JP4798664B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤガラス基板等の被処理基板を回転可能に吸着保持して処理を施す基板処理装置に関するものである。

一般に、例えば、半導体ウエハやＬＣＤガラス基板等の基板の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理，基板上のレジスト膜に対し所定のパターンの露光を行う露光処理，露光処理後の基板上に現像液を供給して基板上のレジスト膜を現像する現像処理等が行われている。

従来、この種のフォトリソグラフィー工程においては、基板を吸着保持して回転させる基板処理装置が具備されており、この基板処理装置によって基板を回転させながら所定の処理例えばレジスト液の塗布処理や現像処理等が施される（例えば、特許文献１参照）。

また、一般に、基板を吸着保持する処理装置は、図８に示すように、基板例えばウエハＷを保持する保持手段であるスピンチャック１０の回転軸１１にモータ１２の駆動軸１３を連結し、スピンチャック１０の表面に、例えば複数の同心円弧状の吸引口１４を設けると共に、スピンチャック１０及びモータ１２に、吸引口１４に連通する吸引通路１５ａ，１５ｂを設け、この吸引通路１５ａ，１５ｂに接続する吸引管路１６を介して吸引装置である真空ポンプ２０を接続した構造である。また、吸引管路１６には真空ポンプ２０とモータ１２との間において、真空ポンプ２０側から順に、真空ライン３１と大気ライン３２とを切り換える切換弁３０と、ウエハＷの吸着時の負圧状態から吸着開放する際に、大気ライン３２側からウエハＷ側へ流れ込むパーティクルの侵入を阻止するフィルタ３３が介設されている。
特開２０００−２５２１８７号公報（特許請求の範囲、図１）

しかしながら、従来のこの種の基板を吸着保持する方式の基板処理装置においては、ウエハＷの吸着時の負圧状態から吸着開放する際に、大気圧になると、フィルタ３３より前の吸引口１４側のモータ１２とスピンチャック１０の吸引通路１５ａ，１５ｂ内に存在する、モータから発生する塵埃やパーティクル等が逆流して基板裏面に例えばウエハＷの半径方向にライン状に付着し、ウエハＷを汚染するおそれがあった。

この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板を吸着保持する方式の処理装置における吸引通路に存在する塵埃やパーティクル等によって基板が汚染されるのを防止するようにした基板処理装置を提供することを課題とする。

上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、被処理基板を回転可能に保持する保持手段に、上記被処理基板を吸着するための吸引口を設けると共に、この吸引口に吸引装置を接続してなる基板処理装置であって、 上記保持手段における上記吸引口と吸引装置とを連通する吸引通路の汚れを防止するための汚れ防止手段を具備し、 上記汚れ防止手段は、上記吸引通路における上記吸引口側に配設されるフィルタ部材にて形成され、 上記フィルタ部材は、外周にシール部材を具備すると共に、上記吸引通路の開口端から吸引口側に挿入可能に形成され、 上記吸引通路は、上記開口端側が上記フィルタ部材の外径より大径の拡径内周面を有し、この拡径内周面との間に狭小テーパ面を介して連なり、かつ上記フィルタ部材のシール部材が圧接可能な気密内周面を有する、ことを特徴とする。

このように構成することにより、被処理基板の吸着時の負圧状態から吸着開放により大気開放される際に、吸引通路内に存在する塵埃やパーティクル等が吸引口側に逆流しても、フィルタ部材によって被処理基板裏面側への侵入を阻止することができる。

また、請求項１記載の発明によれば、吸引通路内にフィルタ部材を挿入（内蔵）する際、シール部材が圧縮変形せずにフィルタ部材を狭小テーパ面まで挿入し、狭小テーパ面によってシール部材が徐々に圧縮変形して気密内周面で密接した状態でフィルタ部材を吸引通路内に挿入（内蔵）することができる。

また、請求項２記載の発明は、上記吸引通路の開口部に向かって紫外線を照射する紫外線照射手段を更に具備してなる、ことを特徴とする。

このように構成することにより、被処理基板の処理時すなわち被処理基板が吸着保持されている状態において、紫外線の照射により吸引通路の内壁面に付着する塵埃やパーティクル等を剥離・除去し、被処理基板の吸着開放により大気開放される際には、フィルタ部材によって吸引通路内に存在する塵埃やパーティクル等が被処理基板裏面側へ侵入するのを阻止することができる。

請求項２記載の基板処理装置において、上記吸引通路の内周面に、紫外線の照射により吸引通路内面に付着する物質の剥離を促す光触媒物質の皮膜を形成する方が好ましい（請求項３）。この場合、上記光触媒物質は、二酸化チタンである方が好ましい（請求項４）。また、上記紫外線照射手段から吸引通路内に照射される紫外線の照射方向に沿う光軸を、吸引通路に沿う軸線に対して傾斜させるようにしてもよい（請求項５）。

このように構成することにより、吸引通路の内周面に、紫外線の照射により吸引通路内面に付着する物質の剥離を促す光触媒物質例えば二酸化チタンの皮膜が形成されるので、吸引通路の内周面に付着する塵埃やパーティクル等の剥離を容易にすることができる（請求項３，４）。また、紫外線照射手段から吸引通路内に照射される紫外線の照射方向に沿う光軸を、吸引通路に沿う軸線に対して傾斜させることにより、紫外線を効率よく吸引通路の内周面に照射することができる（請求項５）。

また、請求項２ないし５のいずれかに記載の発明において、上記紫外線照射手段は、吸引通路内に紫外線を照射する第１の紫外線照射手段と、保持手段における被処理基板の保持面に向かって紫外線を照射する第２の紫外線照射手段と、を具備するように形成してもよい（請求項６）。

このように構成することにより、被処理基板の処理時，非処理時のいずれにおいても第１の紫外線照射手段から照射される紫外線によって吸引通路内に付着する塵埃やパーティクル等を剥離・除去することができ、また、被処理基板の非処理時には、第２の紫外線照射手段から照射される紫外線によって保持手段の保持面に付着する塵埃やパーティクル等を剥離・除去することができる。

この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような優れた効果を奏する。

（１）請求項１記載の発明によれば、フィルタ部材によって吸引通路内に存在する塵埃やパーティクル等の被処理基板裏面側への侵入を阻止することができるので、被処理基板の裏面の汚染を防止することができる。

（２）請求項１記載の発明によれば、更に保持手段の吸引通路内へのフィルタ部材の挿入（内蔵）を容易にすることができると共に、吸引通路内に挿入（内蔵）されるフィルタ部材の気密性の向上を図ることができる。

（３）請求項２記載の発明によれば、被処理基板の処理時すなわち被処理基板が吸着保持されている状態において、紫外線の照射により吸引通路の内壁面に付着する塵埃やパーティクル等を剥離・除去し、被処理基板の吸着開放により大気開放される際には、フィルタ部材によって吸引通路内に存在する塵埃やパーティクル等が被処理基板裏面側へ侵入するのを阻止することができるので、上記（１），（２）に加えて、更に被処理基板の裏面の汚染防止を確実にすることができる。

（４）請求項３，４記載の発明によれば、紫外線の照射により吸引通路内面に付着する物質の剥離を促す光触媒物質例えば二酸化チタンの皮膜を形成することにより、上記（３）に加えて、更に吸引通路の内周面に付着する塵埃やパーティクル等の剥離・除去を容易にすることができる。

（５）請求項５記載の発明によれば、紫外線照射手段から吸引通路内に照射される紫外線の照射方向に沿う光軸を、吸引通路に沿う軸線に対して傾斜させることにより、紫外線を効率よく吸引通路の内周面に照射することができるので、上記（３），（４）に加えて、更に吸引通路の内周面に付着する塵埃やパーティクル等の剥離・除去を容易にすることができる。

（６）請求項６記載の発明によれば、第１の紫外線照射手段から照射される紫外線によって吸引通路内に付着する塵埃やパーティクル等を剥離することができると共に、第２の紫外線照射手段から照射される紫外線によって保持手段の保持面に付着する塵埃やパーティクル等を剥離して除去することができるので、上記（３）〜（５）に加えて、更に被処理基板の裏面の汚染防止を確実にすることができる。

以下、この発明の最良の形態について、添付図示に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、この発明に係る基板処理装置を、被処理基板である半導体ウエハの表面にレジスト液を塗布する塗布処理装置に適用した場合について説明する。なお、図７に示した、従来の基板処理装置と同じ部分は同一符号を付して説明する。

＜第１実施形態＞
図１は、この発明に係る基板処理装置の第１実施形態を示す概略断面図、図２は、第１実施形態におけるフィルタ部材の挿入状態を示す拡大断面図である。

この発明に係る基板処理装置は、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を回転可能に保持するスピンチャック１０と、ウエハＷを吸着するための吸引口１４を設けると共に、この吸引口１４に吸引装置である真空ポンプ２０を接続してなり、スピンチャック１０における吸引口１４と真空ポンプ２０とを連通する吸引通路１５ａには、この吸引通路１５ａ内の汚れを防止するための汚れ防止手段４０が設けられている。この場合、汚れ防止手段４０は、吸引通路１５ａにおける吸引口１４側に配設される後述するフィルタ部材４１にて形成されている。

また、スピンチャック１０によって保持されるウエハＷの表面には、ウエハＷの中心部の上方位置に移動するレジストノズル１からレジスト液が吐出可能に形成されている。レジストノズル１は、開閉弁Ｖ１を介設したレジスト供給管路２を介してレジスト供給源３に接続されている。

上記スピンチャック１０は、表面にウエハＷを吸着するための吸引口１４を有する略円盤状のチャック本体１０ａと、このチャック本体１０ａの下部中心部に突設される回転軸１１とからなり、回転軸１１には吸引口１４に連通する吸引通路１５ａが軸方向に貫通して設けられている。なお、吸引口１４は、例えば、チャック本体１０ａに設けられた連通路１０ｂを介して互いに連通する複数の同心円弧状に形成されている。

上記のように構成されるスピンチャック１０の吸引通路１５内には、モータ１２の駆動軸１３が嵌挿・連結されており、モータ１２の駆動軸１３には、スピンチャック１０の吸引通路１５ａと連通する吸引通路１５ｂが軸方向に設けられている。駆動軸１３に設けられた吸引通路１５ｂの下端はモータ１２の下部に装着される接続ブロック１７に設けられた吸引通路１５ｃを介して接続ブロック１７の側面に開口しており、この開口部１７ａに接続する吸引管路１６を介して真空ポンプ２０が接続されている。

上記吸引管路１６には、真空ポンプ２０とモータ１２との間において、真空ポンプ２０側から順に、真空ライン３１と大気ライン３２とを切り換える切換弁３０と、ウエハＷの吸着時の負圧状態から吸着開放する際に、大気ライン３２側からウエハＷ側へ流れ込むパーティクルの侵入を阻止するフィルタ３３が介設されている。

上記フィルタ部材４１は、図２に示すように、先端側の端部外周面に周溝４２を設けた円筒状のケース４３と、このケース４３内に嵌挿される例えば多孔質セラミックからなるフィルタ本体４４と、ケース４３に設けられた周溝４２内に嵌着されてケース４３の外周面に円弧状に膨出するシール部材であるＯリング４５とで構成されている。なお、フィルタ部材４１のケース４３の基端部に摘み片４６を設ける方がよい。この摘み片４６を設けることによって、例えばペンチ等の工具を用いて吸引通路１５ａ内からフィルタ部材４１を容易に引き出すことができ、フィルタ部材４１の交換を容易にすることができる。

一方、スピンチャック１０の回転軸１１に設けられる吸引通路１５ｂの開口端側（下端側）には、Ｏリング４５が圧縮変形することなく挿入可能な寸法の拡径内周面１８ａが形成され、この拡径内周面１８ａの基端側（上端側）は、Ｏリング４５を徐々に圧縮し得るように縮径される狭小テーパ面１８ｂを介してＯリング４５を密接する寸法の気密内周面１８ｃが形成されている。

上記のように形成することにより、フィルタ部材４１は、拡径内周面１８ａに挿入された状態においては、Ｏリング４５は拡径内周面１８ａに接する程度であり圧縮変形を受けることがない。フィルタ部材４１を気密内周面１８ｃ側に挿入していくと、Ｏリング４５は狭小テーパ面１８ｂによって徐々に圧縮変形を受け、気密内周面１８ｃに密接する。したがって、フィルタ部材４１を吸引通路１５内に容易に挿入（内蔵）することができると共に、Ｏリング４５が吸引通路１５の開口部等に引っかかって傷つくのを防止することができる。

上記のように構成される基板処理装置において、ウエハＷのレジスト塗布処理が終了した後に、吸引管路１６に介設された切換弁３０を、吸引ライン側から大気ライン側に切り換えると、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ及び吸引口１４が、ウエハＷの吸着時の負圧状態から吸着開放により大気開放される。この際、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内に存在する塵埃やパーティクル等が吸引口１４側に逆流しても、フィルタ部材４１によって受け止めてウエハ裏面側への侵入を阻止することができる。これにより、ウエハ裏面の汚染を防止することができる。

＜第２実施形態＞
次に、この発明に係る基板処理装置の第２実施形態について説明する。図３は、この発明に係る基板処理装置の第２実施形態を示す概略断面図である。

第２実施形態は、上記フィルタ部材４１によって形成される汚れ防止手段４０に代えて、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃを洗浄する汚れ防止手段５０を備えた場合である。

すなわち、第２実施形態における汚れ防止手段５０は、上記スピンチャック１０の回転軸１１に設けられた吸引通路１５ａの上端開口側から吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内に向かって洗浄液５１を吐出する洗浄液供給手段５２と、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃと真空ポンプ２０とを接続する吸引管路１６に介設される補助切換弁３０Ａを介して接続されるエジェクタ５３とを具備してなる。

この場合、上記洗浄液供給手段５２は、ノズル移動機構５４によってスピンチャック１０の中心部上方に移動可能なノズルアーム５５に装着された洗浄液供給ノズル５２ａ（以下に洗浄ノズル５２ａという）によって形成されている。この洗浄ノズル５２ａは、開閉弁Ｖ２を介設した洗浄液供給管路５６を介して洗浄液供給源５７に接続されており、洗浄ノズル５２ａがスピンチャック１０の中心部上方に位置した状態で、開閉弁Ｖ２が開放して洗浄液供給源５７から洗浄液例えば純水が洗浄液供給管路５６を介して洗浄ノズル５２ａから吸引通路１５ａ，１５ｂ内に吐出（供給）されるように構成されている。

上記補助切換弁３０Ａは、制御手段であるコントローラ１００に電気的に接続されており、コントローラ１００からの信号に基づいて、ウエハＷがスピンチャック１０によって吸着保持される際には、吸引通路１５ａ，１５ｂと真空ポンプ２０を連通し、洗浄液供給手段５２の洗浄ノズル５２ａから洗浄液を吐出（供給）する際には、吸引通路１５ａ，１５ｂとエジェクタ５３とを連通可能に形成されている。

なお、上記ノズル移動機構５４，開閉弁Ｖ２，吸引管路１６に介設される切換弁３０及びモータ１２は、それぞれ上記コントローラ１００に電気的に接続されており、コントローラ１００からの制御信号に基づいて作動し得るように形成されている。

なお、第２実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。

次に、上記第２実施形態の基板処理装置における汚れ防止手段５０の動作態様について説明する。まず、ウエハＷの非処理時、具体的には、ロットの切り換え時において、コントローラ１００からの制御信号に基づいてノズル移動機構５４が駆動して洗浄ノズル５２ａをスピンチャック１０の中心部上方に移動する。その後、開閉弁Ｖ２を開放して洗浄液（純水）を吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内に吐出（供給）して吸引通路１５ａ，１５ｂの内周面に付着する塵埃やパーティクル等を洗い流すと共に、補助切換弁３０Ａをエジェクタ５３側に切り換えて、吸引管路１６内を流れる洗浄に供された洗浄液と塵埃やパーティクル等の混合液をエジェクタ５３の吸引作用によって装置外部に排出する。これにより、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内が洗浄され、次ロットのウエハＷの吸着保持後の吸着解除の際に、ウエハ裏面に塵埃やパーティクル等が付着するのを防止することができる。

なお、上記説明では、洗浄液に純水を用いる場合について説明したが、純水に代えて基板処理装置に備えられている溶剤供給ノズから吐出（供給）されるシンナを用いることも可能である。

＜第３実施形態＞
図４は、この発明に係る基板処理装置の第３実施形態の概略断面図、図５は、第３実施形態の要部を示す拡大断面図である。

第３実施形態は、上記第１，第２実施形態の汚れ防止手段４０，５０に代えて、上記吸引通路１５ａ，１５ｂの内周面に付着する塵埃やパーティクル等を剥離・除去する汚れ防止手段６０を備えた場合である。すなわち、第３実施形態における汚れ防止手段６０は、少なくとも上記吸引通路１５ａ，１５ｂの開口部に向かって紫外線を照射する紫外線照射手段例えば紫外線ＬＥＤ６０ａ（以下にＬＥＤ６０ａという）によって形成され、このＬＥＤ６０ａから照射される紫外線によって吸引通路１５ａ，１５ｂの内周面に付着する塵埃やパーティクル等を剥離・除去するようにした場合である。

この場合、上記吸引通路１５ａ，１５ｂに連通する接続ブロック１７に設けられた吸引通路１５ｃに開口窓１５ｄが連通して設けられ、この開口窓１５ｄに装着される例えば石英製の透明板６１を介してＬＥＤ６０ａが配設されている。

また、図５に示すように、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃの内周面には、紫外線の照射により吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃの内面に付着する物質（塵埃やパーティクル等）の剥離を促す光触媒物質例えば二酸化チタンの皮膜６２が形成されている。このように吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃの内面に二酸化チタンからなる光触媒物質の皮膜６２を形成することにより、二酸化チタンに紫外線が照射されると、強い酸化力・還元力をもつ正孔と電子が生成され、この正孔と電子が、付着物質（塵埃やパーティクル等）中の水分をＯＨラジカルやスーパーオキサイドアニオン（Ｏ２−）という活性酸素に変化させる。これにより、特に大きなエネルギーを有するＯＨラジカルによって、結合力の高い有機物や無機物を分解して、付着物質（塵埃やパーティクル等）の剥離・除去を容易にすることができる。

なお、この場合、上記ＬＥＤ６０ａから吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内に照射される紫外線の照射方向に平行な光軸Ｂ．Ｌを、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃに沿う中心軸線Ｃ．Ｌに対して所定の角度θをもたせて傾斜させるようにしてもよい（図５参照）。このように、ＬＥＤ６０ａから照射される紫外線の照射光軸Ｂ．Ｌを吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃの中心軸線Ｃ．Ｌに対して所定の角度θをもたせて傾斜させることにより、回転する回転軸１１及び駆動軸１３に設けられた吸引通路１５ａ，１５ｂの内周面に紫外線を効率よく照射することができるので、更に吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃの内周面に付着する塵埃やパーティクル等を確実に剥離・除去することができる。

なお、第３実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。

上記のように構成される第３実施形態の基板処理装置によれば、ウエハＷのレジスト塗布処理中において、ＬＥＤ６０ａから吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内に紫外線を照射することができ、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃの内周面に付着する塵埃やパーティクル等を剥離・除去することができる。なお、ＬＥＤ６０ａからの紫外線の照射は、レジスト塗布処理が終了した後に行う方が好ましい。その理由は、ＬＥＤ６０ａの照射による温度変化や波長変化等によってウエハＷが影響を受けるのを防止するためである。したがって、レジスト塗布処理が終了した後に、吸引管路１６に介設された切換弁３０を、吸引ライン側から大気ライン側に切り換えて、ウエハＷの吸着時の負圧状態から吸着開放により大気開放され際、塵埃やパーティクル等によってウエハ裏面が汚染されるのを防止することができる。勿論、非処理時においても、ＬＥＤ６０ａから吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内に紫外線を照射して、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃの内周面に付着する塵埃やパーティクル等を剥離・除去することができる。

なお、上記説明では、スピンチャック１０の下方側に配設されたＬＥＤ６０ａから吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内に紫外線を照射して、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃの内周面に付着する塵埃やパーティクル等を剥離・除去する場合について説明したが、これに加えて、図４に二点鎖線で示すように、スピンチャック１０の上方に第２の紫外線照射手段である第２の紫外線ＬＥＤ６０Ａ（以下に第２のＬＥＤ６０Ａという）を配設し、この第２のＬＥＤ６０Ａから照射される紫外線をスピンチャック１０の表面及び吸引口１４に照射して、スピンチャック１０の表面及び吸引口１４に付着する塵埃やパーティクル等を剥離・除去するようにしてもよい。なお、この場合は、非処理時に、第２のＬＥＤ６０Ａからスピンチャック１０の表面及び吸引口１４に紫外線を照射する。

＜第４実施形態＞
図６は、この発明に係る基板処理装置の第４実施形態の概略断面図である。

第４実施形態は、汚れ防止手段を、第１実施形態の汚れ防止手段４０と第３実施形態の汚れ防止手段６０を組み合わせた構造にした場合である。すなわち、第４実施形態の基板処理装置は、スピンチャック１０の回転軸１１に設けられた吸引通路１５ａにおける吸引口１４側に上記フィルタ部材４１を着脱可能に挿入し、かつ、スピンチャック１０の下方側に配設されたＬＥＤ６０ａから吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内に紫外線を照射可能に形成してなる。

なお、第４実施形態において、その他の部分は第１実施形態及び第３実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。

上記のように構成される第４実施形態の基板処理装置によれば、ウエハＷのレジスト塗布処理中において、ＬＥＤ６０ａから吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内に紫外線を照射して、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃの内周面に付着する塵埃やパーティクル等を剥離・除去することができる。また、レジスト塗布処理が終了した後に、吸引管路１６に介設された切換弁３０を、吸引ライン側から大気ライン側に切り換えて、ウエハＷの吸着時の負圧状態から吸着開放により大気開放される際、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内に存在する塵埃やパーティクル等をフィルタ部材４１によって受け止めてウエハ裏面側への侵入を阻止することができる。したがって、第４実施形態の基板処理装置によれば、処理中及びウエハＷの吸着解除時のいずれにおいても、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内に存在する塵埃やパーティクル等によってウエハ裏面が汚染されるのを確実に防止することができる。

なお、第４実施形態においても、第２のＬＥＤ６０Ａを更に具備することにより、更にスピンチャック１０の表面及び吸引口１４に付着する塵埃やパーティクル等を剥離・除去することができる。

＜第５実施形態＞
図７は、この発明に係る基板処理装置の第５実施形態の概略断面図である。

第５実施形態は、第３実施形態の汚れ防止手段６０に第２実施形態の汚れ防止手段５０を更に具備した場合である。すなわち、図７に示すように、吸引通路１５ａ，１５ｂに連通する接続ブロック１７に設けられた上記開口窓１５ｄに、透明板６１を介して紫外線照射手段であるＬＥＤ６０ａを配設する一方、吸引通路１５ａの上端開口側から吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内に向かって洗浄液５１を吐出する洗浄液供給手段５２と、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃと真空ポンプ２０とを接続する吸引管路１６に介設される補助切換弁３０Ａを介して接続されるエジェクタ５３とを具備してなる。

上記のように構成される第５実施形態の基板処理装置によれば、ＬＥＤ６０ａから吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内に紫外線を照射して、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃの内周面に付着する塵埃やパーティクル等を剥離した後、ウエハＷのロット切り換え時に、コントローラ１００からの制御信号に基づいてノズル移動機構５４が駆動して、洗浄ノズル５２ａがスピンチャック１０の中心部上方に移動して、洗浄液（純水，エタノールとＩＰＡの混合液等）を吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内に吐出（供給）して剥離された塵埃やパーティクル等を洗い流す。この際、補助切換弁３０Ａがエジェクタ５３側に切り換わって、吸引管路１６内に流れる洗浄に供された洗浄液と塵埃やパーティクル等の混合液をエジェクタ５３の吸引作用によって装置外部に排出する。これにより、吸引通路１５ａ，１５ｂ，１５ｃ内が洗浄され、次ロットのウエハＷの吸着保持後の吸着解除の際に、ウエハ裏面に塵埃やパーティクル等が付着するのを防止することができる。

なお、第５実施形態において、その他の部分は第２実施形態，第３実施形態と同じであるので、説明は省略する。

＜その他の実施形態＞
上記実施形態では、この発明に係る基板処理装置をウエハＷのレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明したが、この発明に係る基板処理装置は、レジスト塗布処理装置以外に、ウエハＷを回転可能に吸着保持して適宜処理を施す現像処理装置や枚葉式の洗浄処理装置等にも適用できる。また、この発明に係る基板処理装置は、ウエハＷ以外の基板例えばＬＣＤガラス基板等を回転可能に吸着保持して処理を施す処理装置にも適用できることは勿論である。

この発明に係る基板処理装置の第１実施形態を示す概略断面図である。 第１実施形態におけるフィルタ部材の挿入状態を示す拡大断面図である。 この発明に係る基板処理装置の第２実施形態を示す概略断面図である。 この発明に係る基板処理装置の第３実施形態を示す概略断面図である。 第３実施形態の要部を示す拡大断面図である。 この発明に係る基板処理装置の第４実施形態を示す概略断面図である。 この発明に係る基板処理装置の第５実施形態を示す概略断面図である。 従来の基板処理装置を示す概略断面図である。

符号の説明

Ｗ ウエハ（被処理基板）
１０ スピンチャック（保持手段）
１１ 回転軸
１２ モータ
１３ 駆動軸
１４ 吸引口
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ 吸引通路
１６ 吸引管路
１８ａ 拡径内周面
１８ｂ 狭小テーパ面
１８ｃ 気密内周面
２０ 真空ポンプ（吸引装置）
３０ 切換弁
３０Ａ 補助切換弁
４０ 汚れ防止手段
４１ フィルタ部材（汚れ防止手段）
４５ Ｏリング（シール部材）
５０ 汚れ防止手段
５１ 洗浄液
５２ 洗浄液供給手段
５２ａ 洗浄ノズル
５３ エジェクタ
６０ 汚れ防止手段
６０ａ 紫外線ＬＥＤ
６０Ａ 第２の紫外線ＬＥＤ
６２ 二酸化チタン皮膜
Ｂ．Ｌ 紫外線の光軸
Ｃ．Ｌ 吸引通路の中心軸線
θ 傾斜角

Claims (6)

1. 被処理基板を回転可能に保持する保持手段に、上記被処理基板を吸着するための吸引口を設けると共に、この吸引口に吸引装置を接続してなる基板処理装置であって、
   上記保持手段における上記吸引口と吸引装置とを連通する吸引通路の汚れを防止するための汚れ防止手段を具備し、
   上記汚れ防止手段は、上記吸引通路における上記吸引口側に配設されるフィルタ部材にて形成され、
   上記フィルタ部材は、外周にシール部材を具備すると共に、上記吸引通路の開口端から吸引口側に挿入可能に形成され、
   上記吸引通路は、上記開口端側が上記フィルタ部材の外径より大径の拡径内周面を有し、この拡径内周面との間に狭小テーパ面を介して連なり、かつ上記フィルタ部材のシール部材が圧接可能な気密内周面を有する、ことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１記載の基板処理装置において、
   上記吸引通路の開口部に向かって紫外線を照射する紫外線照射手段を更に具備してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２記載の基板処理装置において、
   上記吸引通路の内周面に、紫外線の照射により吸引通路内面に付着する物質の剥離を促す光触媒物質の皮膜を形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項３記載の基板処理装置において、
   上記光触媒物質が、二酸化チタンであることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項２ないし４のいずれかに記載の基板処理装置において、
   上記紫外線照射手段から吸引通路内に照射される紫外線の照射方向に沿う光軸を、吸引通路に沿う軸線に対して傾斜してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項２ないし５のいずれかに記載の基板処理装置において、
   上記紫外線照射手段は、吸引通路内に紫外線を照射する第１の紫外線照射手段と、保持手段における被処理基板の保持面に向かって紫外線を照射する第２の紫外線照射手段と、を具備する、ことを特徴とする基板処理装置。

Images