JP4753641B2 - 基板処理システム - Google Patents

Description

本発明は、基板の乾燥を行う基板乾燥装置を備えた基板処理システムに関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。

上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。

近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。

そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

しかしながら、上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、基板は、液体が付着した状態で露光装置から搬出される。そのため、上記特許文献１の基板処理装置に上記特許文献２に記載されているような液浸法を用いた露光装置を外部装置として設ける場合、露光装置から搬出された基板に付着している液体が基板処理装置内に落下し、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良が発生するおそれがある。また、基板に付着した液体に雰囲気中の塵埃等が付着し、基板が汚染されることがある。これらの結果、基板処理装置において基板の処理不良が発生する。

本発明の目的は、基板の処理不良を十分に防止できる基板乾燥装置を備えた基板処理システムを提供することである。

第１の発明に係る基板処理システムは、基板に液浸法による露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理システムであって、基板に所定の処理を行うための基板処理装置と、基板処理装置および露光装置とは別体として基板処理装置と露光装置との間に配置される基板乾燥装置とを備え、基板処理装置は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットおよび露光装置による露光処理後に基板に現像処理を行う現像処理ユニットを含む基板処理部と、基板処理部と基板乾燥装置との間で基板の受け渡しを行うための第１のインタフェース部とを備え、基板乾燥装置は、露光装置による露光処理後でかつ現像装置による現像処理前に基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットおよび第１の搬送ユニットを含む乾燥処理部と、乾燥処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うために第２の搬送ユニットを含む第２のインタフェース部とを備え、第１の搬送ユニットは、第１のインタフェース部、乾燥処理ユニットおよび第２のインタフェース部の間で基板を搬送するように構成され、第２の搬送ユニットは、乾燥処理部と露光装置との間で基板を搬送するように構成されたものである。

本発明に係る基板処理システムにおいては、基板処理装置の基板処理部の感光性膜形成ユニットにより基板に感光性膜が形成される。感光性膜の形成後の基板は、基板処理装置の第１のインタフェース部および基板乾燥装置の乾燥処理部および第２のインタフェースを介して液浸法による露光処理を行う露光装置に搬送される。露光処理後の基板は、基板乾燥装置の第２のインタフェース部を介して乾燥処理部の乾燥処理ユニットに搬送される。乾燥処理部へ搬送された基板には、乾燥処理ユニットにより乾燥処理が施される。乾燥処理後の基板は、基板処理装置の第１のインタフェース部を介して基板処理部へ搬送される。この場合、第１の搬送ユニットにより第１のインタフェース部、乾燥処理ユニットおよび第２のインタフェース部の間で基板が搬送される。また、第２の搬送ユニットにより乾燥処理部と露光装置との間で基板が搬送される。

このように、露光処理後の基板は、乾燥処理部の乾燥処理ユニットにおいて乾燥処理が施された後、基板処理装置へと搬送される。したがって、露光処理時に基板に付着した液体が基板処理装置内に落下することが防止される。それにより、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。また、露光処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。それにより、基板の汚染を防止することができる。また、露光処理時に基板に付着した液体が基板処理装置内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置内の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板に付着した液体が、基板処理装置内において露光処理前の他の基板に付着することを防止することができる。したがって、露光処理前の他の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。
さらに、露光処理後の基板が基板処理装置内を搬送される際に、感光性膜の成分が基板上に残留した液体中に溶出することを防止することができる。それにより、感光性膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。

これらの結果、基板の処理不良を十分に防止することができる。

乾燥処理ユニットは、基板の乾燥処理前にさらに基板の洗浄処理を行ってもよい。

この場合、露光処理時に液体が付着した基板を露光装置から乾燥処理ユニットへ搬送する間に基板に雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を確実に取り除くことができる。それにより、基板の汚染を確実に防止することができる。その結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。

乾燥処理ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、基板保持手段に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えてもよい。

この乾燥処理ユニットにおいては、基板保持手段により基板が略水平に保持され、回転駆動手段により基板がその基板に垂直な軸の周りで回転される。また、洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給され、次いで、不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される。

この場合、基板を回転させつつ基板上に洗浄液が供給されるので、基板上の洗浄液は遠心力により常に基板の周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に混入した塵埃等が基板上に残留することを確実に防止することができる。また、基板を回転させつつ基板上に不活性ガスが供給されるので、基板上の洗浄液が効率よく排除される。それにより、基板を確実に乾燥することができる。したがって、洗浄後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。これらの結果、基板の汚染をより確実に防止することができる。

不活性ガス供給手段は、洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。

この場合、洗浄液が基板上の中心部に残留することを防止することができるので、基板の表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。また、洗浄後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することをさらに確実に防止することができる。それにより、基板の汚染をさらに確実に防止することができる。

乾燥処理ユニットは、洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えてもよい。

この場合、リンス液により洗浄液を確実に洗い流すことができるので、洗浄液中に混入した塵埃等が基板上に残留することをより確実に防止することができる。

不活性ガス供給手段は、リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。

この場合、リンス液が基板上の中心部に残留することを防止することができるので、基板の表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。また、洗浄後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することをさらに確実に防止することができる。それにより、基板の汚染をさらに確実に防止することができる。

乾燥処理部は、感光性膜の形成後でかつ露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、感光性膜の形成後の基板が基板処理装置の第１のインタフェース部を介して基板乾燥装置の乾燥処理部へ搬送される。乾燥処理部で洗浄処理ユニットにより露光処理前の基板に洗浄処理が行なわれる。洗浄処理後の基板は、第２のインターフェース部を介して露光装置へと搬送される。それにより、露光処理前の基板に付着した塵埃等を取り除くことができる。その結果、露光装置内の汚染を防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。

洗浄処理ユニットは、基板の洗浄処理後にさらに基板の乾燥処理を行ってもよい。

この場合、洗浄処理時に基板に付着した液体が取り除かれるので、洗浄処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。

洗浄処理ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、基板保持手段に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えてもよい。

この洗浄処理ユニットにおいては、基板保持手段により基板が略水平に保持され、回転駆動手段により基板がその基板に垂直な軸の周りで回転される。また、洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給され、次いで、不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される。

この場合、基板を回転させつつ基板上に洗浄液が供給されるので、基板上の洗浄液は遠心力により常に基板の周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に混入した塵埃等が基板上に残留することを確実に防止することができる。また、基板を回転させつつ基板上に不活性ガスが供給されるので、基板上の洗浄液が効率よく排除される。それにより、基板を確実に乾燥することができる。したがって、洗浄後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。これらの結果、露光装置内の汚染をより確実に防止することができる。

不活性ガス供給手段は、洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。

この場合、洗浄液が基板上の中心部に残留することを防止することができるので、基板の表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。また、洗浄後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することをさらに確実に防止することができる。それにより、露光装置内の汚染をさらに確実に防止することができる。

洗浄処理ユニットは、洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えてもよい。

この場合、リンス液により洗浄液を確実に洗い流すことができるので、洗浄液中に混入した塵埃等が基板上に残留することをより確実に防止することができる。

不活性ガス供給手段は、リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。

この場合、リンス液が基板上の中心部に残留することを防止することができるので、基板の表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。また、洗浄後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することをさらに確実に防止することができる。それにより、露光装置内の汚染をさらに確実に防止することができる。

第１の搬送ユニットは、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、乾燥処理後でかつ現像処理前の基板を第１の保持手段により保持して乾燥処理ユニットから搬送し、露光処理後でかつ乾燥処理前の基板を第２の保持手段により保持して乾燥処理ユニットへ搬送するように構成されてもよい。

この場合、乾燥処理後でかつ現像処理前の基板は乾燥処理ユニットから第１の搬送ユニットの第１の保持手段により保持されて搬送される。また、露光処理後でかつ乾燥処理前の基板は第１の搬送ユニットの第２の保持手段により保持されて乾燥処理ユニットへ搬送される。

つまり、露光処理後でかつ乾燥処理前の液体が付着した基板を乾燥処理ユニットに搬送する際には第２の保持手段が用いられ、乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の液体が付着していない基板を搬送する際には第１の保持手段が用いられる。したがって、第１の保持手段に液体が付着することを防止することができる。それにより、乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に液体が付着することを防止することができる。その結果、乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。
第１の搬送ユニットは、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、感光性膜の形成後でかつ洗浄処理前の基板を第１の保持手段により保持して洗浄処理ユニットに搬送し、洗浄処理後でかつ露光処理前の基板を第１の保持手段により保持して洗浄処理ユニットから搬送し、乾燥処理後でかつ現像処理前の基板を第１の保持手段により保持して乾燥処理ユニットから搬送し、露光処理後でかつ乾燥処理前の基板を第２の保持手段により保持して乾燥処理ユニットへ搬送するように構成されてもよい。
この場合、感光性膜の形成後でかつ洗浄処理前の基板は第１の搬送ユニットの第１の保持手段により保持されて洗浄処理ユニットに搬送され、洗浄処理後でかつ露光処理前の基板は洗浄処理ユニットから第１の搬送ユニットの第１の保持手段により保持されて搬送され、乾燥処理後でかつ現像処理前の基板は乾燥処理ユニットから第１の搬送ユニットの第１の保持手段により保持されて搬送される。また、露光処理後でかつ乾燥処理前の基板は第１の搬送ユニットの第２の保持手段により保持されて乾燥処理ユニットへ搬送される。
つまり、露光処理時に液体が付着した基板を搬送する際には第２の保持手段が用いられ、露光処理前および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の液体が付着していない基板を搬送する際には第１の保持手段が用いられる。したがって、第１の保持手段に液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に液体が付着することを防止することができる。その結果、露光処理前および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。

第２の保持手段は第１の保持手段より下方に設けられてもよい。

この場合、第２の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下しても、第１の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することが防止される。したがって、露光処理前および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。

第２の搬送ユニットは、基板を保持する第３および第４の保持手段を含み、感光性膜の形成後でかつ露光処理前の基板を第３の保持手段により保持して露光装置へ搬送し、露光処理後でかつ乾燥処理前の基板を第４の保持手段により保持して露光装置から搬送するように構成されてもよい。
この場合、感光性膜の形成後でかつ露光処理前の基板は第２の搬送ユニットの第３の保持手段により保持されて露光装置へ搬送される。また、露光処理後でかつ乾燥処理前の基板は露光装置から第２の搬送ユニットの第４の保持手段により保持されて搬送される。
つまり、露光処理時に液体が付着した基板を搬送する際には第４の保持手段が用いられ、露光処理前の液体が付着していない基板を搬送する際には第３の保持手段が用いられる。したがって、第３の保持手段に液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板に液体が付着することを防止することができる。その結果、露光処理前の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。

第４の保持手段は第３の保持手段より下方に設けられてもよい。

この場合、第４の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下しても、第３の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することが防止される。したがって、露光処理前の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。

基板処理装置は、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、感光性膜上に保護膜が形成されるので、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。

基板処理装置は、露光装置による露光処理後に保護膜を除去する除去ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、感光性膜上に形成された保護膜を確実に除去することができる。

基板処理装置は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、基板上に反射防止膜が形成されるので、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを低減させることができる。

本発明によれば、露光処理後の基板は、乾燥処理部の乾燥処理ユニットにおいて乾燥処理が施された後、基板処理装置へと搬送される。したがって、露光処理時に基板に付着した液体が基板処理装置内に落下することが防止される。それにより、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。また、露光処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。それにより、基板の汚染を防止することができる。また、露光処理時に基板に付着した液体が基板処理装置内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置内の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板に付着した液体が、基板処理装置内において露光処理前の他の基板に付着することを防止することができる。したがって、露光処理前の他の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。
さらに、露光処理後の基板が基板処理装置内を搬送される際に、感光性膜の成分が基板上に残留した液体中に溶出することを防止することができる。それにより、感光性膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。

これらの結果、基板の処理不良を十分に防止することができる。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理システムについて図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

また、以下の図面には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。

（１） 第１の実施の形態
（ａ） 基板処理システムの構成
以下、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理システムについて図面を参照しながら説明する。

図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。

図１に示すように、基板処理システム５００は、基板処理装置３００および洗浄／乾燥装置４００を含む。基板処理装置３００においては、Ｙ方向に沿って、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４および第１のインターフェースブロック１５が並設される。洗浄／乾燥装置４００においては、Ｙ方向に沿って、洗浄／乾燥処理ブロック１６および第２のインターフェースブロック１７が並設される。洗浄／乾燥装置４００の第２のインターフェースブロック１７に隣接するように露光装置１８が配置される。露光装置１８においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。なお、基板処理装置３００と洗浄／乾燥装置４００とは連結部１９を介して連結される。

インデクサブロック９は、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１、複数のキャリア載置台９２およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部３０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部３０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。

インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１８にも同様に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部４０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部４０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。

現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部５０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部５０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁２２が設けられる。この隔壁２２には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部６０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部６０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。

現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２３が設けられる。この隔壁２３には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部７０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部７０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２４が設けられる。この隔壁２４には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。

第１のインターフェースブロック１５は、第６のセンターロボットＣＲ６、送りバッファ部ＳＢＦ１、第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１およびエッジ露光部ＥＥＷを含む。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する戻りバッファ部ＲＢＦおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４が設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が上下に設けられ、第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１が設けられる。

洗浄／乾燥処理ブロック１６は、洗浄／乾燥処理部８０ａ，８０ｂおよび第７のセンターロボットＣＲ７を含む。洗浄／乾燥処理部８０ａ，８０ｂは、第７のセンターロボットＣＲ７を挟んで互いに対向して設けられる。第７のセンターロボットＣＲ７には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４が上下に設けられる。

第１のインターフェースブロック１５と洗浄／乾燥処理ブロック１６とは、連結部１９を介して連結されている。洗浄／乾燥処理ブロック１６内の連結部１９側には、第１のインターフェースブロック１５と洗浄／乾燥処理ブロック１６との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１５，１６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１５は、基板Ｗを第１のインターフェースブロック１５から洗浄／乾燥処理ブロック１６へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１６は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１６から第１のインターフェースブロック１５へ搬送する際に用いられる。

第２のインターフェースブロック１７は、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２および送りバッファ部ＳＢＦ２を含む。第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ２，Ｈ３が上下に設けられる。

洗浄／乾燥処理ブロック１６と第２のインターフェースブロック１７との間には、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられる。この隔壁２５には、洗浄／乾燥処理ブロック１６と第２のインターフェースブロック１７との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１７，１８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１７は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１６から第２のインターフェースブロック１７へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１８は、基板Ｗを第２のインターフェースブロック１７から洗浄／乾燥処理ブロック１６へ搬送する際に用いられる。

図２は、図１の基板処理システム５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。

反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置される。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１およびスピンチャック３１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル３２を備える。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部４０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置される。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１およびスピンチャック４１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル４２を備える。

現像処理ブロック１２の現像処理部５０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置される。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル５２を備える。

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置される。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。

レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置される。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル７２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。

なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。

第１のインターフェースブロック１５には、２個のエッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４が上下に積層配置されるとともに、第６のセンターロボットＣＲ６（図１参照）および第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１が配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。

洗浄／乾燥処理ブロック１６の洗浄／乾燥処理部８０ｂ（図１参照）には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが上下に積層配置される。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの詳細は後述する。

第２のインターフェースブロック１７は、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２を含む。第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ２，Ｈ３を備える。第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２の詳細は後述する。

図３は、図１の基板処理システム５００を−Ｘ方向から見た側面図である。

反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰが積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、現像用熱処理部１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジストカバー膜用熱処理部１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

洗浄／乾燥処理ブロック１６の洗浄／乾燥処理部８０ａ（図１参照）には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが上下に積層配置される。

（ｂ） 基板処理システムの動作
次に、本実施の形態に係る基板処理システム５００の動作について図１〜図３を参照しながら説明する。

インデクサブロック９のキャリア載置台９２の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、上側のハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。

本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６ならびに第１および第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２には、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部３０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部３０では、露光処理時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部３０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部４０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部４０では、塗布ユニットＲＥＳにより、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。

その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部４０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部６０では、上述したように塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜上にレジストカバー膜が塗布形成される。

その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、第１のインターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１により受け取られる。第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、第１のインターフェースブロック１５の中央部（エッジ露光部ＥＥＷの下方）に移動するとともにハンドＨ１を連結部１９を介して洗浄／乾燥処理ブロック１６内に進入させ、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置する。なお、洗浄／乾燥処理ブロック１６が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ１に一時的に収納保管される。

ここで、洗浄／乾燥処理ブロック１６における基板Ｗの搬送経路については、図１〜図３に加えて図４を参照しながら説明する。図４は、洗浄／乾燥処理ブロック１６を−Ｙ方向から見た図である。

図４に示すように、第７のセンターロボットＣＲ７の固定台１０００にはハンド支持台１０２が±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載される。ハンド支持台１０２は、回転軸１０３を介して固定台１０００内のモータＭ１に連結しており、このモータＭ１によりハンド支持台１０２が回転する。ハンド支持台１０２には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個のハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４が進退可能に上下に設けられる。

基板載置部ＰＡＳＳ１５（図１参照）に載置された基板Ｗは、第７のセンターロボットＣＲ７の上側のハンドＣＲＨ１３により受け取られる。その後、第７のセンターロボットＣＲ７は、ハンド支持台１０２を回転させるとともに±Ｚ方向に上昇または下降させ、ハンドＣＲＨ１３により基板Ｗを洗浄／乾燥処理部８０ａの洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに搬入する。この洗浄／乾燥処理部８０ａの洗浄／乾燥処理ユニットＳＤでは、露光前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの詳細は後述する。

次に、第７のセンターロボットＣＲ７は、ハンドＣＲＨ１３により洗浄／乾燥処理部８０ａの洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを受け取る。その後、第７のセンターロボットＣＲ７は、ハンド支持台１０２を回転させるとともに±Ｚ方向に上昇または下降させ、ハンドＣＲＨ１３により基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１７に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１７に載置された基板Ｗは第２のインターフェースブロック１７の第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２（図１参照）の上側のハンドＨ２により受け取られる。第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、その基板ＷをハンドＨ２により露光装置１８の基板搬入部１８ａ（図１参照）に搬入する。なお、露光装置１８が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ２に一時的に収納保管される。

露光装置１８において露光処理が施された基板Ｗは、第２のインターフェースブロック１７の第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２の下側のハンドＨ３により基板搬出部１８ｂ（図１参照）から搬出される。第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、その基板ＷをハンドＨ３により下側の基板載置部ＰＡＳＳ１８に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１８に載置された基板Ｗは洗浄／乾燥処理ブロック１６の第７のセンターロボットＣＲ７の下側のハンドＣＲＨ１４（図４参照）により受け取られる。その後、第７のセンターロボットＣＲ７は、ハンド支持台１０２を回転させるとともに±Ｚ方向に上昇または下降させ、ハンドＣＲＨ１４により基板Ｗを洗浄／乾燥処理部８０ｂの洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに搬入する。この洗浄／乾燥処理部８０ｂの洗浄／乾燥処理ユニットＳＤでは、露光後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

次に、第７のセンターロボットＣＲ７は、上側のハンドＣＲＨ１３により洗浄／乾燥処理部８０ｂの洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを受け取る。その後、第７のセンターロボットＣＲ７は、ハンド支持台１０２を回転させるとともに±Ｚ方向に上昇または下降させ、ハンドＣＲＨ１３により基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１６（図１参照）に載置する。

次に、第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１（図１参照）は、第１のインターフェースブロック１５の中央部（エッジ露光部ＥＥＷの下方）において、ハンドＨ１を連結部１９を介して洗浄／乾燥処理ブロック１６内に進入させ、基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置された基板Ｗを受け取る。その後、第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は＋Ｘ方向に移動（図１に示す位置に移動）し、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入する。露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。

なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部７０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部７０においては、除去ユニットＲＥＭにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去される。

その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部７０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。

なお、故障等によりレジストカバー膜除去用処理部７０において一時的にレジストカバー膜の除去処理ができないときは、露光後ベーク用熱処理部１４１において基板Ｗに熱処理を施した後、インターフェースブロック１５の戻りバッファ部ＲＢＦに基板Ｗを一時的に収納保管することができる。

基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部５０に搬入する。現像処理部５０においては、現像処理ユニットＤＥＶにより、基板Ｗの現像処理が行われる。

その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部５０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。

次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理システム５００における基板Ｗの各処理が終了する。

（ｃ） 洗浄／乾燥処理ユニットについて
ここで、上記の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤについて図面を用いて詳細に説明する。

（ｃ−１） 洗浄／乾燥処理ユニットの構成
まず、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成について説明する。図５は洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成を説明するための図である。

図５に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。

スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック６２１の外方には、第１の回動モータ６６０が設けられている。第１の回動モータ６６０には、第１の回動軸６６１が接続されている。また、第１の回動軸６６１には、第１のアーム６６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。

第１の回動モータ６６０により第１の回動軸６６１が回転するとともに第１のアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第１の回動モータ６６０、第１の回動軸６６１および第１のアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図５の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。

洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。

スピンチャック６２１の外方には、第２の回動モータ６７１が設けられている。第２の回動モータ６７１には、第２の回動軸６７２が接続されている。また、第２の回動軸６７２には、第２のアーム６７３が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。

第２の回動モータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに第２のアーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第２の回動モータ６７１、第２の回動軸６７２および第２のアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。

乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ₂ ）が用いられる。

基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。

また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。

スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３の間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。

排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。

処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。

また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。

このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図５に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。

（ｃ−２） 洗浄／乾燥処理ユニットの動作
次に、上記の構成を有する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの処理動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの各構成要素の動作は、図１の制御部９１により制御される。

まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１の第７のセンターロボットＣＲ７が基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。

次に、ガード６２４が上述した廃液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転にともないスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。

なお、洗浄／乾燥処理部８０ａにおいては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、２流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。

所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。

さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図６（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。

次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図６（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。

次に、回転軸６２５（図５参照）の回転数が上昇するとともに、図６（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。

次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１の第７のセンターロボットＣＲ７が基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから搬出する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおける処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または廃液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。

なお、上記実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。

また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。

また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。

また、上記実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。

また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。

なお、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ、除去ユニットＲＥＭ、現像処理ユニットＤＥＶ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に応じて適宜変更してよい。

（ｄ） 効果
以上のように、本実施の形態に係る基板処理システム５００においては、露光装置１８において基板Ｗに露光処理が行われた後、洗浄／乾燥処理ブロック１６の洗浄／乾燥処理部８０ｂにおいて基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。

また、洗浄／乾燥処理部８０ｂにおいては、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置３００内に落下することが防止される。その結果、基板処理装置３００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。

また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。

また、基板処理装置３００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置３００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置３００内の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６および第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１８内の汚染を確実に防止することができる。

これらの結果、基板Ｗの処理不良を十分に防止することができる。

また、洗浄／乾燥処理ブロック１６の洗浄／乾燥処理部８０ａにおいて、露光処理前の基板Ｗの洗浄処理が行われる。それにより、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。その結果、露光装置１８内の汚染を防止することができる。

また、洗浄／乾燥処理部８０ａにおいては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１８内の汚染を確実に防止することができる。

また、露光装置１８において基板Ｗに露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック１３において、レジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。この場合、露光装置１８において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。

また、レジストカバー膜の形成後であって露光装置１８において基板Ｗに露光処理が行われる前に、洗浄／乾燥処理部８０ａにおいて基板Ｗの洗浄処理が行われる。このとき、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置１８において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜の成分が液体中に溶出することを防止することができる。

これらの結果、露光装置１８内の汚染が確実に防止されるとともに基板Ｗの表面にレジストおよびレジストカバー膜の成分が残留することも防止される。その結果、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。

また、上記実施の形態においては、洗浄／乾燥装置４００は、連結部１９を介して基板処理装置３００に接続されている。つまり、洗浄／乾燥装置４００は、上記実施の形態に係る基板処理装置３００とは異なる構成を有する基板処理装置に対しても設置可能である。したがって、既存の基板処理装置を用いることにより、低コストで基板Ｗの処理不良を防止することができる。

また、洗浄／乾燥処理ブロック１６においては、基板載置部ＰＡＳＳ１５から洗浄／乾燥処理部８０ａへ基板Ｗを搬送する際、洗浄／乾燥処理部８０ａから基板載置部ＰＡＳＳ１７へ基板Ｗを搬送する際および洗浄／乾燥処理部８０ｂから基板載置部ＰＡＳＳ１６へ基板Ｗを搬送する際には、第７のセンターロボットＣＲ７のハンドＣＲＨ１３が用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ１７から洗浄／乾燥処理部８０ｂに基板Ｗを搬送する際には、ハンドＣＲＨ１４が用いられる。すなわち、液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＣＲＨ１３が用いられ、液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＣＲＨ１４が用いられる。

この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がハンドＣＲＨ１３に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。また、ハンドＣＲＨ１４はハンドＣＲＨ１３より下方に設けられるので、ハンドＣＲＨ１４およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下しても、ハンドＣＲＨ１３およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。

また、洗浄／乾燥処理ブロック１６において露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われるので、第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１に、液体が付着した基板Ｗを搬送するためのハンドと液体が付着していない基板Ｗを搬送するためのハンドとを別々に設ける必要がない。すなわち、第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１に複数のハンドを設ける必要がない。したがって、第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１の構造を簡略化することができ、基板処理装置３００の製造コストを低減することができる。

また、現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。

（ｅ） 他の効果
なお、レジストカバー膜用処理ブロック１３は設けなくてもよい。この場合、洗浄／乾燥処理ブロック１６の洗浄／乾燥処理部８０ａにおいては、洗浄処理時にレジスト膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置１８においてレジスト膜が液体と接触しても、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。その結果、露光装置１８内の汚染を防止することができる。

また、上述したように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っているので、洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができる。それにより、洗浄／乾燥処理部８０ａから露光装置１８へ基板Ｗを搬送する間および洗浄／乾燥処理部８０ｂから現像処理部５０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、露光装置１８内の汚染を確実に防止できるとともに、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。

また、レジストカバー膜用処理ブロック１３を設けない場合には、レジストカバー膜除去ブロック１４を設ける必要はない。この場合、基板処理装置３００のフットプリントを低減することができる。

また、レジストカバー膜およびレジスト膜として、液体中への成分の溶出が十分に防止された材料を用いる場合には、洗浄／乾燥処理部８０ａは設けなくてもよい。この場合、基板処理装置３００から洗浄／乾燥装置４００の基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置された基板Ｗは、第７のセンターロボットＣＲ７の上側のハンドＣＲＨ１３によって基板載置部ＰＡＳＳ１７に搬送される。つまり、第７のセンターロボットＣＲ７と洗浄／乾燥処理部８０ａとの間での基板Ｗの受け渡しが省略されるので、生産性が向上する。

また、本実施の形態においては、洗浄／乾燥処理部８０ａ，８０ｂは第７のセンターロボットＣＲ７を挟んで対向する位置に設けられているが、洗浄／乾燥処理部８０ａ，８０ｂを第７のセンターロボットＣＲ７の±Ｘ方向のどちらか一方において積層配置してもよい。この場合、洗浄／乾燥処理部８０ａ，８０ｂの廃液の配管構造を単純化することができる。

また、本実施の形態においては、第７のセンターロボットＣＲ７には２つのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４が設けられているが、ハンドの数は２つに限定されず、生産性を向上させるために各処理ユニットの処理速度に応じて適宜変更してもよい。例えば、４つのハンドを第７のセンターロボットＣＲ７に上下に配置してもよい。この場合、基板載置部ＰＡＳＳ１８から洗浄／乾燥処理部８０ｂに基板Ｗを搬送する際には、最も下に位置するハンドを用い、基板載置部ＰＡＳＳ１５から洗浄／乾燥処理部８０ａに基板Ｗを搬送する際、洗浄／乾燥処理部８０ａから基板載置部ＰＡＳＳ１７に基板Ｗを搬送する際および洗浄／乾燥処理部８０ｂから基板載置部ＰＡＳＳ１６へ基板Ｗを搬送する際には、それ以外の３つのハンドを用いる。

それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１８から洗浄／乾燥処理部８０ｂへ基板Ｗを搬送する際に、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板Ｗから落下したとしても露光処理前の基板Ｗおよびそれを保持するハンドに液体が付着することを防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。

（ｆ） 洗浄／乾燥処理ユニットの他の例
図５に示した洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とが別個に設けられているが、図７に示すように、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とを一体に設けてもよい。この場合、基板Ｗの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。

また、図５に示す乾燥処理用ノズル６７０の代わりに、図８に示すような乾燥処理用ノズル７７０を用いてもよい。

図８の乾燥処理用ノズル７７０は、鉛直下方に延びるとともに側面から斜め下方に延びる分岐管７７１，７７２を有する。乾燥処理用ノズル７７０の下端および分岐管７７１，７７２の下端には不活性ガスを吐出するガス吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃが形成されている。各吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃからは、それぞれ図８の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル７７０においては、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。

ここで、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合には、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは以下に説明する動作により基板Ｗの乾燥処理を行う。

図９は、乾燥処理用ノズル７７０を用いた場合の基板Ｗの乾燥処理方法を説明するための図である。

まず、図６で説明した方法により基板Ｗの表面に液層Ｌが形成された後、図９（ａ）に示すように、乾燥処理用ノズル７７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル７７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図９（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。なお、このとき、乾燥処理用ノズル７７０は、基板Ｗの中心部に存在するリンス液を確実に移動させることができるように基板Ｗの表面に近接させておく。

次に、回転軸６２５（図５参照）の回転数が上昇するとともに、図９（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル７７０が上方へ移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗ上の不活性ガスが吹き付けられる範囲が拡大する。その結果、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。なお、乾燥処理用ノズル７７０は、図５の第２の回動軸６７２に設けられた回動軸昇降機構（図示せず）により第２の回動軸６７２を上下に昇降させることにより上下に移動させることができる。

また、乾燥処理用ノズル７７０の代わりに、図１０に示すような乾燥処理用ノズル８７０を用いてもよい。図１０の乾燥処理用ノズル８７０は、下方に向かって徐々に直径が拡大する吐出口８７０ａを有する。この吐出口８７０ａからは、図１０の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル８７０においても、図８の乾燥処理用ノズル７７０と同様に、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。したがって、乾燥処理用ノズル８７０を用いる場合も、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合と同様の方法により基板Ｗの乾燥処理を行うことができる。

また、図５に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの代わりに、図１１に示すような洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａを用いてもよい。

図１１に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａが図５に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤと異なるのは以下の点である。

図１１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａにおいては、スピンチャック６２１の上方に、中心部に開口を有する円板状の遮断板６８２が設けられている。アーム６８８の先端付近から鉛直下方向に支持軸６８９が設けられ、その支持軸６８９の下端に、遮断板６８２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。

支持軸６８９の内部には、遮断板６８２の開口に連通したガス供給路６９０が挿通されている。ガス供給路６９０には、例えば、窒素ガス（Ｎ₂）が供給される。

アーム６８８には、遮断板昇降駆動機構６９７および遮断板回転駆動機構６９８が接続されている。遮断板昇降駆動機構６９７は、遮断板６８２をスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック６２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。

図１１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａにおいては、基板Ｗの乾燥処理時に、図１２に示すように、遮断板６８２を基板Ｗに近接させた状態で、基板Ｗと遮断板６８２との間の隙間に対してガス供給路６９０から不活性ガスを供給する。この場合、基板Ｗの中心部から周縁部へと効率良く不活性ガスを供給することができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。

（２） 第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る基板処理システムが第１の実施の形態に係る基板処理システム５００と異なるのは以下の点である。

第２の実施の形態に係る基板処理システムにおいては、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２が±Ｘ方向に移動可能な構成であるとともに、洗浄／乾燥処理部８０ａ，８０ｂの洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの＋Ｙ方向の側面に受け渡し口（図示せず）が設けられる。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１７，ＰＡＳＳ１８は設けられない。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ１５（図１参照）に載置された基板Ｗは、第７のセンターロボットＣＲ７により洗浄／乾燥処理部８０ａに搬入される。次に、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２が洗浄／乾燥処理部８０ａと対向する位置に移動し、受け渡し口を介してハンドＨ２を洗浄／乾燥処理部８０ａの洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ内に進入させ、洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出す。

その後、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ２を洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから後退させるとともに、露光装置１８の基板搬入部１８ａ（図１参照）および基板搬入部１８ｂと対向する位置に移動し、その基板Ｗを基板搬入部１８ａに搬入する。

次に、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、ハンドＨ３により露光装置１８の基板搬出部１８ｂ（図１参照）から露光処理後の基板Ｗを搬出するとともに、洗浄／乾燥処理部８０ｂと対向する位置に移動する。その後、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は受け渡し口を介してハンドＨ３を洗浄／乾燥処理部８０ｂの洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ内に進入させ、基板Ｗを搬入する。

次に、第７のセンターロボットＣＲ７は、洗浄／乾燥処理部８０ｂから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。

以上のように、本実施の形態においては、露光処理後の基板Ｗは第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２によって洗浄／乾燥処理部８０ｂに直接搬送される。この場合、液体が付着した基板Ｗが洗浄／乾燥処理ブロック１６内を搬送されることがない。したがって、露光処理前後で第７のセンターロボットＣＲ７のハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４を使い分ける必要がない。それにより、第７のセンターロボットＣＲ７の制御が容易になる。

また、第７のセンターロボットＣＲ７に液体が付着することが確実に防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが確実に防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃が付着することが確実に防止される。

なお、洗浄／乾燥処理部８０ｂの洗浄／乾燥処理ユニットＳＤのみに受け渡し口を設け、露光処理前の基板Ｗは、第１の実施の形態と同様に、基板載置部ＰＡＳＳ１７を介して洗浄／乾燥処理ブロック１６から第２のインターフェースブロック１７に搬送してもよい。この場合、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は基板載置部ＰＡＳＳ１７（図１参照）に対向する位置と洗浄／乾燥処理部８０ｂ（図１参照）に対向する位置との間で±Ｘ方向に移動すればよい。したがって、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２の移動距離を短縮することができるので、基板Ｗの搬送に要する時間を短縮することができ、歩留まりが向上する。

また、本実施の形態においては、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２のみによって洗浄／乾燥処理ブロック１６と露光装置１８との間の基板Ｗの搬送を行っているが、第２のインターフェースブロック１７に２台の搬送機構を設け、１台は洗浄／乾燥処理部８０ａから露光装置１８への基板Ｗの搬送を行い、他の１台は露光装置１８から洗浄／乾燥処理部８０ｂへの基板Ｗの搬送を行ってもよい。この場合、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することをより確実に防止することができる。

（３） 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
上記実施の形態においては、洗浄／乾燥装置４００が基板乾燥装置に相当し、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが乾燥処理ユニットおよび洗浄処理ユニットに相当し、洗浄／乾燥処理ブロック１６が乾燥処理部に相当し、第１のインターフェースブロック１５が第１のインタフェース部に相当し、第２のインタフェース部ブロック１７が第２のインタフェース部に相当する。

また、スピンチャック６２１が基板保持手段に相当し、回転軸６２５およびチャック回転駆動機構６３６が回転駆動手段に相当し、洗浄処理用ノズル６５０が洗浄液供給手段およびリンス液供給手段に相当し、乾燥処理用ノズル６７０，７７０，８７０が不活性ガス供給手段に相当する。

また、第７のセンターロボットＣＲ７が第１の搬送ユニットに相当し、ハンドＣＲＨ１３が第１の保持手段に相当し、ハンドＣＲＨ１４が第２の保持手段に相当し、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２が第２の搬送ユニットに相当し、ハンドＨ２が第３の保持手段に相当し、ハンドＨ３が第４の保持手段に相当する。

また、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットに相当し、現像処理ユニットＤＥＶが現像処理ユニットに相当し、塗布ユニットＣＯＶが保護膜形成ユニットに相当し、除去ユニットＲＥＭが除去ユニットに相当し、塗布ユニットＢＡＲＣが反射防止膜形成ユニットに相当する。

本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。 図１の基板処理システムを＋Ｘ方向から見た側面図である。 図１の基板処理システムを−Ｘ方向から見た側面図である。 洗浄／乾燥処理ブロックを−Ｙ方向から見た図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの動作を説明するための図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 図８の乾燥処理用ノズルを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの他の例を示す模式図である。 図１１の洗浄／乾燥処理ユニットを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。

符号の説明

９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ 第１のインターフェースブロック
１６ 洗浄／乾燥処理ブロック
１７ 第２のインターフェースブロック
１８ 露光装置
１９ 連結部
２０〜２５ 隔壁
３０ 反射防止膜用塗布処理部
４０ レジスト膜用塗布処理部
５０ 現像処理部
６０ レジストカバー膜用塗布処理部
７０ レジストカバー膜除去用処理部
８０ａ，８０ｂ 洗浄／乾燥処理部
９１ 制御部
９２ キャリア載置台
３００ 基板処理装置
４００ 洗浄／乾燥装置
５００ 基板処理システム
ＢＡＲＣ，ＣＯＶ，ＲＥＳ 塗布ユニット
Ｃ キャリア
ＣＰ 冷却ユニット
ＣＲ１〜ＣＲ７ 第１〜第７のセンターロボット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＥＥＷ エッジ露光部
ＨＰ 加熱ユニット
ＩＲ インデクサロボット
ＩＦＲ１ 第１のインターフェース用搬送機構
ＩＦＲ２ 第２のインターフェース用搬送機構
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１８ 基板載置部
ＳＤ 洗浄／乾燥処理ユニット
Ｗ 基板

Claims (20)

1. 基板に液浸法による露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理システムであって、
   基板に所定の処理を行うための基板処理装置と、
   前記基板処理装置および前記露光装置とは別体として前記基板処理装置と前記露光装置との間に配置される基板乾燥装置とを備え、
   前記基板処理装置は、
   基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットおよび前記露光装置による露光処理後に基板に現像処理を行う現像処理ユニットを含む基板処理部と、
   前記基板処理部と基板乾燥装置との間で基板の受け渡しを行うための第１のインタフェース部とを備え、
   前記基板乾燥装置は、
   前記露光装置による露光処理後でかつ前記現像装置による現像処理前に基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットおよび第１の搬送ユニットを含む乾燥処理部と、
   前記乾燥処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うために第２の搬送ユニットを含む第２のインタフェース部とを備え、
   前記第１の搬送ユニットは、前記第１のインタフェース部、前記乾燥処理ユニットおよび前記第２のインタフェース部の間で基板を搬送するように構成され、
   前記第２の搬送ユニットは、前記乾燥処理部と前記露光装置との間で基板を搬送するように構成されたことを特徴とする基板処理システム。
2. 前記乾燥処理ユニットは、基板の乾燥処理前にさらに基板の洗浄処理を行うことを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。
3. 前記乾燥処理ユニットは、
   基板を略水平に保持する基板保持手段と、
   前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
   前記基板保持手段に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
   前記洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えることを特徴とする請求項２記載の基板処理システム。
4. 前記不活性ガス供給手段は、前記洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項３記載の基板処理システム。
5. 前記乾燥処理ユニットは、前記洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって前記不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えることを特徴とする請求項３記載の基板処理システム。
6. 前記不活性ガス供給手段は、前記リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項５記載の基板処理システム。
7. 前記乾燥処理部は、前記感光性膜の形成後でかつ前記露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理システム。
8. 前記洗浄処理ユニットは、基板の洗浄処理後にさらに基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項７記載の基板処理システム。
9. 前記洗浄処理ユニットは、
   基板を略水平に保持する基板保持手段と、
   前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
   前記基板保持手段に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
   前記洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えることを特徴とする請求項８記載の基板処理システム。
10. 前記不活性ガス供給手段は、前記洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項９記載の基板処理システム。
11. 前記洗浄処理ユニットは、前記洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって前記不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えることを特徴とする請求項９記載の基板処理システム。
12. 前記不活性ガス供給手段は、前記リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項１１記載の基板処理システム。
13. 前記第１の搬送ユニットは、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、前記乾燥処理後でかつ前記現像処理前の基板を前記第１の保持手段により保持して前記乾燥処理ユニットから搬送し、前記露光処理後でかつ前記乾燥処理前の基板を前記第２の保持手段により保持して前記乾燥処理ユニットへ搬送するように構成されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の基板処理システム。
14. 前記第１の搬送ユニットは、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、前記感光性膜の形成後でかつ前記洗浄処理前の基板を前記第１の保持手段により保持して前記洗浄処理ユニットに搬送し、前記洗浄処理後で前記露光処理前の基板を前記第１の保持手段により保持して前記洗浄処理ユニットから搬送し、前記乾燥処理後でかつ前記現像処理前の基板を前記第１の保持手段により保持して前記乾燥処理ユニットから搬送し、前記露光処理後でかつ前記乾燥処理前の基板を前記第２の保持手段により保持して前記乾燥処理ユニットへ搬送するように構成されることを特徴とする請求項８〜１２のいずれかに記載の基板処理システム。
15. 前記第２の保持手段は前記第１の保持手段より下方に設けられることを特徴とする請求項１３または１４記載の基板処理システム。
16. 前記第２の搬送ユニットは、基板を保持する第３および第４の保持手段を含み、前記感光性膜の形成後でかつ前記露光処理前の基板を前記第３の保持手段により保持して前記露光装置へ搬送し、前記露光処理後でかつ前記乾燥処理前の基板を前記第４の保持手段により保持して前記露光装置から搬送するように構成されることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の基板処理システム。
17. 前記第４の保持手段は前記第３の保持手段より下方に設けられることを特徴とする請求項１６記載の基板処理システム。
18. 前記基板処理装置は、前記感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載の基板処理システム。
19. 前記基板処理装置は、前記露光装置による露光処理後に前記保護膜を除去する除去ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１８記載の基板処理システム。
20. 前記基板処理装置は、前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１〜１９のいずれかに記載の基板処理システム。

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