JP2006310723A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板処理装置500は、インデクサブロック9、反射防止膜用処理ブロック10、レジスト膜用処理ブロック11、現像処理ブロック12およびインターフェースブロック13を備える。インターフェースブロック13に隣接するように露光装置14が配置される。インターフェースブロック13は2つの乾燥処理ユニットを含む乾燥処理部95およびインターフェース用搬送機構IFRを備える。露光装置14において基板Wに露光処理が施された後、基板Wはインターフェース用搬送機構IFRにより乾燥処理部95の乾燥処理ユニットに搬送される。乾燥処理部95の乾燥処理ユニットにおいて基板Wの洗浄および乾燥処理が行われる。
【選択図】 図1
Description
第1の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、基板に処理液を塗布する第1の処理ユニットを含み、受け渡し部は、露光装置による露光処理後に基板を乾燥させる第2の処理ユニットと、処理部、露光装置および第2の処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送手段とを含むものである。
第2の処理ユニットは、基板上に不活性ガスを供給することにより基板を乾燥させてもよい。この場合、不活性ガスを用いるので、基板上の膜への化学的影響を防止しつつ基板を確実に乾燥させることができる。
受け渡し部は、基板に所定の処理を行う第3の処理ユニットと基板が一時的に載置される載置部とをさらに含み、搬送手段は、処理部、第3の処理ユニットおよび載置部の間で基板を搬送する第1の搬送ユニットと、載置部、第2の処理ユニットおよび露光装置の間で基板を搬送する第2の搬送ユニットとを含み、第2の搬送ユニットは、基板を露光装置から第2の処理ユニットへ搬送してもよい。
第2の搬送ユニットは、基板を保持する第1および第2の保持手段を備え、第2の搬送ユニットは、露光装置による露光処理前の基板を搬送する際には第1の保持手段により基板を保持し、露光装置による露光処理後の基板を搬送する際には第2の保持手段により基板を保持してもよい。
第2の保持手段は第1の保持手段よりも下方に設けられてもよい。この場合、第2の保持手段および第2の保持手段が保持する基板から液体が落下したとしても、第1の保持手段および第1の保持手段が保持する基板に液体が付着することがない。それにより、露光処理前の基板に液体が付着することが確実に防止される。
第3の処理ユニットは、基板の周縁部を露光するエッジ露光部を含んでもよい。この場合、エッジ露光部において基板の周縁部に露光処理が行われる。
第2の処理ユニットは、基板の乾燥前にさらに基板の洗浄を行ってもよい。
第2の処理ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、基板保持手段に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えてもよい。
不活性ガス供給手段は、洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。
第2の処理ユニットは、洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えてもよい。
不活性ガス供給手段は、リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。
第2の発明に係る基板処理方法は、第1の処理ユニットを含む処理部と、搬送手段および第2の処理ユニットを含む受け渡し部とを備え、露光装置に隣接するように配置された基板処理装置において基板を処理する方法であって、処理部において第1の処理ユニットにより基板に処理液を塗布する工程と、受け渡し部において搬送手段により基板を処理部から露光装置に搬送する工程と、受け渡し部において露光装置による露光処理後に基板を搬送手段により第2の処理ユニットに搬送する工程と、受け渡し部において第2の処理ユニットにより基板の乾燥を行う工程と、受け渡し部において第2の処理ユニットにより乾燥された基板を搬送手段により処理部に搬送する工程とを備えたものである。
搬送手段により基板を第2の処理ユニットに搬送する工程後であって第2の処理ユニットにより基板の乾燥を行う工程の前に、第2の処理ユニットにより基板の洗浄を行う工程をさらに備えてもよい。
第3の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、基板に処理液を塗布する第1の処理ユニットを含み、受け渡し部は、露光装置による露光処理後に液体および気体を含む混合流体を基板に供給する流体ノズルにより基板の洗浄処理を行う第2の処理ユニットと、処理部、露光装置および第2の処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送手段とを含むものである。
第2の処理ユニットは、流体ノズルから不活性ガスおよび洗浄液を含む混合流体を基板に供給することにより基板の洗浄処理を行ってもよい。
第2の処理ユニットは、基板の洗浄処理後に、基板の乾燥処理を行ってもよい。
第2の処理ユニットは、基板上に不活性ガスを供給することにより基板の乾燥処理を行う不活性ガス供給手段を含んでもよい。この場合、不活性ガスを用いるので、基板上の膜への化学的影響を防止しつつ基板を確実に乾燥させることができる。
流体ノズルは不活性ガス供給手段として機能してもよい。この場合、流体ノズルから基板上に不活性ガスが供給され、基板の乾燥処理が行われる。これにより、不活性ガス供給手段を流体ノズルと別個に設ける必要がない。その結果、簡単な構造で基板の洗浄および乾燥処理を確実に行うことができる。
第2の処理ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段とをさらに含んでもよい。
第2の処理ユニットは、流体ノズルから基板上に供給された混合流体が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。
第2の処理ユニットは、流体ノズルから混合流体が供給された後であって不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに含んでもよい。
流体ノズルはリンス液供給手段として機能してもよい。この場合、流体ノズルから基板上にリンス液が供給される。これにより、リンス液供給手段を流体ノズルと別個に設ける必要がない。その結果、簡単な構造で基板の洗浄および乾燥処理を確実に行うことができる。
第2の処理ユニットは、リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。
流体ノズルは、液体が流通する液体流路と、気体が流通する気体流路と、液体流路に連通して開口する液体吐出口と、液体吐出口の近傍に設けられるとともに気体流路に連通して開口する気体吐出口とを有してもよい。
第4の発明に係る基板処理方法は、第1の処理ユニットを含む処理部と、搬送手段および第2の処理ユニットを含む受け渡し部とを備え、露光装置に隣接するように配置された基板処理装置において基板を処理する方法であって、処理部において第1の処理ユニットにより基板に処理液を塗布する工程と、受け渡し部において搬送手段により基板を処理部から露光装置に搬送する工程と、受け渡し部において露光装置による露光処理後に基板を搬送手段により第2の処理ユニットに搬送する工程と、受け渡し部の第2の処理ユニットにおいて液体および気体を含む混合流体を基板に供給する流体ノズルにより基板の洗浄を行う工程と、受け渡し部において第2の処理ユニットにより洗浄された基板を搬送手段により処理部に搬送する工程とを備えたものである。
第2の処理ユニットにより基板の洗浄を行う工程後であって第2の処理ユニットにより洗浄された基板を搬送手段により処理部に搬送する工程の前に、第2の処理ユニットにより基板の乾燥を行う工程をさらに備えてもよい。
(1−1)基板処理装置の構成
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
本実施の形態に係る基板処理装置500の動作について説明する。
を採用しているが、これに限定されず、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Wを外気に曝すOC(open cassette)等を用いてもよい。さらに、イン
デクサロボットIR、第1〜第4のセンターロボットCR1〜CR4およびインターフェース用搬送機構IFRには、それぞれ基板Wに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
ここで、上記の乾燥処理ユニットDRYについて図面を用いて詳細に説明する。
まず、乾燥処理ユニットDRYの構成について説明する。図4は乾燥処理ユニットDRYの構成を説明するための図である。
次に、上記の構成を有する乾燥処理ユニットDRYの処理動作について説明する。なお、以下に説明する乾燥処理ユニットDRYの各構成要素の動作は、図1のメインコントローラ30により制御される。
また、図4に示した乾燥処理ユニットDRYにおいては、洗浄処理用ノズル650と乾燥処理用ノズル670とが別個に設けられているが、図6に示すように、洗浄処理用ノズル650と乾燥処理用ノズル670とを一体に設けてもよい。この場合、基板Wの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル650および乾燥処理用ノズル670をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。
上記のように、本実施の形態に係る基板処理装置500のインターフェースブロック13においては、フォトレジスト膜の形成された基板Wがインターフェース用搬送機構IFRにより露光装置14に搬入され、露光処理の施された基板Wがインターフェース用搬送機構IFRにより乾燥処理ユニットDRYに搬入される。乾燥処理ユニットDRYにより基板Wの乾燥処理が行われる。
次に、インターフェース用搬送機構IFRについて説明する。図12はインターフェース用搬送機構IFRの構成および動作を説明するための図である。
まず、インターフェース用搬送機構IFRの構成について説明する。図12に示すように、インターフェース用搬送機構IFRの固定台21にはハンド支持台24が±θ方向に回転可能でかつ±Z方向に昇降可能に搭載される。ハンド支持台24は、回転軸25を介して固定台21内のモータM2に連結しており、このモータM2によりハンド支持台24が回転する。ハンド支持台24には、基板Wを水平姿勢で保持する2個のハンドH5,H6が進退可能に上下に設けられる。
上記のように、本実施の形態においては、基板Wを基板載置部PASS9から露光装置14へと搬送する際および乾燥処理ユニットDRYから基板載置部PASS10へと搬送する際には、インターフェース用搬送機構IFRのハンドH5を用い、基板Wを露光装置14から乾燥処理ユニットDRYへと搬送する際にはハンドH6を用いる。すなわち、露光処理後の液体が付着した基板Wの搬送にはハンドH6が用いられ、露光処理前の液体が付着していない基板Wの搬送にはハンドH5が用いられる。そのため、ハンドH5に基板Wの液体が付着することがない。
なお、本実施の形態においては、1台のインターフェース用搬送機構IFRによって、基板載置部PASS9から露光装置14への搬送、露光装置14から乾燥処理ユニットDRYへの搬送および乾燥処理ユニットDRYから基板載置部PASS10への搬送を行っているが、複数のインターフェース用搬送機構IFRを用いて基板Wの搬送を行ってもよい。
(2−1)2流体ノズルを用いた乾燥処理ユニット
第2の実施の形態に係る基板処理装置が第1の実施の形態に係る基板処理装置と異なるのは、乾燥処理ユニットDRYにおいて図4の洗浄処理用ノズル650および乾燥処理用ノズル670の代わりに図13に示すような2流体ノズルが用いられる点である。第2の実施の形態に係る基板処理装置の他の部分の構成は、第1の実施の形態に係る基板処理装置と同様である。
なお、図13の2流体ノズル950を用いた場合においては、2流体ノズル950により基板Wにリンス液を供給しているが、別個のノズルを用いて基板Wにリンス液を供給してもよい。
第2の実施の形態に係る基板処理装置500のインターフェースブロック13においては、フォトレジスト膜の形成された基板Wがインターフェース用搬送機構IFRにより露光装置14に搬入され、露光処理の施された基板Wがインターフェース用搬送機構IFRにより乾燥処理ユニットDRYに搬入される。乾燥処理ユニットDRYにより基板Wの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理後に基板Wに付着した水滴残渣、および基板上の有機膜からの溶出物等は、乾燥処理ユニットDRYにおいて2流体ノズル950から洗浄液と不活性ガスとの混合流体が基板Wに供給されることにより取り除かれる。
本実施の形態においては、反射防止膜用処理ブロック10、レジスト膜用処理ブロック11および現像処理ブロック12が処理部に相当し、インターフェースブロック13が受け渡し部に相当し、塗布ユニットRESが第1の処理ユニットに相当し、乾燥処理ユニットDRY,DRYaが第2の処理ユニットに相当し、エッジ露光部EEWが第3の処理ユニットに相当し、基板載置部PASS9,10が載置部に相当し、第4のセンターロボットCR4が第1の搬送ユニットに相当し、インターフェース用搬送機構IFRが第2の搬送ユニットに相当する。
10 反射防止膜用処理ブロック
11 レジスト膜用処理ブロック
12 現像処理ブロック
13 インターフェースブロック
14 露光装置
60 キャリア載置台
70 反射防止膜用塗布処理部
80 レジスト膜用塗布処理部
90 現像処理部
95 乾燥処理部
100,101 反射防止膜用熱処理部
110,111 レジスト膜用熱処理部
120,121 現像用熱処理部
311a 液体吐出口
311b 液体導入部
312a 気体吐出口
312b 気体通過部
500 基板処理装置
621 スピンチャック
625 回転軸
636 チャック回転駆動機構
650 洗浄処理用ノズル
670,770,870 乾燥処理用ノズル
682 遮断板
950 2流体ノズル
CR1 第1のセンターロボット
CR2 第2のセンターロボット
CR3 第3のセンターロボット
CR4 第4のセンターロボット
RES 塗布ユニット
EEW エッジ露光部
DRY,DRYa 乾燥処理ユニット
IR インデクサロボット
IFR インターフェース用搬送機構
W 基板
PASS1〜PASS10 基板載置部
Claims (26)
- 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、基板に処理液を塗布する第1の処理ユニットを含み、
前記受け渡し部は、前記露光装置による露光処理後に基板を乾燥させる第2の処理ユニットと、
前記処理部、前記露光装置および前記第2の処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第2の処理ユニットは、基板上に不活性ガスを供給することにより基板を乾燥させることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記受け渡し部は、基板に所定の処理を行う第3の処理ユニットと基板が一時的に載置される載置部とをさらに含み、
前記搬送手段は、前記処理部、前記第3の処理ユニットおよび前記載置部の間で基板を搬送する第1の搬送ユニットと、
前記載置部、前記第2の処理ユニットおよび前記露光装置の間で基板を搬送する第2の搬送ユニットとを含み、
前記第2の搬送ユニットは、基板を前記露光装置から前記第2の処理ユニットへ搬送することを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。 - 前記第2の搬送ユニットは、基板を保持する第1および第2の保持手段を備え、
前記第2の搬送ユニットは、
前記露光装置による露光処理前の基板を搬送する際には前記第1の保持手段により基板を保持し、
前記露光装置による露光処理後の基板を搬送する際には前記第2の保持手段により基板を保持することを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。 - 前記第2の保持手段は前記第1の保持手段よりも下方に設けられたことを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。
- 前記第3の処理ユニットは、基板の周縁部を露光するエッジ露光部を含むことを特徴とする請求項3〜5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、基板の乾燥前にさらに基板の洗浄を行うことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、
基板を略水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
前記基板保持手段に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えることを特徴とする請求項7記載の基板処理装置。 - 前記不活性ガス供給手段は、前記洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、
前記洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって前記不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えることを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。 - 前記不活性ガス供給手段は、前記リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項10記載の基板処理装置。
- 第1の処理ユニットを含む処理部と、搬送手段および第2の処理ユニットを含む受け渡し部とを備え、露光装置に隣接するように配置された基板処理装置において基板を処理する方法であって、
前記処理部において前記第1の処理ユニットにより基板に処理液を塗布する工程と、
前記受け渡し部において前記搬送手段により基板を前記処理部から前記露光装置に搬送する工程と、
前記受け渡し部において前記露光装置による露光処理後に基板を前記搬送手段により前記第2の処理ユニットに搬送する工程と、
前記受け渡し部において前記第2の処理ユニットにより基板の乾燥を行う工程と、
前記受け渡し部において前記第2の処理ユニットにより乾燥された基板を前記搬送手段により前記処理部に搬送する工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 前記搬送手段により基板を前記第2の処理ユニットに搬送する工程後であって前記第2の処理ユニットにより基板の乾燥を行う工程の前に、前記第2の処理ユニットにより基板の洗浄を行う工程をさらに備えることを特徴とする請求項12記載の基板処理方法。
- 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、基板に処理液を塗布する第1の処理ユニットを含み、
前記受け渡し部は、前記露光装置による露光処理後に液体および気体を含む混合流体を基板に供給する流体ノズルにより基板の洗浄処理を行う第2の処理ユニットと、
前記処理部、前記露光装置および前記第2の処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第2の処理ユニットは、前記流体ノズルから不活性ガスおよび洗浄液を含む混合流体を基板に供給することにより基板の洗浄処理を行うことを特徴とする請求項14記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、基板の洗浄処理後に、基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項14または15記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、基板上に不活性ガスを供給することにより基板の乾燥処理を行う不活性ガス供給手段を含むことを特徴とする請求項16記載の基板処理装置。
- 前記流体ノズルは前記不活性ガス供給手段として機能することを特徴とする請求項17記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、
基板を略水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段とをさらに含むことを特徴とする請求項17または18記載の基板処理装置。 - 前記第2の処理ユニットは、前記流体ノズルから基板上に供給された混合流体が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項17〜19のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、
前記流体ノズルから混合流体が供給された後であって前記不活性ガス供給手段により前記不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項17〜19のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記流体ノズルは前記リンス液供給手段として機能することを特徴とする請求項21記載の基板処理装置。
- 前記第2の処理ユニットは、前記リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項21または22記載の基板処理装置。
- 前記流体ノズルは、液体が流通する液体流路と、気体が流通する気体流路と、前記液体流路に連通して開口する液体吐出口と、前記液体吐出口の近傍に設けられるとともに前記気体流路に連通して開口する気体吐出口とを有することを特徴とする請求項14〜23のいずれかに記載の基板処理装置。
- 第1の処理ユニットを含む処理部と、搬送手段および第2の処理ユニットを含む受け渡し部とを備え、露光装置に隣接するように配置された基板処理装置において基板を処理する方法であって、
前記処理部において前記第1の処理ユニットにより基板に処理液を塗布する工程と、
前記受け渡し部において前記搬送手段により基板を前記処理部から前記露光装置に搬送する工程と、
前記受け渡し部において前記露光装置による露光処理後に基板を前記搬送手段により前記第2の処理ユニットに搬送する工程と、
前記受け渡し部の前記第2の処理ユニットにおいて液体および気体を含む混合流体を基板に供給する流体ノズルにより基板の洗浄を行う工程と、
前記受け渡し部において前記第2の処理ユニットにより洗浄された基板を前記搬送手段により前記処理部に搬送する工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 前記第2の処理ユニットにより基板の洗浄を行う工程後であって前記第2の処理ユニットにより洗浄された基板を前記搬送手段により前記処理部に搬送する工程の前に、前記第2の処理ユニットにより基板の乾燥を行う工程をさらに備えることを特徴とする請求項25記載の基板処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005216159A JP5008280B2 (ja) | 2004-11-10 | 2005-07-26 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US11/273,465 US20060098979A1 (en) | 2004-11-10 | 2005-11-10 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
CN2005101204401A CN1773376B (zh) | 2004-11-10 | 2005-11-10 | 基板处理装置及基板处理方法 |
US12/754,872 US8496761B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-04-06 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004326309 | 2004-11-10 | ||
JP2004326309 | 2004-11-10 | ||
JP2005095784 | 2005-03-29 | ||
JP2005095784 | 2005-03-29 | ||
JP2005216159A JP5008280B2 (ja) | 2004-11-10 | 2005-07-26 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006310723A true JP2006310723A (ja) | 2006-11-09 |
JP5008280B2 JP5008280B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=36316446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005216159A Active JP5008280B2 (ja) | 2004-11-10 | 2005-07-26 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20060098979A1 (ja) |
JP (1) | JP5008280B2 (ja) |
CN (1) | CN1773376B (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5008280 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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