JP5308054B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
この基板処理装置においては、第1の処理部において感光性膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成される。その基板は第2の処理部に搬送され、洗浄処理ユニットにより洗浄された後、露光装置に搬入される。露光装置において露光処理が行われた基板は、第2の処理部に戻される。そして、第2の処理部において熱処理ユニットにより基板に熱処理が行われる。
この場合、露光処理前の基板が第1および第3の搬送手段により第1の処理部、洗浄処理ユニットおよび露光装置の間で搬送され、露光処理後の基板が第2および第4の搬送手段により露光装置および熱処理ユニットの間で搬送される。すなわち、第2の処理部では、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。
それにより、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とが交錯する場合に比べて、効率よく基板を搬送することができる。その結果、スループットを向上させることが可能になる。また、露光処理前の基板と露光処理後の基板とが同一の部位に接触することがないので、露光処理前の基板と露光処理後の基板との間の相互汚染を防止することができる。
また、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立していることにより、露光処理後の基板を円滑に熱処理ユニットに搬送することができる。そのため、複数の基板を連続的に処理する場合に、露光処理から熱処理までの時間をほぼ一定にすることができる。その結果、露光パターンの精度のばらつきを防止することができる。
さらに、熱処理ユニットが露光装置に隣接する第2の処理部に設けられているので、露光処理後の基板を迅速に熱処理ユニットまで搬送することができる。したがって、露光処理後、迅速に基板の熱処理を行うことができる。その結果、感光性膜内の化学反応を速やかに促進させることができ、所望の露光パターンを得ることができる。
処理用ブロックは、第1の搬送手段としての第1の搬送装置および第2の搬送手段としての第2の搬送装置を含み、搬入搬出用ブロックは、第3の搬送手段としての第1の保持部および第4の搬送手段としての第2の保持部を有する第3の搬送装置を含み、第1の搬送装置は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって露光装置による露光処理前の基板を洗浄処理ユニットに搬送し、洗浄処理ユニットによる洗浄後の基板を搬入搬出用ブロックに向けて搬送し、第3の搬送装置は、第1の搬送装置により搬送された洗浄後の基板を第1の保持部により保持して露光装置に搬送し、露光装置による露光処理後の基板を第2の保持部により保持して処理用ブロックに向けて搬送し、第2の搬送装置は、第3の搬送装置により搬送された露光処理後の基板を熱処理ユニットに搬送してもよい。
処理用ブロックは、第1の搬送手段としての第1の搬送装置および第2の搬送手段としての第2の搬送装置を含み、搬入搬出用ブロックは、第3の搬送手段としての第3の搬送装置および第4の搬送手段としての第4の搬送装置を含み、第1の搬送装置は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって露光装置による露光処理前の基板を洗浄処理ユニットに搬送し、洗浄処理ユニットによる洗浄後の基板を搬入搬出用ブロックに向けて搬送し、第3の搬送装置は、第1の搬送装置により搬送された洗浄後の基板を露光装置に搬送し、第4の搬送装置は、露光装置による露光処理後の基板を処理用ブロックに向けて搬送し、第2の搬送装置は、第4の搬送装置により搬送された露光処理後の基板を熱処理ユニットに搬送してもよい。
搬入搬出用ブロックは、処理用ブロックに対して可動であってもよい。
第1の処理部は、熱処理ユニットから熱処理後の基板を搬出する第5の搬送手段をさらに含んでもよい。
熱処理ユニットは、第2の搬送手段により搬入された基板を一時的に載置するための第1の載置部と、第5の搬送手段により搬出される基板を一時的に載置するための第2の載置部と、基板を加熱する加熱部と、第1および第2の載置部ならびに加熱部との間で基板を搬送する搬送部とを有してもよい。
処理用ブロックは、露光装置による露光処理後であって熱処理ユニットによる熱処理前に基板を乾燥させる乾燥処理ユニットをさらに含み、第2の搬送手段は、露光処理後の基板を搬入搬出用ブロック、乾燥処理ユニットおよび熱処理ユニットの間で搬送してもよい。
第1の処理部、第2の処理部および露光装置は第1の方向に沿って並設され、洗浄処理ユニット、熱処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、第2の処理部において第1の方向と水平面内で直交する第2の方向に沿って配置され、熱処理ユニットは、第2の処理部の略中央部に配置され、洗浄処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、第2の方向に沿った熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されてもよい。
参考形態に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための第1の処理部と、第1の処理部と露光装置との間に配置され、基板に処理を行うとともに露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う第2の処理部とを備え、第1の処理部は、基板上に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、第2の処理部は、露光処理前の基板を洗浄する洗浄処理ユニットと、露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、露光処理前の基板を第1の処理部、洗浄処理ユニットおよび露光装置の間で搬送する第1の基板搬送機構と、露光処理後の基板を露光装置および熱処理ユニットの間で搬送する第2の基板搬送機構とを含むものである。
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図1ならびに後述する図2〜図5および図8には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を+方向、その反対の方向を−方向とする。また、Z方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
次に、本実施の形態に係る基板処理装置500の動作について図1〜図3を参照しながら説明する。
図4は、載置兼加熱ユニットP−PEBの外観斜視図であり、図5は、YZ平面における載置兼加熱ユニットP−PEBの断面図である。
次に、洗浄/乾燥処理ユニットSD1について図面を用いて詳細に説明する。図6は、洗浄/乾燥処理ユニットSD1の構成を示す側面図である。なお、洗浄/乾燥処理ユニットSD2は、洗浄/乾燥処理ユニットSD1と同様の構成を有する。
本実施の形態では、インターフェースブロック15の洗浄加熱ブロック15aにおいて、露光処理前の基板Wが第6のセンターロボットCR6により搬送され、露光処理後の基板Wが第7のセンターロボットCR7により搬送される。また、インターフェースブロック15の搬入搬出ブロック15bにおいて、インターフェース用搬送機構IFRのハンドH1,H2がそれぞれ独立に駆動され、露光処理前の基板WがハンドH1により搬送され、露光処理後の基板WがハンドH2により搬送される。
図8は、本発明の他の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図8に示す基板処理装置500aについて、上記実施の形態の基板処理装置500と異なる点を説明する。
上記実施の形態では、液浸法により基板Wの露光処理を行う露光装置16を基板処理装置500の外部装置として設ける場合について説明したが、これに限定されず、液体を用いずに基板Wの露光処理を行う従来の露光装置を外部装置として設けてもよい。その場合、洗浄加熱ブロック10に洗浄/乾燥処理ユニットSD2を設けなくてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
10 反射防止膜用処理ブロック
11 レジスト膜用処理ブロック
12 現像処理ブロック
13 レジストカバー膜用処理ブロック
14 レジストカバー膜除去ブロック
15 インターフェースブロック
15a 洗浄加熱ブロック
15b 搬入搬出ブロック
16 露光装置
500,500a 基板処理装置
BARC,RES,COV 塗布ユニット
CR1〜CR7 第1〜第7のセンターロボット
DEV 現像処理ユニット
IFR,IFRa,IFRb インターフェース用搬送機構
P−PEB 載置兼ベークユニット
SD1,SD2 洗浄/乾燥処理ユニット
W 基板
Claims (8)
- 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための第1の処理部と、
前記第1の処理部と前記露光装置との間に配置され、基板に処理を行うとともに前記露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う第2の処理部とを備え、
前記第1の処理部は、
基板上に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、
前記第2の処理部は、
基板に処理を行う処理用ブロックと、
前記露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う搬入搬出用ブロックとを含み、
前記処理用ブロックは、
露光処理前の基板を洗浄する洗浄処理ユニットと、
露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
露光処理前の基板を前記第1の処理部、前記洗浄処理ユニットおよび前記搬入搬出用ブロックの間で搬送する第1の搬送手段と、
露光処理後の基板を前記搬入搬出用ブロックおよび前記熱処理ユニットの間で搬送する第2の搬送手段とを含み、
前記搬入搬出用ブロックは、
露光処理前であって前記洗浄処理ユニットによる洗浄後の基板を前記露光装置に搬入する第3の搬送手段と、
露光処理後の基板を前記露光装置から搬出する第4の搬送手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理用ブロックは、前記第1の搬送手段としての第1の搬送装置および前記第2の搬送手段としての第2の搬送装置を含み、
前記搬入搬出用ブロックは、前記第3の搬送手段としての第1の保持部および前記第4の搬送手段としての第2の保持部を有する第3の搬送装置を含み、
前記第1の搬送装置は、前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前の基板を前記洗浄処理ユニットに搬送し、前記洗浄処理ユニットによる洗浄後の基板を前記搬入搬出用ブロックに向けて搬送し、
前記第3の搬送装置は、前記第1の搬送装置により搬送された洗浄後の基板を前記第1の保持部により保持して前記露光装置に搬送し、前記露光装置による露光処理後の基板を前記第2の保持部により保持して前記処理用ブロックに向けて搬送し、
前記第2の搬送装置は、前記第3の搬送装置により搬送された露光処理後の基板を前記熱処理ユニットに搬送することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記処理用ブロックは、前記第1の搬送手段としての第1の搬送装置および前記第2の搬送手段としての第2の搬送装置を含み、
前記搬入搬出用ブロックは、前記第3の搬送手段としての第3の搬送装置および前記第4の搬送手段としての第4の搬送装置を含み、
前記第1の搬送装置は、前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前の基板を前記洗浄処理ユニットに搬送し、前記洗浄処理ユニットによる洗浄後の基板を前記搬入搬出用ブロックに向けて搬送し、
前記第3の搬送装置は、前記第1の搬送装置により搬送された洗浄後の基板を前記露光装置に搬送し、
前記第4の搬送装置は、前記露光装置による露光処理後の基板を前記処理用ブロックに向けて搬送し、
前記第2の搬送装置は、前記第4の搬送装置により搬送された露光処理後の基板を前記熱処理ユニットに搬送することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記搬入搬出用ブロックは、前記処理用ブロックに対して可動であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第1の処理部は、前記熱処理ユニットから熱処理後の基板を搬出する第5の搬送手段をさらに含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記熱処理ユニットは、
第2の搬送手段により搬入された基板を一時的に載置するための第1の載置部と、
前記第5の搬送手段により搬出される基板を一時的に載置するための第2の載置部と、
基板を加熱する加熱部と、
前記第1および第2の載置部ならびに前記加熱部との間で基板を搬送する搬送部とを有することを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。 - 前記処理用ブロックは、前記露光装置による露光処理後であって前記熱処理ユニットによる熱処理前に基板を乾燥させる乾燥処理ユニットをさらに含み、
前記第2の搬送手段は、露光処理後の基板を前記搬入搬出用ブロック、前記乾燥処理ユニットおよび前記熱処理ユニットの間で搬送することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記第1の処理部、前記第2の処理部および前記露光装置は第1の方向に沿って並設され、
前記洗浄処理ユニット、前記熱処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記第2の処理部において前記第1の方向と水平面内で直交する第2の方向に沿って配置され、
前記熱処理ユニットは、前記第2の処理部の略中央部に配置され、
前記洗浄処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記第2の方向に沿った前記熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されることを特徴とする請求項7記載の基板処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008107166A JP5308054B2 (ja) | 2008-04-16 | 2008-04-16 | 基板処理装置 |
KR1020090024619A KR101099304B1 (ko) | 2008-04-16 | 2009-03-23 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008107166A JP5308054B2 (ja) | 2008-04-16 | 2008-04-16 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009260032A JP2009260032A (ja) | 2009-11-05 |
JP5308054B2 true JP5308054B2 (ja) | 2013-10-09 |
Family
ID=41387085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008107166A Active JP5308054B2 (ja) | 2008-04-16 | 2008-04-16 | 基板処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5308054B2 (ja) |
KR (1) | KR101099304B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5817693B2 (ja) | 2012-09-25 | 2015-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6099449B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-03-22 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168004A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-06-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP3590328B2 (ja) * | 2000-05-11 | 2004-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム |
JP2004207750A (ja) * | 2004-02-12 | 2004-07-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP4535489B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布・現像装置 |
JP2005353763A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置及びパターン形成方法 |
JP4343069B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2009-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、露光装置及びレジストパターン形成方法。 |
JP2006278693A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Asahi Glass Co Ltd | 水パージ剤およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP4807749B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2011-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 露光・現像処理方法 |
JP2008153422A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 塗布・現像装置およびパターン形成方法 |
JP5136103B2 (ja) * | 2008-02-12 | 2013-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体 |
-
2008
- 2008-04-16 JP JP2008107166A patent/JP5308054B2/ja active Active
-
2009
- 2009-03-23 KR KR1020090024619A patent/KR101099304B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101099304B1 (ko) | 2011-12-26 |
KR20090110219A (ko) | 2009-10-21 |
JP2009260032A (ja) | 2009-11-05 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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