TWI434337B - 旋轉式處理裝置，處理系統及旋轉式處理方法 - Google Patents

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Description

旋轉式處理裝置，處理系統及旋轉式處理方法
本發明係關於一種用以對例如半導體基板、液晶玻璃基板、磁碟等作為精密基板之被處理基板各一片地進行處理之旋轉式處理裝置、包含旋轉式處理裝置之處理系統及藉由處理系統來執行之旋轉式處理方法。
於半導體元件、液晶顯示器、磁碟等之製造中，包含：對精密基板表面包覆膜之塗佈步驟；於有機皮膜形成圖案之顯影步驟；使被金屬、氧化物或有機物等皮膜所覆蓋的被處理基板之皮膜與處理液發生化學反應而去除之步驟；及為提高被處理基板之清潔度而去除被處理基板的污染物之步驟等；多個對作為材料之精密基板吐出處理液而進行處理之步驟。
通常，於稱作光微影步驟之阻劑塗佈步驟或顯影步驟中，係採用對被處理基板各一片地進行處理之旋轉式處理裝置。
又，於去除被處理基板的皮膜之步驟或去除被處理基板的污染物之步驟中，習知，對複數片被處理基板進行一併處理之批量式處理裝置係為主流。
然而，於批量式處理裝置中，在收納有複數片被處理基板之匣盒內，於處理過程中會產生來自相鄰接之被處理基板的再污染。
因此，近年來係採用對被處理基板各一片地進行處理之旋轉式處理裝置。旋轉式處理裝置於容器內具備有使被處理基板保持水平而旋轉之旋轉保持機構、及朝保持於旋轉保持機構的被處理基板之被處理面吐出處理液之處理液吐出機構。容器上形成有開口部。被處理基板係經由開口部而搬入搬出於旋轉保持機構。
自處理液吐出機構通常會依序吐出複數種處理液。若考慮到環境性而欲加以再利用，則自處理液吐出機構吐出之複數種處理液之廢液必須分別加以個別回收。
因此，於旋轉式處理裝置中存在有一種將複數個誘導壁呈同心狀地配置於旋轉保持機構之外周側者(例如專利文獻1或2)，其中上述複數個誘導壁將複數種處理液之廢液分別導入至個別排液路徑者。使複數個誘導壁之各個相對於保持於旋轉保持機構之被處理基板而相對地升降，選擇性地打開複數個誘導壁中任一個開口部，藉此將複數種處理液之廢液分別經由個別排液路徑而加以個別地回收。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第3966848號公報
[專利文獻2]日本專利特開2004-31400號公報
習知旋轉式處理裝置中，為了防止因處理液及其環境氣體自開口部漏出至容器外部而引起外部環境之劣化，而於裝置外部設置有使開口部開閉之閘門(shutter)，致產生裝置佔用面積大型化之問題。
又，於習知旋轉式處理裝置中，必須在開始處理被處理基板前使閘門移動至封閉位置，且在開始搬出已處理完之被處理基板前使閘門移動至打開位置，因而除處理所需之時間外，另需要使閘門開閉之時間，故而產生被處理基板之處理呈長時間化之問題。近年來，對於旋轉式處理裝置，不僅要求處理能力要提高，而且亦強烈要求提高處理量，但是處理能力與處理所需之時間呈折衷(trade off)之關係，為了提高處理量，縮短在處理時間內處理所需時間以外之時間係極其重要之課題。
本發明之目的在於提供一種可藉由以位於最外側之最外周誘導壁使容器之開口部開閉，來實現佔用面積之小型化及處理之短時間化的旋轉式處理裝置、處理系統及旋轉式處理方法。
本發明之旋轉式處理裝置包含容器、旋轉保持機構、處理液吐出機構、複數個誘導壁及升降機構。容器包含搬入搬出被處理基板之開口部，用以收納旋轉保持機構、處理液吐出機構及複數個誘導壁。旋轉保持機構將自開口部搬入之被處理基板保持水平並使其旋轉。處理液吐出機構朝旋轉保持機構所保持的被處理基板之被處理面依序吐出複數處理液。複數個誘導壁係呈同心狀地配置於旋轉保持機構之外周側，將自處理液吐出機構吐出的複數處理液之各廢液加以分類而排放。升降機構係使複數個誘導壁之各個於上端部位於較保持於旋轉保持機構之被處理基板更上方之回收位置與位於更下方之退離位置之間進行升降。複數個誘導壁中位於最外側之最外周誘導壁於回收位置封閉開口部，於退離位置則打開開口部。
藉由上述構成，當使將處理液之廢液加以分類而排放之複數個誘導壁中位於最外側之最外周誘導壁位於回收位置時，封閉開口部，當使其位於退離位置時，將開口部打開。因此，最外周誘導壁發揮作為開口部之開閉構件之作用，無需具備僅發揮作為開口部之開閉構件作用之閘門。
於上述構成中，較佳為最外周誘導壁於上端遍及全周具備有在回收位置與開口部之上緣部在水平方向重合之凹凸部。若使最外周誘導壁位於回收位置，則最外周誘導壁上端之凹凸部與開口部之上緣部在水平方向重合，而可防止處理液之飛沫或環境氣體自開口部漏出至外部。
本發明之處理系統包含至少一台上述旋轉式處理裝置、及經由開口部而將被處理基板搬入搬出於旋轉保持機構之搬送裝置。藉由搬送裝置，可經由開口部而將於旋轉式處理裝置中接受處理之被處理基板搬入搬出於旋轉保持機構。進行被處理基板之搬入搬出之搬送裝置與於旋轉式處理裝置內保持被處理基板之旋轉保持機構間的距離縮短，因而不僅可使處理系統之佔用面積小型化，且可縮短被處理基板之搬送時間。藉此，可更提高處理量。
於上述構成中，較佳為包含收納被處理基板之至少一個殼體(case)。藉由搬送裝置，可於旋轉式處理裝置與殼體之間搬送被處理基板。可將收納於半導體製造工廠等內所使用之晶圓搬送用殼體(FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式通用容器)、SMIF(Standard Mechanical Interface，標準機械介面)、開放式匣盒(open cassette)等)之精密基板作為被處理基板，而建構於量產型之製造工廠中通用之處理系統。
於由上述處理系統處理被處理基板之本發明旋轉式處理方法中，當藉由搬送裝置將被處理基板搬入至旋轉保持機構結束，則於使最外周誘導壁上升至回收位置後，藉由旋轉保持機構使被處理基板旋轉，同時自處理液吐出機構吐出處理液而開始處理。又，當旋轉式處理裝置中之被處理基板之處理結束時，則停止藉由旋轉保持機構對被處理基板之旋轉，使複數個誘導壁下降至退離位置，且於複數個誘導壁下降至退離位置之時序，開始藉由搬送裝置而自旋轉保持機構搬出被處理基板。
因此，可於藉由搬送裝置將被處理基板搬入至旋轉保持機構後，立即開始包括最外周誘導壁之升降在內的處理。又，可於處理結束後，立即開始藉由搬送裝置自旋轉保持機構搬出被處理基板。
根據本發明，藉由使最外周誘導壁發揮作為開口部之開閉構件作用，可無需僅發揮作為開口部之開閉構件作用的閘門，而可實現佔用面積之小型化及處理之短時間化。
圖1係本發明第1實施形態之處理系統之概略俯視圖。圖2係圖1之X-X線處之側面剖視圖。
本發明第1實施形態之處理系統100包含旋轉式處理裝置1、容器5及搬送裝置2各一台，及兩個搬送專用殼體4。關於容器5將於後文說明。作為一例，搬送裝置2包含直角座標型之搬送機械手41。搬送機械手41包含由三條臂構成之基板保持部6，可圍繞垂直軸旋轉360°。搬送機械手41係在處理裝置1與搬送專用殼體4之間於俯視下呈曲線地搬送被處理基板3。
此外，亦可使用圓筒座標型之搬送機械手作為搬送機械手41。於此情形時，為了將被處理基板3搬入搬出於兩個搬送專用殼體4之各個中，必須於搬送裝置2中包含與兩個搬送專用殼體4之配置方向平行之軌道(rail)。
基板保持部6亦可包含使被處理基板3之表面與背面反轉之反轉機構。又，為了不使處理後之被處理基板3因與基板保持部6之接觸而發生再污染，較佳為搬送機械手41包含將處理前之被處理基板3與處理後之被處理基板3個別地加以保持之兩個以上基板保持部6。
兩個搬送專用殼體4分別可裝卸自如地安裝於設置在搬送裝置2側面之兩個載置部48。各搬送專用殼體4係於上下方向收納複數片被處理基板3。作為一例，處理系統100安裝有兩個搬送專用殼體4。搬送專用殼體4之數量根據製造步驟或生產狀況而變化，但較佳為包含保管處理前之被處理基板3的搬送專用殼體4及保管處理後之被處理基板的搬送專用殼體4之至少兩個。
旋轉式處理裝置1於容器1A內具備分別包含噴嘴30A、35A之處理液吐出臂30、35。作為一例，處理液吐出臂30、35自噴嘴30A、35A之各個分別吐出處理液、清洗(rinse)液之兩種處理液。旋轉式處理裝置1使用兩種處理液進行兩個階段之處理。
作為處理液，亦可使用添加有機系處理液、鹼系處理液、酸系處理液、界面活性劑之處理液，使微量氣體溶解於超純水中之稱作機能水(functional water)之處理液，臭氧水等。
作為清洗液，通常使用超純水或異丙醇等之有機系清洗液等。
圖3及圖4為圖1之X-X線處之本發明旋轉式處理裝置主要部位之側面剖視圖。圖3表示旋轉式處理裝置1中被處理基板搬入搬出時之狀態。圖4表示旋轉式處理裝置1中被處理基板處理時之狀態。
旋轉式處理裝置1於容器1A內包含旋轉保持機構7、排液口13及14、誘導壁16及17、及排氣口25及26。
旋轉保持機構7包含平台10及馬達11，並且包含均未圖示之支柱、套筒(sleeve)、軸承及旋轉支持構件。支柱係垂直於軸方向而固定於容器1A之中央部。套筒係經由軸承而旋轉自如地外嵌於支柱。旋轉支持構件係固定於套筒之上端。平台10係固定於旋轉支持構件之上端，且藉由設置於上表面之複數個保持用具39來保持被處理基板3。馬達11係使套筒旋轉。
若驅動馬達11，則套筒、旋轉支持構件及平台10以支柱為中心而一體地旋轉。亦可將馬達11之旋轉經由滑輪、傳送帶或齒輪列等之傳遞機構傳遞至平台10。
作為一例，誘導壁16及17係俯視下呈現圓形環狀之筒狀體，且呈同心狀地配置於平台10之外側。誘導壁16及17以該順序增大直徑，且於各自內側形成有間隙。於誘導壁16及17之各自上端，朝向內側遍及全周而形成有凸緣部。
於誘導壁16及17固定有驅動軸19及20之上端部。驅動軸19及20之下端部係安裝於氣缸22及23。驅動軸19及20、氣缸22及23相當於本發明之升降機構。驅動機構亦可由馬達氣缸、凸輪機構、滾珠螺桿螺帽旋轉機構等所構成。
排液口13及14分別連接於誘導壁16及17之各自間隙下部，而構成排液流路及排氣流路。作為一例，於排液口13及14，自誘導壁16及17分別導出處理液、清洗液，且將其等分別個別地加以排出。
控制氣壓流相對氣缸22及23之流入流出，藉此經由驅動軸19及20使誘導壁16及17於上方之回收位置與下方之退離位置之間升降。使誘導壁16及17適當地升降，藉此選擇性地打開到達排液口13及14中任一者之排液流路及排氣流路，將複數處理廢液之各個經由既定之排液口13及14加以排出。應配置之誘導壁數量可考慮製造步驟或生產性，根據所使用之處理液種類來適當地加以變更。
作為一例，圖4表示打開誘導壁16及17中位於最外側之最外周誘導壁17與誘導壁16間之間隙所構成之排液流路、並封閉其他排液流路之狀態。
於各驅動軸19及20之周圍，例如，配置有利用蛇腹(bellows)連結之固定法蘭(flange)及可動法蘭，從而各驅動軸19及20與處理液之廢液或排氣環境氣體隔斷。藉此，可防止對驅動部之漏液及腐蝕，可提高旋轉式處理裝置1之可靠性、耐久性。
排氣口25及26分別於誘導壁16及17之各自間隙下部，配置於較排液口13及14更高之位置。排氣口25及26僅將各處理液之環境氣體排出至容器1A外。
此外，較佳為配置使排氣口25及26開閉之手段，以僅選擇性地打開與藉由誘導壁16及17中之任一個而打開者相對應之排氣口25及26。
又，更佳為配置可自動地調整開度以使容器1A內之壓力達到固定之自動阻尼器(auto damper)。通常，容器1A內之壓力相對於外部而被控制為負壓。
於排氣流路中，配置有用以防止排液混入至排氣口25及26與排氣流路中之傘狀蓋，容器1A內之環境氣體係自排氣口25及26與傘狀蓋之間隙而排出。
此外，較佳為於排液流路中配置排液閥(trap)，而且較佳為削減滯留部，以使得即使萬一混入有外氣時亦可有效地排氣、排液。又，當不進行廢液之分別回收及再利用時，亦可使各排液流路彙集成一個。藉此，可削減零件件數而使成本降低。
於最外周誘導壁17，在上端配置有凸部28。於最外周誘導壁17位於回收位置之狀態下，凸部28以於水平方向重合之狀態卡合於開口部37上緣部所形成之凹部37A。藉此，開口部37係藉由位於回收位置之最外周誘導壁17來封閉。
於最外周誘導壁17位於退離位置之狀態下，開口部37打開。因此，最外周誘導壁17構成處理廢液之排液路徑，同時具備使開口部37開閉之功能。
凸部28及凹部37A若為以彼此於水平方向重合之狀態而卡合之形狀，則可設為使凹凸為彼此相反之形狀，亦可將凸部與凹部各自設為凹凸形狀。
由於最外周誘導壁17中具備使開口部37開閉之功能，因而無需僅用於使開口部37開閉之閘門，可使旋轉式處理裝置1之佔用面積小型化。
又，誘導壁16及17自耐處理液性之觀點考慮，係以樹脂(尤其是氟樹脂)材料作為素材，但通常而言，樹脂材料之撥水作用較大，處理液於飛散至誘導壁16及17時會變為液滴。
當朝向該液滴更進一步有處理液飛散時，由於液滴彼此之碰撞，液滴會飛散至被處理基板3，再附著之污染物或稱作水印(water mark)之水滴痕跡會作為殘渣物而殘留於處理後之被處理基板3表面，對良率帶來較大影響。
因此，有效的是對誘導壁16及17之表面實施親水性處理。關於親水性處理之方法，控制樹脂表面粗糙度、藉由紫外線或鹼性藥液來使樹脂表面發生化學變化等的方法均可。藉由對誘導壁16及17之表面實施親水性處理，即便於處理液飛散至誘導壁16及17上時，亦不會變為液滴而被排出，故可防止因液滴彼此碰撞而引起之污染物再附著或水印之產生。
於容器1A內，配置有未圖示之第1、第2處理液供給管。第1、第2處理液供給管分別連接於處理液吐出臂30及35。作為一例，就處理液吐出臂30而言，於旋轉支持部29之下部配置有驅動馬達31。若對驅動馬達31進行驅動，則處理液吐出臂30以旋轉支持部29為中心而於被處理基板3之上部作圓弧動作。於旋轉支持部29，以可於噴嘴30A不會與誘導壁16及17發生干涉之高度之上側位置與噴嘴30A儘可能地接近被處理基板3之表面之下側位置之間進行升降之方式，具備有上下驅動機構32。
由第1處理液供給管所供給之處理液自處理液吐出臂30之頂端噴嘴30A吐出至被處理基板3之處理表面。處理液吐出臂35係構成為與處理液吐出臂30同樣。
平台10具備有下部噴嘴34。當被處理基板3之背面亦與表面同時受處理時，由處理液供給管所供給之處理液將自下部噴嘴34吐出至被處理基板3之背面。處理液吐出臂30為了防止液體積存，較佳為賦予傾斜。
處理液供給管、旋轉支持部29、處理液吐出臂30及35、以及驅動馬達31、上下驅動機構32相當於本發明之處理液吐出機構。
此外，處理液吐出機構只要為包含至少一個處理液吐出臂、且依序吐出複數處理液者即可，未必要具備複數個處理液吐出臂。例如，藉由在一個處理液吐出臂配置複數個處理液供給管，可進行三個系統以上之處理液供給，且與上述誘導壁數量相同，關於所使用之處理液吐出臂數量或處理液種類數，亦可設為與製造步驟或生產性相因應之處理液種類數。關於下部噴嘴34亦相同。
於上述例中，揭示出可同時對被處理基板之表面/背面進行處理之處理裝置，但是於不對背面進行處理之製造步驟中，亦可使用卸下背面處理用之下部噴嘴34、而僅對表面進行處理之處理裝置。
又，於上述例中，為了同時對被處理基板之表面及背面進行處理，係使用設置於平台10上表面之複數個保持用具39來保持被處理基板3，但是於不對背面進行處理之情形時，亦可使被處理基板3之背面吸引保持於平台10之上表面。
又，為了維持旋轉式處理裝置1之內部環境氣體之清潔度，構成旋轉式處理裝置1之頂板、側板、底板等之外側面的構件較佳為經由O形環、樹脂襯墊(packing)或金屬C形環等各種密封用具而進行固定。
又，處理液供給配管較佳為減少滯留部，關於進行處理液之秤量或供給之處理液供給系統、及進行除氣或氣體添加之零件，較佳為緊靠旋轉式處理裝置1之內部或外部而配置。
於本實施例之旋轉式處理裝置1上部，配置有用以將清潔之空氣供給至處理裝置內由風扇與過濾器所構成之風扇過濾單元38。
風扇過濾單元38係藉由調整未圖示之風扇轉速(例如，反相器)或輸出電壓，而根據旋轉式處理裝置1之尺寸等構成，將氣體供給量控制在例如每分鐘2～10m3 左右之範圍內。
當裝置或工廠之定期維護(maintenance)時、或者因裝置之故障而引起之緊急停止時，生產工廠之排氣量會發生變動，故較佳為將風扇之轉速等控制在既定範圍內。
以下，詳細說明對一片被處理基板3進行處理時之動作。
搬送裝置2之搬送機械手41自搬送專用殼體4搬出處理前之被處理基板3。其後，搬送機械手41向旋轉式處理裝置1之開口部37旋轉，使基板保持部6朝旋轉式處理裝置1之方向移動，將被處理基板3搬入至旋轉式處理裝置1內。
旋轉式處理裝置1於搬入處理前之被處理基板3後，驅動保持部驅動機構40，使保持部39動作，由保持部39而以水平狀態保持處理前之被處理基板3。
其次，藉由上下驅動機構22、23使誘導壁16、17上升，而隔斷旋轉式處理裝置1之內部環境氣體與搬送裝置之內部環境氣體。
其後，一面藉由旋轉保持機構7而使被處理基板3旋轉，一面使處理液吐出臂30以第1旋轉支持部29為中心旋轉，直至噴嘴30A到達被處理基板3之中心部上方為止。更進一步，藉由上下驅動機構32而使處理液吐出臂30下降，當噴嘴30A到達被處理基板3之表面附近時，自噴嘴30A吐出處理液。
其次，一面持續藉由旋轉保持機構7而進行之被處理基板3旋轉，一面停止藉由處理液吐出臂30而進行之處理液之吐出，使誘導壁16下降，而使處理液吐出臂30返回至原點。更進一步，使處理液吐出臂35旋轉直至噴嘴35A到達被處理基板3之中心部上方為止後，使處理液吐出臂35下降，當噴嘴35A到達被處理基板3之表面附近時，自噴嘴35A吐出處理液(例如，超純水)。藉此，對被處理基板3進行最終處理。
最後，為了對被處理基板3進行最終乾燥，停止藉由處理液吐出臂35而進行之處理液吐出，使處理液吐出臂35返回至原點，使被處理基板3高速旋轉而甩開殘留於表面之液體。於乾燥結束後，使最外周誘導壁17下降，結束處理。於最外周誘導壁17下降之狀態下，使處理後之被處理基板3變為準備搬出狀態。
於被處理基板3之處理結束後，搬送機械手41使基板保持部6朝旋轉式處理裝置1之方向移動，將處理前被處理基板3搬出至搬送裝置2。其後，搬送機械手41圍繞中心軸5而朝保管處理後之被處理基板3的搬送用殼體4之方向旋轉。
搬送機械手41使基板保持部6朝搬送用殼體4之方向移動，將已處理完之被處理基板3搬入至搬送用殼體4，而結束處理。
雖揭示於最終乾燥時，使用稱作甩乾(旋轉乾燥)之乾燥方法之步驟，但考慮到被處理基板3之狀態、製造步驟、生產性等，可使用旋轉乾燥以外之各種乾燥方法。
旋轉式處理裝置1無需於容器1A之外部設置閘門，故可縮短搬送裝置2與旋轉式處理裝置1內之被處理基板3間的距離，不僅可節省處理系統之佔用面積，而且可實現處理之處理量提高。
又，於阻劑塗佈步驟、顯影步驟中，於被處理基板之處理前後，必須進行被處理基板之溫度控制管理。當於上述步驟中採用本發明之旋轉式處理裝置時，為了進行處理前後之被處理基板3之溫度控制管理，較佳為包含如圖1所示般可精密控制溫度之容器5，視需要，藉由搬送機械手41而於處理前後將被處理基板3搬入搬出於容器5，而進行溫度控制。
又，當於去除被處理基板3的皮膜之步驟、去除被處理基板3的污染物之步驟中採用本處理系統時，若無需進行被處理基板3之溫度控制管理，則可省去進行溫度控制之容器5，或者代替此而具備旋轉式處理裝置1。藉由省去容器5，可使本處理系統小型化。又，藉由代替容器5而具備旋轉式處理裝置1，可實現生產性之提高。
圖5係本發明第2實施形態之處理系統之概略俯視圖。圖6係圖5之X-X線處之側面剖視圖。第2實施形態之處理系統200包含兩個搬送裝置2、42、三台旋轉式處理裝置1、一個溫度控制容器5、兩個搬送用殼體4及一個基板交接部43。
作為一例，搬送裝置2包含直角座標型之搬送機械手41。搬送機械手41可以中心軸5為中心旋轉360°，且包含基板保持部6，用以於三台旋轉式處理裝置1、一個容器8中各個與基板交接部43之間搬送被處理基板3。關於容器8將於後文說明。
作為一例，搬送裝置42包含圓筒座標型之搬送機械手46。搬送機械手46可相對於中心軸44旋轉360°，並包含基板保持部45，藉由未圖示之軌道而可沿著箭頭B方向移動自如。搬送機械手46係於搬送用殼體4與基板交接部43之間搬送被處理基板3。基板保持部6、45較佳為包含反轉機構。
基板交接部43包含載置被處理基板3之載台(stage)47，於搬送裝置2與搬送裝置42間進行被處理基板3之交接。基板交接部43較佳為包含用於處理前之被處理基板3與用於已處理完之被處理基板3之兩個載台47。
基板保持部6及45為了縮短被處理基板3之搬送時間，亦可包含保持複數片被處理基板3之保持部機構。於此情形時，必須使基板交接部43上可載置複數片被處理基板3。
兩個搬送用殼體4分別搭載於搬送裝置42側部所配置之搭載部48。搬送用殼體4並不受限定兩個，可根據製造步驟、生產狀況而變更配置數量。較佳為配置將處理前之被處理基板3及處理後之被處理基板3加以個別保管之至少兩個搬送用殼體4。
以下，說明利用處理系統200處理一片被處理基板3時之動作。
首先，搬送裝置46使搬送機械手46沿著箭頭B方向移動至與搬送用殼體4相對向之位置為止，且使基板保持部45朝搬送用殼體4之方向移動，而自搬送用殼體4搬出處理前之被處理基板3。
其次，搬送裝置46使搬送機械手46沿著箭頭B方向移動至與基板交接部43相對向之位置為止之後使其旋轉，且使基板保持部45朝載台47之方向移動，而將處理前之被處理基板3載置於載台47上。
其後，搬送裝置2使載置於載台47之被處理基板3保持於搬送機械手41之基板保持部6，且使搬送機械手41旋轉，以使基板保持部6與三台旋轉式處理裝置1中應進行處理之旋轉式處理裝置1相對向。
應處理之旋轉式處理裝置1使最外周誘導壁17下降而形成為搬入搬出口37打開之準備搬入狀態。搬送裝置2使基板保持部6朝旋轉式處理裝置1移動，將處理前之被處理基板3搬入至旋轉式處理裝置1。
旋轉式處理裝置1與第1實施形態同樣地對被處理基板3進行處理。當處理結束時，旋轉式處理裝置1使最外周誘導壁17下降而打開搬入搬出口37，形成為已處理完之被處理基板3之準備搬出狀態。
搬送裝置2使基板保持部6相對於旋轉式處理裝置1之內部而往返移動，搬出已處理之被處理基板3。
其後，搬送裝置2使搬送機械手41旋轉成為基板保持部6與基板交接部43之載台47相對向，經由基板保持部6將已處理之被處理基板3載置於載台47上。
搬送裝置42使載置於載台47上之被處理基板3保持於基板保持部45上之後，使搬送機械手46沿著箭頭B方向移動並且旋轉。更進一步，使基板保持部45朝搬送用殼體4移動，將已處理完之被處理基板3搬入至搬送用殼體4，而結束處理。
搬送裝置2及42亦可同時驅動搬送機械手41及46之複數個軸。
較佳為搬送機械手41及46之各個分別包含將處理前後之被處理基板3加以個別保持之各兩個基板保持部6、45。
處理系統200包含當用於阻劑塗佈步驟或顯影步驟中時、則對容器8進行溫度控制之機構，根據處理前後被處理基板3之溫度控制管理之必要性，藉由搬送機械手41將被處理基板3搬入搬出於容器8而進行溫度控制。
又，處理系統200當用於去除被處理基板的皮膜之步驟或去除被處理基板的污染物之步驟中時，若不必進行被處理基板3之溫度控制管理，則可省去容器8，或者可代替其而具備旋轉式處理裝置1。藉由省去容器8，可使處理系統200小型化。又，藉由代替容器8而具備旋轉式處理裝置1，可提高生產性。
於生產工廠中所使用之搬送專用匣盒4(例如，FOUP或SMIF等)中，可保管複數片(例如25片)被處理基板3。因此，藉由將被處理基板3依序搬入至三台旋轉式處理裝置1之各個中，並自三台旋轉式處理裝置1依序搬出已處理完之被處理基板3，可實現生產性之提高。
三台旋轉式處理裝置1之各個無需於外部設置閘門，故可縮短搬送裝置2與旋轉式處理裝置1內之被處理基板3間之距離，而不僅可節省處理系統200之佔用面積，且可實現處理之處理量提高。
處理系統200所包含之旋轉式處理裝置1之台數可根據生產性或製造步驟而適當變更。複數個旋轉式處理裝置1並不受限於要配置在水平方向，亦可配置於垂直方向。當將複數個旋轉式處理裝置1配置於垂直方向時，較佳為將搬送機械手46以各段進行配置。
相較於利用一台旋轉式處理裝置1同時對複數片被處理基板3進行處理，利用複數台旋轉式處理裝置1之各台連續地進行各一片處理時之生產性及良率有提高之情況。於處理系統200中，藉由配置於各旋轉式處理裝置1內之誘導壁17，將搬送裝置2與三台旋轉式處理裝置1加以隔離，故可因應於進行連續處理之製造步驟。
此外，於處理系統200中，亦與第1實施形態相同，亦可經由配置於旋轉式處理裝置1之下部噴嘴34，與表面同時進行背面之處理。
又，當藉由搬送裝置2、42將被處理基板3搬入搬出於旋轉式處理裝置1內時，亦可藉由配置於各基板保持部6、45之反轉機構而使被處理基板3反轉。
圖7係本發明第3實施形態之處理系統之概略俯視圖。第3實施形態之處理系統300除搬送裝置2、搬送裝置42、旋轉式處理裝置1、兩個搬送用殼體4以外，亦包含兩個CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨)裝置49、擦洗(scrub)裝置50作為其他基板處理裝置。
CMP裝置49使用研磨劑來研磨被處理基板3之表面，以提高被處理基板3之表面平坦性。
擦洗裝置50係一面藉由輥51使被處理基板3旋轉，一面進行利用輥刷52將因CMP裝置49中之研磨而附著於被處理基板3表面之研磨粒子自被處理基板3之表面去除之前處理。
作為一例，搬送裝置2包含直角座標型之搬送機械手41。搬送機械手41可旋轉360°，且包含基板保持部6，用以對旋轉式處理裝置1、基板交接部43、兩個CMP裝置49、擦洗裝置50進行被處理基板3之搬入搬出。
作為一例，搬送裝置42包含圓筒座標型之搬送機械手46。搬送機械手46包含基板保持部45，可旋轉360°，且沿著箭頭B方向移動自如。搬送機械手46係於搬送用殼體4與基板交接部43之間搬送被處理基板3。
較佳為搬送裝置2與搬送裝置42之各個包含將處理前之被處理基板與已處理之被處理基板3加以個別保持之上下兩個基板保持部6、45，且上側之基板保持部6、45包含可使被處理基板3反轉之反轉機構。
兩個搬送用殼體4分別搭載於搬送裝置42側部所配置之搭載部48。搬送用殼體4並不受限於兩個，可根據製造步驟、生產狀況而變更配置數量。較佳為配置對處理前之被處理基板3及處理後之被處理基板3進行個別保管之至少兩個搬送用殼體4。
以下，說明處理一片被處理基板3時之處理系統300中動作。
首先，搬送裝置42使搬送機械手46沿著箭頭B方向移動至與搬送用殼體4相對向之位置為止，使基板保持部45朝搬送用殼體4之方向移動，而自搬送用殼體4搬出處理前之被處理基板3。
其次，搬送裝置46使搬送機械手46沿著箭頭B方向移動至與基板交接部43相對向之位置為止後進行旋轉，使基板保持部45朝載台47之方向移動，而將處理前之被處理基板3載置於載台47上。
其後，搬送裝置2使載置於載台47之被處理基板3保持於搬送機械手41之基板保持部6，且使搬送機械手41旋轉，以使基板保持部6與兩個CMP裝置49中應進行研磨之CMP裝置49相對向。搬送裝置2使基板保持部6相對於CMP裝置49之內部而往返移動，將被處理基板3搬入至CMP裝置49內。CMP裝置49對已搬入之被處理基板3表面進行研磨。
當藉由CMP裝置49對被處理基板3進行之研磨結束時，搬送裝置2經由搬送機械手41之基板保持部6將被處理基板3自CMP裝置49搬出。更進一步，搬送裝置2使搬送機械手41旋轉以使保持於基板保持部6之被處理基板3接近擦洗裝置50，將保持於基板保持部6之被處理基板3搬入至擦洗裝置50內。擦洗裝置50對已搬入之被處理基板3進行前處理。
當擦洗裝置50中之前處理結束時，搬送裝置2經由基板保持部6而將前處理完之被處理基板3自擦洗裝置50搬出，且使搬送機械手41旋轉以使保持於基板保持部6之被處理基板3接近旋轉式處理裝置1。
旋轉式處理裝置1使最外周誘導壁17下降而形成為搬入搬出口37打開之搬入準備狀態。搬送裝置2使基板保持部6朝旋轉式處理裝置1移動，將處理前之被處理基板3搬入至旋轉式處理裝置1內。
旋轉式處理裝置1與第1實施形態同樣地進行被處理基板3之處理。用於處理之處理液可任意地選擇。當處理結束時，旋轉式處理裝置1使最外周誘導壁17下降而打開搬入搬出口37，形成為已處理完之被處理基板3之準備搬出狀態。
搬送裝置2使基板保持部6相對於旋轉式處理裝置1之內部而往返移動，並搬出已處理完之被處理基板3。
其後，搬送裝置2使搬送機械手41旋轉以使基板保持部6與基板交接部43之載台47相對向，經由基板保持部6將已處理完之被處理基板3載置於載台47上。
搬送裝置42使載置於載台47之被處理基板3保持於基板保持部45上後，使搬送機械手46沿著箭頭B方向移動並且旋轉。進而，使基板保持部45朝搬送用殼體4移動，將已處理完之被處理基板3搬入至搬送用殼體4內，而結束處理。
處理系統300包含兩個CMP裝置49及一個擦洗裝置50。對兩個CMP裝置49之各個賦予較研磨一片被處理基板3所需之時間更短之時間差而搬入被處理基板3，將已結束研磨之被處理基板2依序搬入至擦洗裝置50內，藉此可縮短整個處理所需之時間。
又，於利用旋轉式處理裝置1對已結束藉由擦洗裝置50之前處理之第1片被處理基板3進行處理期間，將已結束前處理之第2片被處理基板3預先搬送至旋轉式處理裝置1之附近，藉此可更進一步提高生產性。
亦可藉由配置於旋轉式處理裝置1內之下部噴嘴34，與表面同時對背面進行處理。當藉由搬送裝置2、42將被處理基板3朝旋轉式處理裝置1搬入搬出時，亦可藉由配置於各基板保持部6、45之反轉機構而使被處理基板3反轉。
於處理系統300中，可連續進行被處理基板3之研磨及處理，故不僅可使佔用面積化小型化，而且可實現生產性之提高及良率之提高。
又，於圖7所示之處理系統300中，配置有兩個CMP裝置49、一個擦洗裝置50及一台旋轉式處理裝置1，但關於系統之布局(layout)及裝置數量，可考慮生產性及良率之提高而適當地變更。
此外，於處理系統300中，配置有CMP裝置49及擦洗裝置50作為其他基板處理裝置，但考慮到生產性及良率之提高，亦可配置對被處理基板3實施與旋轉式處理裝置1中之處理不同之處理的其他基板處理裝置。
然而，藉由最外周誘導壁17而實現之旋轉式處理裝置1內之環境氣體與配置有搬送裝置2、42之環境氣體間之密封性(氣密性)並不完全。因此，其他基板處理裝置較佳為使用藥液或超純水等之濕式基板處理裝置。旋轉式處理裝置1可藉由配置於開口部37之誘導壁17而與搬送裝置2隔離，故亦可因應於連續進行此種濕式基板處理之製造步驟。
特別是當將研磨完之被處理基板3暫時保管於搬送殼體內並使其乾燥時，難以將乾燥後之研磨粒子自被處理基板3之表面去除。就該方面而言，於處理系統300中，研磨後之被處理基板3並不保管於搬送殼體內而搬送至擦洗裝置50。因此，研磨後之被處理基板3在維持潮濕狀態下進行前處理，而可容易地將研磨粒子自被處理基板3之表面去除。
圖8係本發明第4實施形態之處理系統之概略俯視圖。第4實施形態之處理系統400除搬送裝置2、搬送裝置42、3個旋轉式處理裝置1、兩個搬送用殼體4以外，亦包含保管裝置53。於搬送裝置2與搬送裝置42間配置有基板交接部43。
作為一例，搬送裝置2包含直角座標型之搬送機械手41。搬送機械手41可旋轉360°，並包含基板保持部6，用以對旋轉式處理裝置1、基板交接部43、兩個CMP裝置49、擦洗裝置50進行被處理基板3之搬入搬出。
作為一例，搬送裝置42包含圓筒座標型之搬送機械手46。搬送機械手46包含基板保持部45，可旋轉360°，且沿著箭頭B方向移動自如。搬送機械手46係於搬送用殼體4與基板交接部43之間搬送被處理基板3。
較佳為搬送裝置2與搬送裝置42之各個包含將處理前之被處理基板與已處理完之被處理基板3加以個別保持之上下兩個基板保持部6、45，上側基板保持部6、45包含可使被處理基板3反轉之反轉機構。
兩個搬送用殼體4分別搭載於搬送裝置42側部所配置之搭載部48。搬送用殼體4並不受限定於兩個，可根據製造步驟、生產狀況而變更配置數量。較佳為配置對處理前之被處理基板3及處理後之被處理基板3進行個別保管之至少兩個搬送用殼體4。
圖8中表示設置有兩個搬送用殼體之情況，但搭載部數量係根據製造步驟、生產狀況而變化，較佳為包含保管處理前被處理基板3之搬送用殼體4與保管處理後被處理基板3之搬送用殼體4的至少兩個搭載部48。
保管裝置53包含氣體供給手段71及氣體排氣手段72，可控制內部環境氣體之氣體壓力及氣體濃度等。
氣體供給手段71係由包含減壓閥55、過濾器56、質量流量控制器57及閥58之氣體流量控制系統而構成，對保管裝置53內部供給惰性氣體。作為惰性氣體，較佳為氮氣或氬氣等，但氣體種類可根據被處理基板3之種類或處理目的而任意選擇。又，亦可為混合氣體而非單一氣體。
再者，關於建構氣體流量控制系統之構件，並不受限於上述組合，較佳為供給配管係以不會產生氣體滯留部之方式而構成。又，氣體供給手段71亦可為藉由壓力控制而進行流量控制之構成。此外，氣體供給口之配置位置並不受限於保管裝置53之側面。
氣體排氣手段72包含閥59及真空泵60，用以進行真空排氣。氣體排氣手段72經由閥61而連接於工廠之排氣設備。藉由閥59與閥61，可切換排氣系統。
為了進行有效之氣體置換，氣體排氣手段72及排氣配管應以不會產生氣體滯留部之方式而構成。又，為了製造出流體之均勻流動，排氣口較佳為配置成同心狀，亦可將真空排氣與一般排氣之排氣口分開配置。
保管裝置53包含遮蔽板54，用以隔離旋轉式處理裝置1內之環境氣體及搬送裝置2之環境氣體。因此，可藉由氣體供給手段71、氣體排氣手段72而瞬間置換保管容器53之環境氣體。
隨著以被處理基板3作為材料之電子元件微細化、高積體化之推進，佈線圖案尺寸達奈米級(nano order)。因此，作為被處理基板3之污染物，除通常所知之金屬或微粒以外，來自大氣中之分子級有機物或分子級自然氧化膜會對電子元件之可靠性或良率造成較大影響。
通常，為了形成被處理基板3之自然氧化膜，習知將作為氧化種(oxidizing species)之氧氣與大氣中所含之水分發生相互作用，將被處理基板3處理後並不暴露於大氣環境中而是保管於保管容器53內，藉此可抑制自然氧化膜之形成。
藉由在處理系統400內配置保管容器53，可將剛處理後之被處理基板3保管於經控制環境氣體之保管容器53內，可抑制會對電子元件之可靠性、良率造成較大影響的自然氧化膜之形成或有機物之污染。
以下，說明對一片被處理基板3進行處理時之處理系統400中之動作。
首先，搬送裝置46使搬送機械手46沿著箭頭B方向移動至與搬送用殼體4相對向之位置，使基板保持部45朝搬送用殼體4之方向移動，而將處理前之被處理基板3自搬送用殼體4搬出。
其次，搬送裝置46使搬送機械手46沿著箭頭B方向移動至與基板交接部43相對向之位置後進行旋轉，使基板保持部45朝載台47之方向移動，而將處理前之被處理基板3載置於載台47上。
其後，搬送裝置2使載置於載台47之被處理基板3保持於搬送機械手41之基板保持部6，且使搬送機械手41旋轉，以使基板保持部6與四台旋轉式處理裝置1中應進行處理之旋轉式處理裝置1相對向。
應處理之旋轉式處理裝置1使最外周誘導壁17下降而形成為搬入搬出口37打開之準備搬入狀態。搬送裝置2使基板保持部6朝旋轉式處理裝置1移動，而將處理前之被處理基板3搬入至旋轉式處理裝置1。
旋轉式處理裝置1與第1實施形態同樣地進行被處理基板3之處理。當處理結束時，旋轉式處理裝置1使最外周誘導壁17下降而打開搬入搬出口37，形成為已處理完之被處理基板3之準備搬出狀態。
搬送裝置2使基板保持部6相對於旋轉式處理裝置1之內部往返移動，搬出已處理完之被處理基板3。更進一步，搬送裝置2使搬送機械手6旋轉，以使保持於基板保持部6之被處理基板3接近保管裝置53。
保管裝置53打開隔斷內部環境氣體與搬送裝置2內之環境氣體的遮蔽板54，形成為準備搬入狀態。搬送裝置2使基板保持部6朝保管裝置53內部移動，將被處理基板3搬入至保管裝置53內。
保管裝置53於搬入被處理基板3後關閉遮蔽板54，使保管裝置53內成為密閉狀態，與搬送裝置2內之環境氣體隔離。
保管裝置53於搬出被處理基板3時，打開遮蔽板54，形成為依序搬出微狀態。搬送裝置2使搬送機械手41旋轉，以使基板保持部6均整於保管裝置53內，使基板保持部6朝保管裝置53內移動，將被處理基板3自保管裝置53中搬出。保管裝置53於搬出被處理基板3後關閉遮蔽板54。
其後，搬送裝置2於旋轉搬送機械手41以使保持於基板保持部6之被處理基板3接近基板交接部43後，使基板保持部6朝基板交接部43移動，將已處理完之被處理基板3載置於基板交接部43。
搬送裝置42係藉由搬送機械手46之基板保持部45而接收已處理之被處理基板3，使搬送機械手46沿著箭頭B方向移動以接近搬送用殼體4。其次，搬送裝置42使搬送機械手46旋轉以使保持於基板保持部45之被處理基板3接近搬送用殼體4。
搬送裝置42使基板保持部45朝搬送用殼體4之方向移動，將已處理完之被處理基板3搬入至搬送用殼體4，從而處理結束。
圖8中未表示出對保管於保管裝置53之被處理基板3進行下個處理之裝置。將遮蔽板62可開閉自如地配置在與保管裝置53中之遮蔽板54相對向之側面，將搬送裝置配置在與保管裝置53間隔著遮蔽板62之位置。配置搬送裝置及乾式裝置。藉此，可組合以旋轉式處理裝置1為代表之濕式裝置與乾式裝置，可連續地進行對被處理基板3之成膜作業或佈線圖案之乾式蝕刻作業的處理。
於被處理基板3之成膜前進行處理，抑制氧化或有機物污染，而提高電子元件之特性。又，在經蝕刻後作為殘渣而殘留之化學物質暴露於大氣環境前，進行被處理基板3之處理，去除蝕刻殘渣，由此可提高電子元件之特性。因此，藉由處理系統400，可提高電子元件之特性，實現生產性或良率之提高。
此外，乾式裝置並不受限於擴散裝置、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)裝置及蝕刻裝置，可根據製造步驟而具備各種裝置。又，關於搬入至乾式裝置之被處理基板3，無論為處理前或處理後均可。
於處理系統400中，可於已抑制分子級污染之狀態下進行濕式處理與乾式處理之連續處理，不僅可有助於電子元件之特性提高、生產性提高及良率之提高，而且可節省組合有乾式裝置之處理系統之佔用面積。
對於上述實施形態之說明，可認為於所有方面僅為例示，而並不具有限制性。本發明之範圍係由申請專利範圍而非上述實施形態來揭示。此外，於本發明之範圍，意圖包含與申請專利範圍相等之意味及範圍內之所有變更。
1．．．旋轉式處理裝置
1A、5、8．．．容器
2、42．．．搬送裝置
3．．．被處理基板
4．．．搬送專用匣盒(搬送專用殼體、搬送用殼體)
6、45．．．基板保持部
7．．．旋轉保持機構
10．．．平台
11．．．馬達
13、14．．．排液口
16．．．誘導壁
17．．．最外周誘導壁
19、20．．．驅動軸
22、23．．．氣缸
25、26．．．排氣口
28．．．凸部
29．．．旋轉支持部
30、35．．．處理液吐出臂
30A、33、35A．．．噴嘴
31．．．驅動馬達
32．．．上下驅動機構
34．．．下部噴嘴
37．．．開口部
37A．．．凹部
38．．．風扇過濾單元
39．．．保持部
40．．．保持部驅動機構
41、46．．．搬送機械手
43．．．基板交接部
44．．．中心軸
47．．．載台
48．．．搭載部
49．．．CMP裝置
50．．．擦洗裝置
51．．．輥
52．．．輥刷
53．．．保管裝置(保管容器)
54．．．遮蔽板
55．．．減壓閥
56．．．過濾器
57．．．質量流量控制器
58、59、61．．．閥
60．．．真空泵
62．．．遮蔽板
71．．．氣體供給手段
72．．．氣體排氣手段
100、200、300、400．．．處理系統
圖1係本發明第1實施形態之處理系統之概略俯視圖。
圖2係圖1之X-X線處之側面剖視圖。
圖3係圖1之X-X線處之本發明旋轉式處理裝置主要部位之側面剖視圖。
圖4係圖1之X-X線處之本發明旋轉式處理裝置主要部位之側面剖視圖。
圖5係本發明第2實施形態之處理系統之概略俯視圖。
圖6係圖5之X-X線處之側面剖視圖。
圖7係本發明第3實施形態之處理系統之概略俯視圖。
圖8係本發明第4實施形態之處理系統之概略俯視圖。
1．．．旋轉式處理裝置
1A．．．容器
3．．．被處理基板
7．．．旋轉保持機構
10．．．平台
11．．．馬達
16．．．誘導壁
17．．．最外周誘導壁
19、20．．．驅動軸
22、23．．．氣缸
25、26．．．排氣口
28．．．凸部
29．．．旋轉支持部
31．．．驅動馬達
32．．．上下驅動機構
34．．．下部噴嘴
37．．．開口部
37A．．．凹部
39．．．保持部
40．．．保持部驅動機構

Claims (10)

  1. 一種旋轉式處理裝置，其包含：容器，包含搬入搬出被處理基板之開口部；旋轉保持機構，於上述容器內將自上述開口部搬入之被處理基板保持水平並使其旋轉；處理液吐出機構，朝上述旋轉保持機構所保持的被處理基板之被處理面依序吐出複數處理液；複數個誘導壁，呈同心狀配置於上述容器內之上述旋轉保持機構外周側，將自上述處理液吐出機構吐出的複數處理液之各廢液加以分類並排出；及升降機構，使上述複數個誘導壁之各個於上端部位於較保持於上述旋轉保持機構之被處理基板更上方的回收位置與位於更下方的退離位置之間進行升降；而上述複數個誘導壁中位於最外側之最外周誘導壁於上述回收位置封閉上述開口部，於上述退離位置則打開上述開口部；上述最外周誘導壁於上端遍及全周朝上方突出地具備有在上述回收位置於上述開口部上緣部之凹部在水平方向重合之凸部，在上述複數個升降機構中將使上述最外周誘導壁升降的升降機構配置於上述最外周誘導壁的側方，將其他升降機構配置於各誘導壁的下方。
  2. 如申請專利範圍第1項之旋轉式處理裝置，其中，上述最外周誘導壁於上端遍及全周具備有在上述回收位置與上述開口部之上緣部在水平方向重合之凹凸部。
  3. 一種處理系統，其包含：至少一個如申請專利範圍第1項之旋轉式處理裝置；及搬送裝置，經由上述開口部而將被處理基板搬入搬出於上述旋轉保持機構。
  4. 一種處理系統，其包含：至少一個如申請專利範圍第2項之旋轉式處理裝置；及搬送裝置，經由上述開口部而將被處理基板搬入搬出於上述旋轉保持機構。
  5. 如申請專利範圍第3項之處理系統，其中，其包含收納被處理基板之至少一個殼體，上述搬送裝置於上述旋轉式處理裝置與上述殼體之間搬送被處理基板。
  6. 如申請專利範圍第4項之處理系統，其中，其包含收納被處理基板之至少一個殼體，上述搬送裝置於上述旋轉式處理裝置與上述殼體之間搬送被處理基板。
  7. 一種旋轉式處理方法，其係使用如申請專利範圍第3項之處理系統來處理被處理基板者；當藉由上述搬送裝置將被處理基板搬入至上述旋轉保持 機構結束，則於使上述最外周誘導壁上升至回收位置後，藉由上述旋轉保持機構使被處理基板旋轉，同時自上述處理液吐出機構吐出處理液而開始處理，當上述旋轉式處理裝置中之被處理基板之處理結束時，則停止藉由上述旋轉保持機構對被處理基板之旋轉，使上述複數個誘導壁下降至上述退離位置，且於上述複數個誘導壁下降至上述退離位置之時序，開始藉由上述搬送裝置而自上述旋轉保持機構搬出被處理基板。
  8. 一種旋轉式處理方法，其係使用如申請專利範圍第4項之處理系統來處理被處理基板者；當藉由上述搬送裝置將被處理基板搬入至上述旋轉保持機構結束，則於使上述最外周誘導壁上升至回收位置後，藉由上述旋轉保持機構使被處理基板旋轉，同時自上述處理液吐出機構吐出處理液而開始處理，當上述旋轉式處理裝置中之被處理基板之處理結束時，則停止藉由上述旋轉保持機構對被處理基板之旋轉，使上述複數個誘導壁下降至上述退離位置，且於上述複數個誘導壁下降至上述退離位置之時序，開始藉由上述搬送裝置而自上述旋轉保持機構搬出被處理基板。
  9. 一種旋轉式處理方法，其係使用如申請專利範圍第5項之處理系統來處理被處理基板者；當藉由上述搬送裝置將被處理基板搬入至上述旋轉保持 機構結束，則於使上述最外周誘導壁上升至回收位置後，藉由上述旋轉保持機構使被處理基板旋轉，同時自上述處理液吐出機構吐出處理液而開始處理，當上述旋轉式處理裝置中之被處理基板之處理結束時，則停止藉由上述旋轉保持機構對被處理基板之旋轉，使上述複數個誘導壁下降至上述退離位置，且於上述複數個誘導壁下降至上述退離位置之時序，開始藉由上述搬送裝置而自上述旋轉保持機構搬出被處理基板。
  10. 一種旋轉式處理方法，其係使用如申請專利範圍第6項之處理系統來處理被處理基板者：當藉由上述搬送裝置將被處理基板搬入至上述旋轉保持機構結束，則於使上述最外周誘導壁上升至回收位置後，藉由上述旋轉保持機構使被處理基板旋轉，同時自上述處理液吐出機構吐出處理液而開始處理，當上述旋轉式處理裝置中之被處理基板之處理結束時，則停止藉由上述旋轉保持機構對被處理基板之旋轉，使上述複數個誘導壁下降至上述退離位置，且於上述複數個誘導壁下降至上述退離位置之時序，開始藉由上述搬送裝置而自上述旋轉保持機構搬出被處理基板。
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