管６０とを備えている。集合吸引管６０は、処理室１の外部へ延びており、その先端（集合吸引管６０における流体の流通方向の下流端）は、集合吸引管６０内を真空吸引するためのコンバム６１に接続されている。また、集合吸引管６０には、処理室１外において、処理液回収管６２が分岐して接続されている。この処理液回収管６２の先端（処理液回収管６２における流体の流通方向の下流端）は、処理液タンク５３に接続されており、その途中部には、集合吸引管６０側から順に、処理液回収管６２を開閉する回収バルブ６３と、処理液回収管６２を流通する流体（ふっ酸）中の異物を除去するためのフィルタ６４と、処理液回収管６２にふっ酸を引き込むための回収ポンプ６５とが介装されている。また、集合吸引管６０には、処理液回収管６２の接続部よりも先端側の位置に、この集合吸引管６０を開閉する吸引バルブ６６が介装されている。

これにより、下プレート２の吐出口２２からふっ酸、ＤＩＷ、ＩＰＡまたは窒素ガスが吐出されている状態で、回収バルブ６３を閉じ、吸引バルブ６６を開いて、コンバム６１を駆動することによって、吐出口２２から吐出されるふっ酸、ＤＩＷ、ＩＰＡまたは窒素ガスを、下プレート２の吸引口２３、吸引路２５、分岐接続管５９および集合吸引管６０を介してコンバム６１に吸引することができる。また、下プレート２の吐出口２２からふっ酸が吐出されている状態で、吸引バルブ６６を閉じ、回収バルブ６３を開いて、回収ポンプ６５を駆動することによって、吐出口２２から吐出されるふっ酸を、下プレート２の吸引口２３から吸引し、吸引路２５、分岐接続管５９、集合吸引管６０および処理液回収管６２を介して処理液タンク５３に回収することができる。

図２は、下プレート２の上面（上プレート３の下面）を示す平面図である。
下プレート２の上面（上プレート３の下面）において、たとえば、吐出口１６（２２）は、一方向およびこれと直交する他方向にそれぞれ等間隔を隔てた行列状に整列して配置されている。そして、吸引口１７（２３）は、吐出口１６（２２）の周囲において、たとえば、その吐出口１６（２２）を中心とする正六角形の各頂点の位置に配置されている。

これにより、図２に矢印で示すように、各吐出口１６（２２）から吐出されるふっ酸、ＤＩＷ、ＩＰＡまたは窒素ガスは、その吐出口１６（２２）の周囲の６つの吸引口１７（２３）に向けてほぼ均一に分散して流れる。
図１を再び参照して、この基板処理装置におけるウエハＷの処理に際しては、シャッタ１３が開放されて、図示しない基板搬送ロボットのハンドにより、開口１２から処理室１内にウエハＷが搬入される。このとき、上プレート３は、最上方のウエハ受け渡し位置（図１に実線で示す位置）に上昇されており、基板搬送ロボットのハンドにより搬入されるウエハＷは、たとえば、その裏面が上プレート３の下面に近接して対向する位置に配置される。

この状態で、上プレート３の吐出口２２から窒素ガスが吐出され、その吐出される窒素ガスが吸引口２３から吸引される。これにより、上プレート３の下面とウエハＷの裏面（上面）との間には、図２を参照して説明したような窒素ガスの流れが形成され、この窒素ガスの流れによって、ウエハＷの裏面が上プレート３の下面に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持される。

その後、基板搬送ロボットのハンドが処理室１外へと退出し、シャッタ１３が閉じられる。シャッタ１３が閉じられた後、上プレート３が下プレート２との間に一定の間隔を隔てて対向する位置（図１に二点鎖線で示す位置）まで下降される。そして、下プレート２の吐出口１６からふっ酸が吐出され、その吐出されるふっ酸が吸引口１７から吸引される。また、上プレート３の吐出口２２からの窒素ガスの吐出が停止されて、吐出口２２からふっ酸が吐出され、その吐出されるふっ酸が吸引口２３から吸引される。これにより、下プレート２の上面とウエハＷの表面（下面）との間、および、上プレート３の下面とウエハＷの裏面（上面）との間に、図２を参照して説明したようなふっ酸の流れが形成され、これらのふっ酸の流れによって、ウエハＷの表面が下プレート２の上面に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持されるとともに、ウエハＷの裏面が上プレート３の下面に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持される。このとき、ウエハＷの端面にガイドピン２０が対向し、ウエハＷの水平方向の移動がガイドピン２０により規制される。そして、この吸着保持されたウエハＷの表面および裏面には、ふっ酸が接液しているので、ウエハＷの表面および裏面にふっ酸による洗浄処理が施されていく。

このとき、吸引バルブ４６，６６は閉じられ、回収バルブ４３，６３が開かれるとともに、回収ポンプ４５，６５が駆動されており、この回収ポンプ４５，６５の吸引力により、各吸引口１７，２３からふっ酸が吸引される。そして、その吸引されるふっ酸は、処理液タンク３３，６３に回収される。
ふっ酸による洗浄処理の開始から予め定める処理時間（たとえば、３０〜６０秒間）が経過すると、下プレート２の吐出口１６および上プレート３の吐出口２２からのふっ酸の供給が停止されるとともに、回収ポンプ４５，６５が停止され、回収バルブ４３，６３が閉じられる。一方、吸引バルブ４６，６６が開かれるとともに、コンバム４１，６１が駆動される。そして、下プレート２の吐出口１６および上プレート３の吐出口２２からＤＩＷが吐出される。吐出口１６，２２から吐出されるＤＩＷは、コンバム４１，６１の吸引力により、吸引口１７，２３から吸引されて、コンバム４１，６１へと導かれ、コンバム４１，６１から図示しない廃液設備へと廃棄される。これにより、下プレート２の上面とウエハＷの表面との間、および、上プレート３の下面とウエハＷの裏面との間には、ＤＩＷの流れが形成され、このＤＩＷの流れによって、下プレート２および上プレート３によるウエハＷの吸着保持状態が維持されつつ、そのウエハＷの表面および裏面に付着しているふっ酸がＤＩＷによって洗い流されていく。

ＤＩＷの吐出開始から予め定めるリンス時間（たとえば、６０秒間）が経過すると、下プレート２の吐出口１６および上プレート３の吐出口２２からのＤＩＷの供給が停止されて、その吐出口１６，２２からＩＰＡが吐出される。このとき、吸引バルブ４６，６６が開かれ、コンバム４１，６１が駆動され続けている。したがって、吐出口１６，２２から吐出されるＩＰＡは、コンバム４１，６１の吸引力により、吸引口１７，２３から吸引されて、コンバム４１，６１へと導かれ、コンバム４１，６１から図示しない廃液設備へと廃棄される。これにより、下プレート２の上面とウエハＷの表面との間、および、上プレート３の下面とウエハＷの裏面との間には、ＩＰＡの流れが形成され、このＩＰＡの流れによって、下プレート２および上プレート３によるウエハＷの吸着保持状態が維持されつつ、そのウエハＷの表面および裏面に付着しているＤＩＷがＩＰＡに置換されていく。

そして、ＩＰＡの吐出開始から予め定める置換時間（たとえば、６０秒間）が経過すると、下プレート２の吐出口１６および上プレート３の吐出口２２からのＩＰＡの供給が停止されて、その吐出口１６，２２から窒素ガスが吐出される。このとき、吸引バルブ４６，６６が開かれ、コンバム４１，６１が駆動され続けている。したがって、吐出口１６，２２から吐出される窒素ガスは、コンバム４１，６１の吸引力により、吸引口１７，２３から吸引されて、コンバム４１，６１へと導かれ、コンバム４１，６１から図示しない排気設備へと排気される。これにより、下プレート２の上面とウエハＷの表面との間、および、上プレート３の下面とウエハＷの裏面との間には、窒素ガスの流れが形成され、この窒素ガスの流れによって、下プレート２および上プレート３によるウエハＷの吸着保持状態が維持されつつ、そのウエハＷの表面および裏面に窒素ガスが供給され、この窒素ガスの供給およびＩＰＡの揮発性によって、ウエハＷの表面および裏面が速やかに乾燥されていく。

窒素ガスの吐出開始から予め定める乾燥時間（たとえば、３０秒間）が経過すると、下プレート２の吐出口１６からの窒素ガスの供給が停止されるとともに、コンバム４１が停止される。その後、上プレート３が最上方のウエハ受け渡し位置に上昇される。このとき、上プレート３の吐出口２２からの窒素ガスの吐出およびコンバム４１の駆動は続けられており、ウエハＷは、上プレート３の下面に非接触状態で吸着保持されたまま、上プレート３とともに上昇される。つづいて、シャッタ１３が開かれて、開口１２から処理室１内に、図示しない基板搬送ロボットのハンドが進入される。そして、そのハンドが上プレート３の下面に非接触状態で吸着されているウエハＷの下方に潜り込むと、上プレート３の吐出口２２からの窒素ガスの吐出およびコンバム４１の駆動が停止される。これにより、ウエハＷは、基板搬送ロボットのハンド上に落下し、そのハンドに保持される。この後、ウエハＷを保持したハンドが処理室１外へと退出し、ウエハＷに対する一連の処理が終了する。

以上のように、ウエハＷの表面と下プレート２とを対向配置させて、その下プレート２に形成された吐出口１６からウエハＷの表面に向けてふっ酸を吐出させつつ、その下プレート２に形成された吸引口１７からふっ酸を吸引すると、下プレート２とウエハＷの表面との間にふっ酸の流れが形成され、そのふっ酸の流れによって、ウエハＷの表面を下プレート２との間に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持することができる。このとき、ウエハＷの表面にふっ酸が接液した状態となり、そのウエハＷの表面に対してふっ酸による処理が施される。一方、ウエハＷの表面と反対側の裏面に上プレート３を対向配置させて、その上プレート３に形成された吐出口２２からウエハＷの裏面に向けてふっ酸を吐出させつつ、その上プレート３に形成された吸引口２３からふっ酸を吸引すると、上プレート３とウエハＷの裏面との間にふっ酸の流れが形成され、そのふっ酸の流れによって、ウエハＷの裏面を上プレート３との間に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持することができる。すなわち、ウエハＷは、下プレート２に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持されつつ、上プレート３にも所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持される。このとき、ウエハＷの表面および裏面の両面にふっ酸が接液した状態となり、そのウエハＷの両面に対してふっ酸による処理が施される。よって、ウエハＷを非接触状態で保持することができながら、ウエハＷの両面の同時処理を達成することができる。

また、下側供給機構４がＤＩＷ供給管３０およびＤＩＷバルブ３６を備え、上側供給機構６がＤＩＷ供給管５０およびＤＩＷバルブ５６を備えており、ふっ酸による洗浄処理後に、下側供給機構４により下プレート２の吐出口１６にＤＩＷが供給され、上側供給機構６により上プレート３の吐出口２２にＤＩＷが供給されて、それらの吐出口１６，２２からＤＩＷが吐出されることによって、ウエハＷの表面および裏面に付着しているふっ酸をＤＩＷで洗い流すことができる。

さらに、下側供給機構４がＩＰＡ供給管３１およびＩＰＡバルブ３７を備え、上側供給機構６がＩＰＡ供給管５１およびＩＰＡバルブ５７を備えており、ＤＩＷによるリンス処理後に、下側供給機構４により下プレート２の吐出口１６にＩＰＡが供給され、上側供給機構６により上プレート３の吐出口２２にＩＰＡが供給されて、それらの吐出口１６，２２からＩＰＡが吐出されることによって、ウエハＷの表面および裏面に付着しているＤＩＷをＩＰＡに置換することができ、ＩＰＡの揮発性によりＤＩＷの乾燥を促進させることができる。そのため、ウエハＷを乾燥させるための処理に要する時間を短縮することができる。

さらにまた、下側供給機構４が窒素ガス供給管３２および窒素ガスバルブ３８を備え、上側供給機構６が窒素ガス供給管５２および窒素ガスバルブ５８を備えており、ＩＰＡの供給後に、下側供給機構４により下プレート２の吐出口１６に窒素ガスが供給され、上側供給機構６により上プレート３の吐出口２２に窒素ガスが供給されて、それらの吐出口１６，２２から窒素ガスが吐出されることによって、ウエハＷの表面および裏面の両面にウォータマーク（乾燥跡）を生じることなく、その両面を速やかに乾燥させることができる。

また、上プレート３は、図示しない基板搬送ロボットのハンドからウエハＷを受け取った後、そのウエハＷを下プレート２に近接して対向する位置まで搬送する基板搬送手段を兼ねているので、そのような基板搬送手段を上プレート３とは別に設ける場合に比べて、構成の簡素化およびコストの低減化を図ることができる。
そして、上プレート３に昇降駆動機構２６が結合されており、この昇降駆動機構２６によって、下プレート２と上プレート３とを相対的に近接させたり離間させたりすることができる。そのため、ウエハＷの搬入および搬出時に、上プレート３と下プレート２から離間させることにより、ウエハＷの搬入および搬出をスムーズに行うことができる。

また、この基板処理装置では、下プレート２の吸引口１７から吸引される処理液を、処理液回収管４２を介して処理液タンク３３に回収し、上プレート３の吸引口から吸引される処理液を、処理液回収管６２を介して処理液タンク５３に回収して、それらの処理液をウエハＷの処理に再利用することができる。そのため、処理液の浪費を防止することができ、処理液の消費量を低減することができる。

図３は、一つの参考形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。この図３において、図１に示す各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。また、以下では、その同一の参照符号を付した各部についての詳細な説明を省略する。
この図３に示す基板処理装置では、上プレート３に接続された上側供給機構６は、上プレート３の供給路２４を介して吐出口２２に窒素ガスのみを供給可能なように構成されている。すなわち、上側供給機構６は、各供給路２４に一端が接続された分岐接続管４７と、分岐接続管４７の他端が共通に接続された集合供給管４８と、処理室１外において、集合供給管４８に接続された窒素ガス供給管５２とを備えている。窒素ガス供給管５２の途中部には、この窒素ガス供給管５２を開閉する窒素ガスバルブ５８が介装されている。

また、上プレート３に接続された上側吸引機構７は、各吸引路２５に一端が接続された分岐接続管５９と、分岐接続管５９の他端が共通に接続された集合吸引管６０と、集合吸引管６０内を真空吸引するためのコンバム６１と、集合吸引管６０を開閉する吸引バルブ６６とを備えており、図１に示す上側吸引機構７と異なり、処理液回収管６２ならびにこれに介装された回収バルブ６３、フィルタ６４および回収ポンプ６５（図１参照）を備えていない。

この基板処理装置では、ウエハＷの表面と下プレート２とを対向配置させて、その下プレート２に形成された吐出口１６からウエハＷの表面に向けてふっ酸、ＤＩＷまたはＩＰＡを吐出させつつ、その下プレート２に形成された吸引口１７からふっ酸、ＤＩＷまたはＩＰＡを吸引すると、下プレート２とウエハＷの表面との間にふっ酸、ＤＩＷまたはＩＰＡの流れが形成され、そのふっ酸、ＤＩＷまたはＩＰＡの流れによって、ウエハＷの表面を下プレート２との間に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持することができる。このとき、ウエハＷの表面にふっ酸、ＤＩＷまたはＩＰＡが接液した状態となり、そのウエハＷの表面に対してふっ酸、ＤＩＷまたはＩＰＡによる処理が施される。一方、ウエハＷの表面と反対側の裏面に上プレート３を対向配置させて、その上プレート３に形成された吐出口２２からウエハＷの裏面に向けて窒素ガスを吐出させつつ、その上プレート３に形成された吸引口２３から窒素ガスを吸引すると、上プレート３とウエハＷの裏面との間に窒素ガスの流れが形成され、その窒素ガスの流れによって、ウエハＷの裏面を上プレート３との間に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持することができる。すなわち、ウエハＷは、下プレート２に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持されつつ、上プレート３にも所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持される。このとき、ウエハＷの表面に供給されるふっ酸、ＤＩＷまたはＩＰＡは、ウエハＷの裏面と上プレート３との間に形成される窒素ガスの流れにより、それらの間に進入することを阻止される。そのため、ウエハＷの裏面を保護しつつ、ウエハＷの表面に対してふっ酸、ＤＩＷまたはＩＰＡによる処理を施すことができる。

図４は、他の参考形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。この図４において、図１に示す各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。また、以下では、その同一の参照符号を付した各部についての詳細な説明を省略する。
この図４に示す基板処理装置では、下プレート２に接続された下側供給機構４は、下プレート２の供給路１８を介して吐出口１６に窒素ガスのみを供給可能なように構成されている。すなわち、下側供給機構４は、各供給路１８に一端が接続された分岐接続管２７と、分岐接続管２７の他端が共通に接続された集合供給管２８と、処理室１外において、集合供給管２８に接続された窒素ガス供給管３２とを備えている。窒素ガス供給管３２の途中部には、この窒素ガス供給管３２を開閉する窒素ガスバルブ３８が介装されている。

また、下プレート２に接続された下側吸引機構５は、各吸引路１９に一端が接続された分岐接続管３９と、分岐接続管３９の他端が共通に接続された集合吸引管４０と、集合吸引管４０内を真空吸引するためのコンバム４１と、集合吸引管４０を開閉する吸引バルブ４６とを備えており、図１に示す下側吸引機構５と異なり、処理液回収管４２ならびにこれに介装された回収バルブ４３、フィルタ４４および回収ポンプ４５（図１参照）を備えていない。

この基板処理装置では、ウエハＷの表面と下プレート２とを対向配置させて、その下プレート２に形成された吐出口１６からウエハＷの表面に向けて窒素ガスを吐出させつつ、その下プレート２に形成された吸引口１７から窒素ガスを吸引すると、下プレート２とウエハＷの表面との間に窒素ガスの流れが形成され、その窒素ガスの流れによって、ウエハＷの表面を下プレート２との間に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持することができる。一方、ウエハＷの表面と反対側の裏面に上プレート３を対向配置させて、その上プレート３に形成された吐出口２２からウエハＷの裏面に向けてふっ酸、ＤＩＷまたはＩＰＡを吐出させつつ、その上プレート３に形成された吸引口２３からふっ酸、ＤＩＷまたはＩＰＡを吸引すると、上プレート３とウエハＷの裏面との間にふっ酸、ＤＩＷまたはＩＰＡの流れが形成され、その窒素ガスの流れによって、ウエハＷの裏面を上プレート３との間に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持することができる。すなわち、ウエハＷは、下プレート２に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持されつつ、上プレート３にも所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持される。このとき、ウエハＷの裏面にふっ酸、ＤＩＷまたはＩＰＡが接液した状態となり、そのウエハＷの裏面に対してふっ酸、ＤＩＷまたはＩＰＡによる処理が施される。また、ウエハＷの裏面に供給されるふっ酸、ＤＩＷまたはＩＰＡは、ウエハＷの表面と上プレート３との間に形成される窒素ガスの流れにより、それらの間に進入することを阻止される。そのため、ウエハＷの表面を保護しつつ、ウエハＷの裏面に対してふっ酸、ＤＩＷまたはＩＰＡによる処理を施すことができる。

図５は、上プレート３の他の構成を図解的に示す断面図である。この図５において、図１に示す各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。また、以下では、その同一の参照符号を付した各部についての詳細な説明を省略する。
この図５に示す上プレート３は、下プレート２に近接配置されるウエハＷの処理時に、下プレート２の周縁部に当接して、下プレート２の周縁部と上プレート３の周縁部との間をシールするためのシール部材７１を備えている。このシール部材７１は、たとえば、上プレート３の中心を通る鉛直線を中心線とする回転対称な傘状に形成されている。すなわち、シール部材７１は、上プレート３の支持ブロック２１の側面の全周から側方に張り出し、上プレート３の側面に回り込んで、上プレート３の下面よりも下方に突出している。そして、シール部材７１の下端には、その全周にわたって、耐薬液性を有する材料で形成されたパッキンが取り付けられている。

これにより、下プレート２と上プレート３とが近接されて、シール部材７１の下端が下プレート２の上面に当接すると、下プレート２の周縁部と上プレート３の周縁部との間がシールされ、下プレート２と上プレート３との間の空間（ウエハＷの周囲の空間）を密閉空間とすることができる。そのため、ふっ酸などを含む雰囲気が周囲に拡散するのを防止しつつ、そのふっ酸などに処理をウエハＷに対して施すことができる。この構成が採用される場合、処理室１の開口１２がシャッタ１３（図１参照）によって密閉されなくても、ふっ酸などを含む雰囲気が処理室１の外部へ漏れ出るのを防止することができる。

なお、シール部材７１が上分割部分と下分割部分との２つに分割されて、上分割部分が上プレート３に取り付けられ、下分割部分が下プレート２の上面に取り付けられて、上プレート３と下プレート２との近接時に、それらの上分割部分と下分割部分とが当接して、シール部材７１が形成されることにより、上プレート３の周縁部と下プレート２の周縁部との間がシールされてもよい。また、シール部材７１に代えて、シール部材７１を天地反転させた構成のものが下プレート２のプレート支持台１５に取り付けられていてもよい。

以上、この発明の実施形態を説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施されてもよい。たとえば、前述の実施形態では、ふっ酸、ＤＩＷ、ＩＰＡおよび窒素ガスが共通の吐出口１６（２２）に供給される構成を取り上げたが、たとえば、図６に示すように、処理液供給管２９（４９）、ＤＩＷ供給管３０（５０）、ＩＰＡ供給管３１（５１）および窒素ガス供給管３２（５２）がそれぞれ異なる供給路１８（２４）に直接に接続されて、ふっ酸（ＨＦ）、ＤＩＷ、ＩＰＡおよび窒素ガスがそれぞれ異なる吐出口１６（２２）に供給される構成が採用されてもよい。ふっ酸、ＤＩＷ、ＩＰＡおよび窒素ガスが共通の吐出口１６（２２）に供給される構成では、ふっ酸、ＤＩＷ、ＩＰＡおよび窒素ガスがそれぞれ異なる吐出口１６（２２）に供給される構成と比較して、下プレート２および上プレート３にそれぞれ形成される吐出口１６（２２）の総数を少なくすることができ、下プレート２（上プレート３）の構成を簡素化することができるという利点がある。また、ふっ酸、ＤＩＷ、ＩＰＡおよび窒素ガスがそれぞれ異なる吐出口１６（２２）に供給される構成では、吐出口１６（２２）でふっ酸、ＤＩＷおよびＩＰＡが混ざり合うのを防止することができ、ウエハＷに対して純度の高いふっ酸、ＤＩＷおよびＩＰＡを供給することができ、ウエハＷに対して良好な処理を施すことができる。さらに、吐出口１６（２２）から窒素ガスを吐出するときに、その窒素ガスとともに吐出口１６（２２）に残っていたＩＰＡなどが吐出されることを防止でき、ウエハＷが所望しないＩＰＡの供給により汚染されるのを防止することができる。

また、前述の実施形態および参考形態では、１枚のウエハＷの処理で用いられる薬液としては１種類（ふっ酸）だけとしたが、これに限らず、複数種の薬液を順に用いてもよい。この場合、前述の図１、図３および図４において、タンク５３が複数種の薬液に応じて１つずつ設けられ、それぞれのタンクにバルブが接続されて選択的に切り換えできるようになっていてもよい。また、複数種の薬液を順に用いる場合、それぞれの薬液が切り換わる合間にバルブ５７を制御して、流路１８または２４に純水を流通させて、流路１８または２４内に付着している薬液を切換えの度に洗い流すようにしてもよい。

また、前述の実施形態では、処理液として薬液であるふっ酸が用いられて、ウエハＷに対してふっ酸による洗浄処理が行われる場合を取り上げたが、たとえば、処理液として純水が用いられて、この純水による洗浄処理がウエハＷに対して行われてもよい。この場合、図１に示す下側供給機構４から、処理液供給管２９、処理液タンク３３、処理液ポンプ３４および処理液バルブ３５が省略されるとともに、図１に示す下側吸引機構５から、処理液回収管４２、回収バルブ４３、フィルタ４４および回収ポンプ４５が省略されてもよい。また、図１に示す上側供給機構６から、処理液供給管４９、処理液タンク５３、処理液ポンプ５４および処理液バルブ５５が省略されるとともに、上側吸引機構７から、処理液回収管６２、回収バルブ６３、フィルタ６４および回収ポンプ６５が省略されてもよい。

さらにまた、前述の実施形態では、下プレート２の供給路１８および上プレート３の供給路２４が略円柱状に形成されているとしたが、たとえば、図７に示すように、供給路１８の吐出口１６との接続部分８１および供給路２４の吐出口２２との接続部分８２が、それぞれ吐出口１６，２２に向けて拡がる断面テーパ状、それらの接続部分８１，８２の断面積が吐出口１６，２２に近づくにつれて単調に増加するような形状に形成されていてもよい。この場合、吐出口１６，２２から吐出される処理液などの圧力（吐出圧）を水平方向（ウエハＷの表面および裏面に平行な方向）に分散させることができる。そのため、ウエハＷの表面および裏面に対して処理液などを均一に供給することができる。

さらには、図８に示すように、それらの接続部分８１，８２に、それぞれ吐出口１６，２２から吐出される処理液などの圧力を分散するための吐出圧分散用ボール８３，８４が設けられていてもよい。この場合、供給路１８，２４を通る処理液などは、その供給路１８，２４の内壁面と吐出圧分散用ボール８３，８４との間を通り、このとき吐出圧分散用ボール８３，８４が供給路１８，２４内で動くことにより、吐出口１６，２２から吐出される処理液などの圧力をさらに良好に分散させることができる。なお、供給路１８，２４の上端（吐出口１６，２２）には、吐出圧分散用ボール８３，８４の離脱を防止するための爪４が、たとえば９０度ずつずれた４つの位置に形成されている。

また、前述の実施形態では、コンバム４１または６１が接続された吸引口１７または２５は吸引だけを行う構成となっているが、この吸引口１７または２５より、薬液や純水等を含む処理液の吐出をも行うことができる構成となっていてもよい。
また、前述の実施形態では、ふっ酸による洗浄処理を例にとったが、ウエハＷに対する処理は、処理液を用いた処理であれば、たとえば、エッチング液を用いたエッチング処理であってもよいし、ポリマー除去液を用いたポリマー除去処理であってもよいし、レジスト剥離液を用いたレジスト剥離処理であってもよい。

また、各吐出口１６（２２）に供給される処理液の流量は、不変（固定）であってもよいし、図９に示すように、処理液供給管２９（４９）の途中部に、処理液供給管２９を流れる処理液の流量を調節するための流量調節バルブ９１を介装させることにより、処理液の流量が可変とされてもよい。流量調節バルブ９１の開度を制御して、各吐出口１６（２２）への処理液の供給流量を制御することにより、ウエハＷに対する処理の進行速度を調節することができる。たとえば、ウエハＷに対する処理がエッチング処理である場合には、各吐出口１６（２２）へのエッチング液の供給流量を制御することにより、エッチングレートを調節することができる。

なお、流量調節バルブ９１に代えて、処理液ポンプ３４（５４）のポンプ能力を制御するためのインバータ回路などが備えられて、ポンプ能力が制御されることにより、各吐出口１６（２２）に供給される処理液の流量が制御されてもよい。また、集合吸引管４０Ａ，６０Ａ（図１参照）の途中部に吸引流量調節バルブが介装され、各吐出口１６，２２への処理液の流量の増減に応じて、その吸引流量調節バルブの開度が制御されることにより、各吸引口１７，２３から処理液を吸引する流量が変更されてもよい。

またさらに、図９において二点鎖線内に示すように、処理液供給管２９（４９）のうちの、流量調整バルブ９１から供給路１８，２４までの途中部に、純水供給管２９Ｗ（４９Ｗ）が接続され、この純水供給管２９Ｗ（４９Ｗ）に純水流量調節バルブ９１Ｗおよび純水バルブ３５Ｗ（５５Ｗ）が介装されてもよい。この場合、処理液バルブ３５（５５）および純水バルブ３５Ｗ（５５Ｗ）を開き、流量調節バルブ９１および純水流量調節バルブ９１Ｗのうちの少なくともいずれか一方を適宜調節すれば、ウエハＷに供給される処理液の濃度（混合比）を迅速に制御することが可能となる。特に、ウエハＷの処理中に処理液の濃度の制御を行えば、ウエハＷに固着した汚染の除去に作用しながら、ウエハＷ上に形成されているデバイスにダメージを与えないことが可能となる。

さらに、前述の実施形態では、乾燥促進用流体としてＩＰＡが用いられているが、ＩＰＡに代えて、たとえば、アセトン、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）またはＭＥＫ（メチルエチルケトン）など、親水性に優れた揮発性の高い有機溶剤が用いられてもよい。あるいは、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のような有機溶剤が用いられてもよい。
また、窒素ガスに代えて、ヘリウムガスやアルゴンガスなどの他の不活性ガスを用いることもできる。

さらにまた、ウエハＷの処理の際に、下プレート２および上プレート３がそれぞれ中心を通る鉛直軸線まわりに回転されてもよい。
下プレート２および上プレート３を回転させるための構成の一例は、図１０に示されている。この構成では、下プレート２を支持するプレート支持台１５の下面に、その下面の中心を通る鉛直軸線に沿って延びる回転軸１０１が結合されている。回転軸１０１は、中空軸であり、集合供給管２８および集合吸引管４０は、その回転軸１０１の中空部分を通されている。そして、回転軸１０１には、モータなどの駆動源を含む下側回転駆動機構１０２が結合されている。下側回転駆動機構１０２から回転軸１０１に回転力を入力することにより、下プレート２をプレート支持台１５および回転軸１０１ごと回転させることができる。また、昇降駆動機構２６は、回転軸１０１に結合されて、この回転軸１０１をその中心軸線に沿って昇降させることにより、上プレート３を下プレート２に対して昇降させる。

一方、上プレート３が固定された支持ブロック２１の上面には、その上面の中心を通る鉛直軸線に沿って延びる回転軸１０３が結合されている。回転軸１０３は、中空軸であり、集合供給管４８および集合吸引管６０は、その回転軸１０３の中空部分を通されている。そして、回転軸１０３には、モータなどの駆動源を含む上側回転駆動機構１０４が結合されている。上側回転駆動機構１０４から回転軸１０３に回転力を入力することにより、上プレート３を支持ブロック２１および回転軸１０３ごと回転させることができる。

下プレート２および上プレート３が回転されると、その回転に伴って、ウエハＷの表面における下プレート２の各吐出口１６の対向位置およびウエハＷの裏面における上プレート３の各吐出口２２の対向位置がそれぞれ変わる。そのため、ウエハＷの表面および裏面の両面において、処理液などが局所的に強く供給されることを防止することができる。その結果、ウエハＷの表面および裏面の両面に対して処理液による処理を均一に施すことができる。

なお、下プレート２および上プレート３は、互いに同期して、または互いに少し回転速度をずらして同じ方向に回転されてもよい。また、下プレート２および上プレート３は、互いに逆方向に回転されてもよい。
また、下プレート２および上プレート３の一方のみを回転させてもよい。下プレート２によりウエハＷを保持しつつ、上プレート３を回転させることによって、ウエハＷの裏面における上プレート３の各吐出口２２の対向位置を変更することができる。その結果、ウエハＷの裏面に対して処理液による処理などを均一に施すことができる。これとは逆に、上プレート３によりウエハＷを保持しつつ、下プレート３を回転させることによって、ウエハＷの表面における下プレート２の各吐出口１６の対向位置を変更することができる。その結果、ウエハＷの表面に対して処理液による処理などを均一に施すことができる。

またさらに、下プレート２または上プレート３の回転方向について、下プレート２または上プレート３を、１回ずつあるいは複数回ずつ、正回転（たとえば、ウエハ表面側から見て時計回り）と逆回転（たとえば、ウエハ表面側から見て反時計回り）を交互に繰り返すようにしてもよい。このようにすれば、さらにウエハＷの表面または裏面に対して処理液による処理などを均一に施すことができる。

また、図１に仮想線で示すように、下プレート２に立設された複数本のガイドピン２０のうちの少なくとも１本に、そのガイドピン２０をガイドピン２０の中心軸線まわりに回転させるピン回転駆動機構９２を結合して、ウエハＷの処理の際に、ガイドピン２０を回転させることにより、下プレート２上でウエハＷの中心を通りウエハＷに直交する軸線を中心としてウエハＷを回転（自転）させてもよい。ウエハＷは、下プレート２に非接触状態で吸着保持されているので、ごく小さな力で回転させることができる。したがって、回転中のガイドピン２０にウエハＷの端面が常に接触していなくても、そのガイドピン２０にウエハＷの端面が瞬間的に当接すれば、ウエハＷの回転に必要な力をガイドピン２０からウエハＷに付与することができる。

また、ウエハＷの中心以外を通り、ウエハＷの表面を含む平面に直交する軸を中心としてウエハＷを回転（公転）させてもよい。この場合、たとえば、ピン回転駆動機構９２を用いて、複数のガイドピン２０をそれぞれガイドピン２０から少しずれた位置を通る鉛直軸線を中心に互いに同期させて公転させることにより、ウエハＷを公転させるようにしてもよい。

以上のように、ウエハＷを回転（自転または公転）させることにより、ウエハＷの表面（および裏面）に対して処理液をむらなく均一に供給することができる。そのため、処理の均一性の向上を図ることができる。
また、前述の実施形態では、ウエハＷに対する処理が行われている間、下プレート２および上プレート３上でのウエハＷの位置がほぼ不変である構成を取り上げたが、たとえば、図１１に示すように、下プレート２（上プレート３）がウエハＷよりも大径に形成されて、ウエハＷに対する処理中に、下プレート２（上プレート３）上でのウエハＷの位置を、下プレート２（上プレート３）の中心に対して一方側に片寄った位置Ａと、その反対側に片寄った位置Ｂとの間で積極的に移動させてもよい。

図１２は、ウエハＷの位置を位置Ａと位置Ｂとの間で往復移動させる構成を説明するための図である。なお、上プレート３に関連する各部の参照符号は、それらの各部と対応する下プレート２に関連する各部の参照符号に括弧書きで付加している。
下プレート２（上プレート３）の上面に、位置Ａに配置されたウエハＷと対向する領域（以下「領域ＡＡ」という。）と、位置Ｂに配置されたウエハＷと対向する領域（以下「領域ＡＢ」という。）と、領域ＡＡおよび領域ＡＢが重なり合う領域ＡＡ∩ＡＢとが設定され、下プレート２（上プレート３）に形成されている吐出口１６（２２）および吸引口１７（２３）は、領域ＡＡから領域ＡＡ∩ＡＢを除いた領域ＡＡ−ＡＡ∩ＡＢ内に存在するものと、領域ＡＢから領域ＡＡ∩ＡＢを除いた領域ＡＢ−ＡＡ∩ＡＢ内に存在するものと、領域ＡＡ∩ＡＢ内に存在するもの（境界上に存在するものを含む。）とに分けられている。

領域ＡＡ−ＡＡ∩ＡＢ内に存在する吐出口１６（２２）、領域ＡＢ−ＡＡ∩ＡＢ内に存在する吐出口１６（２２）および領域ＡＡ∩ＡＢ内に存在する吐出口１６（２２）への処理液の供給系統は、互いに独立している。また、領域ＡＡ−ＡＡ∩ＡＢ内に存在する吸引口１７（２３）、領域ＡＢ−ＡＡ∩ＡＢ内に存在する吸引口１７（２３）および領域ＡＡ∩ＡＢ内に存在する吸引口１７（２３）からの処理液の吸引系統は、互いに独立している。

領域ＡＡ−ＡＡ∩ＡＢ内に存在する吐出口１６（２２）には、処理液供給管２９Ａ（４９Ａ）を介して処理液が供給されるようになっている。処理液供給管２９Ａ（４９Ａ）の途中部には、この処理液供給管２９Ａ（４９Ａ）を開閉するための処理液バルブ３５Ａ（５５Ａ）と、処理液供給管２９Ａ（４９Ａ）を流れる処理液の流量を調節するための吐出流量調節バルブ９３Ａ（９４Ａ）とが介装されている。一方、領域ＡＡ−ＡＡ∩ＡＢ内に存在する吸引口１７（２３）内は、コンバム４１Ａ（６１Ａ）に接続された集合吸引管４０Ａ（６０Ａ）を介して吸引されるようになっている。集合吸引管４０Ａ（６０Ａ）の途中部には、この集合吸引管４０Ａ（６０Ａ）を開閉する吸引バルブ４６Ａ（６６Ａ）と、集合吸引管４０Ａ（６０Ａ）を流れる処理液の流量を調節するための吸引流量調節バルブ９５Ａ（９６Ａ）とが介装されている。

領域ＡＢ−ＡＡ∩ＡＢ内に存在する吐出口１６（２２）には、処理液供給管２９Ｂ（４９Ｂ）を介して処理液が供給されるようになっている。処理液供給管２９Ｂ（４９Ｂ）の途中部には、この処理液供給管２９Ｂ（４９Ｂ）を開閉するための処理液バルブ３５Ｂ（５５Ｂ）と、処理液供給管２９Ｂ（４９Ｂ）を流れる処理液の流量を調節するための吐出流量調節バルブ９３Ｂ（９４Ｂ）とが介装されている。一方、領域ＡＢ−ＡＡ∩ＡＢ内に存在する吸引口１７（２３）内は、コンバム４１Ｂ（６１Ｂ）に接続された集合吸引管４０Ｂ（６０Ｂ）を介して吸引されるようになっている。集合吸引管４０Ｂ（６０Ｂ）の途中部には、この集合吸引管４０Ｂ（６０Ｂ）を開閉する吸引バルブ４６Ｂ（６６Ｂ）と、集合吸引管４０Ｂ（６０Ｂ）を流れる処理液の流量を調節するための吸引流量調節バルブ９５Ｂ（９６Ｂ）とが介装されている。

領域ＡＡ∩ＡＢ内に存在する吐出口１６（２２）には、処理液供給管２９Ｃ（４９Ｃ）を介して処理液が供給されるようになっている。処理液供給管２９Ｃ（４９Ｃ）の途中部には、この処理液供給管２９Ｃ（４９Ｃ）を開閉するための処理液バルブ３５Ｃ（５５Ｃ）と、処理液供給管２９Ｃ（４９Ｃ）を流れる処理液の流量を調節するための吐出流量調節バルブ９３Ｃ（９４Ｃ）とが介装されている。一方、領域ＡＡ∩ＡＢ内に存在する吸引口１７（２３）内は、コンバム４１Ｃ（６１Ｃ）に接続された集合吸引管４０Ｃ（６０Ｃ）を介して吸引されるようになっている。集合吸引管４０Ｃ（６０Ｃ）の途中部には、この集合吸引管４０Ｃ（６０Ｃ）を開閉する吸引バルブ４６Ｃ（６６Ｃ）と、集合吸引管４０Ｃ（６０Ｃ）を流れる処理液の流量を調節するための吸引流量調節バルブ９５Ｃ（９６Ｃ）とが介装されている。

吐出流量調節バルブ９３Ａ（９４Ａ），９３Ｂ（９４Ｂ），９３Ｃ（９４Ｃ）および吸引流量調節バルブ９５Ａ（９６Ａ），９５Ｂ（９６Ｂ），９５Ｃ（９６Ｃ）の開度を調節することにより、領域ＡＡ−ＡＡ∩ＡＢ、領域ＡＢ−ＡＡ∩ＡＢおよび領域ＡＡ∩ＡＢの各領域ごとに、吐出口１６（２２）から吐出される処理液の流量および吸引口１７（２３）から吸引される処理液の流量を調節することができる。

なお、処理液供給管２９Ａ（４９Ａ），２９Ｂ（４９Ｂ），２９Ｃ（４９Ｃ）に処理液を供給するための構成は、図１に示す処理液供給管２９（４９）に処理液を供給するための構成と同じであるから、その図示および説明を省略する。また、集合吸引管４０Ａ（６０Ａ），４０Ｂ（６０Ｂ），４０Ｃ（６０Ｃ）から処理液を回収するための構成は、図１に示す集合吸引管４０（６０）から処理液を回収するための構成と同じであるから、その図示および説明を省略する。

また、下プレート２には、たとえば、４本の固定式ガイドピン９７と、２本の可動式ガイドピン９８Ａ，９８Ｂとが立設されている。
４本の固定式ガイドピン９７は、下プレート２の周縁部に固定的に配置されており、そのうちの２本の固定式ガイドピン９７は、ウエハＷが位置Ａに移動したときに、そのウエハＷの端面に当接する位置に配置されている。残りの２本の固定式ガイドピン９７は、ウエハＷが位置Ｂに移動したときに、そのウエハＷの端面に当接する位置に配置されている。

２本の可動式ガイドピン９８Ａ，９８Ｂは、下プレート２の中央部に配置されて、下プレート２の上面から突出した状態と、下プレート２の上面よりも下方に没入した状態とに進退可能に設けられている。一方の可動式ガイドピン９８Ａは、ウエハＷが位置Ａに移動したときに、そのウエハＷを挟んで２本の固定式ガイドピン９７と反対側から、ウエハＷの端面に当接する位置に配置されている。また、他方の可動式ガイドピン９８Ｂは、ウエハＷが位置Ｂに移動したときに、そのウエハＷを挟んで２本の固定式ガイドピン９７と反対側から、ウエハＷの端面に当接する位置に配置されている。

ウエハＷが位置Ａに配置された状態で、処理液バルブ３５Ａ（５５Ａ），３５Ｃ（５５Ｃ）および吸引バルブ４６Ａ（６６Ａ），４６Ｃ（６６Ｃ）が開かれて、領域ＡＡ内に存在する吐出口１６（２２）から処理液が吐出され、その吐出される処理液が領域ＡＡ内に存在する吸引口１７から吸引されることにより、ウエハＷは、位置Ａにおいて、下プレート２（上プレート３）の上面に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持される。このとき、可動式ガイドピン９８Ａが下プレート２の上面から突出した状態とされ、領域ＡＡ側の２本の固定式ガイドピン９７および1本の可動式ガイドピン９８Ａにより、ウエハＷの水平方向の移動が規制される。なお、吐出流量調節バルブ９３Ａ（９４Ａ），９３Ｃ（９４Ｃ）および吸引流量調節バルブ９５Ａ（９６Ａ），９５Ｃ（９６Ｃ）は、それぞれ予め定められた標準的な開度に調節されている。

ウエハＷの位置を位置Ａから位置Ｂに移動させるときには、まず、処理液バルブ３５Ｂ（５５Ｂ）および吸引バルブ４６Ｂ（６６Ｂ）が開かれる。次いで、可動式ガイドピン９８Ａが下プレート２の上面よりも下方に没入される。そして、吐出流量調節バルブ９３Ａ（９４Ａ）の開度が大きくされるとともに、吸引流量調節バルブ９５Ｂ（９６Ｂ）の開度が予め定める標準的な開度よりも大きくされる。これにより、下プレート２（上プレート３）とウエハＷとの間には、領域ＡＡから領域ＡＢに向かう処理液の流れが形成され、この流れに乗って、ウエハＷが浮上状態で位置Ａから位置Ｂに向けて移動する。ウエハＷが位置Ｂに達し、ウエハＷの端面が領域ＡＢ側の２本の固定式ガイドピン９７に当接すると、可動式ガイドピン９８Ｂが下プレート２の上面から突出した状態にされ、領域ＡＢ側の２本の固定式ガイドピン９７および1本の可動式ガイドピン９８Ａにより、ウエハＷの水平方向の移動が規制される。この後、吸引流量調節バルブ９５Ｂ（９６Ｂ）の開度が予め定める標準的な開度に戻されるとともに、処理液バルブ３５Ａ（５５Ａ）および吸引バルブ４６Ａ（６６Ａ）が閉じられる。なお、処理液バルブ３５Ｂ（５５Ｂ）の開成後、吐出流量調節バルブ９３Ｂ（９４Ｂ）は、予め定める標準的な開度に保持し続けられる。

ウエハＷの位置を位置Ｂから位置Ａに移動させるときには、まず、処理液バルブ３５Ａ（５５Ａ）および吸引バルブ４６Ａ（６６Ａ）が開かれる。次いで、可動式ガイドピン９８Ｂが下プレート２の上面よりも下方に没入される。そして、吐出流量調節バルブ９３Ｂ（９４Ｂ）の開度が大きくされるとともに、吸引流量調節バルブ９５Ａ（９６Ａ）の開度が予め定める標準的な開度よりも大きくされる。これにより、下プレート２（上プレート３）とウエハＷとの間には、領域ＡＢから領域ＡＡに向かう処理液の流れが形成され、この流れに乗って、ウエハＷが浮上状態で位置Ｂから位置Ａに向けて移動する。ウエハＷが位置Ａに達し、ウエハＷの端面が領域ＡＡ側の２本の固定式ガイドピン９７に当接すると、可動式ガイドピン９８Ａが下プレート２の上面から突出した状態にされ、領域ＡＡ側の２本の固定式ガイドピン９７および1本の可動式ガイドピン９８Ａにより、ウエハＷの水平方向の移動が規制される。この後、吸引流量調節バルブ９５Ａ（９６Ａ）の開度が予め定める標準的な開度に戻されるとともに、処理液バルブ３５Ｂ（５５Ｂ）および吸引バルブ４６Ｂ（６６Ｂ）が閉じられる。

こうして、下プレート２（上プレート３）上で、ウエハＷの位置を位置Ａと位置Ｂとの間で往復移動させることにより、ウエハＷの表面（および裏面）に対して処理液をより均一に供給することができる。そのため、処理の均一性のさらなる向上を図ることができる。
なお、下プレート２（上プレート３）上でのウエハＷの位置は、位置Ａおよび位置Ｂの２つの位置に限らず、３つ以上の位置に移動されてもよい。たとえば、図１３に示すように、下プレート２（上プレート３）上でのウエハＷの位置は、下プレート２の中心を中心とする９０度の等角度間隔に設定された４つの位置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの間で移動されてもよい。

この場合、下プレート２（上プレート３）の上面に、位置Ａに配置されたウエハＷと対向する領域ＡＡと、位置Ｂに配置されたウエハＷと対向する領域ＡＢと、位置Ｃに配置されたウエハＷと対向する領域ＡＣと、位置Ｄに配置されたウエハＷと対向する領域ＡＤと、領域ＡＡ、領域ＡＢ、領域ＡＣおよび領域ＡＤが重なり合う領域Ａ１（＝ＡＡ∩ＡＢ∩ＡＣ∩ＡＤ）と、領域ＡＡ、領域ＡＢおよび領域ＡＣが重なり合う領域から領域Ａ１を除いた領域Ａ２（＝ＡＡ∩ＡＢ∩ＡＣ−ＡＡ∩ＡＢ∩ＡＣ∩ＡＤ）と、領域ＡＡ、領域ＡＢおよび領域ＡＤが重なり合う領域から領域Ａ１を除いた領域Ａ３（＝ＡＡ∩ＡＢ∩ＡＤ−ＡＡ∩ＡＢ∩ＡＣ∩ＡＤ）と、領域ＡＡ、領域ＡＣおよび領域ＡＤが重なり合う領域から領域Ａ１を除いた領域Ａ４（＝ＡＡ∩ＡＣ∩ＡＤ−ＡＡ∩ＡＢ∩ＡＣ∩ＡＤ）と、領域ＡＢ、領域ＡＣおよび領域ＡＤが重なり合う領域から領域Ａ１を除いた領域Ａ５（＝ＡＢ∩ＡＣ∩ＡＤ−ＡＡ∩ＡＢ∩ＡＣ∩ＡＤ）と、領域ＡＡおよび領域ＡＣが重なり合う領域から領域Ａ１、領域Ａ２および領域Ａ４を除いた領域Ａ６と、領域ＡＢおよび領域ＡＤが重なり合う領域から領域Ａ１、領域Ａ３および領域Ａ５を除いた領域Ａ７と、領域ＡＡおよび領域ＡＤが重なり合う領域から領域Ａ１、領域Ａ３および領域Ａ４を除いた領域Ａ８と、領域ＡＢおよび領域ＡＣが重なり合う領域から領域Ａ１、領域Ａ２および領域Ａ５を除いた領域Ａ９とを設定する。そして、下プレート２（上プレート３）に形成されている吐出口１６（２２）および吸引口１７（２３）は、領域ＡＡから領域ＡＣまたは領域ＡＤと重なり合う領域を除いた領域内に存在するものと、領域ＡＢから領域ＡＣまたは領域ＡＤと重なり合う領域を除いた領域内に存在するものと、領域ＡＣから領域ＡＡまたは領域ＡＢと重なり合う領域を除いた領域内に存在するものと、領域ＡＤから領域ＡＡまたは領域ＡＢと重なり合う領域を除いた領域内に存在するものと、各領域Ａ１〜Ａ９内に存在するものとに分けて、各領域内に存在する吐出口１６（２２）への処理液の供給系統を互いに独立に構成し、各領域内に存在する吸引口１７（２３）からの処理液の吸引系統を互いに独立に構成する。これにより、各領域ごとに、吐出口１６（２２）から吐出される処理液の流量および吸引口１７（２３）から吸引される処理液の流量を制御することができる。よって、図１１および図１２を参照して説明した場合と同様の制御により、位置Ａ→位置Ｄ→位置Ｂ→位置Ｃ→位置Ａの順にウエハＷを移動させるなど、各位置Ａ〜Ｄ間でウエハＷを自由かつスムーズに移動させることができる。

また、この場合、下プレート２には、たとえば、８本の固定式ガイドピン９７と、４本の可動式ガイドピン９８Ａ，９８Ｂ，９８Ｃ，９８Ｄとが立設される。８本の固定式ガイドピン９７は、２本ずつのペアに分けられて、下プレート２の周縁部に、それぞれ領域ＡＡ，ＡＢ，ＡＣ，ＡＤに対応して配置される。また、４本の可動式ガイドピン９８Ａ，９８Ｂ，９８Ｃ，９８Ｄは、下プレート２の中央部に配置されて、下プレート２の上面から突出した状態と、下プレート２の上面よりも下方に没入した状態とに進退可能に設けられる。可動式ガイドピン９８Ａは、ウエハＷが位置Ａに移動したときに、そのウエハＷの端面に当接する位置に配置され、２本の固定式ガイドピン９７とともに、ウエハＷの位置を位置Ａに規制する。可動式ガイドピン９８Ｂは、ウエハＷが位置Ｂに移動したときに、そのウエハＷの端面に当接する位置に配置され、２本の固定式ガイドピン９７とともに、ウエハＷの位置を位置Ｂに規制する。可動式ガイドピン９８Ｃは、ウエハＷが位置Ｃに移動したときに、そのウエハＷの端面に当接する位置に配置され、２本の固定式ガイドピン９７とともに、ウエハＷの位置を位置Ｃに規制する。可動式ガイドピン９８Ｄは、ウエハＷが位置Ｄに移動したときに、そのウエハＷの端面に当接する位置に配置され、２本の固定式ガイドピン９７とともに、ウエハＷの位置を位置Ｄに規制する。

また、前述の実施形態では、吐出口１６（２２）は、一方向およびこれと直交する他方向にそれぞれ等間隔を隔てた行列状に整列して配置され、吸引口１７（２３）は、吐出口１６（２２）の周囲において、その吐出口１６（２２）を中心とする正六角形の各頂点の位置に配置されているとした。しかしながら、吐出口１６（２２）と吸引口１７（２３）との配置関係は、前述の実施形態の場合と反対であってもよい。すなわち、吸引口１７（２３）を中心とする正六角形の各頂点の位置に、それぞれ吐出口１６（２２）が配置されていてもよい。この場合、各吐出口１６（２２）から吐出される処理液などを吸引口１７（２３）から確実に吸引するために、吸引口１７（２３）の径が吐出口１６（２２）の径よりも大きく形成されていることが好ましい。

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。 図１に示す下プレートの上面（上プレートの下面）の平面図である。 一つの参考形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。 他の参考形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。 上プレートの他の構成を図解的に示す断面図である。 ふっ酸（ＨＦ）、ＤＩＷ、ＩＰＡおよび窒素ガスがそれぞれ異なる吐出口に供給される構成を図解的に示す断面図である。 供給路の吐出口との接続部分にテーパがつけられた構成を図解的に示す断面図である。 供給路の吐出口との接続部分に吐出圧分散用ボールが設けられた構成を図解的に示す（ａ）断面図および（ｂ）平面図である。 吐出口への処理液の供給流量を制御可能な構成を説明するための図である。 上プレートおよび下プレートを回転させるための構成を図解的に示す断面図である。 ウエハの位置を２つの位置間で移動可能とする変形例を説明するための図（下プレートの上面（上プレートの下面）の平面図）である。 ウエハの位置を移動させる構成を説明するための図である。 ウエハの位置を４つの位置間で移動可能とする変形例を説明するための図（下プレートの上面（上プレートの下面）の平面図）である。

符号の説明

２ 下プレート
３ 上プレート
４ 下側供給機構
５ 下側吸引機構
６ 上側供給機構
７ 上側吸引機構
１６ 吐出口
１７ 吸引口
１８ 供給路
２２ 吐出口
２３ 吸引口
２４ 供給路
２６ 昇降駆動機構
３０ ＤＩＷ供給管
３１ ＩＰＡ供給管
３２ 窒素ガス供給管
３６ ＤＩＷバルブ
３７ ＩＰＡバルブ
３８ 窒素ガスバルブ
４２ 処理液回収管
４３ 回収バルブ
４５ 回収ポンプ
５０ ＤＩＷ供給管
５１ ＤＩＷ供給管
５１ ＩＰＡ供給管
５２ 窒素ガス供給管
５６ ＤＩＷバルブ
５７ ＩＰＡバルブ
５８ 窒素ガスバルブ
５９ 分岐接続管
６０ 集合吸引管
６２ 処理液回収管
６３ 回収バルブ
６５ 回収ポンプ
７１ シール部材
８１ 接続部分
８２ 接続部分
８３ 吐出圧分散用ボール
８４ 吐出圧分散用ボール
９１ 流量調節バルブ
９２ ピン回転駆動機構
９３Ａ，９４Ａ，９３Ｂ，９４Ｂ，９３Ｃ，９４Ｃ 吐出流量調節バルブ
９５Ａ，９６Ａ，９５Ｂ，９６Ｂ，９５Ｃ，９６Ｃ 吸引流量調節バルブ
１０２ 下側回転駆動機構
１０４ 上側回転駆動機構
Ｗ ウエハ

Claims (29)

1. 基板に対して処理液を用いた処理を施すための基板処理装置であって、
   前記基板の一方面に間隔を隔てて対向配置され、前記一方面と対向する面に複数の吐出口および吸引口が形成された一方側プレートと、
   前記一方側プレートの前記吐出口に処理液を供給するための一方側処理液供給手段と、
   前記一方側プレートの前記吸引口内を吸引するための一方側吸引手段と、
   前記基板の前記一方面と反対側の他方面に間隔を隔てて対向配置され、前記他方面と対向する面に複数の吐出口および吸引口が形成された他方側プレートと、
   前記他方側プレートの前記吐出口に処理液を供給するための他方側処理液供給手段と、
   前記他方側プレートの前記吸引口内を吸引するための他方側吸引手段と
   を含み、
   前記一方側プレートと前記基板の一方面との間に形成される処理液の流れによって、前記基板の一方面が、前記一方側プレートとの間に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持されることを特徴とする、基板処理装置。
2. 前記一方側処理液供給手段は、前記一方側プレートの前記吐出口に前記処理液としての薬液を供給することを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記一方側プレートの前記吐出口に純水を供給するための一方側純水供給手段をさらに含むことを特徴とする、請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記一方側純水供給手段により純水が供給される前記吐出口は、前記一方側処理液供給手段により処理液が供給される前記吐出口と共通であることを特徴とする、請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記一方側純水供給手段により純水が供給される前記吐出口は、前記一方側処理液供給手段により処理液が供給される前記吐出口と異なることを特徴とする、請求項３記載の基板処理装置。
6. 前記一方側処理液供給手段は、前記一方側プレートの前記吐出口に前記処理液としての純水を供給することを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置。
7. 前記一方側プレートの前記吐出口に前記基板の乾燥を促進するための乾燥促進用流体を供給するための一方側乾燥促進用流体供給手段をさらに含むことを特徴とする、請求項３ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記一方側乾燥促進用流体供給手段により乾燥促進用流体が供給される前記吐出口は、前記一方側処理液供給手段により処理液が供給される前記吐出口と共通であることを特徴とする、請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記一方側乾燥促進用流体供給手段により乾燥促進用流体が供給される前記吐出口は、前記一方側処理液供給手段により処理液が供給される前記吐出口と異なることを特徴とする、請求項７記載の基板処理装置。
10. 前記一方側プレートの前記吐出口に不活性ガスを供給するための一方側ガス供給手段をさらに含むことを特徴とする、請求項２ないし９のいずれかに記載の基板処理装置。
11. 前記一方側ガス供給手段により不活性ガスが供給される前記吐出口は、前記一方側処理液供給手段により処理液が供給される前記吐出口と共通であることを特徴とする、請求項１０記載の基板処理装置。
12. 前記一方側ガス供給手段により不活性ガスが供給される前記吐出口は、前記一方側処理液供給手段により処理液が供給される前記吐出口と異なることを特徴とする、請求項１０記載の基板処理装置。
13. 前記一方側処理液供給手段による前記吐出口への処理液の供給流量を制御する一方側流量制御手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし１２のいずれかに記載の基板処理装置。
14. 前記他方側処理液供給手段による前記吐出口への処理液の供給流量を制御する他方側流量制御手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし１３のいずれかに記載の基板処理装置。
15. 前記他方側プレートの前記吐出口に不活性ガスを供給するための他方側ガス供給手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし１４のいずれかに記載の基板処理装置。
16. 前記他方側プレートは、前記一方側プレートと対向する基板処理位置に対して前記基板を搬送する基板搬送手段を兼ねていることを特徴とする、請求項１ないし１５のいずれかに記載の基板処理装置。
17. 前記一方側プレートと前記他方側プレートとを相対的に近接および離間させるための接離機構をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし１６のいずれかに記載の基板処理装置。
18. 前記一方側プレートの周縁部と前記他方側プレートの周縁部との間をシールするためのシール手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし１７のいずれかに記載の基板処理装置。
19. 前記他方側プレートには、前記吐出口に接続された流路が形成されており、
    前記流路の前記吐出口との接続部分は、前記吐出口に向けて拡がる断面テーパ状をなしていることを特徴とする、請求項１ないし１８のいずれかに記載の基板処理装置。
20. 前記他方側プレートには、前記吐出口に接続された流路が形成されており、
    前記流路の前記吐出口との接続部分に設けられた吐出圧分散用ボールをさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし１９のいずれかに記載の基板処理装置。
21. 前記他方側プレートに結合され、前記他方側プレートにおける前記基板の前記他方面と対向する面に直交する軸線を中心に、前記他方側プレートを回転させる他方側回転駆動機構をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし２０のいずれかに記載の基板処理装置。
22. 前記一方側プレートに結合され、前記一方側プレートにおける前記基板の前記一方面と対向する面に直交する軸線を中心に、前記一方側プレートを回転させる一方側回転駆動機構をさらに含むことを特徴とする、請求項２１に記載の基板処理装置。
23. 前記一方側プレートには、前記吐出口に接続された流路が形成されており、
    前記流路の前記吐出口との接続部分は、前記吐出口に向けて拡がるテーパ状をなしていることを特徴とする、請求項１ないし２２のいずれかに記載の基板処理装置。
24. 前記一方側プレートには、前記吐出口に接続された流路が形成されており、
    前記流路の前記吐出口との接続部分に設けられた吐出圧分散用ボールをさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし２３のいずれかに記載の基板処理装置。
25. 前記基板は、前記一方面にデバイスが形成されたデバイス形成領域を有していることを特徴とする、請求項１ないし２４のいずれかに記載の基板処理装置。
26. 前記基板は、前記他方面にデバイスが形成されたデバイス形成領域を有していることを特徴とする、請求項１ないし２５のいずれかに記載の基板処理装置。
27. 前記一方側吸引手段により前記一方側プレートの前記吸引口から吸引される処理液を、前記一方側処理液供給手段による処理液の供給路上に戻して、基板の処理に再利用するための処理液再利用手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし２６のいずれかに記載の基板処理装置。
28. 前記一方側プレート上で基板を回転させる基板回転手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし２７のいずれかに記載の基板処理装置。
29. 前記一方側プレート上での基板の位置を移動させる基板位置移動手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし２８のいずれかに記載の基板処理装置。

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