JP2008288447A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、ベベル処理ブロック１０、反射防止膜用処理ブロック１１、レジスト膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜用処理ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。ベベル研磨部５０では、ベベル研磨ユニットにより基板Ｗのベベル部に研磨処理が施される。それにより、基板のベベル部に付着する汚染物が確実に取り除かれる。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板の処理を行う基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。

上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。

近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。

そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

ところで、上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、露光処理前に基板に汚染物質が付着すると、その汚染物質が液体中に混入する。

露光処理前においては、基板に対して種々の成膜処理が施されるが、この成膜処理の過程で、基板のベベル部（端部）が汚染する場合がある。このように、基板のベベル部が汚染された状態で基板の露光処理を行うと、露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。

また、露光処理後に基板のベベル部が汚染されていると、現像不良等の基板の処理不良が発生するおそれがある。

本発明の目的は、ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することができる基板処理装置を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、基板のベベル部に研磨処理を行うベベル研磨ユニットを含むものである。

この基板処理装置では、処理部において基板に所定の処理が行われ、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置へ受け渡される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、露光処理後の基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ戻される。

露光装置による露光処理前または露光処理後には、ベベル研磨ユニットより基板のベベル部に研磨処理が施される。それにより、基板のベベル部に付着した汚染物を確実に取り除くことができる。

露光処理前の基板のベベル部に研磨処理を施した場合には、基板のベベル部の汚染に起因する露光装置内の汚染を確実に防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。

また、露光処理後の基板のベベル部に研磨処理を施した場合には、ベベル部が十分に清浄な状態で基板の現像処理を行うことができる。それにより、基板のベベル部の汚染に起因する現像性能の低下を防止することができる。

これらの結果、基板の処理不良の発生を防止することができる。

（２）処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、ベベル研磨ユニットによる研磨処理後の基板を洗浄する基板洗浄ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、ベベル研磨ユニットによる研磨処理時に発生した粉塵を基板から取り除くことができる。それにより、研磨処理時に発生した粉塵による処理部および露光装置の汚染を防止することができる。

（３）ベベル研磨ユニットは、研磨処理後の基板を洗浄してもよい。

この場合、研磨処理時に発生した粉塵を基板から取り除くことができる。それにより、研磨処理時に発生した粉塵による処理部および露光装置の汚染を防止することができる。また、基板のベベル部の研磨処理と研磨処理後の基板の洗浄とを共通のユニットで行うことにより、これらを別個のユニットで行う場合に比べてスループットが向上する。

（４）処理部は、露光装置による露光処理前の基板に成膜処理を行う成膜ユニットを含み、ベベル研磨ユニットは、処理部に設けられ、成膜ユニットによる成膜処理前の基板のベベル部に研磨処理を行ってもよい。

この場合、基板のベベル部が清浄にされた後に成膜ユニットにより基板に成膜処理が施される。そのため、処理部に搬入される前に基板のベベル部が汚染されても、その汚染が成膜ユニットに転移することが防止される。

（５）処理部は、露光装置による露光後の基板の現像処理を行う現像処理ユニットを含み、ベベル研磨ユニットは、露光装置による露光後であって現像処理ユニットによる現像処理前の基板のベベル部に研磨処理を行ってもよい。

この場合、基板Ｗのベベル部が十分に清浄な状態で基板の現像処理を行うことができる。それにより、基板のベベル部の汚染に起因する現像性能の低下を防止することができる。

（６）処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、露光装置による露光処理後の基板に洗浄処理および乾燥処理を行う洗浄乾燥処理ユニットを含み、ベベル研磨ユニットは、露光装置による露光後であって乾燥処理ユニットによる洗浄処理および乾燥処理前の基板のベベル部に研磨処理を行ってもよい。

この場合、ベベル研磨ユニットによる研磨処理時に発生した粉塵を洗浄乾燥ユニットにおいて取り除くことができる。

（７）処理部および受け渡し部は、基板のベベル部を除く裏面を支持した状態で基板を搬送する搬送ユニットを含んでもよい。この場合、研磨処理前の基板のベベル部に付着する汚染物が搬送ユニットを介して研磨処理後の基板のベベル部に転移することが防止される。

本発明によれば、基板のベベル部に研磨処理が施される。それにより、基板のベベル部に付着した汚染物を確実に取り除くことができ、基板の処理不良の発生を防止することができる。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。

図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、ベベル処理ブロック１０、反射防止膜用処理ブロック１１、レジスト膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜用処理ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

以下、インデクサブロック９、ベベル処理ブロック１０、反射防止膜用処理ブロック１１、レジスト膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜用処理ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。

インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。

ベベル処理ブロック１０は、ベベル研磨部５０、基板洗浄部５５および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。ベベル研磨部５０および基板洗浄部５５は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで互いに対向するように設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板を受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。

インデクサブロック９とベベル処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９とベベル処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９からベベル処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗをベベル処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１１は、反射防止膜用熱処理部１１０，１１１、反射防止膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。反射防止膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んで反射防止膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。

ベベル処理ブロック１０と反射防止膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、ベベル処理ブロック１０と反射防止膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗをベベル処理ブロック１０から反射防止膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１１からベベル処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。

レジスト膜用処理ブロック１２は、レジスト膜用熱処理部１２０，１２１、レジスト膜用塗布処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。レジスト膜用塗布処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んでレジスト膜用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１１とレジスト膜用処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、反射防止膜用処理ブロック１１とレジスト膜用処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１１からレジスト膜用処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１２から反射防止膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。

現像処理ブロック１３は、現像用熱処理部１３０，１３１、現像処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。現像処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んで現像用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１２と現像処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、レジスト膜用処理ブロック１２と現像処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１２から現像処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗを現像処理ブロック１３からレジスト膜用処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１４は、レジストカバー膜用熱処理部１４０、露光後ベーク用熱処理部１４１、レジストカバー膜用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１４０および露光後ベーク用熱処理部１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。

現像処理ブロック１３とレジストカバー膜用処理ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、現像処理ブロック１３とレジストカバー膜用処理ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗを現像処理ブロック１３からレジストカバー膜用処理ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１４から現像処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。

インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の詳細は後述する。

また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。

本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、ベベル処理ブロック１０、反射防止膜用処理ブロック１１、レジスト膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜用処理ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。

図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。

まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、ベベル処理ブロック１０のベベル研磨部５０（図１参照）には、３個のベベル研磨ユニットＢＰが上下に積層配置されている。ベベル研磨ユニットＢＰの詳細については後述する。

反射防止膜用処理ブロック１１の反射防止膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。

レジスト膜用処理ブロック１２のレジスト膜用塗布処理部７０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル７２を備える。

現像処理ブロック１３の現像処理部８０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル８２を備える。

レジストカバー膜用処理ブロック１４のレジストカバー膜用処理部９０（図１参照）には、２個の除去ユニットＲＥＭおよび２個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル９２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。

各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９３およびスピンチャック９３上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９４を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。

なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。

インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。

次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、ベベル処理ブロック１０の基板洗浄部５５（図１参照）には、３個の基板洗浄ユニットＷＣが積層配置される。基板洗浄ユニットＷＣの詳細については後述する。

反射防止膜用処理ブロック１１の反射防止膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジスト膜用処理ブロック１２のレジスト膜用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

現像処理ブロック１３の現像用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜用処理ブロック１４のレジストカバー膜用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。レジストカバー膜用処理ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１には、２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１４０および露光後ベーク用熱処理部１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。

図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。

エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。

また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。

（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。

（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜用処理ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜用処理ブロック１４の動作について簡単に説明する。

インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。

本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。

さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、ベベル処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗをベベル研磨部５０に搬入する。ベベル研磨部５０では、ベベル研磨ユニットＢＰにより基板Ｗのベベル部（端部）に研磨処理が施される。ベベル研磨ユニットＢＰによる研磨処理の詳細については後述する。

次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、ベベル研磨部５０から研磨処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板洗浄部５５に搬入する。基板洗浄部５５では、研磨処理によって発生した粉塵等を取り除くために、基板洗浄ユニットＷＣにより基板Ｗの洗浄が行われる。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、基板洗浄部５５から洗浄済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。

その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部６０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部６０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。

次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１２０，１２１に搬入する。

その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用熱処理部１２０，１２１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部７０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部７０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。

次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用塗布処理部７０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用熱処理部１２０，１２１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜用処理部９０において、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。

次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用処理部９０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１４０に搬入する。その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用熱処理部１４０から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜用処理ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。

露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜用処理部９０において、除去ユニットＲＥＭにより基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去される。

次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを現像処理部８０に搬入する。現像処理部８０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。

次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像処理部８０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１３０，１３１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、ベベル処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。

（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。

上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理が施された後、レジストカバー膜用処理ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。

なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。

続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。

露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。

なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜用処理ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。

（３）ベベル研磨ユニット
次に、ベベル研磨ユニットＢＰの詳細について説明する。上記のように、ベベル研磨ユニットＢＰは、基板Ｗのベベル部の研磨処理（以下、ベベル研磨処理と呼ぶ）を行う。

ここで、基板Ｗのベベル部Ｒについて説明する。図５は、基板Ｗのベベル部について説明するための図である。図５に示すように、ベベル部Ｒは基板Ｗの外周部において、基板Ｗの平坦な表面および平坦な裏面に連続的につながる周縁部の傾斜領域Ａ，Ｃおよび端面領域Ｂを含む。なお、基板の表面とは回路パターン等の各種パターンが形成される基板の面をいい、基板の裏面とはその反対側の基板の面をいう。

上記のように、露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。液浸法では、投影光学系と基板Ｗの表面との間に液体が満たされる。その際に、基板Ｗのベベル部Ｒにも液体が接触することがある。その場合、基板Ｗのベベル部Ｒが汚染されていると、汚染物が液体中に混入し、露光パターンの寸法不良および形状不良の誘因となる。

そこで、本実施の形態では、ベベル研磨ユニットＢＰにより基板Ｗのベベル部Ｒの研磨を行い、基板Ｗのベベル部Ｒに付着する汚染物を取り除く。以下、ベベル研磨ユニットＢＰの構成を説明する。

図６は、ベベル研磨ユニットＢＰの構成を説明するための図である。図６に示すように、ベベル研磨ユニットＢＰは、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック５２１を備える。スピンチャック５２１は、チャック回転駆動機構５３６によって回転される回転軸５２５の上端に固定されている。また、スピンチャック５２１には吸気路（図示せず）が形成されている。スピンチャック５２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック５２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック５２１の外方には、ベベル研磨装置５３０が設けられている。ベベル研磨装置５３０は、研磨テープ５３１が巻回されたテープリール５３２，５３３、および基板Ｗのベベル部Ｒに向けて研磨テープ５３１を押圧する押圧部５３４を有する。押圧部５３４は、支持部材５３５、連結部材５３６およびエアシリンダ５３７からなる。支持部材５３５は、スピンチャック５２１により保持される基板Ｗとほぼ同じ高さに位置し、エアシリンダ５３７によって基板Ｗのベベル部Ｒに近づく方向または遠ざかる方向に駆動される。

支持部材５３５には水平方向に突出する突出片Ｐ１，Ｐ２が上下に設けられており、突出片Ｐ１，Ｐ２の先端部は、テープリール５３２，５３３によって保持された研磨テープ５３１の中心部に押し当てられている。研磨テープ５３１の張力はテープリール５３２，５３３により一定に維持されている。

スピンチャック５２１の上方には、液供給ノズル５３６が設けられている。基板Ｗのベベル研磨処理時に、液供給ノズル５３６から基板Ｗのベベル部Ｒに向けて薬液または純水を供給することにより、湿式研磨を行うことができる。

なお、図６のベベル研磨ユニットＢＰには１つのベベル研磨装置５３０が設けられるが、スピンチャック５２１を中心とする周方向に沿って複数のベベル研磨装置５３０を設けてもよい。

次に、ベベル研磨ユニットＢＰによる基板Ｗのベベル研磨処理について説明する。図７は、ベベル研磨ユニットＢＰによるベベル研磨処理について説明するための図である。なお、以下に説明するベベル研磨ユニットＢＰの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。

ベベル研磨処理時には、スピンチャック５２１に保持された基板Ｗが所定の速度で回転される。その状態で、図７（ａ）に示すように、押圧部５３４の支持部材５３５が研磨テープ５３１を押圧しつつ基板Ｗのベベル部Ｒに近づくように移動する。このとき、テープリール５３２，５３３（図６）は、研磨テープ５３１の張力を一定に維持するために研磨テープ５３１を徐々に送りだす。

そして、図７（ｂ）に示すように、研磨テープ５３５が基板Ｗのベベル部Ｒに押し当てられる。これにより、回転される基板Ｗのベベル部Ｒと研磨テープ５３５とが摺接し、基板Ｗのベベル部Ｒが研磨される。なお、基板Ｗのベベル部Ｒは、支持部５３１の突出片Ｐ１，Ｐ２の間に挟まれた状態となる。この場合、研磨テープ５３５が基板Ｗのベベル部Ｒに均一に摺接する。それにより、基板Ｗのベベル部Ｒを均一に研磨することができる。

このように、ベベル研磨ユニットＢＰにおいて基板Ｗのベベル研磨処理が施されることにより、基板Ｗのベベル部Ｒに付着する汚染物が確実に取り除かれる。

（４）基板洗浄ユニット
図８は、基板洗浄ユニットＷＣの構成を説明するための図である。基板洗浄ユニットＷＣでは、上記のベベル研磨処理によって発生した粉塵（摩擦粉）を基板Ｗから取り除くため、基板Ｗのベベル部Ｒおよび表面が洗浄される。以下、基板Ｗのベベル部Ｒの洗浄処理をベベル洗浄処理と呼び、基板Ｗの表面の洗浄処理を表面洗浄処理と呼ぶ。なお、以下に説明する基板洗浄ユニットＷＣの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。

図８に示すように、基板洗浄ユニットＷＣは、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック５５１を備える。スピンチャック５５１は、チャック回転駆動機構５５４によって回転される回転軸５５３の上端に固定されている。また、スピンチャック５５１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック５５１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック５５１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック５５１の側方でかつ基板洗浄ユニットＷＣ内の上部には、ベベル洗浄装置移動機構５７１が設けられている。ベベル洗浄装置移動機構５７１には、下方に延びる棒状の支持部材５７０が取り付けられている。支持部材５７０は、ベベル洗浄装置移動機構５７１により水平方向（図７矢印Ｍ参照）に移動する。

支持部材５７０の下端部には、略円筒形状を有するベベル洗浄装置５６０が水平方向に延びるように取り付けられている。これにより、ベベル洗浄装置５６０は、ベベル洗浄装置移動機構５７１により支持部材５７０とともに移動する。

ベベル洗浄装置５６０は、スピンチャック５５１に吸着保持された基板Ｗとほぼ同じ高さに位置する。これにより、ベベル洗浄装置５６０の一端が基板Ｗのベベル部Ｒと対向する。以下の説明においては、ベベル洗浄装置５６０の基板Ｗのベベル部Ｒと対向する一端を正面とする。

基板Ｗのベベル洗浄処理開始時において、ベベル洗浄装置５６０は、ベベル洗浄装置移動機構５７１により基板Ｗのベベル部Ｒに近づくように移動する。また、基板Ｗのベベル洗浄処理終了時において、ベベル洗浄装置５６０は、ベベル洗浄装置移動機構５７１により基板Ｗのベベル部Ｒから離れるように移動する。

ベベル洗浄装置５６０は、その内部に空間を有する（後述の洗浄室５６１）。ベベル洗浄装置５６０には、洗浄液供給管５７６および排気管５７８が接続されている。洗浄液供給管５７６は、バルブ５７７を介して図示しない洗浄液供給系に接続されている。バルブ５７７を開くことにより、洗浄液が洗浄液供給管５７６を通じてベベル洗浄装置５６０の内部空間に供給される。なお、洗浄液としては例えば純水が用いられる。

また、排気管５７８は、排気部５７９に接続されている。排気部５７９は、ベベル洗浄装置５６０の内部空間の雰囲気を吸引し、排気管５７８を通じて排気する。

ここで、ベベル洗浄装置５６０の詳細を説明する。図９は、図８のベベル洗浄装置５６０の構造を説明するための図である。図９（ａ）にベベル洗浄装置５６０の縦断面図が示され、図９（ｂ）にベベル洗浄装置５６０の正面図が示されている。

図９（ａ）に示すように、ベベル洗浄装置５６０の略円筒形状のハウジング５６０ａの内部には、洗浄室５６１が形成されている。

また、図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、ハウジング５６０ａの正面側には、洗浄室５６１と外部とを連通させる開口５６２が形成されている。開口５６２は、中央部から両側方にかけて上下幅が漸次拡大するように、円弧状の上面および下面を有する。基板Ｗのベベル洗浄処理時には、開口５６２にスピンチャック５５１に吸着保持された基板Ｗのベベル部Ｒが挿入される。

洗浄室５６１内には、略円筒形状を有するブラシ５６３が鉛直方向に延びるように配置されている。ブラシ５６３は鉛直方向に延びる回転軸５６４に取り付けられている。回転軸５６４の上端および下端は、洗浄室５６１の上部および下部に形成された回転軸受に回転可能に取り付けられている。これにより、ブラシ５６３は、洗浄室５６１および回転軸５６４により回転可能に支持されている。

基板Ｗのベベル洗浄処理時には、回転する基板Ｗのベベル部Ｒとブラシ５６３とが接触する。これにより、基板Ｗのベベル部Ｒがブラシ５６３により洗浄される。

ここで、図８の基板洗浄ユニットＷＣにおいて、ブラシ５６３が取り付けられた回転軸５６４は、スピンチャック５５１が固定される回転軸５５３と略平行となるように配置される。これにより、ブラシ５６３が回転する基板Ｗのベベル部Ｒに確実に接触した状態で回転する。それにより、基板Ｗのベベル部Ｒに付着した粉塵等が取り除かれる。

ベベル洗浄装置５６０の上部には、上述の洗浄液供給管５７６および排気管５７８が接続されている。洗浄液供給管５７６は、ハウジング５６０ａ内に形成された洗浄液供給路５７６ａ，５７６ｂに接続されている。図９（ａ）に示すように、洗浄液供給路５７６ａは、ハウジング５６０ａの外部から洗浄室５６１の上部内面まで延びている。また、洗浄液供給路５７６ｂは、ハウジング５６０ａの外部から洗浄室５６１の下部内面まで延びている。図９（ａ）には、洗浄液供給管５７６ｂの一部のみが示されている。

これにより、基板Ｗのベベル洗浄処理時には、ベベル洗浄装置５６０に供給される洗浄液が、洗浄室５６１内でブラシ５６３と接触する基板Ｗのベベル部Ｒに向かって上下方向から噴射される。それにより、基板Ｗのベベル部Ｒが効率よく洗浄される。

排気管５７８は、ハウジング５６０ａの上部に設けられた孔部を通じて洗浄室５６１内に挿入されている。これにより、上述のように、洗浄室５６１内の雰囲気が図８の排気部５７９により吸引され、排気管５７８を通じて排気される。

このように、洗浄室５６１においては、その内部雰囲気が排気部５７９により排気されるので、揮発した洗浄液および洗浄液のミストが効率よく排気される。

また、図８において、スピンチャック５５１の外方には、アーム駆動装置５８０が設けられている。アーム駆動装置５８０には、回動軸５８１が接続されている。回動軸５８１には、アーム５８２が水平方向に延びるように連結され、アーム５８２の先端には、表面洗浄装置５８３が取り付けられている。表面洗浄装置５８３は、下方を向くように設けられたブラシ５８４、およびブラシ５８４を回転させるモータ５８５を有する。

アーム駆動装置５８０により回動軸５８１が回転するとともにアーム５８２が回動する。それにより、表面洗浄装置５８３がスピンチャック５５１により保持された基板Ｗの上方位置と基板Ｗの外方位置との間で水平方向に移動する。また、アーム駆動装置５８０により回動軸５８１およびアーム５８２が上下動し、表面洗浄装置５８３のブラシ５８４が基板Ｗの表面に近づく方向または基板Ｗの表面から離れる方向に移動する。

また、スピンチャック５５１の上方には、洗浄液供給ノズル５８８が設けられる。洗浄液供給ノズル５８８は、基板Ｗの略中央部に向けて純水等の洗浄液を吐出する。

基板Ｗの表面洗浄処理時には、スピンチャック５５１により基板Ｗが回転されるとともに、ブラシ５８４が基板Ｗの上方位置に移動する。そして、ブラシ５８４が回転しつつ下方向に移動し、基板Ｗの表面に当接する。このとき、洗浄液供給ノズル５８８から基板Ｗ上に洗浄液が供給される。さらに、ブラシ５８４が基板Ｗの表面に当接した状態で、基板Ｗの中心部から周縁部までの間を水平方向に往復動する。それにより、基板Ｗの表面の全体がブラシ５８４により洗浄され、基板Ｗの表面に付着した粉塵が取り除かれる。

基板Ｗにベベル洗浄処理および表面洗浄処理が施された後には、回転軸５５３の回転速度が上昇することにより、基板Ｗに付着する洗浄液が遠心力によって振り切られる。それにより、基板Ｗが乾燥される。なお、効率よく確実に基板Ｗを乾燥させるために、基板Ｗに不活性ガスを吹き付ける不活性ガス供給ノズルをさらに設けてもよい。

このようにして、基板洗浄ユニットＷＣでは、基板Ｗのベベル部Ｒおよび表面が洗浄される。それにより、上記の研磨処理によって発生した粉塵（摩擦粉）が基板Ｗから取り除かれる。

なお、基板Ｗの表面と裏面とを反転させる反転機構（図示せず）を設けてもよい。その場合、スピンチャック５１１により裏面が上方に向く状態で基板Ｗを保持することができる。それにより、ブラシ５８４によって基板Ｗの裏面を洗浄することができ、基板Ｗの裏面に付着した粉塵も確実に取り除くことができる。

また、図８の基板洗浄ユニットＷＣでは、ブラシ５６３（図９）およびブラシ５８４を用いて基板Ｗの洗浄を行うが、ブラシ５６３，５８４の代わりに、２流体ノズルまたは超音波ノズル等を用いて基板Ｗの洗浄を行ってもよい。

２流体ノズルを用いた場合、純水等の洗浄液と窒素ガス等の気体とからなる霧状の混合流体が基板Ｗに吹き付けられる。これにより、洗浄時における基板Ｗのベベル部Ｒの損傷を防止しつつ基板Ｗのベベル部Ｒおよび表面を均一に洗浄することができる。また、混合流体における気体と液体との比率を制御することにより基板Ｗの洗浄条件を容易に制御することも可能である。

また、超音波ノズルを用いた場合、高周波出力が印加されることにより超音波状態となった純水等の洗浄液が基板Ｗに吐出される。これにより、洗浄時における基板Ｗのベベル部Ｒの損傷を防止しつつ基板Ｗのベベル部Ｒおよび表面を十分に洗浄することができる。また、洗浄液に印加される高周波出力を基板Ｗの種類および洗浄条件に応じて電気的に可変制御することが可能となる。

（５）洗浄／乾燥処理ユニットについて
次に、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤについて図面を用いて説明する。

（５−１）洗浄／乾燥処理ユニットの構成
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成について説明する。図１０は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成を説明するための図である。

図１０に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。

スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック６２１の外方には、第１のモータ６６０が設けられている。第１のモータ６６０には、第１の回動軸６６１が接続されている。また、第１の回動軸６６１には、第１のアーム６６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。

第１のモータ６６０により第１の回動軸６６１が回転するとともに第１のアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第１のモータ６６０、第１の回動軸６６１および第１のアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図１０の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。

洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。

スピンチャック６２１の外方には、第２のモータ６７１が設けられている。第２のモータ６７１には、第２の回動軸６７２が接続されている。また、第２の回動軸６７２には、第２のアーム６７３が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。

第２のモータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに第２のアーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第２のモータ６７１、第２の回動軸６７２および第２のアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。

乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ₂ ）が用いられる。

基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。

また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。

スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３の間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。

排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。

処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面Ｖ字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。

また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。

このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端部に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図１０に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。

（５−２）洗浄／乾燥処理ユニットの動作
次に、上記の構成を有する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの処理動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。

まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。

次に、ガード６２４が上述した廃液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転にともないスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。

なお、洗浄／乾燥処理部８０ａにおいては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。

この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。

所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。

さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図１１（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。

次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図１１（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。

次に、回転軸６２５（図１０）の回転数が上昇するとともに、図１１（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。

次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから搬出する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおける処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または廃液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。

なお、上記実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。

また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。

また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。

また、上記実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。

また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。

（６）各ロボットのハンドについて
図１のインデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６のハンドＣＲＨ１〜ＣＲＨ１２、およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１，Ｈ２は、それぞれ図１２に示すハンドＨＡの構成または図１３に示すハンドＨＢの構成を有する。

図１２（ａ）はハンドＨＡの平面図である。また、図１２（ｂ）は図１２（ａ）におけるＰ１−Ｐ１線断面図であり、図１２（ｃ）は図１２（ａ）におけるＰ１−Ｐ１線断面図である。

図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように、ハンドＨＡは、略Ｕ字形状の爪部７０１を有する。爪部７０１は、基板Ｗの周縁部に沿って湾曲している。爪部７０１から内方に延びるように、３つの突出片７０３がほぼ等角度間隔で設けられている。各突出片７０３には、上方に突起する支持突起７０４が形成されている。

基板Ｗは、３つの支持突起７０４により支持される。この場合、支持突起７０４は基板Ｗのベベル部Ｒよりも内方に位置し、基板Ｗの下面に当接する（図１２（ｂ）および図１２（ｃ）参照）。

各突出片７０３が設けられる爪部７０１の部分には、基板保持部７０５が設けられている。基板保持部７０５に基板Ｗのベベル部Ｒの端面が当接することにより、水平方向において基板Ｗが保持される。ここで、基板Ｗのベベル部Ｒが当接する基板保持部７０５の面は平面状である。一方、基板Ｗのベベル部Ｒは円弧状である。そのため、基板保持部７０５と基板Ｗのベベル部Ｒとの接触面積は極めて小さくなる。

このように、ハンドＨＡは、基板Ｗのベベル部Ｒとほとんど接触しない状態で基板Ｗを保持することができる。そのため、基板Ｗの搬送時に、各ロボットのハンドを介して基板Ｗのベベル部Ｒが汚染されることが防止される。

また、ハンドＨＡの支持突起７０４に吸気路を設けてもよい。この場合、基板Ｗが支持突起７０４上に支持された状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの裏面を支持突起７０４に真空吸着し、基板Ｗを保持することができる。なお、このような真空吸着により基板Ｗを保持する場合には、基板Ｗのベベル部Ｒに当接する基板保持部７０５を設けなくてもよい。

図１３（ｂ）はハンドＨＢの平面図である。また、図１３（ｂ）は図１３（ａ）におけるＱ１−Ｑ１線断面図であり、図１３（ｃ）は図１３（ａ）におけるＱ２−Ｑ２線断面図である。

図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、ハンドＨＢは、Ｙ字状に分岐した爪部７１１，７１２を有する。爪部７１１，７１２の先端部近傍に、上方に突起する支持突起７１３が設けられている。各支持突起７１３の外方には基板保持部７１４が配置されている。また、爪部７１１，７１２の連結部分には、２つの支持突起７１５が設けられている。各支持突起７１５の外方には、基板保持部７１６が配置されている。

ハンドＨＢにおいては、支持突起７１３，７１５により基板Ｗが支持される。また、基板保持部７１４，７１６に基板Ｗのベベル部Ｒが当接することにより、水平方向において基板Ｗが保持される。

この場合、支持突起７１３，７１５は基板Ｗのベベル部Ｒよりも内方に位置し、基板Ｗの下面に当接する。また、基板Ｗのベベル部Ｒが当接する基板保持部７１４，７１６の面は平面状であり、基板保持部７１４，７１６と基板Ｗのベベル部Ｒとの接触面積は極めて小さくなる。

このように、ハンドＨＢの構成においても、図１２のハンドＨＡと同様に、基板Ｗのベベル部Ｒとほとんど接触しない状態で基板Ｗを保持することができる。そのため、基板Ｗの搬送時に、各ロボットのハンドを介して基板Ｗのベベル部Ｒが汚染されることが防止される。

また、ハンドＨＢの支持突起７１３，７１５に吸気路を設けてもよい。この場合、基板Ｗが支持突起７１３，７１５に支持された状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの裏面を支持突起７１３，７１５に真空吸着し、基板Ｗを保持することができる。なお、このような真空吸着により基板Ｗを保持する場合には、基板Ｗを係止するための基板保持部７１４，７１６を設けなくてもよい。

ところで、図１２に示したハンドＨＡの爪部７０１は、基板Ｗの周縁部を囲うように形成されている。そのため、基板Ｗの上方および下方にスペースがない状態でも、基板Ｗの受け渡しが可能である。一方、図１３に示したハンドＨＢの爪部７１１，７１２は、基板Ｗの下面側に延びるように形成されている。そのため、基板Ｗの側方にスペースがない場合でも、基板Ｗの受け渡しが可能である。

したがって、各ロボットのハンドにハンドＨＡおよびハンドＨＢのいずれの構成を用いるかは、図１のキャリアＣ、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１３、送りバッファ部ＳＢＦ，戻りバッファ部ＲＢＦおよび処理ユニット等の基板Ｗの搬出入を行う各部の構造等に応じて適宜選択することが好ましい。

（７）本実施の形態の効果
（７−１）ベベル研磨処理による効果
本実施の形態では、ベベル処理ブロック１０のベベル研磨部５０において、ベベル研磨ユニットＢＰにより基板Ｗのベベル研磨処理が行われる。それにより、露光処理前の基板Ｗのベベル部Ｒに付着した汚染物を確実に取り除くことができる。したがって、基板Ｗのベベル部Ｒの汚染に起因する露光装置内の汚染が防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。

また、基板処理装置５００に搬入された直後の基板Ｗにベベル研磨処理が施されることにより、キャリアＣ内等において基板Ｗのベベル部Ｒに汚染物が付着しても、その汚染物が基板処理装置５００内の各部に転移することが防止される。

また、ベベル研磨処理後の基板Ｗは、共通のベベル処理ブロック１０内において基板洗浄ユニットＷＣにより洗浄されるので、ベベル研磨処理によって発生した粉塵等によって他のブロックが汚染されることが防止される。

また、基板ＷのベベルＲが清浄に保たれることにより、基板Ｗのベベル部Ｒの汚染に起因する基板Ｗの処理不良が十分に防止される。

（７−２）露光処理後の基板の乾燥処理による効果
本実施の形態では、インターフェースブロック１５の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。

また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。

また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲおよび第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１６内の汚染を防止することができる。

また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から現像処理部７０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。

これらの結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができるとともに、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。

また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。

（７−３）露光処理後の基板の洗浄処理による効果
第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、乾燥処理前に基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。

（７−４）レジストカバー膜の塗布処理の効果
露光装置１６において基板Ｗに露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック１４において、レジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。この場合、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。

（７−５）レジストカバー膜の除去処理の効果
現像処理ブロック１３において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック１４において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。

（７−６）露光処理前の基板の洗浄および乾燥処理による効果
露光装置１６において基板Ｗの露光処理が行われる前に、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液またはリンス液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置１６内の汚染が防止される。

また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。

また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。

（７−７）インターフェースブロックの効果
インターフェースブロック１５においては、第６のセンターロボットＣＲ６がエッジ露光部ＥＥＷへの基板Ｗの搬入出、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１への基板Ｗの搬入出、送りバッファ部ＳＢＦへの基板Ｗの搬入出、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰへの基板の搬入、および基板載置部ＰＡＳＳ１３からの基板Ｗの搬出を行い、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰからの基板Ｗの搬出、露光装置１６への基板Ｗの搬入出、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２への基板Ｗの搬入出、および基板載置部ＰＡＳＳ１３への基板Ｗの搬入を行っている。このように、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲによって効率よく基板Ｗの搬送が行われるので、スループットを向上させることができる。

また、インターフェースブロック１５において、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、Ｘ方向の側面の近傍にそれぞれ設けられている。この場合、インターフェースブロック１５を取り外すことなく、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２のメインテナンスを基板処理装置５００の側面から容易に行うことができる。

また、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２により、１つの処理ブロック内で、露光処理前および露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥を行うことができる。したがって、基板処理装置５００のフットプリントの増加を防止することができる。

（７−８）インターフェース用搬送機構の効果
インターフェースブロック１５においては、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰから露光装置１６に基板Ｗを搬送する際、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から基板載置部ＰＡＳＳ１３へ基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が用いられ、露光装置１６から第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２へ基板を搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が用いられる。

すなわち、液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ１が用いられ、液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ２が用いられる。

この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がハンドＨ１に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。また、ハンドＨ２はハンドＨ１より下方に設けられるので、ハンドＨ２およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下しても、ハンドＨ１およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。

（７−９）載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを配設したことによる効果
インターフェースブロック１５において、露光装置１６による露光処理前の基板Ｗを載置する機能と、基板Ｗの温度を露光装置１６内の温度に合わせるための冷却機能とを兼ね備えた載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けることにより、搬送工程を削減することができる。基板の厳密な温度管理が要求される液浸法による露光処理を行う上では、搬送工程を削減することは重要となる。

上記により、スループットを向上することが可能となるとともに、搬送のアクセス位置を削減することができるので信頼性を向上することが可能となる。

特に、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けていることにより、さらにスループットを向上することができる。

（８）他の実施の形態
（８−１）ベベル研磨ユニットＢＰの他の例
図１４は、ベベル研磨ユニットＢＰの他の例を示す図である。以下、図１４に示すベベル研磨ユニットＢＰａについて、上記図６のベベル研磨ユニットＢＰと異なる点を説明する。

ベベル研磨ユニットＢＰａは、ベベル洗浄装置５６０および表面洗浄装置５８３を含む基板Ｗの洗浄機構を備える。このベベル研磨ユニットＢＰａにおいては、ベベル研磨装置５３０によって基板Ｗのベベル部Ｒが研磨された後、ベベル洗浄装置５６０によって基板Ｗのベベル部Ｒが洗浄されるとともに表面洗浄装置５８３によって基板Ｗの表面が洗浄される。このように、共通のユニット内で基板Ｗのベベル研磨処理、ベベル洗浄処理および表面洗浄処理を行うことができるので、スループットを向上することができる。また、この場合には、基板洗浄ユニットＷＣを設ける必要がないので、フットプリントを低減することが可能となる。

さらに、基板Ｗの表面と裏面とを反転させる反転機構を設けることにより、図１４のベベル研磨ユニットＢＰａにおいて、基板Ｗの裏面を洗浄することも可能となる。

（８−２）ベベル研磨ユニットＢＰの他の配置例
上記実施の形態では、インデクサブロック９に隣接するように設けられたベベル処理ブロック１０内にベベル研磨ユニットＢＰおよび基板洗浄ユニットＷＣが配置されるが、他の領域にベベル研磨ユニットＢＰおよび基板洗浄ユニットＷＣが配置されてもよい。

例えば、ベベル研磨ユニットＢＰおよび基板洗浄ユニットＷＣがインターフェースブロック１５に配置されてもよい。図１５は、ベベル研磨ユニットＢＰおよび基板洗浄ユニットＷＣが配置されたインターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図１５の例では、インターフェースブロック１５の略中央部にベベル研磨ユニットＢＰおよび基板洗浄ユニットＷＣが積層配置される。

このインターフェースブロック１５においては、例えば、露光装置１６において露光処理が施された基板が、第２の洗浄／乾燥ユニットＳＤ２に搬入される前にベベル研磨ユニットＢＰに搬入される。次いで、ベベル研磨ユニットＢＰにおいてベベル研磨処理が施された基板Ｗが、基板洗浄ユニットＷＣに搬入される。そして、基板洗浄ユニットＷＣにおいて洗浄処理が施された基板Ｗが、第２の洗浄／乾燥ユニットＳＤ２に搬入される。

このように、露光処理後の基板Ｗにベベル研磨処理が施されることにより、現像処理ブロック１３において基板Ｗのベベル部Ｒが十分に清浄な状態で現像処理を行うことができる。それにより、ベベル部Ｒの汚染に起因する現像性能の低下を確実に防止することができる。

なお、ベベル研磨処理時に発生する粉塵を第２の洗浄／乾燥ユニットＳＤ２において十分に取り除くことができるのであれば、基板洗浄ユニットＷＣを設けずに、研磨ユニットＢＰにおいてベベル研磨処理が施された基板Ｗをそのまま第２の洗浄／乾燥ユニットＳＤ２に搬入してもよい。

また、図１４に示したベベル研磨ユニットＢＰａをインターフェースブロック１５に配置してもよい。その場合、共通のユニット内で基板Ｗのベベル研磨処理、ベベル洗浄処理および表面洗浄処理を行うことができるので、スループットを向上することができる。

また、第２の洗浄／乾燥ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗに、ベベル研磨ユニットＢＰおよび基板洗浄ユニットＷＣにおいてベベル研磨処理ならびにベベル洗浄処理および表面洗浄処理を施してもよい。この場合も、基板Ｗのベベル部Ｒが十分に清浄な状態で現像処理を行うことができるので、ベベル部Ｒの汚染に起因する現像性能の低下を確実に防止することができる。

また、第２の洗浄／乾燥ユニットＳＤ２内にベベル研磨装置５３０（図６）を設け、第２の洗浄／乾燥ユニットＳＤ２内で、基板Ｗのベベル研磨処理、洗浄処理および乾燥処理を順に行ってもよい。

（８−３）ベベル処理ブロックの他の配置例
ベベル処理ブロック１０が、現像処理ブロック１３とレジストカバー膜用処理ブロック１４との間、またはレジストカバー膜用処理ブロック１４とインターフェースブロック１５との間に配置されてもよい。この場合、ベベル処理ブロック１０において、露光処理後であって現像処理前の基板Ｗにベベル研磨ユニットＢＰによりベベル研磨処理を施すことができる。それにより、基板Ｗのベベル部Ｒが十分に清浄な状態で現像処理を行うことができる。したがって、ベベル部Ｒの汚染に起因する現像性能の低下を確実に防止することができる。

（８−４）その他の変形
レジストカバー膜用処理ブロック１４は設けなくてもよい。この場合、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における洗浄処理時に、レジスト膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置１６においてレジスト膜が液体と接触しても、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を防止することができる。

また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、ベベル研磨ユニットＢＰ、基板洗浄ユニットＷＣ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。例えば、エッジ露光部ＥＥＷを２個設ける場合は、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２の個数を２個にしてもよい。

（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態では、インデクサブロック９、ベベル処理ブロック１０、反射防止膜用処理ブロック１１、レジスト膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３およびレジストカバー膜用処理ブロック１４が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例であり、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶが成膜ユニットの例であり、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が洗浄乾燥処理ユニットの例であり、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが搬送ユニットの例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。 インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。 基板のベベル部について説明するための図である。 ベベル研磨ユニットの構成を説明するための図である。 ベベル研磨ユニットによるベベル研磨処理について説明するための図である。 基板洗浄ユニットの構成を説明するための図である。 図８のベベル洗浄装置の構造を説明するための図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。 基板の乾燥処理について説明するための図である。 ハンドの一例を示す図である。 ハンドの他の例を示す図である。 ベベル研磨ユニットの他の例を示す図である。 ベベル研磨ユニットおよび基板洗浄ユニットが配置されたインターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。

符号の説明

９ インデクサブロック
１０ ベベル処理ブロック
１１ 反射防止膜用処理ブロック
１２ レジスト膜用処理ブロック
１３ 現像処理ブロック
１４ レジストカバー膜用処理ブロック
１５ インターフェースブロック
５００ 基板処理装置
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ 塗布ユニット
ＢＰ，ＢＰａ ベベル研磨ユニット
ＣＲ１〜ＣＲ６ 第１〜第６のセンターロボット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
ＩＲ インデクサロボット
ＲＥＭ 除去ユニット
ＳＤ１ 第１の洗浄／乾燥処理ユニット
ＳＤ２ 第２の洗浄／乾燥処理ユニット
Ｗ 基板
ＷＣ 基板洗浄ユニット

Claims (7)

1. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
   基板に処理を行うための処理部と、
   前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
   前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
   基板のベベル部に研磨処理を行うベベル研磨ユニットを含むことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
   前記ベベル研磨ユニットによる研磨処理後の基板を洗浄する基板洗浄ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記ベベル研磨ユニットは、研磨処理後の基板を洗浄することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記処理部は、前記露光装置による露光処理前の基板に成膜処理を行う成膜ユニットを含み、
   前記ベベル研磨ユニットは、前記処理部に設けられ、前記成膜ユニットによる成膜処理前の基板のベベル部に研磨処理を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記処理部は、露光装置による露光後の基板の現像処理を行う現像処理ユニットを含み、
   前記ベベル研磨ユニットは、前記露光装置による露光後であって前記現像処理ユニットによる現像処理前の基板のベベル部に研磨処理を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、前記露光装置による露光処理後の基板に洗浄処理および乾燥処理を行う洗浄乾燥処理ユニットを含み、
   前記ベベル研磨ユニットは、前記露光装置による露光後であって前記乾燥処理ユニットによる洗浄処理および乾燥処理前の基板のベベル部に研磨処理を行うことを特徴とすることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記処理部および前記受け渡し部は、基板の裏面を支持した状態で基板を搬送する搬送ユニットを含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。

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